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      燃煤超細(xì)顆粒物的掃描電鏡圖像優(yōu)化方法

      2022-03-19 09:57:26徐國榮丁宏剛周子健
      中國測(cè)試 2022年2期
      關(guān)鍵詞:電子束燃煤顆粒物

      徐國榮, 黃 琳, 丁宏剛, 周子健, 陳 文

      (華中科技大學(xué) 煤燃燒國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,湖北 武漢 430074)

      0 引 言

      大氣顆粒物中可吸入顆粒物PM2.5是目前我國城市空氣的首要污染物之一,已經(jīng)對(duì)空氣質(zhì)量、大氣能見度等產(chǎn)生了嚴(yán)重影響。燃煤超細(xì)顆粒物是大氣中可吸入顆粒物PM2.5的主要來源之一[1],因此科研工作者們一直致力于研究燃煤超細(xì)顆粒物的生成和排放規(guī)律,希望有效控制其排放[2]。而燃煤超細(xì)顆粒物的生成規(guī)律與其微觀結(jié)構(gòu)(如表面形貌、尺寸等)密切相關(guān),因此通過對(duì)燃煤超細(xì)顆粒物的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行有效觀察是燃煤顆粒物研究的重要手段[3]。

      場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(field emission scanning electron microscope,F(xiàn)ESEM)因具有分辨率高、景深長(zhǎng)、立體感強(qiáng)和細(xì)節(jié)豐富等特點(diǎn),可以對(duì)材料進(jìn)行顯微結(jié)構(gòu)形貌表征,已成為目前分析材料形貌及結(jié)構(gòu)最方便且最有效的方法之一[4]。然而燃煤超細(xì)顆粒物屬于不導(dǎo)電粉體材料,使用FESEM觀察非導(dǎo)體材料時(shí),其差的導(dǎo)電性會(huì)導(dǎo)致入射電荷數(shù)量多于出射電荷數(shù)量,從而導(dǎo)致電荷聚焦,產(chǎn)生荷電效應(yīng)。荷電效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致SEM圖像出現(xiàn)異常反差、圖像畸變、圖像漂移、亮點(diǎn)、亮線等問題[5-6],從而造成圖像失真,無法獲得樣品的真實(shí)表面形貌信息。因此,有效地減輕荷電現(xiàn)象是燃煤超細(xì)顆粒物等不導(dǎo)電樣品獲得高質(zhì)量SEM圖像的必要條件。目前,改善荷電現(xiàn)象以獲得高質(zhì)量SEM照片的主要方式包括匹配的制樣方式[7-9]和合適的參數(shù)設(shè)置[10-14]兩種方式。然而針對(duì)燃煤超細(xì)顆粒物的掃描電鏡參數(shù)優(yōu)化目前還沒有相關(guān)文章,為了深入分析顆粒物,尤其是燃煤顆粒物的形成規(guī)律,亟需通過高質(zhì)量的SEM圖片分析顆粒物的表面微觀結(jié)構(gòu)?;诖?,本文主要首先探討蔡司Sigma300 FESEM的工作原理,通過研究分析探測(cè)器、加速電壓、工作距離、光闌大小等參數(shù)對(duì)SEM圖像質(zhì)量的影響,得出了FESEM參數(shù)的選擇原則,為顆粒物粉塵研究人員和電鏡工作者選用合適的參數(shù)提供參考。

      1 FESEM的基本原理

      掃描電鏡是利用電子槍發(fā)射電子束,經(jīng)過電磁透鏡聚焦成極細(xì)的電子束,并由掃描線圈使電子束在樣品表面規(guī)則地來回掃描。入射電子與試樣相互作用將激發(fā)出二次電子(入射電子束轟擊出來并離開樣品表面的樣品中的核外電子)、背散射電子(被固體樣品原子反射回來的一部分入射電子,其能量與入射電子相當(dāng))、俄歇電子、特征X射線等各種信息[15]。如圖1所示,這些信息由相應(yīng)的探測(cè)器收集、放大、處理。FESEM主要利用二次電子、背散射電子以及特征X射線等信號(hào)對(duì)樣品表面的特征進(jìn)行分析。其中二次電子主要用于樣品表面形貌觀察,背散射電子可用于樣品的成分分析、成像及元素分布、晶體結(jié)構(gòu)分析等,而X射線則用于樣品元素信息的分析。

      圖1 入射電子束在樣品上激發(fā)出的各種信號(hào)

      2 參數(shù)探討

      2.1 探測(cè)器的選擇

      圖2(a)、(b)是分別用InLens、SE2探測(cè)器拍的燃煤超細(xì)顆粒物12 k(放大倍數(shù)12 000)圖像,由圖可見,InLens探測(cè)器拍的圖像表面細(xì)節(jié)比較豐富,但由于受荷電效應(yīng)影響,有亮線,圖像較扁平。而SE2探測(cè)器拍的圖像立體感較強(qiáng),沒有出現(xiàn)放電效應(yīng),圖像比較有質(zhì)感,但是樣品表面細(xì)節(jié)欠豐富。圖2(c)、(d)是分別用InLens、SE2探測(cè)器拍的燃煤超細(xì)顆粒物的高倍圖像(50 k),由圖像證實(shí),InLens探測(cè)器更適合拍攝高倍圖像,而SE2探測(cè)器由于接受到樣品極淺表面的電子較少,導(dǎo)致圖像模糊。

      圖2 探測(cè)器對(duì)圖片質(zhì)量的影響

      FESEM一般都內(nèi)置有多個(gè)電子探測(cè)器,如InLens,SE2,HDBSD(背散射電子探測(cè)器)等。InLens探測(cè)器位于正光軸上,通過提升樣品臺(tái)的Z軸,縮短工作距離、減少各種像差,收集較為純凈二次電子來提高圖像分辨率,可以觀察樣品淺表信息,但是不足之處是拍攝的圖像立體感較差,容易受荷電效應(yīng)影響,使得圖片出現(xiàn)反差,有亮線等問題。當(dāng)需要高倍成像及觀察樣品表面細(xì)節(jié)時(shí)可選用InLens成像。SE2探測(cè)器位于極靴外的樣品倉內(nèi),在樣品臺(tái)的斜上方,收集樣品表層5~10 nm深度范圍內(nèi)發(fā)射出的二次電子,對(duì)樣品表面形貌非常敏感,景深大,立體感強(qiáng),特別適用于粗糙顆粒的觀察研究。而且SE2探測(cè)器上有偏壓,使得背向探測(cè)器區(qū)域產(chǎn)生的二次電子仍有相當(dāng)一部分可以通過彎曲的軌道到達(dá)SE2探測(cè)器,從而可以防止陰影效應(yīng)。當(dāng)樣品放電嚴(yán)重或者需要大景深、強(qiáng)立體感時(shí)可選用SE2成像。HDBSD探測(cè)器可放置于極靴下方,收集能量較大的背散射電子,發(fā)射深度為0.1~1 μm,主要反映樣品的原子序數(shù)襯度、成分襯度,一般情況下,分辨率不及二次電子圖像,主要配合能譜使用。

      2.2 加速電壓

      加速電壓在SEM中是一個(gè)極為重要的參數(shù)。FESEM的加速電壓范圍一般在0.1~30 kV,分檔或連續(xù)可調(diào)。針對(duì)燃煤超細(xì)顆粒物不導(dǎo)電的特性,分別采用InLens、SE2探測(cè)器在2 kV、3 kV、5 kV、8 kV的加速電壓進(jìn)行圖像采集。由圖3可知,用InLens探測(cè)器拍攝的2 kV圖像輪廓最清晰,表面細(xì)節(jié)最豐富,隨著電壓增加,照片邊緣逐漸模糊,樣品表面細(xì)節(jié)消失,而且有發(fā)亮區(qū)域,荷電條紋明顯;用SE2探測(cè)器拍攝的2~3 kV的圖像輪廓很清晰,景深強(qiáng),可是隨著電壓增加,輪廓逐漸模糊,表面細(xì)節(jié)消失。這是因?yàn)榧铀匐妷涸礁呷肷潆娮邮哪芰吭礁?,入射電子的擴(kuò)展范圍也越廣[14],電子束穿透深度大,表面細(xì)節(jié)被掩蓋,另外,使用高加速電壓時(shí),激發(fā)出的二次電子越多,越不利于樣品表面電荷趨于平衡,荷電現(xiàn)象明顯[16]。相反,使用低加速電壓時(shí),電子束與樣品的作用深度淺,激發(fā)出的二次電子來源于入射區(qū)極表層,因此樣品表面細(xì)節(jié)非常豐富。而且電子束能量低,對(duì)樣品的損傷也較小。所以,低加速電壓不僅可以減少樣品的損傷,還能有效地減少荷電現(xiàn)象,更適于觀測(cè)燃煤超細(xì)顆粒物。

      圖3 加速電壓對(duì)圖片質(zhì)量的影響

      2.3 工作距離

      工作距離也是影響FESEM成像的重要參數(shù)。FESEM的工作距離是指極靴與樣品表面的距離[17],通常用WD數(shù)字顯示,在實(shí)際測(cè)試中,F(xiàn)ESEM真實(shí)距離是電子束聚焦到樣品表面所顯示的WD。

      當(dāng)采用InLens探測(cè)器成像,同時(shí)采用低加速電壓時(shí),減小工作距離可以獲取更多的信號(hào),而且能夠增加入射角,使得電子束斑直徑變小,可以提高分辨率,獲得更加清晰的圖片[11]。蔡司Sigma300采用半內(nèi)透鏡成像方式,當(dāng)工作距離小于3 mm時(shí),樣品處于極靴附近的磁場(chǎng)中,如果粉末樣品粘不牢固,可能受荷電作用飄進(jìn)極靴,造成極靴污損,所以建議較為安全的工作距離是大于3 mm。從圖4中可以發(fā)現(xiàn),采用InLens探測(cè)器成像,在2 kV的加速電壓下,當(dāng)工作距離由8 mm降至3.2 mm時(shí),圖像分辨率提高,煤灰表面細(xì)節(jié)變得更加清晰。

      圖4 采用InLens探測(cè)器時(shí)工作距離對(duì)圖片質(zhì)量的影響

      采用SE2探測(cè)器成像,工作距離并不是越近越好。SE2探測(cè)器在樣品倉內(nèi),位于樣品臺(tái)的斜上方,工作距離過大過小都可能造成SE2探測(cè)器接收的信號(hào)不足,使得圖像不夠清晰。采用SE2探測(cè)器成像,在2 kV的加速電壓下,工作距離分別為3 mm、5 mm、8 mm的成像結(jié)果見圖5所示。其中,工作距離5 mm的圖像分辨率較工作距離3 mm、8 mm的圖像分辨率高,而且有較佳的景深,樣品上下表面均能聚焦。所以用蔡司Sigma300拍攝燃煤超細(xì)顆粒物時(shí),SE2探測(cè)器的最佳距離是5 mm左右。

      圖5 SE2探測(cè)器時(shí)工作距離對(duì)圖片質(zhì)量的影響

      2.4 光闌大小的選擇

      掃描電鏡的光闌主要用于遮擋非旁軸的雜散電子,同時(shí)可以調(diào)節(jié)束斑尺寸。選擇小光闌,電子束的束斑尺寸也相應(yīng)減小,有利于提高圖像的分辨率;然而,入射電子束束流變小,激發(fā)信號(hào)電子數(shù)量變少,導(dǎo)致信噪比降低。而大光闌則相反。本文在InLens、SE2探測(cè)器 26 k倍數(shù)下,分別采用 20,30,60 μm的光闌對(duì)燃煤超細(xì)顆粒物進(jìn)行拍攝,結(jié)果見圖6、7。從圖中可以發(fā)現(xiàn),對(duì)于這兩種探測(cè)器,20 μm的光闌拍攝的圖片信噪比較低,而60 μm的光闌的束斑尺寸過大導(dǎo)致圖片分辨率差。相對(duì)來說30 μm光闌對(duì)應(yīng)的信噪比和圖像分辨率都較高,所以拍攝燃煤超細(xì)顆粒物樣品,對(duì)于InLens、SE2探測(cè)器都建議采用30 μm光闌。

      圖6 InLens探測(cè)器下光闌對(duì)圖片質(zhì)量的影響

      圖7 SE2探測(cè)器下光闌對(duì)圖片質(zhì)量的影響

      3 結(jié)束語

      本文通過采用設(shè)置合適的探測(cè)器、調(diào)節(jié)電壓、工作距離、光闌等參數(shù)的方法,獲得了高質(zhì)量的燃煤超細(xì)顆粒物SEM圖像:

      1)InLens探測(cè)器收集樣品淺表面信息,但是不足之處是拍攝的圖像立體感較差,容易受荷電效應(yīng)影響,適用于高倍成像及觀察樣品表面細(xì)節(jié);SE2探測(cè)器對(duì)樣品表面形貌非常敏感,景深大,立體感強(qiáng),特別適用于粗糙顆粒的觀察研究。

      2)低加速電壓不僅可以減少樣品的損傷,還能有效地減少荷電現(xiàn)象,更適于觀測(cè)燃煤超細(xì)顆粒物。

      3)較小的工作距離可以獲取更多的信號(hào),使得電子束斑直徑變小,可以提高分辨率,獲得更加清晰的圖片。

      4)30 μm光闌對(duì)應(yīng)的信噪比和圖像分辨率都較高。

      當(dāng)燃煤超細(xì)顆粒物樣品放電嚴(yán)重或者需要大景深、強(qiáng)立體感時(shí)可選用SE2探測(cè)器,工作距離WD=5 mm,電壓3 kV左右,光闌30 μm的參數(shù)條件下進(jìn)行拍攝;當(dāng)需要高倍成像及觀察樣品表面細(xì)節(jié)時(shí)可選用InLens探測(cè)器,工作距離WD=3.2 mm,電壓2 kV,光闌30 μm的參數(shù)條件下進(jìn)行拍攝。

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