三星2011年下半推出20nm級(jí)制程DRAM

三星電子 (SamsungElectronics)2011年將致力于提升DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體制程技術(shù)水平，再拉大與其它競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者間差距。三星半導(dǎo)體事業(yè)部專務(wù)趙南成表示，2010年采用30nm級(jí)制程制造DRAM，2011年上半計(jì)劃采行20nm級(jí)制程推出產(chǎn)品。三星計(jì)劃每年提升DRAM制程技術(shù)，維護(hù)業(yè)界領(lǐng)先地位。

20nm后半制程并非采用極紫外線(EUV)這種次世代曝光方式，而是采用既有的浸潤(rùn)方式制作。納米制程是將半導(dǎo)體電路線幅微縮至人類頭發(fā)4000分之1粗細(xì)的制造工程。半導(dǎo)體制程越是微細(xì)，可以大幅縮減半導(dǎo)體體積，在單一晶圓(wafer)上生產(chǎn)的半導(dǎo)體數(shù)量可增加，或降低產(chǎn)品生產(chǎn)的費(fèi)用。

三星計(jì)劃于2011年下半推出的20nm級(jí)制程DRAM產(chǎn)品，其量產(chǎn)性估計(jì)較30nm級(jí)產(chǎn)品提高約60%。三星2009年率先量產(chǎn)40nm級(jí)DRAM產(chǎn)品，接著2010年7月也領(lǐng)先業(yè)界首度投入30nm制程量產(chǎn)作業(yè)。海力士(Hynix)目前則是以40nm制程量產(chǎn)DRAM，并計(jì)劃2011年初將投入30nm制程產(chǎn)品量產(chǎn)。

日本爾必達(dá)(Elpida)和美國(guó)美光(Micron)等排名第3、4名的半導(dǎo)體廠目前主要以50nm級(jí)制程量產(chǎn)DRAM產(chǎn)品，并正準(zhǔn)備轉(zhuǎn)換為40nm制程。以DRAM制程技術(shù)為基礎(chǔ)，三星2010年第3季在DRAM市場(chǎng)上首度將市占率拉升至40%以上。

三星若能依照預(yù)定的目標(biāo)，于2011年下半推出20nm級(jí)制程DRAM產(chǎn)品，無論是在韓國(guó)境內(nèi)或海外，與其它競(jìng)爭(zhēng)公司的技術(shù)能力將有明顯差距，在DRAM市場(chǎng)上也將出現(xiàn)三星獨(dú)大的情況。

來源:DigiTimes