孫中原,孟慶鑫
(河北地質(zhì)大學(xué)地球科學(xué)學(xué)院,河北 石家莊 050031)
瞬變電磁法(TEM)是一種應(yīng)用較廣的時間域電磁勘探方法,利用人工場源產(chǎn)生的短暫電磁場,使空間介質(zhì)產(chǎn)生感應(yīng)電磁場,利用線圈接收感應(yīng)電磁場進而獲取空間物性信息[1,2]。
前人主要側(cè)重于早期和晚期時間域的研究[3]。早期的時間域?qū)?yīng)地下淺層深度,常用于淺層水文地質(zhì)[4]、環(huán)境[5]和構(gòu)造勘探[6]等方面。Plotnikov利用訓(xùn)練軟件進行了數(shù)值實驗,發(fā)現(xiàn)淺層深度意味著響應(yīng)曲線不能充分反視映電阻率剖面的非均勻性,但是對于淺層深度,小型瞬變電磁系統(tǒng)可能是合理的[7]。晚期的時間域?qū)?yīng)地下深層深度,深部金屬礦勘探[8]、礦產(chǎn)采空區(qū)勘探[9]和深部不規(guī)則水體勘探[10]等方面,都取得了良好效果。
本文采用近區(qū)磁偶源瞬變電磁法的近區(qū)球狀低阻異常體理論模型[11],進行全期視電阻率最優(yōu)化計算和晚期視電阻率計算。對比這二者的視電阻率計算結(jié)果,為探測淺部球狀低阻異常體提供理論指導(dǎo)。
圖1 多匝發(fā)射線圈,每匝線圈面積為4m2,偏移距為2m,水平距離4m,深度10m存在球狀低阻異常體的近區(qū)模型,全期視電阻率最優(yōu)化計算視電阻率剖面圖
圖2 多匝發(fā)射線圈,每匝線圈面積為4m2,偏移距為4m,水平距離4m,深度10m存在球狀低阻異常體的近區(qū)模型,全期視電阻率最優(yōu)化計算視電阻率剖面圖
圖3 多匝發(fā)射線圈,每匝線圈面積為4m2,偏移距為6m,水平距離4m,深度10m存在球狀低阻異常體的近區(qū)模型,全期視電阻率最優(yōu)化計算視電阻率剖面圖
對于瞬變電磁對于探測地下異常體的工作而言,獲知地下異常體的位置格外重要。因此,本文針對近區(qū)地下的低阻球體異常體的模型,進行全期視電阻率最優(yōu)化計算。選取偏移距為2m、4m和6m,接收線圈位置分別為0、2m、4m、6m、8m,視電阻率為20歐姆/米的低阻異常體,進行計算。設(shè)置半徑為0.6m的球狀低阻異常體的位置在偏移距為6m,深度為10m的位置;設(shè)置無限長水平薄板的位置在深度10m處。
球狀低阻異常體的近區(qū)模型,全期視電阻率最優(yōu)化計算的視電阻率剖面圖如下。注意,之所以剖面圖中出現(xiàn)視電阻率為負值的情況,是因為在圖片中的對應(yīng)深度下,不存在計算得到的視電阻率;畫圖過程中,程序自動插值形成了視電阻率為負值的現(xiàn)象,在該區(qū)域不存在負值的視電阻率。
對于近區(qū)的球狀低阻異常體模型,非零偏移距全期視電阻率最優(yōu)化計算的結(jié)果顯示,偏移距接近低阻異常體的大小的約2至4倍時,全期視電阻率能夠識別地下低阻異常體的位置。偏移距越小,識別出異常體的位置越準確。偏移距遠大于球狀低阻異常體時,則無法識別異常體位置。
通過第2章的理論計算結(jié)果可知,對于近區(qū)的球狀低阻異常體模型,非零偏移距全期視電阻率最優(yōu)化計算的結(jié)果顯示,偏移距接近低阻異常體的大小的約2至4倍時,全期視電阻率能夠識別地下低阻異常體的位置。偏移距越小,識別出異常體的位置越準確。偏移距遠大于球狀低阻異常體時,則無法識別異常體位置。
本文選用多偏移距磁偶源瞬變電磁法,得到了球狀低阻異常體近區(qū)理論模型的全期視電阻率視電阻率結(jié)果。
(1)偏移距接近球狀異常體大小時,能夠通過計算視電阻率,大體上判斷模型中球狀低阻異常體的深度和水平位置。
(2)偏移距遠大于球狀異常體的大小時,則不能識別出模型中的球狀低阻異常體的位置。