電離層吸收衰減預(yù)測(cè)方法的比較研究

王嚴(yán) 李雪 尹文祿 蔚娜 婁鵬

（1. 中國(guó)電波傳播研究所，青島 266107；2. 盲信號(hào)處理國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，成都 610041）

引 言

短波通信的高頻無(wú)線電波傳播模式大致可以劃分為地波傳播模式和天波傳播模式兩種. 地波傳播模式下，電波傳播距離很近；天波傳播模式下，理論上，在特定電離層環(huán)境下，如果無(wú)線電波頻率低于電離層臨界頻率，則發(fā)射站到近距離區(qū)域的天波傳播鏈路均存在. 通過(guò)對(duì)電離層特性的準(zhǔn)確獲取并選擇最佳工作頻率，可以實(shí)現(xiàn)短波無(wú)盲區(qū)通信和偵察. 頻率選取的準(zhǔn)則主要包括信號(hào)能量與通信準(zhǔn)確率，因此對(duì)近距離天波電離層吸收衰減的精確預(yù)測(cè)可以更好地為短波通信提供選頻指導(dǎo)和場(chǎng)強(qiáng)預(yù)估.

電離層吸收衰減是天波傳播過(guò)程中除自由擴(kuò)散衰減外最大的衰減量，對(duì)于天波傳播總衰減、場(chǎng)強(qiáng)等的計(jì)算至關(guān)重要. 遠(yuǎn)距離傳播鏈路(收發(fā)點(diǎn)距離幾千千米)的吸收衰減預(yù)測(cè)值一般采用國(guó)際電信聯(lián)盟(International Telecommunication Union, ITU)的方法，不超過(guò)7 000 km的路徑可進(jìn)行射線路徑分析，超過(guò)9 000 km的路徑使用從擬合到測(cè)量數(shù)據(jù)的組合模型經(jīng)驗(yàn)公式，7 000～9 000 km距離范圍內(nèi)則是兩種方法的平滑過(guò)渡[1]. 2009年何昉等[2]提出了一種精確計(jì)算電離層吸收衰減的方法，仿真分析了吸收衰減與電波頻率、仰角的關(guān)系. 2019年王紅光等[3]提出了基于電磁波傳播的拋物方程，計(jì)算電離層短波鏈路衰減的方法. 對(duì)于電離層吸收衰減的計(jì)算，大部分公開文獻(xiàn)使用了ITU半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ头椒?，?duì)于電子碰撞模型方法，文獻(xiàn)中僅介紹了其中一種電子碰撞模型的仿真，且無(wú)試驗(yàn)數(shù)據(jù). 因此，缺乏ITU半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ头椒ㄅc電子碰撞模型方法預(yù)測(cè)吸收衰減的對(duì)比分析及試驗(yàn)驗(yàn)證.

本文針對(duì)近距離(大圓距離400 km以內(nèi))天波鏈路，利用半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ秃碗娮优鲎材Ｐ陀?jì)算得到電離層吸收衰減，并進(jìn)行仿真與試驗(yàn)驗(yàn)證，同時(shí)對(duì)比分析了各方法的準(zhǔn)確性. 本文工作流程如圖1所示.

圖1 工作流程圖Fig. 1 Flowchart of the work

1 三維射線追蹤方法

射線追蹤技術(shù)把波場(chǎng)的能量近似為沿著射線傳播，用光學(xué)的處理方法來(lái)簡(jiǎn)化處理波場(chǎng)問(wèn)題，已被廣泛應(yīng)用于電波傳播領(lǐng)域.

首先利用中國(guó)參考電離層(Chinese reference ionosphere, CRI)模型和質(zhì)譜儀非相干散射2000(mass spectrometer incoherent scatter 2000, MSISE00)模型構(gòu)建背景電離層和背景大氣. CRI模型為基于可用數(shù)據(jù)源建立的電離層經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ停瑢?duì)于給定的位置、時(shí)刻和日期，CRI模型可提供電離層高度范圍內(nèi)電子密度、電子溫度、離子溫度等參數(shù)的月平均值. 電離層的中性氣體成分參數(shù)由MSISE00大氣模型使用質(zhì)譜儀、非相干散射雷達(dá)、軌道及加速度探測(cè)數(shù)據(jù)、探空火箭等獲取的數(shù)據(jù)，采用最小二乘法進(jìn)行數(shù)據(jù)擬合得到. MSISE00大氣模型以F10.7為太陽(yáng)活動(dòng)影響參數(shù)，以Ap指數(shù)為地磁作用影響參數(shù). 同時(shí)與國(guó)際參考電離層(international refrence ionosphere, IRI)模型一樣，MSISE00大氣模型受經(jīng)緯度、季節(jié)、地方時(shí)等影響.對(duì)于給定的位置、時(shí)刻和日期，MSISE00模型提供對(duì)應(yīng)時(shí)間、位置中性成分的濃度.

本文在構(gòu)建的背景環(huán)境中基于三維射線追蹤技術(shù)[4-5]，對(duì)近距離短波天波傳播鏈路進(jìn)行仿真分析. 三維數(shù)字射線追蹤的計(jì)算過(guò)程如下：

Haselgrove首先給出了在球坐標(biāo)系下的三維Hamilton方程[6]；后來(lái)，Jones將時(shí)間因子考慮進(jìn)來(lái)[7]，形成了關(guān)于空間和時(shí)間的四維Hamilton射線方程；考慮到工程應(yīng)用的適用性，Jones等又將四維Hamilton方程變換成以群路徑P′作為積分變量的射線方程形式[8]：

式中：H為Hamilton算符；c為光速； ω =2πf為電波角頻率；r、θ、 φ是射線路徑上的點(diǎn)在球坐標(biāo)系中的坐標(biāo)；kr、kθ、kφ是波矢量在球坐標(biāo)系中的三個(gè)分量，

v為電離層中電磁波的相速.

為求解射線方程，需求解Hamilton算符H關(guān)于頻率 ω，空間坐標(biāo)r、θ 、 φ， 以及波矢量kr、kθ、kφ的偏導(dǎo)數(shù). Hasgrove引入的算符H與波矢量和相折射指數(shù)n關(guān)系為

射線追蹤過(guò)程即為求解式(1)～(6)射線微分方程組得到特定環(huán)境(電離層電子濃度模型、碰撞模型)下在某一頻率上某一地點(diǎn)以某一仰角和方位角出射的射線傳播路徑上不同點(diǎn)處的坐標(biāo)矢量及波矢量，得到射線傳播路徑的主要參數(shù)，如群路徑(該值除以光速即為傳播時(shí)延)、大圓距離、傳播模式等.

半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ屠蒙渚€追蹤得到可用頻點(diǎn)，而電子碰撞模型在射線追蹤過(guò)程中得到可用頻點(diǎn)及電離層吸收衰減.

2 電離層吸收衰減模型

2.1 半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ?/h3>

電離層吸收衰減的半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ褪歉鶕?jù)大量的試驗(yàn)數(shù)據(jù)得出的. 對(duì)于天波多跳傳播路徑，2019版的ITU-R P.533-14報(bào)告[1]提供了點(diǎn)對(duì)點(diǎn)短波電離層反射鏈路吸收衰減的半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ?，La(dB)為大圓距離7 000 km以內(nèi)m個(gè)控制點(diǎn)的天波n跳吸收衰減，控制點(diǎn)是根據(jù)300 km的一個(gè)固定反射高度和90 km控制高度(每跳有兩個(gè)控制點(diǎn))決定的.

式(9)中：R12為太陽(yáng)黑子數(shù)12個(gè)月的滑動(dòng)平均值；i為反射點(diǎn)在110 km高度處的傾角； ATjnoon為第j控制點(diǎn)處當(dāng)?shù)匚玳g且R12=0時(shí)的吸收因子，隨地理緯度和月份發(fā)生變化；f(MHz)為電波頻率；fLj(MHz)為第j個(gè)控制點(diǎn)處的fL，fL為電子回旋頻率的平均值，約為100 km高度地球磁場(chǎng)的縱向分量，對(duì)于磁傾角I，fL=|fH·sin(I)|，fH(MHz)為110 km高度的電子回旋頻率； χj為 第j控制點(diǎn)處太陽(yáng)天頂角或102°，取較小者； χjnoon為 當(dāng) 地 午 間 的 χj值 ；F(χ)=cosp(0.881χ)或0.02，取較大者，p為日吸收指數(shù)，是100 km高度處的修正磁傾角和月份的函數(shù)； φn(fv/(foE))為吸收層穿透因子，是等效垂直入射波頻率fv與E層臨界頻率foE 之比的函數(shù)，其中fv=fcosi，詳見參考文獻(xiàn)[1].

2.2 電子碰撞模型

電離層吸收衰減是指電波通過(guò)電離層時(shí)，波的電矢量引起電子運(yùn)動(dòng)，電子同中性粒子及正離子發(fā)生碰撞，部分能量轉(zhuǎn)移到中性分子，最終變成熱能，從而引起的電波振幅的吸收衰減. 對(duì)于短波天波傳播，發(fā)生在D層的吸收衰減為非偏移吸收衰減，發(fā)生在E層或F層的吸收衰減為偏移吸收衰減，因?yàn)镈層內(nèi)中性分子較多，碰撞衰減較大，所以非偏移吸收衰減較大；而發(fā)生在E層或F層的偏移吸收衰減很小(≤1 dB)，一般可以忽略，所以電離層吸收衰減主要指發(fā)生在D層的非偏移吸收衰減. 本文由折射指數(shù)的路徑積分推導(dǎo)得到電子碰撞吸收衰減.

考慮磁場(chǎng)與碰撞條件的電波復(fù)折射指數(shù)公式為[5]：

式中：θ為波矢量方向與磁場(chǎng)方向夾角；‘±’中‘+’、‘?’分別對(duì)應(yīng)尋常波和非尋常波；X、Y、Z分別定義為

式中：fN為 電離層等離子體頻率；f為入射電波頻率；ne為電離層電子濃度；e為真空電子電荷；me為電子質(zhì)量； ε0為真空中介電常數(shù)；B為地磁場(chǎng)，這里使用偶極子近似，有10?5T 為常數(shù)，Re為地球半徑，取Re=6371.2km ，h為距離地面的高度，λ為地磁緯度； υe為電子的碰撞頻率， υe=υen+υei， υen為電子與中性成分氣體的碰撞頻率， υei為電子與離子互相碰撞的碰撞頻率.

以下是根據(jù)航天器發(fā)射試驗(yàn)數(shù)據(jù)或電離層加熱試驗(yàn)數(shù)據(jù)或?qū)嶒?yàn)室模擬大氣情況得到的一些 υen經(jīng)驗(yàn)公式.

電子碰撞模型1 1973年P(guān)eter Banks提出的一種電子碰撞模型[9]：

電子碰撞模型2 2003年黃文耿、古士芬提出的一種電子碰撞模型[10]：

電子碰撞模型3 2009年何昉、趙正予使用的一種電子碰撞模型[2]：

[N2]、 [O2]、 [He]、 [O]、 [H]分別代表氮?dú)?、氧氣、氦氣、氧原子、氫原子的濃?/cm3)；Te是電子溫度(K).

電子與離子互相碰撞的碰撞頻率 υei經(jīng)驗(yàn)公式為

方括號(hào)中的量代表該種離子成分的濃度(/cm3).

在吸收衰減中， υen是 占第一位的因素， υei是占第二位的因素. 與υen相 比， υei很小，可以忽略.

短波信號(hào)總的電離層吸收衰減為

2.3 電離層吸收衰減試驗(yàn)計(jì)算

從發(fā)射站發(fā)射的無(wú)線電波經(jīng)電離層反射后傳播到接收站處的功率密度為[10]

式中：Pav為 平均發(fā)射功率；Gt為 發(fā)射天線增益；R為發(fā)射站到接收站天波傳播群距離；L為環(huán)境傳播引起的損耗[10]，包括電離層吸收損耗La、E層傳播模式的E層吸收損耗修正Aec、Es遮蔽損耗Aq、Es反射損耗Aer、極區(qū)損耗Ah、附件損耗Az. 在半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ团c電子碰撞模型中，Aec均包含在La中，試驗(yàn)時(shí)段由電離層探測(cè)情況可知無(wú)Es層，Aq=0，Aer=0；試驗(yàn)地區(qū)在非極區(qū)，Ah=0；根據(jù)參考文獻(xiàn)[1]，建議Az=0. 因此在本試驗(yàn)中La=L?Az.

假設(shè)接收天線有效接收孔徑為Ae，則接收到的信號(hào)功率為

式中，Ae=Grλ2/(4π)；Gr為 接收天線增益；λ為無(wú)線電波波長(zhǎng)；Ls為系統(tǒng)損耗.

考慮外部噪聲功率N為

式中，k為玻爾茲曼常數(shù)1 .38×10?23J/K；T為接收站等效噪聲溫度；Fa為 接收機(jī)處環(huán)境噪聲因子，kT0Fa為每赫茲外噪聲功率；B為信號(hào)帶寬.

由此，接收信號(hào)信噪比RSN為

RSN在通信試驗(yàn)中根據(jù)信號(hào)Ps與噪聲Pn比例計(jì)算得出，即：

測(cè)試試驗(yàn)中L為

f、Pav、Gt、Gr、Ls和B根據(jù)試驗(yàn)實(shí)際參數(shù)獲得；發(fā)射站到接收站天波傳播群距離R由發(fā)射站到接收站的斜向探測(cè)圖讀取；根據(jù)參考文獻(xiàn)[11]，kT0一般取?204 dB；噪聲因子Fa與電波頻率、地點(diǎn)、月份及時(shí)刻相關(guān)，在接收機(jī)處由噪聲測(cè)量系統(tǒng)讀取.

3 仿真實(shí)驗(yàn)

利用IRI模型和MSISE00大氣模型生成一個(gè)以新鄉(xiāng)(35.30°N，113.93°E)為圓心，半徑800 km，圓心角4°，高度400 km的正南方向扇形區(qū)域的電離層環(huán)境和大氣環(huán)境. 以0高度圓心為發(fā)射點(diǎn)進(jìn)行三維射線追蹤，設(shè)置射線方向是正南；電波頻率為1～10 MHz，間隔為0.1 MHz；電波出射仰角為40°～90°，間隔為1°. 在生成的所有鏈路中，找到所有可以到達(dá)地面的鏈路.

選用一組典型值來(lái)三維展示射線電波頻率-出射仰角-大圓距離-電離層吸收衰減的關(guān)系.

仿真試驗(yàn)時(shí)間為當(dāng)?shù)貢r(shí)間2020年9月25日10:30(R12=6，foE=2.8 MHz)，以新鄉(xiāng)(35.30°N，113.93°E)為發(fā)射站位置，方向?yàn)檎? 根據(jù)ITU半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ头椒ǖ玫降碾婋x層吸收衰減分布如圖2所示，根據(jù)電子碰撞模型1得到的電離層吸收衰減如圖3中(a)所示，利用電子碰撞模型2、電子碰撞模型3計(jì)算得到的電離層吸收衰減與模型1的差值如圖3中(b)和(c)所示.

由圖2、圖3可以看出，電離層吸收衰減與電波頻率具有很強(qiáng)的相關(guān)性. 在最低可用頻率附近，電離層吸收衰減存在極大值；隨頻率增加，電離層吸收衰減降低. 與電子模型相比，半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ痛嬖陔婋x層吸收衰減極大值的頻段更寬. 圖2、圖3中的突起部分對(duì)應(yīng)射線反射點(diǎn)位于E層電子濃度峰值位置，該部分半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ偷奈账p計(jì)算值大于電子碰撞模型.在非極值頻段，半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ团c電子碰撞模型也存在一些差異.

圖2 半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ臀账p分布Fig. 2 Semi-empirical model absorption attenuation

圖3 電子碰撞模型吸收衰減對(duì)比Fig. 3 Comparison of electron collision model absorption attenuation

電子碰撞模型2與電子碰撞模型1的電離層吸收衰落預(yù)測(cè)值在非突起部分差值8 dB以內(nèi)；電子碰撞模型1與電子碰撞模型3的預(yù)測(cè)值幾乎相同，差異在0.6 dB以內(nèi). 三種電子碰撞模型所需的中性成分種類不同，但三種模型的吸收衰減預(yù)測(cè)值差異不大，在選用電子碰撞模型時(shí)，根據(jù)可獲得的中性氣體種類數(shù)據(jù)情況選用適合的模型.

4 試驗(yàn)驗(yàn)證

2020年9月下旬(R12=6)在北半球中緯度地區(qū)開展了多組短波電臺(tái)通信試驗(yàn)，驗(yàn)證近距離天波電離層吸收衰減預(yù)測(cè). 試驗(yàn)參數(shù)詳見表1.

表1 試驗(yàn)參數(shù)Tab. 1 test parameters

其中該試驗(yàn)系統(tǒng)的天線增益根據(jù)出射仰角、電波頻率由天線方向圖計(jì)算. 系統(tǒng)損耗根據(jù)該試驗(yàn)系統(tǒng)的工程經(jīng)驗(yàn)計(jì)算得出，誤差≤1 dB. 序號(hào)1～10對(duì)應(yīng)的試驗(yàn)時(shí)間分別為：26日15：30、27日10：30、27日17：00、25日10：30、25日15：30、26日10：30、28日15：30、29日10：30、29日15：30和29日19：00.

根據(jù)全部測(cè)試試驗(yàn)結(jié)果及對(duì)應(yīng)時(shí)間、收發(fā)站位置的不同，預(yù)測(cè)方法得到的仿真預(yù)測(cè)值統(tǒng)計(jì)結(jié)果如表2所示. 仿真了各個(gè)時(shí)間點(diǎn)1～10 MHz，0.1 MHz步進(jìn)，出射仰角40°～90°，1°步進(jìn)的電波射線路徑，統(tǒng)計(jì)的預(yù)測(cè)值最大頻率(maximum frequency, MF)、最小頻率(lowest frequency, LF)根據(jù)實(shí)測(cè)的最大可用頻率(maximum usable frequency, MUF)、最低可用頻率(lowest usable frequency, LUF)選取，選擇有實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)的部分頻段，仿真值頻段略寬于實(shí)測(cè)值頻段. 在選取的仿真頻段內(nèi)，利用射線追蹤可到達(dá)大圓距離D的頻點(diǎn)個(gè)數(shù)即為仿真值的數(shù)據(jù)量. 在D處無(wú)落點(diǎn)但在D的前后均有落點(diǎn)的頻率，認(rèn)為該頻率可到達(dá)D，根據(jù)前后落點(diǎn)射線計(jì)算該射線相關(guān)參數(shù).

表2中，各個(gè)時(shí)間點(diǎn)電子碰撞模型的標(biāo)準(zhǔn)差均小于該時(shí)間點(diǎn)半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ偷臉?biāo)準(zhǔn)差，所以電子碰撞模型預(yù)測(cè)的吸收衰減值更平穩(wěn).

對(duì)表2中的實(shí)測(cè)值與各個(gè)預(yù)測(cè)方法得到的仿真值進(jìn)行誤差對(duì)比分析，如表3所示.

表2 吸收衰減的試驗(yàn)值與預(yù)測(cè)值統(tǒng)計(jì)對(duì)比Tab. 2 Statistical comparison of test values and predicted values of absorption attenuation

表3 吸收衰減預(yù)測(cè)值誤差統(tǒng)計(jì)對(duì)比Tab. 3 Statistical comparison of absorption attenuation predicted value error

通過(guò)對(duì)吸收衰減預(yù)測(cè)值誤差統(tǒng)計(jì)對(duì)比分析，發(fā)現(xiàn)3種電子碰撞模型預(yù)測(cè)值相近，絕對(duì)誤差均值半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ痛笥陔娮优鲎材Ｐ?，但各組數(shù)據(jù)中兩類模型優(yōu)劣性不一致. 因此選取其中典型的天波鏈路電離層吸收衰減的試驗(yàn)結(jié)果，與半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ?、電子碰撞模型的預(yù)測(cè)值進(jìn)行對(duì)比，結(jié)果如圖4所示.

預(yù)測(cè)值與本次試驗(yàn)結(jié)果對(duì)比表明：

1) 預(yù)測(cè)值的LUF比試驗(yàn)測(cè)得的低，如圖4所示.主要原因是理論上E層電子濃度是隨高度增加而逐漸增加，各高度均有電波反射，但實(shí)際的E層底部電波信號(hào)回波能量非常弱. 因此在統(tǒng)計(jì)誤差時(shí)根據(jù)實(shí)測(cè)可用頻段選取仿真統(tǒng)計(jì)頻段.

2) 圖4(a)～(c)中第2、4、8組試驗(yàn)時(shí)間為日間，可以看出，日間半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ团c電子碰撞模型預(yù)測(cè)值差異較小.

3) 圖4(d)中第10組試驗(yàn)時(shí)間為日落時(shí)段，可以看出，日落時(shí)段在近距離范圍內(nèi)，半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ碗婋x層吸收衰減值在全部可用頻段都比較小，不適用于衰減預(yù)測(cè)，電子碰撞模型預(yù)測(cè)值與實(shí)測(cè)值也有一定差值，因此在該頻段需要更精細(xì)的測(cè)量方法. 半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ椭递^小的原因，是日落夜間時(shí)段太陽(yáng)天頂角較大，系數(shù)F(χ)取 最小值即F(χ)=0.02，La較小.

4) 在可用頻段的較高頻率，實(shí)測(cè)值均比較接近電子碰撞模型.

5) 如圖4(a)和(b)所示，在大于E層臨頻的部分頻段，電子碰撞模型出現(xiàn)極大值. 理論上這個(gè)頻段部分，一個(gè)電波頻率存在高、低兩個(gè)仰角可到達(dá)接收站位置，其中高仰角射線的反射高度位于E層峰值處，電波信號(hào)在E層滯留時(shí)間長(zhǎng)，電離層吸收衰減大. 但實(shí)際試驗(yàn)過(guò)程中，這部分高仰角信號(hào)觀測(cè)到的很少，因此在半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ椭性擃l段未出現(xiàn)吸收衰減極大值.表3中電子碰撞模型誤差較大的試驗(yàn)組別，引起誤差的部分原因就是可用頻段包括該部分頻段，預(yù)測(cè)值中出現(xiàn)了極大值.

圖4 試驗(yàn)結(jié)果與模型預(yù)測(cè)結(jié)果對(duì)比Fig. 4 Comparison between the experimental results and the model prediction results

5 結(jié) 論

本文針對(duì)天波鏈路的電離層吸收衰減，利用ITU提供的半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ秃?種電子碰撞模型進(jìn)行了預(yù)測(cè)值的仿真分析與試驗(yàn)驗(yàn)證，僅從試驗(yàn)結(jié)果來(lái)看日間兩類模型性能差異不大，而日落期利用電子碰撞模型預(yù)測(cè)得到的電離層吸收衰減優(yōu)于以往采用的ITU半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ?；在可用頻段的較大頻率處，實(shí)測(cè)值更接近電子碰撞模型. 仿真與試驗(yàn)均證實(shí)3種電子碰撞模型預(yù)測(cè)值相近，根據(jù)實(shí)際可獲得大氣中性成分?jǐn)?shù)據(jù).

對(duì)于吸收衰減的準(zhǔn)確預(yù)測(cè)是短波通信與偵察總衰減預(yù)測(cè)、場(chǎng)強(qiáng)預(yù)測(cè)、信噪比預(yù)測(cè)等的必要基礎(chǔ)和關(guān)鍵環(huán)節(jié). 電子碰撞模型是基于試驗(yàn)場(chǎng)景的，若試驗(yàn)區(qū)域可獲得的電離層環(huán)境和大氣環(huán)境數(shù)據(jù)準(zhǔn)確度提高，則電子碰撞模型預(yù)測(cè)準(zhǔn)確度也可以提高. 而ITU半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ褪腔诖罅繉?shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)結(jié)果，對(duì)于未統(tǒng)計(jì)到的某些區(qū)域、某些時(shí)間可能會(huì)存在比較大的誤差.