日前，Vishay Intertechnology,nc宣布，推出新款TM8系列高可靠性、表面貼裝、具有低至200 nA的超低直流泄露電流（DCL）的鉭電容器。

在早期的醫(yī)療設(shè)備平臺中，直流泄漏僅僅是尚可的水平，然而現(xiàn)在則要求更低的直流泄漏。通過使用Vishay獨有的多陣列封裝（MAP），新的TM8器件顯著降低了直流漏電，并實現(xiàn)了更好的穩(wěn)定性。借助專利的MAP組裝技術(shù)，TM8電容器為在這些應(yīng)用中實現(xiàn)盡可能高的可靠性和效率提供了一個健全的設(shè)計。此外，器件遵照MIL-PRF-55365標準進行了了嚴格的處理和測試。

在7種緊湊的外形尺寸內(nèi)，TM8系列提供從1 μF/40 V~47 μF/10 V的容量－電壓（CV）等級范圍。電容器很適合植入式醫(yī)療設(shè)備、醫(yī)療儀器及軍工/航天系統(tǒng)等關(guān)鍵應(yīng)用中對長期性能的要求。TM8器件還具有特殊的篩選和為特定應(yīng)用定制的選項。

這次發(fā)布的器件為諸多設(shè)備中的濾波、耦合/解耦、直流阻塞和儲能應(yīng)用進行了優(yōu)化，如起搏器、ICD、神經(jīng)刺激器、助聽器和人工耳蝸等醫(yī)療設(shè)備；病人監(jiān)護設(shè)備、自動給藥系統(tǒng)、成像和診斷設(shè)備等醫(yī)療儀器；軍用和航天混合微電路/多芯片模塊、智能軍需、GPS系統(tǒng)、傳感器及手持式便攜電子系統(tǒng)。

為保證在苛刻環(huán)境中的可靠性和長期性能，Vishay提供了在+85℃下40小時的老化階段或weibull分級B級，利用這兩種篩選方法能夠達到0.1%的失效率。浪涌電流選項包括選項A（在+25℃進行10個循環(huán)）和選項B（在－55℃/+85℃下進行10個循環(huán)）。Vishay使用專用生產(chǎn)線生產(chǎn)這些電容器，并經(jīng)驗豐富的員工確保在生產(chǎn)過程中各個環(huán)節(jié)的生產(chǎn)質(zhì)量。

電容器采用緊湊的L、M、N、P、R、T和W外形代碼，是空間受限的便攜式/植入式應(yīng)用的絕佳選擇，同時其低DCL確保高效運行并延長電池壽命。TM8的L形接頭允許采用高級電路板安裝，在最終用戶的量產(chǎn)中可對焊錫的圓角進行視覺檢查（或自動光學(xué)檢查）。

這些符合RoHS的器件的工作溫度為－55～+85℃，電壓降級情況下的溫度可達+125℃，電壓范圍為2～40 WVDC。