陳大昊 張劍云 鄧鵬飛
摘要:非均勻稀布直線陣列通常具有較高的旁瓣,為了降低旁瓣,對傳統(tǒng)遺傳算法進行改進用于陣列優(yōu)化。為了更好的解決早熟收斂問題,利用兩級遞階遺傳算法THGA(Two-level Hierarchic Genetic Algorithm)在各陣列電流激勵幅度相同的情況下對陣元位置進行了優(yōu)化,最大旁瓣降低至-15.2498dB。在各陣列電流激勵幅度不同的情況下,提出了“微調(diào)”“粗調(diào)”的思想對激勵和陣元位置同時進行優(yōu)化。仿真結(jié)果表明,對于一個孔徑為50λ的25個陣元組成的稀布直線陣列,可獲得了更低的旁瓣,最大旁瓣可降至-22.5955dB。
關鍵詞:兩級遞階遺傳算法;稀布直線陣列;優(yōu)化;旁瓣
中圖分類號:TP823
文獻標識碼:A
文章編號:1003—6199(2005)04—0058—03