平面圓形磁控濺射靶槍的磁場(chǎng)分析
2009-08-31 02:13:50屈寶鵬張喜鳳
現(xiàn)代電子技術(shù) 2009年13期
屈寶鵬 張喜鳳
摘要：磁控濺射靶槍中磁通量密度的橫向分布情況對(duì)靶材的利用率、沉積薄膜的質(zhì)量及磁控濺射過(guò)程的穩(wěn)定性等都有重大的影響。利用有限元理論對(duì)靶表面磁通量密度的橫向分量進(jìn)行了模擬分析。同時(shí)，也使用高斯計(jì)對(duì)靶表面磁場(chǎng)強(qiáng)度的橫向分布進(jìn)行了實(shí)際測(cè)量。比較得知，模擬結(jié)果和實(shí)際測(cè)量結(jié)果在很高的精度上是一致的。這個(gè)結(jié)果對(duì)于優(yōu)化磁控濺射靶槍的設(shè)計(jì)及提高膜層的特性等方面都具有很高的實(shí)用價(jià)值。
關(guān)鍵詞：磁控濺射；有限元；橫向分量；磁通量密度
中圖分類號(hào)：TB43文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：1004—373X(2009)13—202—02
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