許建蓉,汪西虎,劉 偉,李 晶

(西安郵電大學(xué) 電子工程學(xué)院,陜西 西安 710121)

USB Type-C 是目前電子設(shè)備中使用最多的接口類型,在數(shù)據(jù)傳輸方面,每個通道的傳輸速率可以達到10 Gbps;在物理結(jié)構(gòu)上,采用雙面對稱結(jié)構(gòu),支持正反插;在功能方面,能夠集數(shù)據(jù)傳輸、音頻傳輸、功率傳輸于一體;在應(yīng)用方面,涉及手機、商務(wù)筆記本電腦、顯示器等多個領(lǐng)域[1-2]。由于Type-C 接口的工作特性及應(yīng)用環(huán)境需要其支持熱插拔動作,導(dǎo)致接口容易受到靜電放電的影響,因此需要為接口提供系統(tǒng)級靜電保護[3]。目前,絕大多數(shù)Type-C 接口采用片外放置瞬態(tài)電壓抑制二極管(Transient Voltage Suppressor,TVS)器件的方案達到系統(tǒng)級靜電要求,不利于芯片的小型化,而且Type-C 接口對數(shù)據(jù)傳輸?shù)娜蒎e率有嚴格要求,因此需要根據(jù)Type-C 接口的防護需求及實際工作環(huán)境在單芯片上集成多通道的系統(tǒng)級靜電防護電路,同時保證端口的低電容特性,提高接口的可靠性。

Type-C 接口中,兩組D+、D-引腳用于傳輸USB2.0 的數(shù)據(jù)信號;CC1 和CC2 作為配置通道,配置不同的模式;SBU1 和SBU2 作為邊帶通道,用來傳送輔助信號[1-3]。芯片正常工作時D+、D-引腳的最高電壓為5.5 V,將其定義為低壓端口;CC1、CC2、SBU1 和SBU2 引腳的最高電壓能夠達到24 V,將其定義為高壓端口。為保證接口的可靠性,對ESD(靜電放電)端口防護電路提出相關(guān)可靠性指標:抗靜電能力達到IEC61000-4-2 接觸放電±8 kV;D+、D-端口電容需小于2 pF,CCX 端口電容需小于100 pF,SBUX 端口電容需小于10 pF。因此需要針對8 個端口提供相應(yīng)的低電容、系統(tǒng)級靜電防護方案。文獻[4]提出一種襯底改造的GGNMOS,該結(jié)構(gòu)具有較低的觸發(fā)電壓,但是由于其增加了額外的電源軌控制PMOS輔助觸發(fā)襯底部分,使整體電路的版圖面積和寄生電容有所增加,不適用于多通道低電容的ESD 防護;文獻[5]針對可控硅整流器(SCR)防護結(jié)構(gòu)觸發(fā)電壓較高問題,提出利用PMOS 器件觸發(fā)的SCR 結(jié)構(gòu),降低了觸發(fā)電壓,但其容易造成閂鎖問題;文獻[6]對GGNMOS 結(jié)構(gòu)進行改良,提出一種GGNMOS+RC NMOS 的ESD 防護結(jié)構(gòu),使電路防護能力達到IEC61000-4-2 接觸放電±2 kV。以上文獻中的方案只能滿足部分要求,并不能同時滿足多通道、低電容和系統(tǒng)級靜電防護的要求。鑒于此,本文提出基于導(dǎo)流二極管與ZCNMOS 結(jié)構(gòu)構(gòu)建的系統(tǒng)級靜電放電保護架構(gòu),通過ZCNMOS 結(jié)構(gòu)泄放ESD 大電流,利用導(dǎo)流二極管隔離靜電泄放器件的大電容,保證端口信號完整性。

1 電路設(shè)計

1.1 靜電防護架構(gòu)設(shè)計

本設(shè)計分別針對低壓端口和高壓端口提出靜電防護方案,圖1 所示為基于ZCNMOS 結(jié)構(gòu)的低壓端口防護電路,通過導(dǎo)流二極管D1-D4可降低端口電容。當(dāng)正向ESD 脈沖來臨時,導(dǎo)流二極管D1和D3導(dǎo)通,將電流導(dǎo)向ZCNMOS 結(jié)構(gòu),再經(jīng)ZCNMOS 結(jié)構(gòu)將電流泄放至地,則I/O 端口的鉗位電壓約為D1正向?qū)妷篤be與ZCNMOS 結(jié)構(gòu)上的壓降之和,同時需要保證正向脈沖來臨時,二極管D2的耐壓值高于I/O 端口鉗位電壓,防止其被反向擊穿;當(dāng)反向ESD 脈沖來臨時,導(dǎo)流二極管D2和D4導(dǎo)通,泄放自地至I/O 端口的靜電,則I/O 端口電壓被D2或D4鉗位在正向?qū)妷篤be左右,同時需要保證二極管D2和D4具有較高的泄流能力。D+、D-兩個引腳共用一個ZCNMOS 結(jié)構(gòu),可將低壓端口ESD 防護電路的版圖面積縮減至原來的1/2。

圖1 低壓端口防護電路Fig.1 Protection circuit of low-voltage port

基于ZCNMOS 結(jié)構(gòu)的高壓端口防護電路如圖2 所示,采用ZCNMOS 結(jié)構(gòu)級聯(lián)方式提高觸發(fā)電壓,大電流泄放通路與低壓端口相同。由文獻[7]可知,當(dāng)芯片發(fā)生熱插拔事件時,由于振鈴效應(yīng),高壓端口的瞬態(tài)電壓峰值約為最高電壓的1.8 倍,即44 V 左右,因此二極管D1、D4的反向擊穿電壓必須高于44 V;由于反向擊穿電壓高的二極管正向放電能力較弱,為保證過流能力,二極管的結(jié)面積必然較大,不易滿足低電容的要求。為此,通過串聯(lián)低擊穿電壓、低電容的二極管D2和D3將I/O 端口與ZCNMOS 結(jié)構(gòu)中靜電泄放器件的大電容進行隔離,從而降低端口電容。CC1、CC2、SBU1 和SBU2 引腳共用一個ZCNMOS 結(jié)構(gòu),可將高壓端口ESD 防護電路的版圖面積縮減至原來的1/4,減少整體版圖面積。

圖2 高壓端口防護電路Fig.2 Protection circuit of high-voltage port

1.2 ZCNMOS 結(jié)構(gòu)設(shè)計

GGNMOS 結(jié)構(gòu)在ESD 防護電路中應(yīng)用非常廣泛,為了保證較大的襯底電流,MOS 管采用叉指結(jié)構(gòu),導(dǎo)致MOS 管中寄生雙極性晶體管出現(xiàn)不均勻?qū)ǖ默F(xiàn)象,有可能只有2～3 根叉指優(yōu)先導(dǎo)通。此時,ESD 防護能力相當(dāng)于2～3 根叉指的防護能力,導(dǎo)致ESD 防護能力降低[8-9],這也是ESD 設(shè)計的瓶頸所在。因此,本文對 GGNMOS 進行優(yōu)化,設(shè)計柵極耦合的ZCNMOS 結(jié)構(gòu)進行靜電防護。

ZCNMOS 結(jié)構(gòu)如圖3 所示,M1表示高壓隔離型5 V 靜電泄放器件,為了保證過流能力,采用叉指結(jié)構(gòu),D1為穩(wěn)壓二極管,電阻R 用來限制流過D1的電流,防止MOS 管M1柵氧擊穿。當(dāng)端口發(fā)生ESD 事件時,二極管D1反向擊穿,使電阻R 上產(chǎn)生一定的壓降,M1的柵極在應(yīng)力作用下被瞬時上拉[10]。當(dāng)柵極電壓達到閾值電壓之后,MOS 管M1導(dǎo)通,隨著電流的增加,電流向下走并從襯底流出,使P 阱電阻上的壓降達到0.7 V,則寄生晶體管NPN 導(dǎo)通,開始泄放ESD 大電流。與GGNMOS 相比,ZCNMOS 結(jié)構(gòu)利用二極管與電阻在MOS 管M1的柵極耦合一定的電壓,使MOS 管M1導(dǎo)通,代替GGNMOS 中PN 結(jié)擊穿產(chǎn)生的襯底電流,因此具有更低的觸發(fā)電壓,而且會產(chǎn)生更高的襯底電流,有利于雙極晶體管的導(dǎo)通,從而保證叉指器件均勻開啟[11]。

圖3 ZCNMOS 結(jié)構(gòu)Fig.3 Structure of ZCNMOS

根據(jù)芯片的設(shè)計要求,當(dāng)芯片正常工作時,為了保證防護電路不被誤觸發(fā),ZCNMOS 結(jié)構(gòu)必須具有一定的耐壓值。當(dāng)端口發(fā)生ESD 事件時,穩(wěn)壓二極管被擊穿,并且隨著VIN的不斷升高,M1的柵極電壓達到其閾值電壓VTH(1.5 V)時,M1管完全導(dǎo)通,泄放大電流,通過穩(wěn)壓二極管D1和MOS 管M1的作用,使ZCNMOS 結(jié)構(gòu)的單級鉗位電壓約為二極管穩(wěn)壓值(6 V左右)與MOS 管柵源電壓VGS之和,即7.5 V 左右。為了設(shè)計安全考慮,應(yīng)保留10%的設(shè)計余量,因此M1管的漏端和源端的Vds耐壓值至少需要高于8.5 V,由于本設(shè)計采用的是5 V 的MOS 管,通過增大漏端到柵端的距離提高耐壓值,從而保證芯片正常工作時,防護電路關(guān)閉。

2 器件設(shè)計

Type-C 接口保護芯片采用0.25 μm 的BCD 工藝,其中主體電路采用了自對準硅化物(Silicide)和低摻雜漏(Lightly-Doped Drain,LDD)工藝技術(shù)。這些先進工藝改善了器件性能,但同時給ESD 防護電路帶來了新的問題,因此需要對工藝進行改進,消除這些不利因素。

2.1 靜電泄放器件優(yōu)化

圖4(a)表示Silicide 結(jié)構(gòu),通常使用Ti、W、Co等耐高溫材料的金屬硅化物覆蓋MOS 器件的源極和漏極,形成低阻的硅化物薄膜,以降低其方塊電阻和接觸電阻,改善器件性能。但是當(dāng)ESD 發(fā)生時,由于硅化物薄膜電阻小,使電流首先沿著有源區(qū)表面流動,導(dǎo)致器件發(fā)生熱擊穿而損壞,大幅度降低了ESD 防護性能[9]。為了解決Silicide 結(jié)構(gòu)引起的ESD 防護性能降低的問題,本文在Silicide 結(jié)構(gòu)的漏端采用金屬硅化物阻擋(Silicide Blocking,SAB)技術(shù),如圖4(b)所示,在Silicide 結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上增加一張掩膜版來阻擋金屬硅化物,在漏端形成有效的鎮(zhèn)流電阻,使ESD 電流分布更均勻。圖4 中Wsab表示漏端到柵端的距離,本設(shè)計通過調(diào)整Wsab的大小保證器件的耐壓值。

圖4 器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化。(a)Silicide 結(jié)構(gòu);(b) SAB 結(jié)構(gòu)Fig.4 Optimization of device structure.(a) Structure of Silicide;(b) Structure of SAB

圖5(a)表示LDD 結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)能夠緩解源漏兩側(cè)溝道處的強電場,抑制熱載流子效應(yīng)。但是由于LDD 結(jié)構(gòu)結(jié)深只有約0.02 μm,這相當(dāng)于在源極和漏極兩端形成兩個尖端,在靜電放電過程中,較高的熱量集中在這兩個尖端,使其極易在高溫下熔融,造成器件漏端與體、源端的短路,易在靜電放電中發(fā)生燒毀。為了克服因LDD 結(jié)構(gòu)造成ESD 防護能力下降的問題,本設(shè)計對器件工藝進行優(yōu)化,如圖5(b)所示,在源漏區(qū)注入之前,通過大角度離子注入(Electro-Static Discharge Implant,ESD_IMP)技術(shù)消除LDD 結(jié)構(gòu),降低觸發(fā)電壓,消除尖端放電現(xiàn)象,提高ESD 防護能力。工藝優(yōu)化后的器件如圖5(c)所示,并且對優(yōu)化后柵長L為1.2 μm 的器件過流能力進行測試,結(jié)果如表1 所示,其中W表示柵寬,Wtotal表示總體柵寬,It2表示過流能力。從表1 可以發(fā)現(xiàn)器件過流能力由優(yōu)化前的4 mA/μm 提高到10 mA/μm,提升了1.5 倍。

表1 工藝優(yōu)化后器件的過流能力Tab.1 Overcurrent capability of the device after process optimization

圖5 器件工藝優(yōu)化。(a)LDD 結(jié)構(gòu);(b)工藝優(yōu)化流程;(c)加入ESD_IMP 的NMOS 結(jié)構(gòu)圖Fig.5 Optimization of device process.(a) Structure of LDD;(b) Steps of process optimization;(c) NMOS structure diagram with ESD_IMP added

2.2 導(dǎo)流二極管優(yōu)化

對于導(dǎo)流二極管而言,需要考慮其正向?qū)〞r的過流能力、反向擊穿電壓和電容。在本設(shè)計中,所有導(dǎo)流二極管的過流能力都必須大于25 A。對于低壓端口防護電路中的D1-D4和高壓端口防護電路中的D2、D3二極管,均采用低擊穿電壓和低電容的二極管,選擇p+/Nwell 二極管用于高端導(dǎo)流二極管,n+/Pwell 二極管用于低端導(dǎo)流二極管,對于高壓端口防護電路而言,二極管D1和D4的反向擊穿電壓必須高于44 V。為了減少結(jié)電容,對二極管的版圖進行優(yōu)化,文獻[12]中已證明,隨著二極管PN 結(jié)周長的增加,二極管的失效電流基本成比例增加,而且隨著二極管PN結(jié)面積的減小,二極管的寄生電容減小,因此本文通過提高二極管PN 結(jié)的周長面積比來減少寄生電容[13]。優(yōu)化前后n+/Pwell 二極管的版圖如圖6 所示,在n+注入?yún)^(qū)掏孔以減少PN 結(jié)電容,圖中,H表示n+注入?yún)^(qū)的邊長,G表示n+注入?yún)^(qū)和p+注入?yún)^(qū)的最小間距,S表示孔的邊長。則優(yōu)化后二極管PN 結(jié)周長表示為:C2=H ×4×5,與優(yōu)化前二極管PN 結(jié)周長C1=4H相比,增加了:

圖6 導(dǎo)流二極管版圖。(a)優(yōu)化前二極管版圖;(b)優(yōu)化后二極管版圖Fig.6 Layout of diversion diode.(a) Diode layout before optimization;(b) Diode layout after optimization

優(yōu)化后二極管PN 結(jié)面積表示為S2=5×與優(yōu)化前二極管PN 結(jié)面積S1=H2相比,減少了:

則優(yōu)化后二極管的寄生電容表示為:

式中:Cj為二極管單位面積寄生電容;Cjsw為二極管側(cè)壁單位長度寄生電容。由式(1)～(3)可知,在保證二極管失效電流的情況下,適當(dāng)減小PN 結(jié)面積,能夠減小二極管的寄生電容,達到低電容的設(shè)計要求。

3 測試結(jié)果與討論

采用TLP(Transmission-Line-Pulsing)和靜電槍兩種方法對防護電路進行測試,TLP 測試是將方波測試脈沖加到待測器件的兩腳之間進行測試,能夠得到較為準確的I-V曲線,而且波形噪聲分量低,測試結(jié)果較穩(wěn)定[14];靜電槍測試是直接對芯片引腳進行接觸放電或氣隙放電,受環(huán)境因素影響較大,一般用于得到被測器件的損傷閾值電壓[15]。

3.1 TLP 測試

利用TLP 系統(tǒng)對芯片的低壓端口和高壓端口進行測試,得到的I-V曲線如圖7 所示。對低壓端口D+、D-而言,正常工作電壓不超過5.5 V,從圖7(a)的測試結(jié)果可以看出,低壓端口防護電路的觸發(fā)電壓為8.6 V,維持電壓為8 V,大于D+、D-端口的最大工作電壓;對高壓端口CC1、CC2、SBU1 和SBU2 而言,最大電壓為24 V,從圖7(b)的測試結(jié)果可以看出,高壓端口防護電路的觸發(fā)電壓為29.5 V,維持電壓為27.5 V,大于端口的最大電壓。而且兩者的二次失效電流均大于25 A,表明ESD 性能能夠達到IEC61000-4-2 接觸放電±8 kV,氣隙放電±15 kV,即低壓端口和高壓端口電路均滿足系統(tǒng)級靜電防護要求。

圖7 端口TLP 測試結(jié)果。(a)低壓端口;(b)高壓端口Fig.7 TLP test results of the ports.(a) The low-voltage port;(b) The high-voltage port

3.2 靜電槍測試

采用靜電槍對芯片C_CCX 和C_SBUX 引腳進行接觸放電±8 kV,觀察CCX 和SBUX 引腳的波形,C_CCX引腳接觸放電±8 kV 的結(jié)果如圖8 所示。從圖8(b)和(d)可以發(fā)現(xiàn),由于靜電槍注入波形不穩(wěn)定,而且受到環(huán)境因素及測試線、鍵合絲上寄生電阻的影響,使得CC1 端口接觸放電±8 kV 的鉗位電壓分別為372 V 和-362 V。由文獻[16]可知,靜電槍測試方法受測試環(huán)境影響因素較大,導(dǎo)致測試結(jié)果存在一定的誤差,靜電槍測試完成后,再對該芯片其他性能進行測試,結(jié)果表明各參數(shù)指標正常,由此說明防護電路能夠達到接觸放電±8 kV 的耐壓能力。

圖8 CC1 IEC 61000-4-2 ±8 kV 響應(yīng)波形。(a) C_CC1 +8 kV;(b) CC1 +8 kV;(c) C_CC1 -8 kV;(d) CC1 -8 kVFig.8 Response waveform of the CC1 IEC 61000-4-2 ±8 kV.(a) C_ CC1 +8 kV;(b) CC1 +8 kV;(c) C_ CC1 -8 kV;(d) CC1 -8 kV

4 結(jié)論

本文提出了基于導(dǎo)流二極管與ZCNMOS 結(jié)構(gòu)構(gòu)建的靜電放電保護架構(gòu),通過ZCNMOS 結(jié)構(gòu)改善了GGNMOS 結(jié)構(gòu)中電流分布不均勻的現(xiàn)象。針對靜電泄放器件,采用SAB 技術(shù)和ESD_IMP 技術(shù),提高了ESD 防護性能;對二極管版圖進行優(yōu)化,減少了寄生電容。測試結(jié)果表明,ESD 防護電路能夠滿足系統(tǒng)級IEC61000-4-2 接觸放電±8 kV,氣隙放電±15 kV 的靜電防護要求,CCX 端口、SBUX 端口和D+、D-端口電容分別為74,6 和1.7 pF,滿足低電容要求,電路結(jié)構(gòu)簡單、利于集成,具有良好的應(yīng)用前景。