沉積

數(shù)的方法；由于電沉積技術(shù)制備的樣品自吸收小、分布均勻，是α譜測(cè)量和總β 計(jì)數(shù)測(cè)量的主要制樣方式，因此電沉積也是測(cè)量錒的主要制樣方法。錒的電沉積可采用不同的電解液，Bojanowski等［13］采用硫酸銨作為電解液，227Ac的電沉積率可達(dá)30%；Geibert 等［12］采用草酸銨和氯化銨作為電解液，227Ac 的電沉積率可達(dá)50%。由于采用無(wú)機(jī)溶液作為電解液電沉積錒的效果不佳，Bojanowski 等［13］采用了0.5 mL 0.3 mol/L的硝酸和

主要是微濾法和電沉積法。用于α能譜測(cè)量的微濾源是通過(guò)Pb(Ra)SO4載帶、Ba(Ra)SO4共沉淀等方法對(duì)樣品進(jìn)行富集后采用真空抽濾的方法制得，但微濾源的厚度不可忽略，必須考慮α粒子自吸收效應(yīng)[1]。王元[4]通過(guò)計(jì)算得到α微濾樣品源中硫酸鋇的厚度達(dá)到3 μm時(shí)，會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的峰重疊現(xiàn)象。而電沉積法制備的α樣品源厚度小、均勻、自吸收低，是目前最理想的制備α樣品源的方法。但由于鐳的化學(xué)性質(zhì)活潑，析出電位遠(yuǎn)負(fù)于氫離子，且易受其他陽(yáng)離子干擾，較難制得高電沉積率的

les圖1 所有沉積樣品的XRD圖譜Fig.2 The values of TC(100),TC(002) and TC(004) for all the deposited samples圖2 所有樣品的織構(gòu)系數(shù)TC(100),TC(002)和 TC(004)數(shù)值Figure 3 shows the full-width at half-maximum(FWHM) values of(002) peak of all the deposited thin

涉及噴射沉積領(lǐng)域，尤其涉及一種鋼管沉積裝置。一種簡(jiǎn)易控制的無(wú)縫鋼管沉積裝置，包括鋼液包、霧化噴嘴、沉積盤(pán)和驅(qū)動(dòng)電機(jī)。鋼液包內(nèi)裝有鋼液；霧化噴嘴安裝在鋼液包底部出口處，并將鋼液噴射成為霧化顆粒；沉積盤(pán)位于霧化噴嘴的下方，霧化顆粒沉積在沉積盤(pán)的邊緣；沉積盤(pán)底部軸心處固定連接有螺桿，螺桿與固定支架構(gòu)成螺桿副；驅(qū)動(dòng)電機(jī)的輸出軸與螺桿底部相連帶動(dòng)螺桿轉(zhuǎn)動(dòng)。該新型簡(jiǎn)易控制的無(wú)縫鋼管沉積裝置利用螺桿副在旋轉(zhuǎn)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)升降的需求，簡(jiǎn)化了沉積盤(pán)支架的結(jié)構(gòu)，方便了生產(chǎn)控制，降

mples圖2 沉積溫度對(duì)GaMgZnO樣品I(002)和I(004)/I(002)的影響The grain size of the deposited samples was calculated from the diffraction peaks of (002) plane using the Scherrer’s formula[23,24]:(1)(2)(3)The values ofB,D,andof all the deposited sa

元。本書(shū)以合金電沉積理論和技術(shù)為主線，主要包括基本原理和工藝技術(shù)兩部分。基礎(chǔ)理論部分包括：合金電沉積概述、基本知識(shí)及其發(fā)展；合金電沉積基本理論及電極特性；合金電沉積類型與晶體結(jié)構(gòu)特征。工藝技術(shù)部分包括：電沉積鋅基合金；電沉積銅基合金；電沉積錫基合金；電沉積鎳基合金；電沉積鐵、鈷、鉻基合金；電沉積貴金屬合金；電沉積非晶態(tài)合金、納米晶合金；電沉積合金復(fù)合鍍層；離子液體電沉積合金。

enian期風(fēng)暴沉積初探AIGNER T. 1985. Storm depositional systems: dynamic stratigraphy in modern and ancient shallow-marine sequences. Lecture Notes in the Earth Sciences, 3(8):174.MEESOOK A, SHA J. 2010. The Jurassic System of Thailand.Uni