蘇云東
(云南電網(wǎng)有限責(zé)任公司文山供電局,云南 文山 663000)
換流閥電流過(guò)零信號(hào)簡(jiǎn)稱(chēng)EOC(Extinction Of Current)。換流閥在換相過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生電流過(guò)零和電壓過(guò)零點(diǎn),極控系統(tǒng)通過(guò)測(cè)量板卡ESP10計(jì)算每一個(gè)換流閥電流過(guò)零到電壓過(guò)零的時(shí)間,可以精確得到每一個(gè)換流閥的熄弧角。電流的過(guò)零信號(hào)EOC通過(guò)12個(gè)換流閥的晶閘管電壓監(jiān)視(TVM)板來(lái)檢測(cè),并通過(guò)VBE傳送給極控系統(tǒng)。
在逆變站,如果檢測(cè)到電壓過(guò)零信號(hào),而沒(méi)有檢測(cè)到電流過(guò)零信號(hào);或者檢測(cè)到電流過(guò)零信號(hào),而沒(méi)有檢測(cè)到電壓過(guò)零信號(hào),都會(huì)產(chǎn)生電流過(guò)零故障信號(hào),就會(huì)導(dǎo)致?lián)Q相失敗,嚴(yán)重的將發(fā)生直流閉鎖。而換流閥EOC信號(hào)延遲,將直接導(dǎo)致電流過(guò)零故障。某換流站就是由于多次發(fā)生換流閥電流過(guò)零故障導(dǎo)致直流多次換相失敗,在2016年5月23日、26日,由于電流過(guò)零故障曾引發(fā)直流閉鎖。本文就針對(duì)換流閥TVM板的問(wèn)題引起EOC信號(hào)延遲的原因進(jìn)行分析,提出相應(yīng)的處理措施,為類(lèi)似的直流工程問(wèn)題提供參考解決方案。
HVDC換流閥由許多串聯(lián)晶閘管級(jí)組成。每個(gè)晶閘管級(jí)均安裝有獨(dú)立的TVM板,TVM原理框圖如圖1。
圖1 TVM原理框圖
每個(gè)晶閘管級(jí)有一塊TVM板,保證串聯(lián)的晶閘管之間的直流電壓分布均勻,同時(shí)從以下幾個(gè)方面來(lái)監(jiān)控光觸發(fā)晶閘管兩端的電壓:
1)檢測(cè)晶閘管的阻斷能力;
2)檢查晶閘管是否可以觸發(fā)導(dǎo)通(建立正向電壓);
3)檢查晶閘管電流過(guò)零(建立負(fù)向電壓);
4)檢查晶閘管是否由內(nèi)部的正向過(guò)電壓保護(hù)觸發(fā)導(dǎo)通(BOD)。
TVM與阻尼電路并聯(lián)連接。因此電流通過(guò)阻尼電路時(shí)不通過(guò)TVM板。TVM不包括任何集成邏輯器件,電磁兼容性強(qiáng)。
閥運(yùn)行中,由閥上每個(gè)晶閘管級(jí)的TVM板在線監(jiān)測(cè)晶閘管兩端的電壓,產(chǎn)生相關(guān)的回檢信號(hào),TVM產(chǎn)生的回檢信號(hào)如圖2。
圖2 TVM產(chǎn)生的回檢信號(hào)
當(dāng)晶閘管兩端的電壓達(dá)50~70 V時(shí),TVM會(huì)發(fā)送6 μs寬的正電壓建立回報(bào)信號(hào)到VBE的光接收板;當(dāng)晶閘管兩端電壓達(dá)-150~-170 V時(shí),TVM會(huì)發(fā)送2 μs寬的負(fù)電壓建立回報(bào)信號(hào);如果監(jiān)測(cè)到晶閘管兩端電壓達(dá)6500~7500 V時(shí),TVM會(huì)發(fā)送12 μs寬的BOD動(dòng)作回報(bào)信號(hào)。
該換流站的TVM板設(shè)計(jì)回報(bào)信號(hào)參數(shù)如下:
1)正電壓建立回報(bào)信號(hào)光脈沖寬度:6~8 μs,發(fā)送回報(bào)光脈沖時(shí),晶閘管兩端的電壓:130±20 V;
2)負(fù)電壓建立回報(bào)信號(hào)光脈沖寬度:2~3 μs,發(fā)送回報(bào)光脈沖時(shí),晶閘管兩端的電壓:-160±20 V;
3)正向過(guò)電壓回報(bào)信號(hào)光脈沖寬度:12~15 μs,發(fā)送回報(bào)光脈沖時(shí),晶閘管兩端的電壓:7200±300 V。
將交流可調(diào)電源電壓調(diào)制到Us=1500 V,設(shè)置示波器相關(guān)參數(shù),讀取通道2的數(shù)據(jù),與設(shè)計(jì)值作比較。其測(cè)試接線如圖3。
圖3 TVM參數(shù)測(cè)試接線圖
其測(cè)試結(jié)果如圖4、圖5、圖6所示。
圖4 正向電壓建立回報(bào)信號(hào)試驗(yàn)波形圖
圖5 負(fù)向電壓建立回報(bào)信號(hào)試驗(yàn)波形圖
圖6 正向過(guò)電壓回報(bào)信號(hào)試驗(yàn)波形圖
2016年8月-10月,通過(guò)對(duì)運(yùn)行中的TVM板的正向電壓建立回報(bào)信號(hào)、負(fù)向電壓建立回報(bào)信號(hào)、正向過(guò)電壓回報(bào)信號(hào)現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行4次檢測(cè),發(fā)現(xiàn)閥控EOC信號(hào)存在延遲現(xiàn)象,這就是導(dǎo)致TVM板與閥控VBE信號(hào)失配,造成換流閥多次分生換相失敗和直流閉鎖的主要原因。
進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn),回報(bào)脈寬的改變是由于TVM脈寬控制回路中的X7R型電容的固有工作特性導(dǎo)致。
從TVM板卡負(fù)向光回報(bào)脈沖工作原理上,分析引起光脈沖寬度發(fā)生變化的因素,對(duì)其電路上電阻,電容,穩(wěn)壓二極管等主要元器件進(jìn)行測(cè)量和分析,逐一排查,最后發(fā)現(xiàn)電容容值會(huì)隨測(cè)試頻率的增大而減小。測(cè)量情況見(jiàn)表1所示。
表1 1nF電容在不同測(cè)試頻率下的電容容值
因而,初步判斷TVM負(fù)電壓回報(bào)脈寬減小可能是由電容容值變化而引起。
多層陶瓷電容(Multi-Layer Ceramic Capacitor,MLCC)是由陶瓷介質(zhì)層和內(nèi)電極相互交疊燒制而成的片式電容元件,其結(jié)構(gòu)主要包括:陶瓷介質(zhì)、內(nèi)電極和外電極3部分。TVM板卡內(nèi)使用的電容為標(biāo)稱(chēng)1nF的X7R型MLCC電容。其MLCC電容分類(lèi)及特性如表2所示。
表2 MLCC電容分類(lèi)及特性
X7R電容元件中填充的鈦酸鋇(BaTiO3)陶瓷基料,其介電常數(shù)和介質(zhì)損耗會(huì)受工作頻率的影響。其變化情況如圖7。
圖7 BaTiO3基料介電常數(shù)和X7R電容容值 隨頻率的變化情況
為進(jìn)一步驗(yàn)證工作頻率對(duì)電容容值和脈寬的影響,2016年10月,將換流站極II-Y1和D4單閥上的TVM板拆下帶回廠里測(cè)量了相應(yīng)晶閘管級(jí)的負(fù)電壓回報(bào)脈寬。其中,閉鎖狀態(tài)下為2.1~2.6 μs,而解鎖狀態(tài)下為1.6~2.18 μs。其測(cè)量結(jié)果如表3所示。
表3 部分新更換TVM板的回報(bào)脈寬測(cè)量結(jié)果
從測(cè)量結(jié)果來(lái)看,解鎖狀態(tài)下,大部分的TVM負(fù)向脈沖寬度均小于2 μs,即脈沖寬度減小。由于該換流站為逆變運(yùn)行,主回路電壓負(fù)向過(guò)零時(shí),du/dt較高,TVM負(fù)向脈沖控制回路中電容的取能速度高于工頻運(yùn)行情況。因此,基于上述分析結(jié)果,判斷電容是由于受到較高工作頻率影響,電容值下降,從而導(dǎo)致負(fù)向脈沖寬度減小。
為改善TVM板電容性能,將TVM板卡中的X7R型電容更改為性能更穩(wěn)定的C0G型電容。其性能如圖8所示。
圖8 電容容值隨溫度和工作時(shí)長(zhǎng)的變化情況
TVM的電容更換為C0G型電容后,進(jìn)行如下功能(例行)試驗(yàn):
1)負(fù)電壓建立回報(bào)光脈沖寬度;
2)負(fù)向電壓建立電壓值;
3)正電壓建立回報(bào)光脈沖寬度;
4)正向電壓建立電壓值;
5)正向過(guò)電壓保護(hù)回報(bào)光脈沖寬度;
6)正向過(guò)電壓保護(hù)電壓值。
新TVM板通過(guò)以上試驗(yàn),電壓檢測(cè)和回報(bào)功能符合要求,因此將TVM板的脈寬控制回路中X7R型電容更換為C0G型電容,不會(huì)對(duì)TVM板的正常功能造成影響。
新TVM板又經(jīng)過(guò)高溫老化試驗(yàn),對(duì)TVM試品每級(jí)施加1500 V peak工頻交流電壓,于環(huán)境溫度70℃進(jìn)行96 h連續(xù)高溫運(yùn)行試驗(yàn),每隔6 h對(duì)TVM板的回報(bào)脈寬進(jìn)行檢測(cè)和記錄。經(jīng)過(guò)高溫試驗(yàn),新TVM板(C0G)回報(bào)脈寬的動(dòng)態(tài)變化量,遠(yuǎn)小于原TVM板(X7R)的變化量。加速老化試驗(yàn)前后,原TVM板由于電容有效容值下降,導(dǎo)致脈寬縮短,同此前現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試結(jié)果相一致,而新TVM板的脈寬則幾乎無(wú)變化。
新TVM板再次經(jīng)過(guò)直流背靠背系統(tǒng)運(yùn)行試驗(yàn),在換流站返修的TVM板中隨機(jī)抽取6塊,安裝于背靠背閥D5V1~D5V6級(jí)。在功率正反送以及系統(tǒng)解閉鎖狀態(tài)下,分別測(cè)量TVM板的回報(bào)脈沖寬度。應(yīng)用直流背靠背試驗(yàn)系統(tǒng),可有效模擬工程中的實(shí)際工況,驗(yàn)證修復(fù)后TVM板的工作性能。換流閥解鎖和閉鎖狀態(tài)下,TVM板回報(bào)信號(hào)脈寬的變化較小,皆符合閥控系統(tǒng)的檢測(cè)要求;通過(guò)該項(xiàng)試驗(yàn),已驗(yàn)證板卡修復(fù)方案的正確和有效性,新TVM板能夠滿足該換流站VBE設(shè)備的接口要求。
2017年,分兩批將該換流站的YVM板更換為新TVM板(C0G),現(xiàn)場(chǎng)對(duì)更換后的TVM回報(bào)脈沖寬度進(jìn)行測(cè)量,負(fù)電壓建立回報(bào)脈沖寬度在2.3~2.6 μs之間,滿足2~3 μs的寬度要求。經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的運(yùn)行,EOC信號(hào)未出現(xiàn)延遲的現(xiàn)象,正常運(yùn)行期間也未出現(xiàn)由于EOC信號(hào)延遲引起直流換相失敗的問(wèn)題。
逆變站的換流閥在運(yùn)行期間,TVM板的X7R型電容由于受到較高工作頻率影響,電容值下降,從而導(dǎo)致負(fù)向脈沖寬度減小,導(dǎo)致TVM板與閥控VBE信號(hào)失配,造成換流閥多次分生換相失敗和直流閉鎖。通過(guò)對(duì)TVM板測(cè)試,發(fā)現(xiàn)X7R電容在高頻率下運(yùn)行特性不穩(wěn)定,將原TVM板的X7R型電容更換為C0G型電容后,通過(guò)功能(例行)試驗(yàn)、高溫老化試驗(yàn)、直流背靠背系統(tǒng)運(yùn)行試驗(yàn),證明將TVM板電容更換為C0G型電容的可行性,并將換流站全部TVM板反廠維修,更換為穩(wěn)定C0G型電容,經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的運(yùn)行,EOC信號(hào)未出現(xiàn)延遲的現(xiàn)象,成功解決了TVM板的問(wèn)題引起直流換相失敗,為類(lèi)似直流工程的問(wèn)題提供參考解決方案。