於立峰,胡凱波,余 程,馬 聰
(1.浙江浙能蘭溪發(fā)電有限責任公司,浙江 金華 321100; 2.浙江浙能技術(shù)研究院有限公司,浙江 杭州 310000)
電力系統(tǒng)運行過程離不開電壓互感器,電壓互感器出現(xiàn)故障時增加了介質(zhì)損耗,易造成電力系統(tǒng)的二次電壓偏差。通過停電預(yù)試可發(fā)現(xiàn)電壓互感器的各種故障,但電壓互感器的停電預(yù)試周期過長,影響電力系統(tǒng)正常運行,且無法及時檢測電壓互感器存在的故障[1-2]。
開展電壓互感器二次絕緣監(jiān)測研究,可以及時明確電壓互感器設(shè)備絕緣狀況[3],依據(jù)電壓互感器二次絕緣監(jiān)測結(jié)果制定電壓互感器的檢修策略。電壓互感器二次絕緣監(jiān)測系統(tǒng)長時間運行于電力系統(tǒng)的強電磁干擾環(huán)境以及變電站高壓母線中,監(jiān)測系統(tǒng)的抗干擾性能決定了系統(tǒng)運行狀況[4]。二次絕緣監(jiān)測系統(tǒng)受環(huán)境干擾影響嚴重時,容易造成電壓互感器二次絕緣監(jiān)測結(jié)果具有較高的波動性,甚至可能影響監(jiān)測系統(tǒng)中的設(shè)備正常運行。
目前,眾多研究人員針對電壓互感器出現(xiàn)異常情況開展研究。邱太洪[5]等人將能量管理系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)作為電壓互感器二次電壓監(jiān)測的基礎(chǔ)數(shù)據(jù),獲取絕緣診斷結(jié)果,由于能量管理數(shù)據(jù)中的數(shù)據(jù)量過大,為絕緣診斷帶來了一定難度;周慶紅[6]等人選取220 kV電容式電壓互感器作為研究對象,通過試驗分析了二次電壓單相異常原因,該方法雖然可以明確二次電壓單項異常的主要原因,但試驗過程復雜,應(yīng)用性較差。該文研究了基于人工智能技術(shù)的電壓互感器二次絕緣監(jiān)測系統(tǒng),利用人工智能技術(shù)實現(xiàn)電壓互感器二次絕緣監(jiān)測。測試結(jié)果驗證了該系統(tǒng)具有較高的監(jiān)測電壓互感器二次絕緣有效性。
電壓互感器二次絕緣監(jiān)測系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖1所示。該系統(tǒng)運行環(huán)境較為惡劣,硬件應(yīng)具有較高的抗干擾性能以及靈敏度。系統(tǒng)采集電壓互感器的三相電壓及三相電流值,利用前置處理電路將所采集的信號轉(zhuǎn)化為0~3 V的電壓信號,利用A/D轉(zhuǎn)換模塊的AD7606-4轉(zhuǎn)換芯片將完成轉(zhuǎn)換的電壓信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,并傳送至型號為TMS320F2812的DSP芯片。DSP芯片利用LM算法校正電壓互感器穩(wěn)態(tài)誤差,利用射頻通信模塊將完成校正的監(jiān)測結(jié)果傳送至上位機,通過上位機顯示界面并利用監(jiān)測結(jié)果明確電壓互感器的二次絕緣運行狀態(tài),保障電壓互感器穩(wěn)定運行。
圖1 系統(tǒng)總體結(jié)構(gòu)
1.2.1 DSP芯片
選取工業(yè)級的TMS320F2812芯片作為二次絕緣監(jiān)測系統(tǒng)的DSP控制芯片。DSP芯片內(nèi)部集成了Flash存儲器,具有高達160 MHz的時鐘頻率。將TMS320F2812芯片應(yīng)用于二次絕緣監(jiān)測系統(tǒng)中,利用該芯片具有的數(shù)字信號處理水平以及嵌入式控制功能,提升系統(tǒng)對于不同二次絕緣監(jiān)測事件的監(jiān)測水平[7]。TMS320F2812芯片集成了A/D轉(zhuǎn)換器及SPI等眾多元件,具有較高的集成性能,可降低系統(tǒng)開發(fā)難度,以最低的開發(fā)成本搭建系統(tǒng)。
1.2.2 前置處理電路
前置處理電路具有電路放大器的功能,系統(tǒng)中輸入A/D轉(zhuǎn)換模塊的電壓信號為0~3 V。將傳感器采集的電壓互感器信號,通過前置處理電路轉(zhuǎn)換至可輸入A/D轉(zhuǎn)換模塊的電壓值。電壓互感器二次絕緣監(jiān)測系統(tǒng)對器件噪聲以及器件精度要求較高,前置處理電路中的放大器需滿足低噪聲以及精度高的需求[8]。選取TI公司的OPA227放大器芯片作為前置處理電路的放大器芯片,該放大器具有集成度高、噪聲低、精度高等優(yōu)勢[9],可滿足電壓互感器二次絕緣監(jiān)測中的有源濾波以及數(shù)據(jù)提取等性能,對于系統(tǒng)信號預(yù)處理具有重要作用。前置處理電路中的放大器電路如圖2所示,圖中選取20 V的電源為放大器供電,放大器的輸出電路為1.5 V,可滿足DSP芯片的ADC參考電壓輸入需求。
圖2 放大器電路
1.2.3 射頻通信模塊
采用射頻通信模塊為監(jiān)測系統(tǒng)提供數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ㄐ殴δ?。射頻通信模塊選取型號為NRF24L01的無線射頻芯片,該芯片具有高達2.5 GHz以上的工作頻率。設(shè)計射頻通信模塊時,將主電路板與射頻收發(fā)電路分開設(shè)計,使2塊電路板均為獨立狀態(tài)[10],選取2 mm的單排針連接射頻電路模塊以及主電路板的相關(guān)電路。
射頻通信模塊電路如圖3所示。ADL5521為低噪聲射頻放大器,ADG936為射頻開關(guān),ADL5606為射頻功率放大器,射頻功率放大器的最大輸出功率為1 W。射頻開關(guān)利用引腳INA及引腳INB的電平狀態(tài)實現(xiàn)功放電路收發(fā)狀態(tài)的有效切換。
圖3 射頻通信模塊電路圖
NRF24L01芯片中的晶振是重要部件,利用NRF24L01內(nèi)的鎖相環(huán)PLL倍頻電路可將晶振輸出的頻率信號有效合成。晶振在射頻電路中受環(huán)境影響較大,因此芯片中的晶振具有不同的老化漂移情況[11]。為了避免射頻通信電路中的晶振影響電路正常連接,選取具有0.6 mg/m3老化率的溫度補償晶振(TCXO)作為射頻通信模塊中的晶振。
NRF24L01芯片具有極小的輸出功率,為了提升芯片的通信能力,將低噪音放大器和功率放大器置于芯片的發(fā)射端中,利用高增益天線將芯片收發(fā)信號放大[12],提升射頻通信模塊的抗干擾水平和發(fā)射功率。
1.2.4 A/D轉(zhuǎn)換芯片
A/D轉(zhuǎn)換芯片位于系統(tǒng)A/D轉(zhuǎn)換模塊中。系統(tǒng)的A/D轉(zhuǎn)換芯片選取ADI公司的AD7606-4芯片,該芯片可實現(xiàn)電壓互感器4路信號的同步采樣,具有高達400 Kbps的四通道同步采樣轉(zhuǎn)換速率。AD7606-4芯片中設(shè)置抗混疊二階模擬濾波器,該濾波器截止頻率為24 kHz,同時設(shè)置了精密基準穩(wěn)壓參考源,16位逐次逼近型高速A/D轉(zhuǎn)換器。選取2.5~5 V的寬電壓為AD7606-4轉(zhuǎn)換芯片供電,芯片內(nèi)設(shè)置電壓翻轉(zhuǎn)電路[13],可實現(xiàn)雙極性模擬信號輸入,具有較高的穩(wěn)定性以及靈活性,同時抗干擾性能優(yōu)越,應(yīng)用于電壓互感器二次絕緣監(jiān)測系統(tǒng)中,具有極高的可靠性。AD7606-4轉(zhuǎn)換芯片電路圖如圖4所示。圖中的CH1~CH4均為模擬數(shù)據(jù)輸入通道,可將原始波形電壓輸入信號、輸入電壓有效值信號、相位測量以及頻率測量的電壓輸入信號利用以上通道傳送至DSP控制芯片中。
圖4 AD7606-4轉(zhuǎn)換芯片電路圖
將LM電壓互感器穩(wěn)態(tài)誤差校正方法應(yīng)用于二次絕緣監(jiān)測中,避免監(jiān)測過程中受到系統(tǒng)頻率變化以及電壓互感器二次側(cè)負載影響監(jiān)測效果。
1.3.1 電壓互感器誤差校正模型
R1表示中間變壓器T一次繞組電阻R1T與補償電抗器等值電阻RL之和,L1表示中間變壓器T一次漏感L1T和補償電抗器電感L之和;電壓互感器二次絕緣監(jiān)測系統(tǒng)監(jiān)測過程中,應(yīng)考慮與電容C損耗相對應(yīng)的等值電阻RC1與RC2。電壓互感器穩(wěn)態(tài)誤差校正數(shù)學模型如下:
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
式中:U與I分別表示電壓互感器的電壓與電流。
1.3.2 電壓互感器二次絕緣監(jiān)測誤差校正方法
LM算法建立擬合函數(shù)表達式如下:
(6)
式中:An與a0分別表示次諧波分量的幅值以及直流分量;f0與φn分別表示信號的基波頻率以及二次諧波分量的初相角,獲取帶求向量表達式如下:
x= [a0,A1,A2,…,AK,φ1,φ2,…,φK,f0]T
(7)
通過最小二乘方法擬合(tm,ym),獲取擬合函數(shù)殘差以及采樣信號平方和最小的目標函數(shù)為:
(8)
設(shè)基波頻率f0為變量,ri(x)是與x相關(guān)的非線性方程。將諧波分析結(jié)果設(shè)置為LM算法的輸入,實現(xiàn)最小二乘擬合方法的快速收斂。目標函數(shù)以及迭代次數(shù)滿足所設(shè)定閾值時完成迭代[15],此時所獲取的各項參數(shù)即為所求參數(shù),將以上參數(shù)代入數(shù)學模型中,獲取電壓互感器的一次電壓,利用精準的一次電壓保障電壓互感器二次絕緣監(jiān)測的精度。
為了驗證所設(shè)計二次絕緣監(jiān)測系統(tǒng)監(jiān)測電容互感器的二次絕緣性能,將系統(tǒng)應(yīng)用于某地區(qū)電力企業(yè)電力系統(tǒng)中,該電力系統(tǒng)包含257臺電容互感器。選取某220 kV輸電線路作為監(jiān)測對象,監(jiān)測對象中的電容互感器的絕緣電阻均為10 000 MΩ,低壓端對地為10 000 MΩ。
統(tǒng)計采用該系統(tǒng)監(jiān)測電力系統(tǒng)電壓互感器二次絕緣性能,不同頻率情況下的監(jiān)測結(jié)果如圖5所示。由圖5可以看出,采用該系統(tǒng)監(jiān)測電容互感器的運行頻率,二次絕緣監(jiān)測過程中監(jiān)測的頻率與真實頻率相差極小,驗證了系統(tǒng)具有較高的監(jiān)測性能。該系統(tǒng)可以獲取極高的電容互感器頻率監(jiān)測精度,可以有效克服頻譜泄漏情況,提升頻率監(jiān)測性能。
圖5 電容互感器頻率監(jiān)測結(jié)果
采用監(jiān)測電力系統(tǒng)中的3號、7號和12號電容互感器,統(tǒng)計3個電容互感器的電容量,統(tǒng)計結(jié)果如圖6所示。從圖6可以看出,3個電容互感器的電容量大部分接近于1 μF左右。12號電容互感器的第5層電容單元和7號電容互感器的第7層電容單元的電容量分別為0.85 μF和0.67 μF,與0極為接近,說明此時2個電容互感器的電容單元存在異常情況。電容互感器選取膜紙絕緣結(jié)構(gòu)作為內(nèi)部薄膜電容器電容,當電容存在擊穿等異常時,將出現(xiàn)電容量接近0的情況。定位12號和7號電容互感器,拆開電容互感器檢查時,發(fā)現(xiàn)電容互感器出現(xiàn)擊穿痕跡,驗證了系統(tǒng)二次絕緣監(jiān)測結(jié)果的有效性。
圖6 電容量二次絕緣監(jiān)測結(jié)果
采用該文系統(tǒng)實現(xiàn)電容互感器二次絕緣監(jiān)測,當頻率為50 Hz、初相角為1.0°時,校正前后不同負載的幅值變化結(jié)果如圖7所示,不同負載的相位角變化情況如圖8所示。
圖7 校正前后幅值變化
圖8 校正前后相位角度變化
由圖7、圖8實驗結(jié)果可以看出,采用該文系統(tǒng)可以實現(xiàn)對二次絕緣監(jiān)測的幅值及相位角度變化的有效校正。系統(tǒng)校正后的幅值及相位角度可穩(wěn)定在理想范圍內(nèi),驗證了該校正算法校正監(jiān)測結(jié)果的有效性。
進一步采用該文系統(tǒng)校正二次絕緣監(jiān)測結(jié)果的比差變化以及角差變化,統(tǒng)計結(jié)果如圖9、圖10所示。由圖9、圖10可以看出,未采用該文系統(tǒng)校正前,系統(tǒng)監(jiān)測電壓互感器二次絕緣結(jié)果伴隨負載的變化波動性較大,分散性較為明顯;采用該文系統(tǒng)校正后,比差以及角差明顯有所降低。
圖9 比差校正結(jié)果
圖10 角差校正結(jié)果
對比采用該文系統(tǒng)以及未采用該文系統(tǒng)時電力系統(tǒng)電容互感器設(shè)備運行狀況,統(tǒng)計結(jié)果如表1所示。采用該文系統(tǒng)監(jiān)測電力系統(tǒng)電壓互感器的二次絕緣后,設(shè)備完備率有了明顯提升,運行故障數(shù)量下降至0,事故率由原有的0.24%下降至0%。表1實驗結(jié)果有效驗證了該文系統(tǒng)具有較高的監(jiān)測有效性,提升了電力系統(tǒng)的運行穩(wěn)定性。
表1 電容互感器設(shè)備運行狀況
電壓互感器是獲取電壓信號的重要設(shè)備,電力系統(tǒng)二次側(cè)負載的大小以及運行頻率對電壓互感器輸出結(jié)果影響較大,校正電壓互感器輸出誤差對于提升二次絕緣監(jiān)測精度具有重要作用。通過系統(tǒng)測試驗證了所設(shè)計系統(tǒng)可以有效抵抗諧波因素以及系統(tǒng)頻率波動對監(jiān)測結(jié)果的影響,具有較高的監(jiān)測穩(wěn)定性,有效避免電壓互感器二次絕緣監(jiān)測結(jié)果受二次負載大小以及系統(tǒng)頻率影響,提升系統(tǒng)在線二次絕緣監(jiān)測的精度。