甘朝暉,吳 騫,尚 濤,楊朋杰
(1. 武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院,湖北武漢 430081;2. 武漢科技大學(xué)人工智能學(xué)院,湖北武漢 430081)
憶感器是由蔡少棠教授和Ventra等人于2009年首次提出的元件[1],其與憶阻器和憶容器一起被稱為記憶元件。目前,已經(jīng)有學(xué)者提出了一些整數(shù)階憶感器的數(shù)學(xué)模型和電路模型,并基于這些模型對(duì)憶感器或者含有憶感器的非線性電路進(jìn)行了相關(guān)的研究[2-5]。分?jǐn)?shù)階憶感器是整數(shù)階憶感器的拓展,關(guān)于分?jǐn)?shù)階憶感器的研究目前還比較少,本文將對(duì)分?jǐn)?shù)階憶感器的建模方法進(jìn)行研究。
Volterra級(jí)數(shù)是一種泛函級(jí)數(shù),最早可以追溯到1887年意大利數(shù)學(xué)家V. Volterra關(guān)于解析泛函的工作,該級(jí)數(shù)是Taylor級(jí)數(shù)的一種推廣,可看作是具有記憶效應(yīng)的Taylor級(jí)數(shù)[6]。作為目前非線性系統(tǒng)建模最有效的方法之一,Volterra級(jí)數(shù)在電子工程、機(jī)械工程等領(lǐng)域已經(jīng)得到了廣泛應(yīng)用[7]。
已經(jīng)有研究人員將Volterra級(jí)數(shù)引入到記憶元件的建模研究中。Chao Ma等人研究了基于Volterra級(jí)數(shù)的憶阻器建模方法[8],該方法根據(jù)憶阻器的特性對(duì)輸入信號(hào)的幅值設(shè)置了幾個(gè)閾值,并利用這些閾值將輸入信號(hào)分解成多個(gè)子信號(hào),然后用分段Volterra級(jí)數(shù)時(shí)域核對(duì)每個(gè)子信號(hào)進(jìn)行處理,最后重新組合在一起產(chǎn)生輸出。該研究開拓了基于Volterra級(jí)數(shù)的記憶元件建模方法,但其僅僅是針對(duì)憶阻器進(jìn)行的建模研究,還未見到基于Volterra級(jí)數(shù)的憶感器建模方法發(fā)表。因此,本文提出了一種基于Volterra級(jí)數(shù)的分?jǐn)?shù)階憶感器時(shí)域建模方法,這對(duì)記憶元件家族的研究具有一定的指導(dǎo)意義。
Ventra和蔡少棠教授等人在憶阻器的基礎(chǔ)上拓展出了記憶元件的概念,并指出憶感器是記憶元件中的基本元器件之一,其定義的流控憶感器如下[1]
(1)
其中,i(t)表示通過憶感器的電流,φ(t)表示憶感器的磁通,Lm為憶感器的憶感值。
Biolek等人根據(jù)流控憶感器的定義,提出了如圖1所示的憶感器物理模型[4],并根據(jù)其原理,推導(dǎo)出其數(shù)學(xué)模型。該憶感器模型是電感值可以變化的電感,有兩個(gè)固定端子和一個(gè)可移動(dòng)端子。
圖1 憶感器物理模型
當(dāng)有電流流過其中一個(gè)固定端子和可移動(dòng)端子時(shí),可移動(dòng)端子會(huì)在激勵(lì)電流的作用下左右移動(dòng),此時(shí)左端固定端子和移動(dòng)端子之間的線圈匝數(shù)會(huì)發(fā)生改變,進(jìn)而導(dǎo)致憶感器的憶感值發(fā)生改變。其模型如式(2)所示
(2)
其中,Lmin為可移動(dòng)端子移動(dòng)距離最小時(shí),即l=lmin時(shí)憶感器的憶感值,Lmax為可移動(dòng)端子移動(dòng)距離最大時(shí),即l=lmax時(shí)憶感器的憶感值。x(t)為憶感器的內(nèi)部狀態(tài)變量,k為滑動(dòng)比例因子,是一個(gè)常量,與憶感器材料有關(guān),i(t)為流過憶感器的電流,f(x)為憶感器模型中表征滑動(dòng)端滑動(dòng)情況的窗函數(shù)。具有不同窗函數(shù)f(x)的憶感器就會(huì)表現(xiàn)出不同的電氣特性。
分?jǐn)?shù)階憶感器是整數(shù)階憶感器的拓展,其階次可以為任意的實(shí)數(shù)或復(fù)數(shù)。與整數(shù)階憶感器模型相比,其最顯著的優(yōu)點(diǎn)在于分?jǐn)?shù)階憶感器模型的自由度更高,而憶感器是一種有記憶功能的非線性電感。因此,構(gòu)建分?jǐn)?shù)階憶感器模型具有一定的合理性。
本文在分析了Biolek等人所提出的整數(shù)階流控憶感器模型的基礎(chǔ)上,研究一種帶有非線性窗函數(shù)的分?jǐn)?shù)階流控憶感器模型,其模型如式(3)所示
(3)
其中,α為描述憶感器內(nèi)部狀態(tài)變量x的分?jǐn)?shù)階微分方程的階次,k為滑動(dòng)比例因子,是一個(gè)取決于憶感器材料的常量,i(t)為流過憶感器的電流,1/x為非線性窗函數(shù),Lm為憶感器的憶感值,Lmin為憶感值的最小值,Lmin為憶感值的最大值。當(dāng)分?jǐn)?shù)階階次α不同時(shí),憶感器會(huì)有不同的響應(yīng)特性。
對(duì)于線性系統(tǒng),輸入與輸出的時(shí)域關(guān)系可用卷積運(yùn)算來表示,如式(4)所示
(4)
其中,u(t)和y(t)分別為輸入和輸出信號(hào),h(t)表示系統(tǒng)脈沖響應(yīng)函數(shù)。
而非線性系統(tǒng)可以應(yīng)用Volterra級(jí)數(shù)來描述它的模型,如式(5)和(6)所示
…
即有
(5)
式(5)為非線性系統(tǒng)在時(shí)域內(nèi)的Volterra級(jí)數(shù)表示形式,u(t)和y(t)分別為系統(tǒng)輸入和輸出信號(hào),hn(τ1,τ2…τn)為系統(tǒng)的n階Volterra級(jí)數(shù)時(shí)域核函數(shù),簡稱時(shí)域核,又稱系統(tǒng)的n階廣義脈沖響應(yīng)函數(shù)(Generalized impulse response function,簡稱GIRF)。
將式(5)進(jìn)行離散化處理,得到如式(6)所示的非線性系統(tǒng)在時(shí)域內(nèi)的Volterra級(jí)數(shù)離散表示形式。
u(t-m1)u(t-m2)…u(t-mn)
(6)
在實(shí)際問題的求解過程中,通常把無窮項(xiàng)化簡為有限項(xiàng)進(jìn)行模型求解,化簡之后的模型依舊能夠表達(dá)非線性系統(tǒng)的本質(zhì)特性,如式(7)所示
(7)
其中,n為待測系統(tǒng)的階次,L為Volterra級(jí)數(shù)的記憶長度,mn為Volterra級(jí)數(shù)核狀態(tài)變量,hn(m1,m2,…,mn)為n階Volterra級(jí)數(shù)時(shí)域核,y0為系統(tǒng)的零初始狀態(tài)響應(yīng),y(t)為系統(tǒng)輸出信號(hào),u(t)為系統(tǒng)輸入信號(hào),e(t)為截?cái)嗾`差。
首先對(duì)本文研究的分?jǐn)?shù)階憶感器模型進(jìn)行采樣。采樣數(shù)據(jù)的輸入信號(hào)為流經(jīng)分?jǐn)?shù)階憶感器的正弦波電流激勵(lì)信號(hào)i(t),輸出信號(hào)為分?jǐn)?shù)階憶感器的磁通φ(t)。根據(jù)分?jǐn)?shù)階憶感器采樣數(shù)據(jù)設(shè)計(jì)出分?jǐn)?shù)階憶感器的Volterra級(jí)數(shù)時(shí)域模型表達(dá)式為
φ(t)samp=I(t)samp·hn+e
(8)
其中,φ(t)samp為分?jǐn)?shù)階憶感器采樣數(shù)據(jù)的輸出信號(hào)矩陣,I(t)samp為分?jǐn)?shù)階憶感器采樣數(shù)據(jù)的輸入信號(hào)矩陣,hn為對(duì)應(yīng)的n階Volterra級(jí)數(shù)時(shí)域核,e是截?cái)嗾`差。
Volterra級(jí)數(shù)時(shí)域核hn的矩陣如式(9)所示
hn=[h1(0),…h(huán)1(L),h2(0,0),…h(huán)2(L,L),
…,hn(0,…0),…h(huán)n(L,…L)]
(9)
輸入信號(hào)矩陣如式(10)所示
(10)
其中,i(·)為分?jǐn)?shù)階憶感器的輸入電流信號(hào),m為分?jǐn)?shù)階憶感器的樣本數(shù)量,L為Volterra級(jí)數(shù)的記憶長度,n為Volterra級(jí)數(shù)的階次。
輸出信號(hào)矩陣如式(11)所示
φ(t)samp=[φ(L+1)φ(L+2) …φ(L+m)]T
(11)
為了計(jì)算出時(shí)域核,列出如式(12)所示的誤差函數(shù)
f(e)=eT·e=(φ(t)samp-I(t)samp·hn)T
·(φ(t)samp-I(t)samp·hn)
(12)
使用最小均方差方法得到Volterra級(jí)數(shù)時(shí)域核的表示式,如式(13)所示
=(IT(t)samp·I(t)samp)-1·IT(t)samp·φ(t)samp
(13)
根據(jù)式(13)就可以得到分?jǐn)?shù)階憶感器的時(shí)域模型
φ(t)pre=·I(t)pre
(14)
其中,φ(t)pre為預(yù)測的分?jǐn)?shù)階憶感器輸出信號(hào)值,I(t)pre是用于預(yù)測的分?jǐn)?shù)階憶感器輸入采樣信號(hào)。
本節(jié)使用本文所提出的方法來得到分?jǐn)?shù)階憶感器時(shí)域模型的預(yù)測曲線,以驗(yàn)證本文所提方法的有效性。所有實(shí)驗(yàn)都是在Matlab R2010b仿真環(huán)境下完成的。
圖2 不同階次的分?jǐn)?shù)階憶感器的φ-i特性曲線
在實(shí)驗(yàn)中,樣本點(diǎn)數(shù)量m=100,使用的Volterra級(jí)數(shù)的控制參數(shù)分別為:記憶長度L=3,階次n=3。當(dāng)分?jǐn)?shù)階憶感器的階次分別為α=0.4,0.5,0.7時(shí),對(duì)分?jǐn)?shù)階流控憶感器的模型曲線進(jìn)行采樣,得到三組采樣數(shù)據(jù)。根據(jù)Volterra級(jí)數(shù)建模理論,得到如圖2所示的分?jǐn)?shù)階憶感器的時(shí)域模型預(yù)測曲線。
圖3 L取不同數(shù)值時(shí)分?jǐn)?shù)階憶感器的時(shí)域模型曲線
從圖2可以看出,三組不同階次的分?jǐn)?shù)階憶感器的時(shí)域模型預(yù)測曲線與采樣數(shù)據(jù)曲線重合度都很高,能準(zhǔn)確描述分?jǐn)?shù)階憶感器的φ-i特性。下面依次分析記憶長度和階次這兩種控制參數(shù)對(duì)分?jǐn)?shù)階憶感器時(shí)域模型的影響。
本節(jié)實(shí)驗(yàn)中,記憶長度L分別取1、2和3,Volterra級(jí)數(shù)的階次n取值3,樣本點(diǎn)數(shù)量m=100。當(dāng)分?jǐn)?shù)階憶感器的階次a=0.5時(shí),得到的分?jǐn)?shù)階憶感器時(shí)域模型的曲線如圖3所示。
由圖3(a)可以看出,記憶長度L為1時(shí),預(yù)測曲線與采樣曲線相似度不高,在原點(diǎn)附近有較多的離散點(diǎn)與采樣數(shù)據(jù)有較大的誤差,不能完全反映實(shí)際采樣曲線。由圖3(b)可以看出,記憶長度L為2時(shí),預(yù)測曲線與采樣曲線重合度相比L=1時(shí)有了較大的提高,能夠在一定程度上描述出實(shí)際的采樣曲線。由圖3(c)可以看出,記憶長度L為3時(shí),預(yù)測曲線與采樣曲線已經(jīng)高度重合,能夠完全描述出實(shí)際采樣曲線。因此,當(dāng)要求精度較低時(shí),記憶長度L的值可以取2,當(dāng)要求較高精度時(shí),記憶長度L的值一般取3。
對(duì)于非線性系統(tǒng)而言,Volterra級(jí)數(shù)的階次越高,越能反映實(shí)際系統(tǒng)的真實(shí)特性。為了驗(yàn)證Volterra級(jí)數(shù)的階次n對(duì)分?jǐn)?shù)階憶感器時(shí)域模型的影響,控制參數(shù)取值分別為:記憶長度L=3,Volterra級(jí)數(shù)的階次n分別取1、2和3時(shí)得到的分?jǐn)?shù)階憶感器的時(shí)域模型曲線如圖4所示。
圖4 n取不同數(shù)值時(shí)分?jǐn)?shù)階憶感器的時(shí)域模型曲線
由圖4(a)可以看出,Volterra級(jí)數(shù)的階次n為1時(shí),預(yù)測曲線與采樣曲線完全不重合,與采樣曲線偏離較多,無法反映出原系統(tǒng)的特性。由圖4(b)可以看出,當(dāng)Volterra級(jí)數(shù)的階次n取2時(shí),預(yù)測曲線雖然可以顯示出分?jǐn)?shù)階憶感器的滯回特性,但預(yù)測曲線與采樣曲線有一定的偏離,不能準(zhǔn)確預(yù)測采樣系統(tǒng)的真實(shí)特性。由圖4(c)可以看出,當(dāng)Volterra級(jí)數(shù)的階次n取3時(shí),與采樣曲線的重合度較高,描述精確度較高,可以較為準(zhǔn)確反映出實(shí)際系統(tǒng)的真實(shí)特性。
本文提出了一種基于Volterra級(jí)數(shù)的分?jǐn)?shù)階憶感器時(shí)域建模方法,根據(jù)仿真可知該方法能夠較為準(zhǔn)確地描述待預(yù)測模型的特性曲線。詳細(xì)分析和研究了Volterra級(jí)數(shù)的階次、記憶長度這兩種控制參數(shù)對(duì)分?jǐn)?shù)階憶感器時(shí)域模型精度的影響。后續(xù)的工作將研究分?jǐn)?shù)階憶感器的頻域建模方法,以便更加深入地研究分?jǐn)?shù)階憶感器在非線性電路中的特性。