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      平面圓形磁控濺射靶槍的磁場(chǎng)分析

      2009-08-31 02:13:50屈寶鵬張喜鳳
      現(xiàn)代電子技術(shù) 2009年13期
      關(guān)鍵詞:磁控濺射有限元

      屈寶鵬 張喜鳳

      摘要:磁控濺射靶槍中磁通量密度的橫向分布情況對(duì)靶材的利用率、沉積薄膜的質(zhì)量及磁控濺射過(guò)程的穩(wěn)定性等都有重大的影響。利用有限元理論對(duì)靶表面磁通量密度的橫向分量進(jìn)行了模擬分析。同時(shí),也使用高斯計(jì)對(duì)靶表面磁場(chǎng)強(qiáng)度的橫向分布進(jìn)行了實(shí)際測(cè)量。比較得知,模擬結(jié)果和實(shí)際測(cè)量結(jié)果在很高的精度上是一致的。這個(gè)結(jié)果對(duì)于優(yōu)化磁控濺射靶槍的設(shè)計(jì)及提高膜層的特性等方面都具有很高的實(shí)用價(jià)值。

      關(guān)鍵詞:磁控濺射;有限元;橫向分量;磁通量密度

      中圖分類號(hào):TB43文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A文章編號(hào):1004—373X(2009)13—202—02

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