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      基于保護(hù)平面熱源法的防隔熱材料熱物性測(cè)量

      2010-12-06 12:10:04戴景民COPPA
      關(guān)鍵詞:熱擴(kuò)散熱導(dǎo)率熱阻

      王 強(qiáng),戴景民,COPPA P

      (1. 哈爾濱工業(yè)大學(xué)自動(dòng)檢測(cè)與過(guò)程控制系統(tǒng)研究所,哈爾濱 150001;2. 羅馬大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院,Rome 00133)

      防隔熱材料是航天器熱防護(hù)系統(tǒng)中的重要部件,其隔熱性能的優(yōu)劣將直接關(guān)系到整個(gè)熱防護(hù)系統(tǒng)的性能,是保障航天器穩(wěn)定、安全運(yùn)行的關(guān)鍵.防隔熱材料高溫?zé)嵛镄詳?shù)據(jù)的準(zhǔn)確測(cè)量是防隔熱材料性能評(píng)價(jià)及可靠性評(píng)估的基礎(chǔ),對(duì)于提高我國(guó)的型號(hào)設(shè)計(jì)水平,滿足我國(guó)航空航天及國(guó)防領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)需求等方面都具有重要的意義.

      瞬態(tài)接觸熱源法[1-6]是一類重要的瞬態(tài)熱物性測(cè)量方法,包括熱線法、熱帶法、熱探針法、階越(脈沖)平面熱源法、常功率平面熱源法以及瞬態(tài)平面熱源法等.該類方法具有快速、準(zhǔn)確、可實(shí)現(xiàn)多參數(shù)測(cè)量、方式靈活多樣、具有較寬的溫度和熱參數(shù)覆蓋區(qū)間等許多優(yōu)點(diǎn),但將其應(yīng)用于防隔熱材料的熱物性測(cè)量時(shí),仍然存在以下5 點(diǎn)不足.

      (1)高溫測(cè)量上限較低,且中高溫測(cè)量誤差大.

      (2)缺乏探頭熱容及時(shí)間延遲影響的充分考慮.

      (3)接觸熱阻會(huì)受到眾多因素的耦合影響,目前還主要采用涂抹填料或?qū)嶒?yàn)數(shù)據(jù)的預(yù)處理等手段減小接觸熱阻對(duì)測(cè)量的影響,非常欠缺從理論角度探察其對(duì)熱物性測(cè)量的實(shí)際影響規(guī)律.

      (4)瞬態(tài)接觸熱源法的快速測(cè)量是以被測(cè)試樣達(dá)到熱平衡為前提的,對(duì)于熱導(dǎo)率及熱擴(kuò)散率很低的隔熱材料來(lái)說(shuō),目前該類方法所采用的試樣都較大,無(wú)法體現(xiàn)出瞬態(tài)接觸熱源法快速測(cè)量的優(yōu)越性.

      (5)瞬態(tài)接觸熱源法與其他非穩(wěn)態(tài)方法一樣,測(cè)量誤差通常比穩(wěn)態(tài)法大.這主要是由于測(cè)量過(guò)程往往很難完全滿足所要求的邊界條件,并且由此引入的誤差不像穩(wěn)態(tài)法那樣易于理論描述和計(jì)算.

      基于上述問題,本文提出了一種適用于防隔熱材料高溫高精度熱物性測(cè)量的保護(hù)平面熱源法,并通過(guò)建立一套防隔熱材料高溫?zé)嵛镄詼y(cè)量裝置,來(lái)考察其對(duì)隔熱材料熱物性測(cè)量的實(shí)際使用性能.

      1 測(cè)試原理及模型推導(dǎo)

      設(shè)計(jì)的傳熱過(guò)程如圖1 所示.初始溫度均勻一致的兩無(wú)限大平板,中間夾持一無(wú)限大薄膜熱源;某一時(shí)刻開始,薄膜熱源均勻釋放大小已知的熱流量,薄膜熱源的溫度將升高;溫升速率的快慢將受到探頭熱容、時(shí)間延遲、接觸熱阻以及試樣熱物性的綜合作用.

      圖1 無(wú)限大平板的一維熱傳導(dǎo)Fig.1 One demensional heat transfer of infinite plane plate

      該熱過(guò)程為一維熱傳導(dǎo)問題.假設(shè)薄膜熱源的小擾動(dòng)熱流不會(huì)對(duì)熱物性及接觸熱阻產(chǎn)生影響,將熱物性及接觸熱阻視為常值;并假定熱源很薄,有熱容但無(wú)溫度分布,將薄膜熱源視為集總體處理;相應(yīng)的導(dǎo)熱微分方程、初始和邊界條件分別為

      式中:T、 TΔ 為溫度及過(guò)余溫度,K;下標(biāo)s 和h 分別代表試樣和薄膜熱源;α為熱擴(kuò)散率,m2/s;ch 為接觸熱導(dǎo)率,W/(m2·K),cc1hR= ,cR 為接觸熱阻;hhh C m c=為熱源單位面積熱容,J/(m2·K),hm 為單位面積質(zhì)量,kg/m2,hc 為比熱容,J/(kg·K);hq˙為單面熱流密度,W/m2;L 為平板厚度,m.

      [7]求解微分方程組,得解析解為

      式中:λ為熱導(dǎo)率zn為式(6)的解,

      為得到熱源的溫升解析解,由式(2)分離變量得

      式中 c h/K h C= .解齊次方程

      得其通解為

      式中C1為任意常數(shù).

      求解特解時(shí),假定函數(shù)f(t)包含常數(shù)項(xiàng)、一次項(xiàng)及指數(shù)求和項(xiàng),即

      式中βn= znαL2.將式(5)代入式(8),根據(jù)f(t)各項(xiàng)對(duì)應(yīng)的相關(guān)系數(shù),賦值A(chǔ)'、B '和 Cn'分別為

      將式(11)代入式(8),得系數(shù)A 、B 和 nC 分別為

      得薄膜熱源溫度響應(yīng)通解為

      系數(shù)C1由初始條件式(4)確定為

      最終得到薄膜熱源的溫度響應(yīng)解析解為

      式(20)是建立在一維傳熱假設(shè)條件下的,實(shí)際測(cè)試時(shí),為減少試樣熱平衡等待時(shí)間,必須限制試樣的尺寸;對(duì)于有限尺寸試樣,必然在邊界產(chǎn)生熱損,此時(shí)已不再是一維傳熱,會(huì)對(duì)熱源溫度響應(yīng)造成影響,引起測(cè)量誤差.

      由于本文面向隔熱材料,其熱導(dǎo)率及熱擴(kuò)散率很低,在有限測(cè)量時(shí)間內(nèi),熱損只能對(duì)試樣外邊緣一定區(qū)域的溫度分布產(chǎn)生影響,而對(duì)于試樣中心區(qū)域?qū)⒉粫?huì)產(chǎn)生較大影響,這一不受側(cè)邊界熱損影響的中心區(qū)域?yàn)楸Wo(hù)平面熱源法的正確使用提供了保障條件,如圖2 所示的中心灰色區(qū)域.

      圖2 存在熱損時(shí)試樣內(nèi)等溫線及熱流分布Fig.2 Distribution of temperature contour and heat current Fig.2 when side heat waste happens

      根據(jù)各種測(cè)量條件下的有限元分析結(jié)果,指導(dǎo)耐高溫測(cè)溫傳感器結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),綜合考慮探頭熱容及時(shí)間延遲等影響因素對(duì)測(cè)量的影響,對(duì)式(20)理論溫升模型進(jìn)行修正,得到修正解析解為

      式中:P0=I2R0,R0為初始電阻;S為探頭的有效測(cè)量面積,S =πa2;并有

      式中:t'為時(shí)間補(bǔ)償后各測(cè)量點(diǎn)的對(duì)應(yīng)時(shí)間;td為延遲時(shí)間,根據(jù)文獻(xiàn)[8]的研究結(jié)論,時(shí)間延遲會(huì)隨測(cè)量時(shí)間而變化,并有 0 ≤td≤0.005t,但一般不會(huì)超過(guò)0.1 s,即td≤0.1.

      2 高溫?zé)嵛镄詼y(cè)量裝置

      高溫?zé)嵛镄詼y(cè)量裝置的原理如圖3 所示.主要包括:既是薄膜熱源、又是溫度傳感器還能起到保護(hù)加熱作用的耐高溫探頭(見圖4),實(shí)現(xiàn)對(duì)試樣緊密夾持的耐高溫試樣夾持器(見圖5),能夠提供穩(wěn)定測(cè)量環(huán)境、減少漏熱損失并有效防止試樣高溫氧化的高真空管式黑體爐(見圖6),以及高性能實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)同步采集、處理及控制系統(tǒng)等.

      圖3 測(cè)量裝置原理Fig.3 Principle of experimental setup

      測(cè)量使用的探頭(見圖4)基板采用yttria stabilized zirconia 8YSZ 耐高溫陶瓷,厚度很薄,并具一定機(jī)械強(qiáng)度,可以認(rèn)為滿足集總體假設(shè);基板兩側(cè)采用濺射技術(shù)覆1,μm 厚度鉑金屬膜,并通過(guò)激光刻蝕形成所需要的電流回路,兩側(cè)覆膜是為了保證對(duì)稱性.采用鉑金屬作為發(fā)熱熱絲,其純度很高,溫度-電阻關(guān)聯(lián)曲線接近線性,溫度-電阻系數(shù)為4.6×10-3K-1[10],不需要對(duì)溫度-電阻關(guān)聯(lián)式展開新的研究和推導(dǎo).

      圖4 保護(hù)平面熱源法常溫及高溫實(shí)驗(yàn)探頭Fig.4 Sensors of guarded plane source method in normal Fig.4 and high temperature experiments

      保護(hù)熱源探頭設(shè)計(jì)有中心探測(cè)區(qū)及周邊保護(hù)區(qū),加熱功能由保護(hù)區(qū)和探測(cè)區(qū)共同實(shí)現(xiàn),測(cè)溫功能則僅通過(guò)中心探測(cè)區(qū)實(shí)現(xiàn).周邊保護(hù)區(qū)的設(shè)計(jì)是為了保證一維熱傳導(dǎo)狀態(tài),保證絕熱邊界條件.

      試樣夾持器采用 Aremco 耐高溫陶瓷材料,Aremco 耐高溫陶瓷材料使用溫度可達(dá)1,650,℃,高度致密且完全燒結(jié),抗壓強(qiáng)度為2.34×109Pa,抗彎強(qiáng)度為3.17×108Pa;除此之外,其導(dǎo)熱系數(shù)較低,能夠更好地保障保護(hù)平面熱源法需要的絕熱邊界條件,并且可以實(shí)施機(jī)械加工,可以加工成所需要的結(jié)構(gòu)形式.

      圖5 Aremco陶瓷夾持器Fig.5 Aremco ceramic holder

      實(shí)驗(yàn)時(shí),將耐高溫探頭、試樣所組成的三明治結(jié)構(gòu)置于試樣夾持器中,將封頭旋緊使得試樣緊密接觸;將試樣夾持器置于管式黑體爐等溫區(qū),并將管式黑體爐抽成真空,真空度低于10-3Pa;而后,通電管式黑體爐,達(dá)到測(cè)試溫度后控制于恒溫狀態(tài)持續(xù)加熱;待試樣溫度均勻后,通電加熱高溫探頭并實(shí)時(shí)采集溫度信號(hào),測(cè)量實(shí)驗(yàn)開始進(jìn)行.

      圖6 管式黑體爐剖面Fig.6 Cross section of tubular blackbody furnace

      3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析

      3.1 標(biāo)準(zhǔn)材料常溫?zé)嵛镄詼y(cè)量實(shí)驗(yàn)

      為了對(duì)保護(hù)平面熱源法進(jìn)行準(zhǔn)確的評(píng)價(jià),利用研制的隔熱材料多熱物性測(cè)量裝置對(duì)美國(guó)杜邦公司生產(chǎn)的SP1 級(jí)純聚酰亞胺VespelTMSP1 材料的熱導(dǎo)率和熱擴(kuò)散率進(jìn)行了測(cè)量.VespelTMSP1 材料具有很強(qiáng)的耐磨性、長(zhǎng)期尺寸穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性,可以在室溫至288,℃的范圍內(nèi)長(zhǎng)期使用;并且類似金屬銅,具有很好的機(jī)械加工性能.鑒于VespelTMSP1 材料物理性能穩(wěn)定且各向同性,使得它成為目前國(guó)際上公認(rèn)的熱物理性能標(biāo)準(zhǔn)材料之一.

      中常溫范圍內(nèi),VespelTMSP1 的熱物理性參數(shù)如表1 所示[11],采用試樣尺寸為Φ30,mm×15,mm.

      表1 VespelTM SP1熱物性參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)Fig.1 Standardized data of VespelTM SP1 against temperature

      在測(cè)試溫度(20±0.1)℃、加熱功率0.2,W、測(cè)量時(shí)間為150,s 的測(cè)試條件下,對(duì)VespelTMSP1 標(biāo)準(zhǔn)材料進(jìn)行了熱物性測(cè)試.為了與中常溫常壓下的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行有效比對(duì),實(shí)驗(yàn)不對(duì)管式黑體爐進(jìn)行抽真空處理.在同一測(cè)量條件下,對(duì)VespelTMSP1 標(biāo)準(zhǔn)試樣的熱導(dǎo)率和熱擴(kuò)散率進(jìn)行了多次測(cè)量,選取具代表性的2 次實(shí)驗(yàn),測(cè)量結(jié)果如圖7 和圖8 所示.

      2次實(shí)驗(yàn)的主要區(qū)別在于對(duì)試樣夾持緊密程度的不同,通過(guò)控制試樣夾持器的旋緊程度來(lái)實(shí)現(xiàn)試樣與測(cè)溫探頭的不同接觸緊密度,從而人為地控制接觸熱阻的大小,來(lái)評(píng)估接觸熱阻的實(shí)際影響.實(shí)驗(yàn)結(jié)果如表2 所示.

      圖7 實(shí)驗(yàn)曲線及殘差曲線(1#)Fig.7 Experimental and residual curves (1#)

      圖8 實(shí)驗(yàn)曲線及殘差曲線 (2#)Fig.8 Experimental and residual curves (2#)

      表2 實(shí)驗(yàn)1和實(shí)驗(yàn)2的測(cè)量結(jié)果Fig.2 Measurement results of experiments 1 and 2

      3.2 某隔熱材料高溫?zé)嵛镄詼y(cè)量實(shí)驗(yàn)

      在測(cè)試溫度(1,200±0.1),℃、加熱功率0.5,W、測(cè)量時(shí)間為750,s 的測(cè)試條件下,對(duì)某標(biāo)準(zhǔn)隔熱材料進(jìn)行測(cè)試,試樣尺寸為Φ30,mm×30,mm,已知其在1,200,℃下的熱導(dǎo)率λ=1.10 W/(m·℃),熱擴(kuò)散率α=7.38×10-7m2/s.實(shí)驗(yàn)進(jìn)行多次,選取其中2 次實(shí)驗(yàn),測(cè)量結(jié)果如圖9 和圖10 所示[12].

      圖9 實(shí)驗(yàn)曲線及殘差曲線 (3#) Fig.9 Experimental and residual curves (3#)

      圖10 實(shí)驗(yàn)曲線及殘差曲線(4#)Fig.10 Experimental and residual curves (4#)

      2 次實(shí)驗(yàn)的主要區(qū)別與實(shí)驗(yàn)1和實(shí)驗(yàn)2 一致,在于對(duì)試樣緊密夾持程度的不同,實(shí)驗(yàn)結(jié)果如表3 所示.

      表3 實(shí)驗(yàn)3和實(shí)驗(yàn)4的測(cè)量結(jié)果Fig.3 Measurement results of experiments 3 and 4

      3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析

      (1) 分析圖7~圖10 殘差曲線,殘差均值不超過(guò)0.1,℃,表明實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與分析模型吻合良好.

      (2) 分析表2 及表3 的測(cè)量結(jié)果,2 種標(biāo)準(zhǔn)材料在常溫及高溫測(cè)量條件下,熱導(dǎo)率及熱擴(kuò)散率的測(cè)量值與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)吻合良好.常溫相對(duì)誤差均小于6%,能夠滿足隔熱材料的基本工程需求(熱導(dǎo)率測(cè)試誤差為±8%,熱擴(kuò)散率測(cè)試誤差為±8%);高溫相對(duì)誤差最大值出現(xiàn)在測(cè)量熱擴(kuò)散率,仍小于10%.這表明保護(hù)平面熱源法由于綜合考慮了探頭熱容、時(shí)間延遲、接觸熱阻等因素對(duì)探頭溫升響應(yīng)的實(shí)際影響,使得測(cè)量結(jié)果在常溫及高溫2 個(gè)測(cè)試溫度下的測(cè)量結(jié)果相對(duì)誤差較為穩(wěn)定.

      (3) 綜合常溫及高溫段殘差曲線及測(cè)量結(jié)果可知,在測(cè)量初始段,當(dāng)接觸熱導(dǎo)率較小(接觸熱阻較大)時(shí),測(cè)試初始溫升階越較大,殘差曲線偏離量較大,熱導(dǎo)率及熱擴(kuò)散率的測(cè)量精度較低;反之,當(dāng)接觸熱導(dǎo)率較大時(shí),測(cè)試初始溫升階越就較小,殘差曲線偏離量較小,熱導(dǎo)率及熱擴(kuò)散率的測(cè)量精度較高;表明雖然所提出的平面熱源法可以同時(shí)考慮接觸熱阻的影響,但熱物性測(cè)量結(jié)果顯示此方法并不能完全消除接觸熱阻對(duì)熱物性測(cè)量產(chǎn)生的影響.因而,在實(shí)際測(cè)量時(shí)保證探頭與試樣的緊密接觸是提高熱物性測(cè)量精度的關(guān)鍵.

      (4) 觀察測(cè)量初始段,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與理論模型產(chǎn)生了明顯偏差,表明所得到的保護(hù)平面熱源法理論模型仍有不足,與實(shí)際傳熱過(guò)程還有差距.

      (5) 殘差分析表明,接觸熱阻的存在會(huì)對(duì)測(cè)量初期實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與分析模型造成較大的偏差.造成這種現(xiàn)象的原因是多方面的,有分析模型不能完全匹配實(shí)際測(cè)量實(shí)驗(yàn)的原因、有接觸熱阻非均勻分布的原因、還有微尺度內(nèi)樣品表面粗糙度造成微尺度對(duì)流、微尺度輻射等方式傳播的原因等.

      3.4 實(shí)驗(yàn)裝置不確定度分析

      按照國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)ISO GUM 的定義方法,實(shí)驗(yàn)測(cè)量屬于A 類不確定度分析,只能夠代表溫度測(cè)量數(shù)據(jù)與理論溫升解析解的擬合程度,其本身不能反映誤差的真正來(lái)源.因此對(duì)實(shí)驗(yàn)裝置進(jìn)行B 類不確定度的分析,不確定度的主要影響因素有:①溫度測(cè)量引入的不確定度;②輸出加熱功率引入的不確定度;③探頭熱容測(cè)量引入的不確定度;④試樣長(zhǎng)度測(cè)量引入的不確定度;⑤時(shí)間計(jì)數(shù)所引入的不確定度.

      溫度的測(cè)量依賴于對(duì)鉑金屬加熱絲兩端電壓變化的測(cè)量,主要受溫度電阻關(guān)聯(lián)式的影響.該裝置探頭采用高純度鉑金屬制造,鉑的電阻溫度系數(shù)為常數(shù)4.6×10-3K-1,由溫度測(cè)量引入的不確定度<0.1%;所采用的Keithley 2400 精密電流源,可保證最大輸出功率不確定度<0.2%;采用德國(guó)耐馳同步熱分析儀STA 449 測(cè)量探頭熱容,測(cè)量不確定度<0.5%;采用0.5,μm 分辨力千分尺測(cè)量試樣的長(zhǎng)度,可保證測(cè)量不確定度<0.005%;時(shí)間計(jì)數(shù)引入的不確定度,根據(jù)計(jì)時(shí)器的工作頻率不超過(guò)0.1%.上述各項(xiàng)不確定度都服從正態(tài)分布且互不相關(guān),根據(jù)擴(kuò)展不確定度的合成法則,其合成不確定度小于1%.

      4 結(jié) 語(yǔ)

      本文提出了一種適用于防隔熱材料高溫?zé)嵛镄詼y(cè)量的保護(hù)平面熱源法,該方法能夠綜合考慮探頭熱容、時(shí)間延遲以及接觸熱阻等因素對(duì)測(cè)量的影響.通過(guò)所研制的隔熱材料高溫?zé)嵛镄詼y(cè)量裝置,對(duì)2 種標(biāo)準(zhǔn)材料分別在常溫及高溫進(jìn)行了熱物性測(cè)試;通過(guò)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的分析、比對(duì),理論模型與實(shí)測(cè)曲線吻合良好,且由于考慮了接觸熱阻,使得不同測(cè)量條件下的熱物性測(cè)量準(zhǔn)確度穩(wěn)定性良好,但實(shí)際測(cè)量時(shí)保證探頭與試樣的緊密接觸仍是提高熱物性測(cè)量精度的關(guān)鍵.

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