趙天宇, 李效龍, 李小偉
(江蘇科技大學 電子信息學院,江蘇 鎮(zhèn)江 212100)
隨著半導體集成電路技術(shù)的發(fā)展,體積小、功能強、便攜帶的植入式迷走神經(jīng)刺激器成為了治療癲癇的首選方案。傳統(tǒng)的刺激脈沖發(fā)生器大多是基于分立元件建立,如文獻[1]中,使用可編程邏輯陣列單元和帶有變壓器的預定義程序產(chǎn)生脈沖信號,雖然可以產(chǎn)生低電平刺激信號,但在低頻情況下,想要通過變壓器對刺激信號放大,變壓器的尺寸會增大。同理,在文獻[2]中,將振蕩器、555定時器集成電路和變壓器結(jié)合,當555定時器將輸出傳送至變壓器,并通過一對多諧振蕩器產(chǎn)生幅度、頻率可調(diào)的脈沖,但多組件使得電路復雜且尺寸過大。
本文基于傳統(tǒng)的神經(jīng)刺激器設計方案[3,4],設計了一種產(chǎn)生電流刺激的雙極性神經(jīng)刺激脈沖發(fā)生器,通過多檔電流鏡與開關(guān)管的組合控制,克服了傳統(tǒng)神經(jīng)刺激器可調(diào)幅度小的缺點,并通過調(diào)節(jié)脈沖寬度調(diào)制(pulse width modulation,PWM)信號控制H橋,實現(xiàn)刺激脈沖頻率、占空比可調(diào),且所有器件均基于SMIC 0.18 μm工藝設計制造,滿足植入性器件體積小的要求。同時,通過帶隙基準電壓產(chǎn)生基準電流,改善了CMOS工藝器件受溫度影響的缺點,提高了刺激脈沖電流的精確性。
本文設計的帶隙基準電流源結(jié)構(gòu)如圖1所示,分為三個部分:啟動電路、帶隙基準核心電路和V-I轉(zhuǎn)換電路。
圖1 帶隙基準電流源
本文設計的是一階溫度補償帶隙基準電路,利用雙極晶體管的基極—發(fā)射極電壓VBE具有負溫度系數(shù),以及兩個工作在不同電流密度下的雙極晶體管基極—發(fā)射極電壓差ΔVBE具有正溫度系數(shù)的特性,通過添加適當?shù)臋?quán)重,得到零溫度系數(shù)的基準,即
(1)
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VREF=α1VBE+α2ΔVBE
(3)
式中VT=kT/q,IC為雙極晶體管集電極電流,IS為飽和電流。
如圖1電路所示,當X點電壓近似等于Y點電壓時
ΔVBE=I1×R2
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因此,由上述公式可知,只需要調(diào)節(jié)R1/R2的比值,即能通過調(diào)節(jié)正溫度系數(shù)來得到零溫度系數(shù)的帶隙基準電壓。
雖然利用開環(huán)增益很大的運放能實現(xiàn)X點和Y點的電壓近似相等,但仍會由于運放的失調(diào)存在誤差,所以,采用兩個雙極晶體管串聯(lián)的方式來減小誤差,也使得基準電壓VREF提高了1倍。CC作為密勒補償電容提高了兩級運放的穩(wěn)定性,相當于在P點處引入了容值為(1+gm16)CC的大電容,不僅減小了P點的極點頻率,同時極大地增加了輸出極點的頻率。而RZ的引入則是為了消除兩級運放中右半平面的零點,提高電路的穩(wěn)定性。
本文設計的啟動電路如圖1所示,當電路進入關(guān)斷狀態(tài)時,輸出帶隙基準電壓為0 V,導致M9導通,M10關(guān)斷,所以,M11導通時拉低了M15和M16的柵極電壓,產(chǎn)生電流,使電路脫離關(guān)斷狀態(tài),并在VREF正常時啟動電路自動關(guān)閉。M1~M4是兩個反相器串聯(lián),通過控制M13和M18控制整個帶隙基準電路的開關(guān)。二極管連接的M5~M7PMOS管則是為了降低電壓,使得M9和M10的反相器能在輸入電壓為VREF時正常工作。
最后,V-I轉(zhuǎn)換電路則是將輸出的帶隙基準電壓通過Buffer連接一個源極跟隨器,并將具有正負溫度系數(shù)的電阻組合成零溫度系數(shù)的電阻,與帶隙基準電壓構(gòu)成基準電流。
刺激脈沖產(chǎn)生電路如圖2所示,通過將兩級電流鏡級聯(lián)以產(chǎn)生較大的電流放大倍數(shù),圖中M4~M6組成一級電流鏡[5],對輸入?yún)⒖茧娏鲝椭漂B加,M5,M6為NMOS電流阱與M7PMOS電流源形成組合電流源,M7~M11組成雙路多檔電流鏡,兩級電流鏡利用多個開關(guān)管控制達到可調(diào)幅度范圍大且步長可調(diào)的目的。
圖2 兩級電流鏡
M1控制整個電路的開斷,當S0為高電位時,M1導通,在忽略溝道調(diào)制效應的情況下,有
(6)
因此,當M2,M4,M6的寬長比成比例時
ID7=K1IREF+K2IREF
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同理,可得
Iout1=Iout2=K3ID7+K4ID7
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疊加后的電流通過由PWM信號[6]控制的H橋電路[7]輸出,即可得到頻率、占空比可調(diào)的雙極性脈沖信號,如圖3所示。PWM信號由單片機(micro-programmed control unit,MCU)提供,可以產(chǎn)生幅度一定且周期可調(diào)的信號,電阻R為兩電極之間神經(jīng)組織的模擬電阻。
圖3 雙極性脈沖產(chǎn)生電路
當PWM0與PWM1為周期和脈寬相等且脈寬不重疊的方波信號時,如圖4所示,M1和M4,M2和M3的柵極受高低電壓交替控制,兩條通路交替導通,經(jīng)由兩電極傳輸,形成雙極性雙相脈沖信號。
圖4 PWM信號
通過調(diào)整PWM信號的周期可以控制開關(guān)管開關(guān)的頻率,從而控制輸出的雙極性脈沖信號的頻率;通過調(diào)整PWM信號的脈沖寬度,控制輸出雙極性脈沖信號的脈沖寬度,從而控制脈沖信號的占空比。
集成雙極性神經(jīng)刺激脈沖發(fā)生器電路如圖5所示。首先通過帶隙基準電流源產(chǎn)生5 μA和10 μA基準電流作為電路的參考電流供電流鏡復制疊加,因為產(chǎn)生的脈沖信號的可調(diào)范圍大且步幅可調(diào),所以通過開關(guān)管M0和M1的開斷來選擇在小電流時以5 μA的基準電流輸入,大電流時以10 μA或15 μA的基準電流輸入,來提高刺激電流脈沖的精度。兩級電流鏡分別分為4檔和6檔,每檔電流以2倍遞增,通過開關(guān)管控制實現(xiàn)電流的大幅度可調(diào)。本文所用的PWM信號是幅度為3.3 V的方波信號,為保證H橋的開關(guān)管M36~M39能導通,即VGS≥VTH,所以,將PWM信號先經(jīng)兩級級聯(lián)反相器抬高電平,再接入到開關(guān)管的柵極作開關(guān)管開關(guān)信號。
圖5 雙極性神經(jīng)刺激脈沖發(fā)生器整體電路
本文基于SMIC 0.18 μm工藝,利用Cadence Spectre EDA工具,對電路進行設計仿真驗證。電源電壓為5 V,在-40~100 ℃溫度范圍內(nèi),對帶隙基準電流源進行直流仿真,得到的仿真結(jié)果如圖6所示。
圖6 5 μA溫漂曲線(上)與10 μA溫漂曲線(下)
由圖6可見,在-40~100 ℃溫度范圍內(nèi),5 μA溫漂曲線的最高電流值Imax為5.008 56 μA,最低電流值Imin為5.004 78 μA,平均電流值Imean為5.007 35 μA;10 μA溫漂曲線的最高電流值為9.991 97 μA,最低電流值為9.981 53 μA,平均電流值為9.988 49 μA。
由溫漂系數(shù)公式
(9)
可得,5 μA的溫漂系數(shù)為5.38×10-6/℃,10 μA的溫漂系數(shù)為7.46×10-6/℃。
本文設計的集成雙極性神經(jīng)刺激脈沖發(fā)生器能產(chǎn)生幅度、頻率和占空比可調(diào)的雙極性脈沖。幅度通過控制多檔電流鏡開關(guān)管控制,頻率和占空比通過調(diào)節(jié)PWM信號控制。圖7為產(chǎn)生的不同振幅、頻率、占空比的雙極性脈沖信號。
圖7 不同幅度、頻率和占空比的脈沖信號
圖7(a)為電路產(chǎn)生的幅度A=10.27 mA,頻率f=100 Hz,頻帶寬度PW=1 ms(即占空比為0.1)的雙極性脈沖信號;圖(b)為電路產(chǎn)生的幅度A=11.9 μA,頻率f=100 Hz,頻帶寬度PW=1 ms(即占空比為0.1)的雙極性脈沖信號;圖(c)為電路產(chǎn)生的幅度A=10.27 mA,頻率f=2 000 Hz,頻帶寬度PW=20 μs(即占空比為0.04)的雙極性脈沖信號;圖(d)為電路產(chǎn)生的幅度A=11.9 μA,頻率f=2 000 Hz,頻帶寬度PW=20 μs(即占空比為0.04)的雙極性脈沖信號。
表1為本文的集成雙極性神經(jīng)刺激脈沖發(fā)生器與其它文獻的參數(shù)比較。
表1 本文與其他文獻的參數(shù)比較
本文設計了一種集成雙極性神經(jīng)刺激脈沖發(fā)生器。利用帶隙基準電流源產(chǎn)生與溫度弱相關(guān)的基準電流,再將基準電流通過兩級多檔電流鏡復制疊加,并通過受PWM信號控制的H橋電路產(chǎn)生幅度、頻率、占空比皆可調(diào)的雙極性電流脈沖信號。仿真結(jié)果表明:當電源電壓為5 V,在-40~100 ℃下,基準電流溫漂系數(shù)為5.38×10-6/℃;產(chǎn)生的雙極性脈沖信號的幅度在11.9 μA~10.27 mA,頻率在1 Hz~2 kHz,脈沖寬度在20 μs~1 ms之間變化。該集成雙極性神經(jīng)刺激脈沖發(fā)生器適用于微型神經(jīng)刺激器。