專利名稱: 一種充分暴露二硫化鉬活性位的催化析氫電極的構(gòu)筑方法

專利申請(qǐng)?zhí)? CN201811060369

公開(kāi)號(hào): CN109183058A

申請(qǐng)日:2018.09.12公開(kāi)日:2019.01.11

申請(qǐng)人: 電子科技大學(xué)

本發(fā)明屬于二維材料制備以及催化析氫技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種充分暴露二硫化鉬活性位的催化析氫電極的構(gòu)筑方法。針對(duì)現(xiàn)有的二硫化鉬納米薄片催化析氫活性位點(diǎn)豐度低的問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)核心包括以下幾點(diǎn)：(1)利用印刷法固載二硫化鉬，構(gòu)筑三維催化析氫電極；(2)摻入表面活性劑聚乙烯吡咯烷酮，輔助剝離二硫化鉬，并阻止二硫化鉬納米薄片的重團(tuán)聚；(3)摻入還原氧化石墨烯為二硫化鉬納米薄片的分散提供錨點(diǎn)，進(jìn)一步阻止二硫化鉬納米薄片的堆疊；(4)選用具有高表面粗糙度的載體作為電極基底。本發(fā)明適用于常溫下酸性溶液中的催化析氫反應(yīng)。