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      部分涂敷目標(biāo)的RCS仿真計(jì)算

      2010-09-27 07:45:20童創(chuàng)明
      電訊技術(shù) 2010年4期
      關(guān)鍵詞:涂敷吸波反射系數(shù)

      呂 丹,童創(chuàng)明

      (1.空軍工程大學(xué) 導(dǎo)彈學(xué)院,陜西 三原 713800;2.毫米波國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,江蘇 南京 210096)

      1 引 言

      雷達(dá)散射截面(RCS)定量描述了目標(biāo)的散射強(qiáng)弱程度,如果能減縮目標(biāo)的RCS,則能迫使敵方電子探測(cè)系統(tǒng)和武器平臺(tái)降低其戰(zhàn)斗效能,從而提高我方目標(biāo)的突防和生存能力。通常,有4種方案可以用于減縮目標(biāo)RCS,分別是外形隱身技術(shù)、雷達(dá)吸波材料隱身技術(shù)、無(wú)源對(duì)消技術(shù)和有源對(duì)消技術(shù)[1]。外形上的修改使得目標(biāo)的RCS在一定的角度上減小,但在另一些角度上又會(huì)增加,而且還要考慮外形帶來(lái)的氣動(dòng)特性和機(jī)動(dòng)特性問(wèn)題;無(wú)源對(duì)消技術(shù)隨著頻率和觀察角的微小變化難以控制RCS的增大或減縮效果;有源對(duì)消技術(shù)又因?yàn)樗蟮母鞣N硬件和軟件技術(shù)的復(fù)雜度難以實(shí)施。所以,在目標(biāo)表面涂敷雷達(dá)吸波材料成為當(dāng)前最流行的減縮目標(biāo)RCS的途徑。如果只要求目標(biāo)在一定的角度范圍內(nèi)有較小的RCS,那么就沒(méi)有必要將目標(biāo)全身涂敷吸波材料,只要在需要的部位上涂敷就可達(dá)到性能要求。

      參數(shù)曲面建模是現(xiàn)在最為流行的模擬目標(biāo)外形的方法,具有以下伏點(diǎn):可以更加方便地定義、修改模型,獲取目標(biāo)的幾何信息;不會(huì)引入面元噪聲,提高了計(jì)算精度;降低了劃分曲面的數(shù)量,提高了計(jì)算速度等[2-4]。在非均勻有理B樣條(NURBS)參數(shù)建模的基礎(chǔ)上運(yùn)用物理光學(xué)法計(jì)算了電大尺寸目標(biāo)部分涂敷情況下的后向RCS。計(jì)算結(jié)果證明,部分涂敷吸波材料在特定的角度范圍內(nèi)起到了減縮目標(biāo)的RCS作用。

      2 理論方法

      2.1 物理光學(xué)場(chǎng)積分方程

      當(dāng)平面波入射導(dǎo)體目標(biāo)時(shí),邊界條件滿足

      利用遠(yuǎn)場(chǎng)近似,得到散射電場(chǎng)的表達(dá)式為

      (1)

      對(duì)于表面涂敷吸波材料的導(dǎo)體目標(biāo),表面散射場(chǎng)可以表示為

      (2)

      式中,Z0為本征阻抗,E和H分別為表面的總電場(chǎng)和總磁場(chǎng),有E=Ei+Es,H=Hi+Hs。

      圖1 介質(zhì)表面散射示意圖 Fig. 1 Scattering field at the surface

      (3)

      (4)

      (5)

      (6)

      經(jīng)計(jì)算[5]:

      (7)

      (8)

      2.2 反射系數(shù)

      圖2 多層有耗介質(zhì)示意圖Fig. 2 Geometry of multilayered panel

      介質(zhì)的散射需要考慮入射波的極化方式,相應(yīng)的總反射系數(shù)也分為平行極化反射系數(shù)R‖和垂直極化反射系數(shù)R⊥。R‖和R⊥由下列公式遞推得到[6-7]:

      (9)

      (10)

      (11)

      (12)

      其中c(n)=k(n)cosα(n),

      (13)

      (14)

      當(dāng)n=N時(shí),有:

      (15)

      將式(9)、式(10)及式(7)、式(8)代入式(2)便得到涂敷目標(biāo)的散射電場(chǎng)。與式(1)比較發(fā)現(xiàn),只要將反射系數(shù)公式中的涂層厚度設(shè)置為0就可計(jì)算導(dǎo)體目標(biāo)的散射場(chǎng)。

      2.3 非均勻有理B樣條參數(shù)曲面

      一張k×l次的NURBS曲面方程表示為[2-4]

      (16)

      式中,控制頂點(diǎn)di,j(i=0,1,2,…,m;j=0,1,2,…,n)呈拓?fù)渚匦侮嚵校纬梢粋€(gè)控制網(wǎng)格,ωi,j是與頂點(diǎn)di,j相聯(lián)系的權(quán)因子,Ni,k(u)(i=0,1,2,…,m)和Nj,l(v)(j=0,1,2,…,n)分別為u向k次和v向l次的規(guī)范B樣條基。

      在NURBS模型上,

      (17)

      將式(16)與式(17)代入式(3),并通過(guò)RCS的定義得到基于NURBS曲面的RCS表達(dá)式。

      3 計(jì)算結(jié)果

      計(jì)算部分涂敷目標(biāo)的RCS時(shí)采用統(tǒng)一的積分式計(jì)算散射場(chǎng),只是有涂敷部分的涂層厚度不為0,導(dǎo)體部分的涂層厚度設(shè)置為0。然后疊加兩部分的散射場(chǎng)得到總的散射場(chǎng),近而計(jì)算目標(biāo)的后向RCS。

      圓柱直徑為3λ,長(zhǎng)為4λ。RAM的相對(duì)介電常數(shù)和相對(duì)磁導(dǎo)率分別為εr=4-j1.5和μr=2-j1,涂層厚度為0.04λ,入射波頻率為10 GHz,水平極化。目標(biāo)上灰色表示涂敷吸波材料的部分,考慮只涂敷圓柱頂端圓面,如圖3所示。圓柱未涂敷、全部涂敷以及部分涂敷情況下的RCS如圖4所示。另外,還考慮將圓柱的一半涂敷吸波材料,如圖5所示,同樣將3種情況下的RCS進(jìn)行了比較,如圖6所示。

      圖3 圓面頂端部分涂敷示意圖Fig. 3 Geometry of partially coated colum

      圖4 未涂敷與涂敷圓柱的RCS(頂端)Fig. 4 RCS of column coated without and with RAM(top)

      從圖4可看出,未涂敷和全涂敷目標(biāo)的RCS計(jì)算結(jié)果與文獻(xiàn)[8]結(jié)果一致,只涂敷頂端圓面情況下,在30°之前與全部涂敷目標(biāo)的RCS差別很??;在30°~60°之間部分涂敷目標(biāo)的RCS小于未涂敷目標(biāo),但是大于全部涂敷目標(biāo)的RCS;在大于60°時(shí),吸波材料已經(jīng)不起任何作用了,部分涂敷目標(biāo)的RCS逐漸與未涂敷目標(biāo)的RCS重合。

      圖5 圓柱一半面積涂敷示意圖Fig. 5 Geometry of half coated column

      從圖6可看出,只涂敷一半圓柱情況下,在20°之前與全部涂敷目標(biāo)的RCS差別很?。辉?0°~50°之間部分涂敷目標(biāo)的RCS小于未涂敷目標(biāo),但是大于全部涂敷目標(biāo)的RCS;在大于50°時(shí),部分涂敷目標(biāo)的RCS遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于全部涂敷目標(biāo)的RCS,某些角度上甚至還大于未涂敷目標(biāo)的RCS。

      圖6 未涂敷與涂敷圓柱的RCS(一半面積)Fig. 6 RCS of column coated without and with RAM(half area)

      4 結(jié) 論

      在導(dǎo)體目標(biāo)上部分涂敷雷達(dá)吸波材料雖然不能在所有角度上都減縮雷達(dá)散射截面,但是在一定的角度范圍內(nèi)起到的作用與目標(biāo)全部涂敷時(shí)相當(dāng)。所以在實(shí)際應(yīng)用中可以根據(jù)需要,適當(dāng)?shù)亟o目標(biāo)部分部件涂敷上吸波材料即可。這樣不僅不會(huì)影響目標(biāo)RCS的設(shè)計(jì)要求,而且還節(jié)省了開(kāi)支。

      參考文獻(xiàn):

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      [2] 施法中. 計(jì)算機(jī)輔助幾何設(shè)計(jì)與非均勻有理B樣條[M].北京: 高等教育出版社, 2001.

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      [8] 李建周, 吳昌英, 侯新宇. 基于Unigraphics的雷達(dá)截面預(yù)估軟件設(shè)計(jì)[J]. 電波科學(xué)學(xué)報(bào), 2005, 20(2): 222-225.

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