專為主流市場(chǎng)打造

金邦千禧DDR2 800 2GB內(nèi)存是一款面向主流市場(chǎng)的產(chǎn)品?？梢钥吹?，與我們之前介紹的金邦中、高端內(nèi)存相比，由于定位主流，這款金邦千禧DDR2 800內(nèi)存在外觀上顯得比較普通，沒(méi)有配備散熱片。但該內(nèi)存在“基礎(chǔ)設(shè)計(jì)”上仍達(dá)到了較高的水準(zhǔn)，采用全尺寸的墨綠色6層PCB電路板制作，而現(xiàn)在市場(chǎng)上很多品牌的主流產(chǎn)品大多采用了窄版設(shè)計(jì)。該內(nèi)存正反兩面采用大面積覆銅設(shè)計(jì)可以減小地線阻抗，提高電源效率，減少高頻干擾，為產(chǎn)品的穩(wěn)定工作打下了基礎(chǔ)。

這款2GB內(nèi)存采用了雙面16顆粒設(shè)計(jì)，從內(nèi)存表面的標(biāo)識(shí)顯示，該顆粒的默認(rèn)工作電壓為1 8V，額定cL(CAS Latency)列地址選通脈沖延遲可以設(shè)定為5或6。其它方面，這款內(nèi)存在內(nèi)存顆粒與金手指之間還配有大量的排阻與貼片電容，可以幫助內(nèi)存起到穩(wěn)壓作用，進(jìn)一步增強(qiáng)內(nèi)存的工作穩(wěn)定性。內(nèi)存金手指則采用成熟的化學(xué)鍍金工藝制造，雖然在硬度與耐磨性上與電鍍鍍金工藝相比略羞，但其鍍層厚度更均勻，表面更平整。通過(guò)cPU-z檢測(cè)發(fā)現(xiàn)，金邦千禧DDR2800內(nèi)存在DDR2 800下的默認(rèn)延遲實(shí)測(cè)為6(c L)-6(IRC D)-60RP)-150RAS)@2T。那么它的實(shí)際性能如何呢?接下來(lái)我們采用目前在市面上常見(jiàn)的金士頓DDR2 800窄版內(nèi)存與金邦千禧DDR2 800進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試。窄版內(nèi)存的主要延遲設(shè)定同樣為6-6-6-15@2T，不過(guò)從測(cè)試成績(jī)來(lái)看，其性能與金邦千禧DDR2 800相比，不論是內(nèi)存性能還是處理器性能均略有差距，我們認(rèn)為這主要是因?yàn)樵搩?nèi)存的其它延遲設(shè)定較高所致。

下面我們還對(duì)這兩款內(nèi)存的超頻性能進(jìn)行了測(cè)試?？紤]到大部分主流用戶只會(huì)進(jìn)行簡(jiǎn)單，安全的超頻。因此在這里我們只通過(guò)默認(rèn)電壓對(duì)各內(nèi)存進(jìn)行超頻。超頻方法很簡(jiǎn)單，調(diào)高Intel Core 2 Duo E8200處理器外頻，將外頻與內(nèi)存頻率比例設(shè)定為5：6，令內(nèi)存頻率隨動(dòng)提升。最終，金邦千禧DDR2 800在處理器外頻達(dá)到381MHz、處理器頻率為381MHzx8=3，048GHz時(shí)，內(nèi)存可以穩(wěn)定工作在DDR2 914，并可通過(guò)Memtest86內(nèi)存品質(zhì)測(cè)試的所有測(cè)試。而矮版內(nèi)存最高頻率則只能達(dá)到DDR2 866(處理器頻率2，88GHz)，且在Memtest86測(cè)試中運(yùn)行9分鐘后就出現(xiàn)死機(jī)。究其原因還是金邦干禧DDR2 800采用了標(biāo)準(zhǔn)的全尺寸PCB設(shè)計(jì)，布線較PCB面積大幅縮減的窄版內(nèi)存更加寬松，彼此之間的電磁干擾更小，因此它在高頻率下的工作也就更加穩(wěn)定。

從測(cè)試可以看到，超頻到DDR2 914后的金邦千禧DDR2 800內(nèi)存較其默認(rèn)性能有了明顯的提升。因此，這款內(nèi)存不論是默認(rèn)性能還是超頻性能都能滿足主流用戶的需求，值得大家考慮。(馬宇川)