兩步互擴(kuò)散法制備高性能CsPbCl3薄膜紫外光電探測器

吳炯樺，李一明，石將建，吳會覺，羅艷紅,4，李冬梅,4，孟慶波,2,4,＊

1中國科學(xué)院清潔能源前沿研究重點實驗室，北京新能源材料與器件重點實驗室，北京凝聚態(tài)物理國家研究中心，中國科學(xué)院物理研究所，北京 100190

2中國科學(xué)院大學(xué)材料光電研究中心，北京 100049

3中國科學(xué)院大學(xué)物理學(xué)院，北京 100049

4松山湖材料實驗室，廣東 東莞 523808

1 引言

紫外光電探測器在紫外制導(dǎo)、通訊接收、火災(zāi)探測和醫(yī)學(xué)成像等領(lǐng)域具有廣泛的用途1–3。常見的紫外光電探測器的吸收層材料主要包括SiC、ZnO和GaN等，但是它們在光電響應(yīng)度、響應(yīng)時間、制備成本等方面仍存在一定的不足。比如SiC作為間接帶隙半導(dǎo)體，吸光度較低，且制備工藝復(fù)雜4；ZnO達(dá)到光電響應(yīng)穩(wěn)定的耗時較長5,6；高質(zhì)量的GaN材料較難生長7,8。因此，發(fā)展一種穩(wěn)定、高效和低成本的紫外光電探測材料具有較大的挑戰(zhàn)性9–11。鈣鈦礦材料(APbX3，A = Cs、CH3NH3(MA)，X = Cl、Br、I)以其出色的光吸收能力，高的缺陷容忍度，雙載流子輸運等優(yōu)異的光電特性，在各種各樣的光電器件，如太陽能電池和發(fā)光二極管中，均表現(xiàn)出巨大的潛在應(yīng)用前景12–17。

紫外響應(yīng)的鈣鈦礦材料因其制備成本低廉，光電靈敏度高而十分有望成為構(gòu)筑下一代的鈣鈦礦紫外光電探測器的優(yōu)異材料。CsPbCl3具有合適的光學(xué)帶隙，穩(wěn)定的化學(xué)結(jié)構(gòu)等特性，正是紫外光電探測器的一種理想材料18–20。2017年劉生忠團(tuán)隊21通過制備CsPbCl3的納米晶，首次構(gòu)建了橫向結(jié)構(gòu)的紫外光電探測器。方國家團(tuán)隊22用二甲基亞砜(DMSO)作為溶劑生長了微米級的CsPbCl3單晶，構(gòu)建單晶紫外光電探測器。相比于各種微納米材料，薄膜材料更適合于制備大面積光電子器件，在缺陷態(tài)和結(jié)晶質(zhì)量方面具備更大的可調(diào)控空間。同時薄膜材料可以構(gòu)建橫向或縱向結(jié)構(gòu)探測器。因此，制備缺陷少，表面平整的CsPbCl3薄膜對構(gòu)筑高性能紫外光電探測器十分重要。溶液法是一種制備鈣鈦礦薄膜的優(yōu)秀方法。其具有設(shè)備要求低，反應(yīng)環(huán)境溫和，操作簡單，可重復(fù)性高等優(yōu)點23,24。然而在制備CsPbCl3薄膜的過程中，難以找到適合的溶劑，導(dǎo)致構(gòu)筑CsPbCl3薄膜的紫外光電探測器十分困難。通過分別溶解反應(yīng)原料的兩步法，可以繞過沒有合適溶劑溶解CsPbCl3的問題25,26。以MAPbI3為例，傳統(tǒng)的兩步法先旋涂一層PbI2薄膜，接著再把PbI2薄膜浸泡在MAI的溶液中，使得PbI2和MAI反應(yīng)生成鈣鈦礦薄膜27,28。

由于兩步法具有反應(yīng)程度容易掌控，成膜后薄膜質(zhì)量高等特點，本文希望基于連續(xù)滴涂的兩步溶液法，制備高質(zhì)量的CsPbCl3薄膜，以解決其難以成膜的問題，并進(jìn)一步的構(gòu)筑高性能的紫外光電探測器。

2 實驗部分

2.1 材料

氯化鉛(PbCl2，99.999%)和三異丙醇鋁(97%)購置于Aldrich，氯化銫(CsCl，99.999%)和分析純二甲基亞砜(DMSO)購置于Alfa Aesar，分析純甲醇和異丙醇購置于國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司。所有材料都沒有經(jīng)過二次提純。鈉鈣玻璃(SLG)基底分別用洗滌劑、去離子水和乙醇(97%)超聲清洗多次，并在使用前經(jīng)15 min紫外臭氧處理。

2.2 制備方法

2.2.1 Al2O3基底的制備

在鈉鈣玻璃基底上，采用3000 r·min?1轉(zhuǎn)速旋涂經(jīng)異丙醇稀釋的三異丙醇鋁溶液，然后在馬弗爐中500 °C煅燒1 h，得到30 nm厚的平面Al2O3基底。

2.2.2 兩步法CsPbCl3薄膜制備

PbCl2薄膜的制備：把1.4 mmol PbCl2溶解于1 mL DMSO中，并在70 °C下攪拌至少3 h以上。在手套箱中將該溶液以3000 r·min?1的轉(zhuǎn)速旋涂到具有一定溫度的Al2O3基底上，之后在不同的溫度下退火10 min。

CsCl溶液的旋涂：20 mg CsCl溶解于1 mL甲醇中，攪拌1 h，然后加入微量的DMSO (2%，體積比)。微量的DMSO有助于兩步法的第二步反應(yīng)29。將該CsCl溶液逐滴滴加到保持4000 r·min?1轉(zhuǎn)速的PbCl2薄膜上，并控制每一滴的量在10 μL左右。之后將旋涂好的樣品在240 °C的熱臺上加熱30 min，得到CsPbCl3鈣鈦礦薄膜。

2.3 表征方法

掃描電鏡(SEM)照片使用Hitachi S-4800 (日立，日本)拍攝得到。紫外可見吸收(UV-Vis)光譜使用SHIMADZU UV-2550 (島津，日本)測量得到。X射線衍射(XRD)的測量是利用New Empyream XRD衍射儀(帕納科，德國)，使用了Cu的Kα的衍射源。光致激發(fā)熒光(PL)使用FLS900 (愛丁堡，英國)測量。變激發(fā)光強的穩(wěn)態(tài)熒光是由我組自主建設(shè)的裝置實施的30，光源由飛秒激光(35 fs展寬，800 nm)經(jīng)過光參量放大器(OPA)生成325 nm的紫外光，并利用光纖光譜儀AvaSpec-ULS2048CL-EVO(愛萬提斯，荷蘭)收集光學(xué)信號。飛秒激光器和OPA購買于美國的Coherent公司。光電探測器的伏安特性是使用Keithley 2602源表測量，光源使用的是365 nm的紫外LED燈。其電極結(jié)構(gòu)的圖像使用Olympus-BX61光學(xué)顯微鏡拍攝獲得的(奧林巴斯，日本)。

3 結(jié)果與討論

本文利用了兩步溶液法首次制備了高質(zhì)量CsPbCl3薄膜。具體的實驗步驟在實驗部分，現(xiàn)簡單介紹方法如下(圖1a)：先在Al2O3上旋涂PbCl2薄膜。前期的研究表明，Al2O3基底可以增強鈣鈦礦薄膜的性能30。隨后我們通過控制PbCl2薄膜的退火溫度，調(diào)控了PbCl2薄膜的形貌狀態(tài)。然后在PbCl2薄膜上連續(xù)滴涂溶于甲醇的CsCl溶液，最后退火形成CsPbCl3薄膜。這一過程是CsCl擴(kuò)散進(jìn)入PbCl2晶格向CsPbCl3轉(zhuǎn)換的過程(晶格結(jié)構(gòu)如圖1b)。

圖1 (a)兩步法制備CsPbCl3鈣鈦礦薄膜制備示意圖；(b)PbCl2向CsPbCl3的晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變Fig.1 (a)Schematic of preparation procedure of CsPbCl3 perovskite film via the two step method;(b)crystal structures conversion from orthorhombic PbCl2 to cubic CsPbCl3.

兩步法中第一步中鹵化鉛薄膜形貌對于鈣鈦礦晶體的形成至關(guān)重要31,32。PbCl2的形貌與其退火溫度緊密相關(guān)，我們首先研究了不同退火溫度(40、60、80、100 °C)對PbCl2薄膜結(jié)晶形貌的影響。

從XRD衍射圖(圖2a)可以看到，40和60 °C退火的PbCl2樣品上有很明顯的2θ為10.46°和20.9°的衍射峰。此衍射峰隨著退火溫度的提高峰強逐漸降低?？梢酝茰y此衍射峰所對應(yīng)的是PbCl2·DMSO的配體33。對于80和100 °C退火的PbCl2薄膜樣品，這兩個衍射峰消失，同時觀察到在19.7°到24.9°之間出現(xiàn)若干新的衍射峰，他們對應(yīng)著PbCl2晶體的XRD衍射峰34，表明PbCl2已經(jīng)結(jié)晶。為了進(jìn)一步驗證XRD的分析結(jié)果，我們給出PbCl2薄膜經(jīng)過不同退火溫度的SEM圖片?？梢钥吹剑航?jīng)40 °C退火后PbCl2薄膜呈現(xiàn)一種花白狀(圖3a)，結(jié)合XRD圖中2θ衍射峰位置為10.46°，可以判斷此花白是一層PbCl2·DMSO的前驅(qū)膜，故在SEM上無法清楚分辨出圖像。在提高退火溫度以后(60 °C)PbCl2前驅(qū)膜仍然部分保持著花白的狀態(tài)(圖3b)，但是在薄膜上已經(jīng)出現(xiàn)了黑色斑點，暗示了PbCl2開始結(jié)晶。當(dāng)把退火溫度提高到80 °C后(圖3c)，在SEM電鏡照片上已經(jīng)可以看到規(guī)整的PbCl2結(jié)晶晶粒。在繼續(xù)提高退火溫度到100 °C后(圖3d)，觀察到在結(jié)晶的PbCl2薄膜上開始出現(xiàn)了孔隙。這些孔隙可以認(rèn)為是DMSO溶劑的充分揮發(fā)以及PbCl2的結(jié)晶收縮所導(dǎo)致的32,33。

圖2 (a)PbCl2經(jīng)不同退火溫度退火后的XRD衍射圖；(b)以及依此制備的CsPbCl3薄膜的XRD衍射圖；(c)CsPbCl3特征峰強度隨著退火溫度變化的關(guān)系圖Fig.2 (a)XRD patterns of PbCl2 thin films annealed at different annealing temperatures; (b)XRD patterns of CsPbCl3 thin films prepared with different annealing PbCl2 films; (c)different peaks XRD intensity plots of different PbCl2 annealing temperatures.

圖3 PbCl2薄膜經(jīng)不同退火溫度退火后得到的掃描電鏡的照片F(xiàn)ig.3 Top view SEM images of PbCl2 thin films prepared with different annealing temperatures.

接著使用這些不同溫度退火后的PbCl2薄膜制備了CsPbCl3薄膜。從XRD衍射圖(如圖2b所示)中，可以看到2θ為16°、22.5°、32°的XRD峰，且以22.5°峰的峰強最強，分別對應(yīng)著CsPbCl3薄膜的(001)、(101)、(002)晶面，這與以往文獻(xiàn)報道的XRD結(jié)果相同18–22,證明了兩步法確實可以制備出CsPbCl3薄膜。同時，我們還注意到經(jīng)40和60 °C退火后的PbCl2上制備的CsPbCl3薄膜仍有2θ為19.7°和24.9°的PbCl2的衍射峰，暗示著CsPbCl3薄膜的不完全轉(zhuǎn)化。為了更清楚的分析XRD結(jié)果，我們挑選了幾個具有代表性的峰位，以他們的峰強和PbCl2的退火溫度分別為Y和X軸作出圖2c。從圖中可以清晰的看到隨著PbCl2退火溫度的提高，經(jīng)兩步法制備而形成的CsPbCl3的特征峰(2θ = 16°，22.5°)峰強都有顯著的提升，兩者成正相關(guān)關(guān)系。而2θ為16°峰的強度增長在PbCl2的退火溫度為80 °C時有所飽和。同時，PbCl2的2θ =19.7°的特征峰峰強會隨著PbCl2的退火溫度的提高而逐漸減小，直至到PbCl2的退火溫度為80 °C時完全消失。這表明提高PbCl2的退火溫度可以促進(jìn)CsPbCl3薄膜的完全轉(zhuǎn)換。

為進(jìn)一步研究不同PbCl2退火溫度對CsPbCl3薄膜的影響，我們對不同PbCl2退火溫度下制備的CsPbCl3薄膜的SEM形貌進(jìn)行分析。如圖4所示。可以清楚的看到經(jīng)PbCl2在40 °C退火后所形成CsPbCl3薄膜上有少量的深色晶粒，考慮到XRD圖顯示有殘余PbCl2的相，故推測此處的深色晶粒是不能完全轉(zhuǎn)換為CsPbCl3的PbCl2。當(dāng)升高PbCl2的退火溫度后(60 °C)，從SEM中可以看到黑色晶體的數(shù)量有所減少，暗示著CsPbCl3的轉(zhuǎn)換率有所升高，與XRD中PbCl2的特征峰(2θ = 19.7°)的峰強降低相符。在進(jìn)一步提高PbCl2的退火溫度后(80 °C)，從SEM中可以看到我們得到了一種致密、晶粒飽滿的CsPbCl3薄膜，平均晶粒大小可達(dá)1 μm左右，這應(yīng)該是據(jù)我們所知的目前報道中溶液法制備的CsPbCl3薄膜的最大晶粒尺寸18–21。晶界處缺陷較多，往往是載流子的復(fù)合中心35–37。而一個大的晶粒有助于減少薄膜的晶界數(shù)量，提高后續(xù)制備的光電器件的性能。在進(jìn)一步提高PbCl2的退火溫度后(100 °C)，CsPbCl3薄膜中出現(xiàn)了孔洞。結(jié)合PbCl2在100 °C退火后的SEM圖片，我們認(rèn)為此孔洞是PbCl2薄膜孔隙造成的結(jié)果。這些結(jié)果反映了兩步法中PbCl2前驅(qū)膜對CsPbCl3鈣鈦礦薄膜形貌的巨大影響。

圖4 不同PbCl2退火溫度下制備的CsPbCl3薄膜的掃描電鏡的照片F(xiàn)ig.4 Top view SEM images of CsPbCl3 thin films prepared with different PbCl2 annealing temperatures.

通過以上實驗結(jié)果我們可以簡單合理的分析在兩步法中前驅(qū)膜PbCl2的形貌對CsPbCl3薄膜形成的影響。當(dāng)PbCl2前驅(qū)膜里含大量DMSO配位時，第二步的CsCl無法順利與PbCl2反應(yīng)?？赡艿脑蚴桥湮坏腄MSO占據(jù)了空間位置，阻礙了CsCl與PbCl2進(jìn)一步反應(yīng)生成CsPbCl3。當(dāng)提高退火溫度，DMSO含量逐漸降低，CsCl與PbCl2的反應(yīng)程度得以提高。然而過高的退火溫度會導(dǎo)致DMSO的完全去除，使得PbCl2晶體上留下孔隙，影響了后續(xù)反應(yīng)生成的CsPbCl3形貌。而PbCl2薄膜在適中的溫度下退火(80 °C)，可以反應(yīng)生成致密平整的CsPbCl3薄膜。

進(jìn)而我們表征了使用經(jīng)不同溫度退火的PbCl2薄膜而制備的CsPbCl3薄膜的光電性能。其紫外-可見吸收結(jié)果如圖5a所示?？梢钥吹剑珻sPbCl3薄膜的吸光位置大概在410 nm左右，其材料所對應(yīng)的帶隙在2.97 eV。該帶隙使得CsPbCl3十分適合用于制備可見光盲區(qū)的紫外光電探測器。這種類型的紫外光電探測器在工作時可以不受自然環(huán)境中的可見光干擾。同時從圖5a可以看出在407 nm的位置上CsPbCl3有一個強的激子吸收峰，說明CsPbCl3中激子束縛能較強，以激子吸收占據(jù)主導(dǎo)。文獻(xiàn)顯示CsPbCl3的激子束縛能在75 meV左右38?？梢钥吹絇bCl2經(jīng)40 °C退火后制備的CsPbCl3薄膜的吸收值較低，在逐漸提高PbCl2退火溫度后，吸收值有所提高。結(jié)合XRD和SEM結(jié)果，可以認(rèn)為這是因為CsPbCl3薄膜內(nèi)殘余的PbCl2較多，CsPbCl3含量不足。而PbCl2的吸光能力較低，影響了整個薄膜的吸光。用經(jīng)80 °C退火后的PbCl2制備的CsPbCl3薄膜具有最大吸收值。繼續(xù)提高PbCl2退火溫度后(100 °C)，吸光會有所降低，結(jié)合SEM結(jié)果，我們認(rèn)為吸光降低是由于未覆蓋滿的CsPbCl3薄膜導(dǎo)致的。

與吸收光譜相結(jié)合，我們測量了使用不同溫度退火的PbCl2薄膜而制備的CsPbCl3薄膜的穩(wěn)態(tài)熒光(圖5b)。與吸收結(jié)果相似的，PbCl2經(jīng)80 °C退火后制備的CsPbCl3薄膜具有最高的熒光發(fā)光強度，PbCl2經(jīng)40 °C退火后制備的CsPbCl3薄膜具有最低的熒光強度。熒光是由光激發(fā)產(chǎn)生的電荷直接復(fù)合而產(chǎn)生的。其強度往往反應(yīng)了薄膜的質(zhì)量，會受到薄膜吸光能力以及缺陷相關(guān)的非輻射復(fù)合等因素的影響39,40。總體而言薄膜質(zhì)量越高，薄膜就有著更強的熒光強度。所以熒光結(jié)果表明PbCl2經(jīng)80 °C退火后制備的CsPbCl3薄膜具有最好的薄膜質(zhì)量。而PbCl2經(jīng)100 °C退火后制備的CsPbCl3薄膜其熒光強度較低。我們推測這是因為薄膜中出現(xiàn)了孔洞，而孔洞產(chǎn)生的晶界會成為電荷-載流子的復(fù)合中心，加劇了非輻射復(fù)合，降低了熒光強度。很有趣的是在CsPbCl3的薄膜樣品中觀測到了具有412和417 nm兩個熒光發(fā)射峰，雖然這兩個發(fā)射峰在以往生長CsPbCl3晶體的文獻(xiàn)中皆有出現(xiàn)20,22，但在CsPbCl3薄膜中同時觀察到兩個熒光峰還是首次。我們推測這是不同晶體取向帶來的熒光差別。

圖5 不同PbCl2退火溫度下制備的CsPbCl3薄膜的(a)吸收光譜和(b)穩(wěn)態(tài)熒光光譜Fig.5 (a)UV-Vis spectra and (b)steady-state photoluminescence spectra of CsPbCl3 thin films prepared with different PbCl2 annealing temperatures.

為了更進(jìn)一步的表征CsPbCl3薄膜的質(zhì)量，我們測量了瞬態(tài)熒光，如圖6a所示。我們使用了脈沖氫燈(脈寬2 ns)作為紫外光源，激發(fā)光波長為325 nm。利用儀器響應(yīng)函數(shù)(IRF)，對熒光結(jié)果進(jìn)行解卷積擬合，得到了薄膜的平均壽命(表1)。可以看到PbCl2經(jīng)80 °C退火后制備的CsPbCl3薄膜具有最高的熒光壽命，暗示CsPbCl3薄膜缺陷態(tài)最少。

圖6 不同PbCl2退火溫度下制備的CsPbCl3薄膜的(a)瞬態(tài)熒光和(b)熒光強度與光激發(fā)載流子密度的關(guān)系Fig.6 (a)Time-resolved photoluminescence decays; (b)the relationships between PL intensity and photoexcited carrier density for CsPbCl3 thin films prepared with different PbCl2 annealing temperatures.

為了進(jìn)一步分析經(jīng)不同PbCl2退火溫度制備的CsPbCl3薄膜的缺陷態(tài)，我們使用飛秒激光和一個光纖光譜儀測量了變激發(fā)光強度的穩(wěn)態(tài)熒光，并描繪了不同光強下的熒光強度和光激發(fā)載流子濃度的關(guān)系圖(圖6b)。不同光強下的熒光強度(IPL)和光激發(fā)載流子濃度(nc)的關(guān)系可以用以下公式近似描述41：

Nc(0)= nTr(1 ? exp(aτIPL/k)+ IPL/k)

其中nTr是缺陷態(tài)濃度，a是載流子捕獲截面和載流子速度的乘積，τ是熒光壽命，k是一個和樣品有關(guān)的常數(shù)。我們利用此公式擬合了圖6b中不同CsPbCl3薄膜的缺陷態(tài)濃度nTr。擬合所得的數(shù)值列入了表1中?？梢钥吹絇bCl2經(jīng)80 °C退火后制備的CsPbCl3薄膜缺陷態(tài)薄膜缺陷濃度最低，為6.45 ×1016cm?3。這是因為該薄膜具有最平整的表面，最少的晶界以及最純凈的CsPbCl3相。PbCl2經(jīng)40和60 °C退火后制備的CsPbCl3薄膜缺陷態(tài)薄膜缺陷數(shù)量分別為8.67 × 1017和5.20 × 1017cm?3。PbCl2經(jīng)100 °C退火制備的CsPbCl3薄膜缺陷濃度為4.24 ×1017cm?3，可能與其薄膜沒有長滿導(dǎo)致晶界缺陷有關(guān)。

表1 不同PbCl2退火溫度下制備的CsPbCl3薄膜的平均壽命和缺陷態(tài)密度Table 1 Average life time and defect density of CsPbCl3 thin films prepared with different PbCl2 annealing temperatures.

最后，我們使用最佳實驗組的CsPbCl3鈣鈦礦薄膜制備了一種簡單結(jié)構(gòu)的橫向紫外光電探測。其器件結(jié)構(gòu)如圖7a所示，圖中亮色部分為金電極，綠色部分為CsPbCl3。利用熱蒸發(fā)把金電柵線蒸鍍到CsPbCl3薄膜之上，電極間距約100 μm。整個器件的面積大約為0.32 mm2。在紫外光照下CsPbCl3鈣鈦礦薄膜產(chǎn)生光生電荷，光生電荷在金電極之間的外加電場下分離，產(chǎn)生光生電流。用數(shù)字源表測量了光電流(Jlight)與暗電流(Jdark)，其電流–電壓特性曲線如圖7b所示。可在15 V的外置偏壓下CsPbCl3紫外光電探測器的開關(guān)比Jlight/Jdark大約在300左右(365 nm光照，光強1.43 mW·cm?2)，表現(xiàn)出了良好的光電探測器性能。我們進(jìn)一步測量了CsPbCl3紫外光電探測器在不同外置偏壓下(5、10、15 V)的開關(guān)特性。可以看到CsPbCl3紫外光電探測器在不同偏壓下都可以較好的工作。且器件開斷迅速，反應(yīng)時間在我們數(shù)字源表測量精度以下(＜0.1 s)。最后我們測量了不同光強下的響應(yīng)度R(A·W?1)曲線。響應(yīng)度R=Jlight/Plight為光電流和光強(Plight)的比值，是一種用來反應(yīng)光電探測器性能的參數(shù)30。如圖7d所示，測量的響應(yīng)度R和光強成負(fù)相關(guān)，與以往光電探測器的報道一樣42。在我們目前的工作中，最高可以獲得0.75 A·W?1的響應(yīng)度R。探測率D*是另一個用來衡量光電探測器的指標(biāo)，可用下式估算D* = R/(2·q·Jdark)1/2，q為元電荷常數(shù)43。我們制備的光電探測器的探測率D*約為7.8 × 1012Jones。(利用暗電流計算得到的探測率可能被高估)這些參數(shù)優(yōu)于目前商業(yè)化的光電探測器的性能(R約為0.2 A·W?1)44,45，說明CsPbCl3探測器具有較為光明的應(yīng)用前景。

圖7 CsPbCl3薄膜紫外光電探測器的(a)實物照片；(b)J–V曲線；(c)在5，10，15 V下開斷特性；(d)不同光強下的響應(yīng)度Fig.7 (a)Optical microscopy image of the CsPbCl3 perovskite film photodetector; (b)J–V characteristics of the CsPbCl3 perovskite film photodetector in the dark and under 365 nm illumination with light intensity of 1.43 mW·cm?2; (c)on-off switching properties measured at 5,10,15 V bias of CsPbCl3 perovskite film photodetector; (d)responsivity of the CsPbCl3 perovskite film photodetectors under different light intensities at 15 V.

4 結(jié)論

本文基于互擴(kuò)散的兩步法，通過調(diào)控PbCl2薄膜的退火溫度，制備了表面平整無孔洞、晶粒飽滿的CsPbCl3薄膜。據(jù)我們所知，此為溶液法制備高質(zhì)量CsPbCl3薄膜的首次報道，且薄膜缺陷態(tài)密度較低。最終構(gòu)筑了一種具有簡單橫向結(jié)構(gòu)的CsPbCl3薄膜紫外光電探測器，其開關(guān)比大，光電響應(yīng)迅速，響應(yīng)度R最大可達(dá)0.75 A·W?1。本工作為未來更進(jìn)一步研制更高效的CsPbCl3紫外光電薄膜探測器奠定了基礎(chǔ)。