隨著功率模塊、電信和服務(wù)器等DC-DC應(yīng)用設(shè)備變得愈加空間緊湊，設(shè)計(jì)人員尋求更小的器件以應(yīng)對(duì)其設(shè)計(jì)難題，而器件的熱性能是人們關(guān)注的考慮因素。

為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導(dǎo)體公司開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual CoolTM封裝，Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術(shù)的頂部冷卻PQFN器件，可以通過封裝的頂部實(shí)現(xiàn)額外的功率耗散。

Dual Cool封裝具有外露的散熱塊，能夠顯著減小從結(jié)點(diǎn)到外殼頂部的熱阻。與標(biāo)準(zhǔn)PQFN封裝相比，Dual Cool封裝在配合散熱片使用時(shí)，可將功率耗散能力提高60%以上。此外，采用Dual Cool封裝的MOSFET通過使用飛兆半導(dǎo)體專有的PowerTrench工藝技術(shù)，能夠以較小的封裝尺寸實(shí)現(xiàn)更低的RDS（ON）和更高的負(fù)載電流。

不同于其他采用頂部冷卻的解決方案，這些器件提供有Power 33（3.3mm×3.3mm）和Power 56（5mm×6mm）Dual Cool封裝選項(xiàng)。Dual Cool封裝保持與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)PQFN相同的占位面積，可讓功率工程師快速驗(yàn)證采用Dual Cool封裝的MOSFET器件，無須采用非標(biāo)準(zhǔn)封裝，即可獲得更佳的熱效率。（本刊通訊員）