朱 鎮(zhèn) ,陳曉娟, 王兆云
(1.浙江久立特材科技股份有限公司,湖州 313028;2.四川華宇石油鉆采裝備有限公司,瀘州 646100;3.江蘇萬恒鑄業(yè)有限公司, 鹽城 224513)
核電站用高磅級(jí)閥體鑄件長期工作在高溫、高壓、強(qiáng)輻射、腐蝕、潮濕等惡劣環(huán)境中,因此通常要求對(duì)其進(jìn)行全體積射線檢測(cè),而閥體壁厚變化大,且結(jié)構(gòu)復(fù)雜,難以實(shí)現(xiàn)鑄造缺陷(夾渣、氣孔、縮松和裂紋等)的全體積射線檢測(cè)。X射線數(shù)字平板成像技術(shù)[1]和X射線計(jì)算機(jī)斷層掃描技術(shù)[2]可以適當(dāng)改善檢測(cè)效果,但由于核電行業(yè)的特殊性,引入的新技術(shù)需要經(jīng)過反復(fù)的工藝試驗(yàn)后才能應(yīng)用,因此業(yè)內(nèi)仍然采用傳統(tǒng)膠片射線檢測(cè)技術(shù)對(duì)高磅級(jí)閥體鑄件進(jìn)行全體積檢測(cè)。
由于核電站用高磅級(jí)閥體鑄件(以下簡稱為試件)各個(gè)區(qū)域的結(jié)構(gòu)和壁厚不同,因此需要分別制定檢測(cè)工藝。試件直徑為6 inch(1 inch=25.4 mm),承載質(zhì)量為1 500 lb(1 lb=0.45 kg),材料為CF8M,其結(jié)構(gòu)如圖1所示。該試件的厚度為40160 mm,筆者分別從檢測(cè)區(qū)域的劃分和標(biāo)識(shí)、透照方式、一次透照長度、雙膠片技術(shù)的應(yīng)用、厚度補(bǔ)償塊的應(yīng)用等方面來對(duì)檢測(cè)工藝進(jìn)行優(yōu)化。
圖1 高磅級(jí)閥體鑄件結(jié)構(gòu)示意
通常閥體為三通形狀,分別由左右焊端、左右流道、密封圈、法蘭等組成,各部位的厚度差較大。為確保射線檢測(cè)能全體積覆蓋試件,可用彩色筆在閥體上標(biāo)識(shí)后,分區(qū)域進(jìn)行射線檢測(cè)。試件的檢測(cè)區(qū)域劃分方法如圖2所示,根據(jù)結(jié)構(gòu)和壁厚的變化,左流道和左焊端標(biāo)識(shí)為A區(qū),右流道和右焊端標(biāo)識(shí)為B區(qū),中間法蘭下面通道標(biāo)識(shí)為C區(qū),再下面的部位標(biāo)識(shí)為D區(qū),密封圈位置標(biāo)識(shí)為E區(qū),中法蘭標(biāo)識(shí)為F區(qū),如果存在左右法蘭可分別標(biāo)識(shí)為G、H區(qū),以此類推。
圖2 試件的檢測(cè)區(qū)域劃分方法示意
一般檢測(cè)焊縫時(shí),只需要在焊縫方向的左右兩端搭接位置放置2個(gè)位置標(biāo)識(shí)即可,而鑄件閥體的射線檢測(cè)時(shí)通常需要在四周放置4個(gè)標(biāo)識(shí),形成一個(gè)四邊形的檢測(cè)區(qū)域。若邊緣區(qū)域在底片上可以形成明顯的邊界線,則邊界線一邊可以不放置標(biāo)識(shí)。在圖2中:A區(qū)和B區(qū)的3,4號(hào)片放置的3,4和兩個(gè)箭頭標(biāo)識(shí),與端部邊界組成檢測(cè)區(qū)域;C區(qū)4,5號(hào)片放置的4,5和兩個(gè)箭頭標(biāo)識(shí),與法蘭邊界組成檢測(cè)區(qū)域;D區(qū)1,2號(hào)片放置的1,2和4個(gè)箭頭標(biāo)識(shí)組成檢測(cè)區(qū)域;E區(qū)1,2號(hào)片放置的1,2和4個(gè)位置標(biāo)識(shí)組成檢測(cè)區(qū)域;F區(qū)的5,6號(hào)片放置的5,6與上下法蘭邊界組成檢測(cè)區(qū)域,其他位置也是依此類推。
位置標(biāo)識(shí)箭頭“→”表示指向固定的方向,如水流方向、下一張布片流水號(hào)方向或順時(shí)針方向等,該標(biāo)識(shí)應(yīng)放置在檢測(cè)區(qū)域邊界交叉線的中央,片號(hào)數(shù)字應(yīng)和產(chǎn)品上的標(biāo)記號(hào)重疊,這樣有助于發(fā)現(xiàn)缺陷后對(duì)其進(jìn)行定位返修。
單壁透照的靈敏度明顯高于雙壁透照的靈敏度,在兩種方式都能使用的情況下無疑應(yīng)優(yōu)先選擇前者;較小的透照厚度差和橫向裂紋檢出角有利于提高底片質(zhì)量和裂紋檢出率。在焦距和一次透照長度相同的情況下,源在內(nèi)透照法比源在外透照法具有更小的透照厚度差和橫向裂紋檢出角,因此在條件允許的情況下,應(yīng)盡量選擇源在內(nèi)透照法[3],然而大部分情況下,由于焦距無法滿足幾何不清晰度的要求,只能選用源在外透照法。
一次透照長度對(duì)檢測(cè)質(zhì)量和工作效率有影響,選擇較大的一次透照長度可以提高檢測(cè)效率,但在大多數(shù)情況下,透照厚度比和橫向裂紋檢出角隨一次透照長度的增大而增大,這對(duì)射線檢測(cè)質(zhì)量是不利的。
實(shí)際工作中一次透照長度的選取受兩個(gè)因素的限制,一個(gè)是射線源有效照射場(chǎng)的范圍(一次透照長度不能大于有效照射場(chǎng)的尺寸);另一個(gè)是射線檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)于透照厚度比K值或者黑度范圍公差的規(guī)定(該規(guī)定間接限制了一次透照長度)。
對(duì)于規(guī)定K值的情況,可以按照相應(yīng)透照方式的公式進(jìn)行一次透照長度的計(jì)算或根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)的透照?qǐng)D進(jìn)行選擇。
對(duì)于未規(guī)定K值的情況,如ASME(美國機(jī)械工程師協(xié)會(huì))標(biāo)準(zhǔn)通常只規(guī)定黑度范圍的公差,其要求檢測(cè)區(qū)域任何地方的黑度與指定線型像質(zhì)計(jì)基本線附件或孔型像質(zhì)計(jì)上的黑度相比,變化不大于-15%和+30%。
試件的透照方式為:A區(qū)和B區(qū)圓周透照16次,采用源在外單壁透照技術(shù);C區(qū)圓周透照17次,采用源在外單壁透照技術(shù);D區(qū)和E區(qū)圓周透照12次,D1凸臺(tái)采用源在內(nèi)偏心透照技術(shù),其余區(qū)域采用源在外單壁透照技術(shù);F區(qū)圓周透照20次,采用源在外單壁透照技術(shù)。另外,一些壁厚變化較大的凸臺(tái)部位和遮擋部位則單獨(dú)補(bǔ)充透照,因此透照次數(shù)略有變化。對(duì)于A區(qū)和B區(qū),其焊端和流道壁厚相差數(shù)個(gè)毫米,為確保黑度變化在-15%或+30%范圍內(nèi),可以分別在焊端和流道各放置一個(gè)像質(zhì)計(jì)。
閥體各部位過渡區(qū)域的厚度差較大,可以采用雙膠片技術(shù)進(jìn)行透照。暗盒里一般放置感光度不同的兩種膠片(異速雙膠片法),其中感光度較大的膠片適用于透照厚度較大部位,感光度較小的膠片適用于透照厚度較小部位。也可在暗盒中放置感光速度相同的兩種膠片(同速雙膠片法),觀片方法是:對(duì)于黑度較小部位,將雙片重疊進(jìn)行觀察評(píng)定;對(duì)于黑度較大部位,用單片觀察評(píng)定。選擇感光度不同的兩種膠片時(shí),應(yīng)注意在有效黑度范圍內(nèi),兩種膠片的曝光量應(yīng)有足夠重疊。
試件尺寸為:A區(qū)壁厚為45 mm,D區(qū)壁厚為40 mm,E區(qū)壁厚為85 mm;A區(qū)到E區(qū)的壁厚變化緩慢,邊界并不是太明顯;E區(qū)到D區(qū)的壁厚變化是一個(gè)突變,邊界較明顯。在檢測(cè)E區(qū)時(shí),應(yīng)采用雙膠片技術(shù),同時(shí)像質(zhì)計(jì)應(yīng)橫跨壁厚過渡區(qū)域。
可用補(bǔ)償塊、補(bǔ)償粉、補(bǔ)償液等填補(bǔ)工件的較薄部分,使透照厚度差減小。通常在檢測(cè)閥體法蘭的時(shí)候,如果壁厚變化極大,可使用厚度補(bǔ)償塊來減小厚度差,減少邊緣的散射。當(dāng)檢測(cè)部位極小,像質(zhì)計(jì)的標(biāo)識(shí)和拍片標(biāo)識(shí)無法放置時(shí),可在檢測(cè)部位放置相似厚度的補(bǔ)償塊,然后將識(shí)別標(biāo)識(shí)放置在補(bǔ)償塊上。
中部法蘭外觀如圖3所示,由于其壁厚差變化極大,如不增加補(bǔ)償塊,最終底片顯示的檢測(cè)區(qū)域?qū)挾葧?huì)比實(shí)際檢測(cè)的寬度小很多,因此在拍法蘭的時(shí)候,應(yīng)在法蘭上下兩側(cè)增加補(bǔ)償塊或屏蔽物,以減小壁厚差,減少邊蝕散射。
圖3 中部法蘭外觀
另外射線源為γ源和高能X射線時(shí),在工件和膠片暗盒之間應(yīng)增加濾板屏蔽前散射,暗盒背面使用鉛板屏蔽背散射。
對(duì)于各個(gè)劃分的檢測(cè)區(qū)域,還應(yīng)注意其內(nèi)部壁厚是否有變化。為防止漏檢,壁厚突變的區(qū)域需要單獨(dú)進(jìn)行射線檢測(cè),因此可以在區(qū)域標(biāo)識(shí)后面加數(shù)字進(jìn)行區(qū)分,凸臺(tái)補(bǔ)充檢測(cè)位置如圖4-7所示。
圖4 C區(qū)凸臺(tái)內(nèi)壁
圖5 C區(qū)凸臺(tái)外壁
圖6 C區(qū)凸臺(tái)內(nèi)壁
圖7 D區(qū)凸臺(tái)外壁
另外還需注意有些部位的遮擋導(dǎo)致無法一次性檢測(cè)完整個(gè)區(qū)域,從而發(fā)生漏檢。如中部法蘭遮擋A區(qū)和B區(qū),需要把源傾斜一定角度對(duì)被遮擋的部位進(jìn)行補(bǔ)充檢測(cè)。補(bǔ)充檢測(cè)位置如圖8,9所示。
圖8 A區(qū)補(bǔ)充檢測(cè)位置
圖9 B區(qū)補(bǔ)充檢測(cè)位置
射線檢測(cè)閥體時(shí),需要放置很多標(biāo)識(shí),如公司名稱、產(chǎn)品名稱、閥體規(guī)格、材料、爐號(hào)、序列號(hào)、拍片日期等。為了節(jié)省拍片時(shí)布置標(biāo)識(shí)的時(shí)間,同時(shí)也節(jié)約膠片,可以采用預(yù)曝光技術(shù),即在底片上的固定角落位置使用標(biāo)識(shí)器進(jìn)行預(yù)曝光。在拍片時(shí),膠片上預(yù)曝光的區(qū)域應(yīng)盡量放置在檢驗(yàn)區(qū)域以外的較厚部位,這樣洗片后有利于識(shí)別預(yù)曝光標(biāo)識(shí)(見圖10)。
圖10 預(yù)曝光標(biāo)識(shí)
根據(jù)制定的布片圖和射線檢測(cè)工藝表,對(duì)該止回閥共透照105次,透照時(shí)邊界擺放相應(yīng)位置的標(biāo)記,確保盡可能全體積覆蓋檢測(cè)。各圓周體應(yīng)利用公式計(jì)算或透照?qǐng)D確保透照次數(shù)符合K值或黑度公差的要求。下面列舉了部分透照工藝的實(shí)施情況,如對(duì)A區(qū)和B區(qū)進(jìn)行了傾斜透照,盡可能增加檢測(cè)區(qū)域(見圖11,12);C區(qū)和D區(qū)凸臺(tái)的厚度差較大,進(jìn)行了補(bǔ)充拍片,確保黑度滿足要求(見圖13,14);E區(qū)采用雙膠片技術(shù)進(jìn)行透照,確保了黑度和靈敏度滿足要求(見圖15);F區(qū)利用厚度補(bǔ)償塊技術(shù)進(jìn)行透照,減小了厚度差,從而減少了邊蝕散射,可確保底片上的影像寬度與實(shí)際寬度基本一致(見圖16)。
圖11 A區(qū)遮擋部位的補(bǔ)充檢測(cè)結(jié)果
圖12 B區(qū)遮擋部位的補(bǔ)充檢測(cè)結(jié)果
圖13 C區(qū)凸臺(tái)部位的補(bǔ)充檢測(cè)結(jié)果
圖14 D區(qū)凸臺(tái)部位的補(bǔ)充檢測(cè)結(jié)果
圖15 E區(qū)的雙膠片技術(shù)檢測(cè)結(jié)果
圖16 采用厚度補(bǔ)償塊技術(shù)后F區(qū)的檢測(cè)結(jié)果
C區(qū)與A,B區(qū)連接轉(zhuǎn)角部位存在約150°圓弧范圍無法檢測(cè)。ASME核電規(guī)范中明確提出該區(qū)域可以不進(jìn)行射線檢測(cè),但應(yīng)在報(bào)告中注明該未檢測(cè)區(qū)域。未檢測(cè)區(qū)域如圖17所示(方框內(nèi)為未檢測(cè)區(qū))。
圖17 連接轉(zhuǎn)角處未檢測(cè)區(qū)示意
射線檢測(cè)容易檢出那些存在局部厚度差的缺陷,對(duì)鑄件中氣孔和疏松類的缺陷有很高的檢出率,對(duì)裂紋類缺陷的檢出率則受到透照角度的影響。為保證產(chǎn)品的質(zhì)量,對(duì)鑄件內(nèi)外表面可能存在的開口型細(xì)小缺陷宜再補(bǔ)充滲透檢測(cè)。如對(duì)于法蘭、焊端等機(jī)加工部位,在機(jī)加工后宜再補(bǔ)充滲透檢測(cè)和超聲檢測(cè)。
經(jīng)試驗(yàn)驗(yàn)證,嚴(yán)格按照文章提出的射線檢測(cè)工藝實(shí)施檢測(cè),可以確保典型產(chǎn)品止回閥的全體積檢測(cè),檢測(cè)效果良好,K值、黑度和靈敏度都符合要求。射線檢測(cè)中所采取的措施和注意事項(xiàng),對(duì)于其他類似鑄件閥體的射線檢測(cè)具有參考價(jià)值。