丁 紅,柏自奎
(1.上海第二工業(yè)大學(xué) 計(jì)算機(jī)學(xué)院,上海201209;2.華中科技大學(xué)材料學(xué)院塑性成型及模具技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,湖北武漢430074)
納米材料由于具有小尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)、量子效應(yīng)等優(yōu)點(diǎn),已廣泛成為氣敏元件的材料。但是,納米材料在燒結(jié)過程中,不可避免地伴有晶粒長大現(xiàn)象,如何控制納米顆粒在燒結(jié)過程中的晶粒長大,使其保持原有性能,是納米材料在氣體敏感元件的應(yīng)用中面臨的一個(gè)技術(shù)難題。導(dǎo)致晶粒長大的主要因素有兩點(diǎn):一是燒結(jié)溫度,晶粒尺寸隨著燒結(jié)溫度的升高而明顯增大;二是保溫時(shí)間,晶粒尺寸隨著保溫時(shí)間的延長而增大。到目前為止,氣敏元件的燒結(jié)廣泛使用的是電爐燒結(jié),王林等人對(duì)激光燒結(jié)傳感器進(jìn)行了有益探索[1],但由于激光燒結(jié)設(shè)備昂貴、能耗高而沒有廣泛使用。目前,在磁性材料、超導(dǎo)材料及壓敏材料的燒結(jié)工藝研究中,已采用了微波燒結(jié),但在氣敏元件的燒結(jié)工藝研究中還沒有采用微波燒結(jié)的方法。本文將微波應(yīng)用到純納米ZnO厚膜的燒結(jié)中,研究了納米ZnO厚膜的形貌、敏感性和穩(wěn)定性特性,實(shí)驗(yàn)證明:微波燒結(jié)ZnO厚膜展現(xiàn)出了新的、不同于電爐燒結(jié)厚膜的性能,探索出了氣敏元件陣列制備的一種新技術(shù)和新工藝。
本研究以A12O3為基片,采用絲網(wǎng)印刷方法,制備平面型納米ZnO厚膜,應(yīng)用微波燒結(jié)制備厚膜氣敏元件。先將陣列基片放在電燒結(jié)爐中低溫250℃,燒結(jié)30 min,以排除氣敏膜中的有機(jī)粘結(jié)劑,再作微波燒結(jié)。采用了3種燒結(jié)工藝:即分別在微波爐中燒結(jié)20,40,60 min,以研究微波燒結(jié)對(duì)陣列穩(wěn)定性的影響。所用的微波爐為三星900型,陣列基片采用超聲波金絲球熱壓焊機(jī)封裝在TO—8—003傳感器陣列基座上,于實(shí)驗(yàn)室條件下,400℃老化3 d。
圖1給出了微波燒結(jié)納米ZnO厚膜的表面形貌。隨微波燒結(jié)時(shí)間的延長,膜越來越致密,并且顆粒之間燒結(jié)越緊密,氣敏膜中孔隙率降低,與空氣接觸的有效面積減小。它們的共同特征是顆粒相互燒結(jié),但微波燒結(jié)ZnO顆粒在很大程度上保留了其粉體形貌,如,薄片狀、桿狀、多足狀等,這是不同于普通電爐燒結(jié)的一個(gè)明顯特征。普通電爐燒結(jié)的納米ZnO氣敏膜中顆粒失去了粉體的特殊形貌特征,如圖1(d),這是由于普通電爐燒結(jié)時(shí)間長,按照燒結(jié)中顆粒表面能降低原理,最先開始的是各顆粒自身表面能降低,再開始顆粒之間相互燒結(jié)減小總表面積,降低表面能。這樣燒結(jié)的氣敏膜中顆粒就失去原有的特殊形態(tài),ZnO的晶須消失,薄片變成小球狀,細(xì)桿狀顆粒變短變粗,小顆粒首先融入大顆粒。氣敏膜中顆粒失去了納米的特征,氣體的敏感性與穩(wěn)定性降低。
圖1 微波燒結(jié)納米ZnO氣敏膜的表面形貌Fig 1 Surface morphology of ZnO thick films by microwave sintering
微波燒結(jié)中,物質(zhì)傳輸?shù)膭?dòng)力與顆粒燒結(jié)的機(jī)理是不同于電爐燒結(jié)中的。微波燒結(jié)是依靠材料本身吸收微波能轉(zhuǎn)換為材料內(nèi)部分子的動(dòng)能和勢能,敏感膜內(nèi)外同時(shí)均勻加熱,這樣敏感膜內(nèi)部熱應(yīng)力可以降到最小,其次,在微波電磁能作用下,材料內(nèi)部分子或離子的動(dòng)能增加,使燒結(jié)活化能降低,擴(kuò)散系數(shù)提高,可以進(jìn)行低溫快速燒結(jié),使細(xì)粉來不及長大就被燒結(jié)。在微波燒結(jié)中,微波在2個(gè)納米顆粒的連接處產(chǎn)生的聚焦與極化效應(yīng)[2]。在連接頸處的微波電磁場是燒結(jié)應(yīng)用電場的10倍,頸部對(duì)微波的吸收能是平均吸收能的500倍。在頸部產(chǎn)生的強(qiáng)電場足以電離局部的空氣,形成微波等離子體燒結(jié)[3],進(jìn)一步加速粉體燒結(jié)過程。盡管能量吸收不同,但時(shí)間很短,在顆粒頸部沒有形成溫度梯度,也就不會(huì)產(chǎn)生熱應(yīng)力[4]。微波的這種燒結(jié)特性,使敏感膜內(nèi)部顆粒比表面顆粒燒結(jié)的更好,這是不同于電爐燒結(jié)中由表面向內(nèi)部燒結(jié)的。圖2是微波燒結(jié)40 min后的厚膜和電爐于700℃,2.5 h燒結(jié)的厚膜的斷面形貌??梢钥闯?微波燒結(jié)厚膜內(nèi)部的顆粒燒結(jié)得更好。與圖1(b)的表面相比,內(nèi)部顆粒比表面顆粒燒結(jié)得更好。這對(duì)提高氣敏元件的穩(wěn)定性是非常有幫助的。而這種強(qiáng)電場和高吸收能只發(fā)生在顆粒接觸及微小連接頸時(shí),即燒結(jié)的初期階段。隨著連接頸的增大,對(duì)微波的吸收能減弱,燒結(jié)速度降低[2]。所以,微波燒結(jié)具有可控性,燒結(jié)時(shí)間短,顆粒燒結(jié)面小,敏感膜孔隙率高,如圖1(a),燒結(jié)時(shí)間長,顆粒燒結(jié)面增大,敏感膜致密,如圖1(c)。高敏感性和高穩(wěn)定性氣體敏感膜的理想結(jié)構(gòu)是敏感膜具有高孔隙率,組成敏感膜的粉體顆粒保持本身的特殊形態(tài)與大小,顆粒之間又相互燒結(jié)形成燒結(jié)頸。所以,只要優(yōu)化微波燒結(jié)工藝,在一定程度上是可以達(dá)到這個(gè)要求的。
圖2 納米ZnO氣敏膜的橫斷面形貌Fig 2 Cross-section SEM image of ZnO thick films
圖3 不同微波燒結(jié)時(shí)間ZnO厚膜的靈敏度與工作溫度的關(guān)系Fig 3 Relation curve of sensitivity vs operating temperature of ZnO thick film by microwave sintering
圖3中給出了不同微波燒結(jié)時(shí)間ZnO厚膜分別對(duì)苯、甲苯、二甲苯、甲醛、甲醛氣體的靈敏度與工作溫度的關(guān)系。
為了對(duì)比微波的燒結(jié)作用,選擇了一組沒有燒結(jié)的元件。從圖中可以看到,微波燒結(jié)作用是非常明顯的,沒有燒結(jié)元件由于粉體顆粒之間沒有形成燒結(jié)頸不能形成通路,靈敏度可以忽略。微波燒結(jié)時(shí)間對(duì)ZnO厚膜的氣體敏感性能有重要影響,燒結(jié)20 min的厚膜具有最好的敏感性和最低的最佳敏感溫度,燒結(jié)60 min的厚膜最差。同一燒結(jié)工藝的ZnO厚膜對(duì)不同氣體的最佳敏感溫度不同,不同燒結(jié)工藝的ZnO厚膜對(duì)同一氣體的最佳敏感溫度也不同。
從圖3可以看出:微波燒結(jié)的厚膜與電爐燒結(jié)的厚膜相比,有很多不一致的氣敏特征。微波燒結(jié)的厚膜對(duì)各種氣體的最佳敏感溫度都不一致,且高于電爐燒結(jié)的最佳敏感溫度320℃[5]。電爐燒結(jié)的元件對(duì)苯、甲苯、二甲苯的敏感性隨相同功能團(tuán)甲基的增加而增加[5~7],微波燒結(jié)的元件敏感性正相反,隨相同功能團(tuán)甲基的增加敏感性減小,如圖3(a),(b),(c)。微波燒結(jié)的這一特殊燒結(jié)過程使ZnO厚膜具有不同于電爐燒結(jié)的本質(zhì)差別,使得不能用電爐燒結(jié)厚膜敏感性的分析方法和原理來解釋其最佳敏感度和對(duì)不同氣體的敏感性的變化,這是今后要深入開展的研究工作。
圖4(a),(b)分別給出了元件在室溫中的靜態(tài)穩(wěn)定性與熱循環(huán)中的動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性。測試環(huán)境濕度由恒溫飽和鹽水瓶的頂空產(chǎn)生恒定的75%RH。動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性是陣列在400℃與室溫之間循環(huán),周期為150 s。由圖可見,室溫靜態(tài)的13 d 7次測試中,不同燒結(jié)時(shí)間表現(xiàn)出不同的變化趨勢。20min燒結(jié)的ZnO厚膜敏感元件的電阻經(jīng)歷了先增大后減小的變化過程,40 min燒結(jié)的ZnO厚膜敏感元件的電阻則隨時(shí)間逐漸增大,60min燒結(jié)的ZnO厚膜敏感元件的電阻具有最小的波動(dòng)幅度,保持較好的穩(wěn)定性。動(dòng)態(tài)的8000次熱循環(huán)7次測試中,各敏感元件在熱循環(huán)中具有與靜態(tài)中相似的穩(wěn)定性特性。在500次熱循環(huán)以內(nèi)的測試中,各敏感元件都有不同幅度的波動(dòng),這可能與敏感元件各組成部分:電極、敏感膜和基片之間應(yīng)力的產(chǎn)生和釋放有關(guān)。60min燒結(jié)的ZnO厚膜敏感元件仍保持較好的穩(wěn)定性,20 min燒結(jié)的次之,40 min燒結(jié)的厚膜敏感元件仍具有較大的波動(dòng)幅度,表現(xiàn)出不穩(wěn)定的特性。結(jié)合厚膜的敏感性可得出結(jié)論:較長時(shí)間的微波燒結(jié)雖然降低了敏感性,但能獲得較好的穩(wěn)定性。
l)微波燒結(jié)時(shí)間對(duì)ZnO厚膜的電導(dǎo)和氣體敏感性能有重要影響。微波燒結(jié)時(shí)間越長,厚膜空氣中的電阻和對(duì)有機(jī)揮發(fā)性氣體敏感性越小;燒結(jié)20 min的厚膜具有最好的敏感性和最低的最佳敏感溫度。微波燒結(jié)ZnO厚膜元件對(duì)苯、甲苯、二甲苯的敏感性隨相同功能團(tuán)甲基的增加而減小。
2)微波燒結(jié)ZnO厚膜元件隨燒結(jié)時(shí)間延長,穩(wěn)定性更好,60 min燒結(jié)的ZnO厚膜元件在靜態(tài)測試和動(dòng)態(tài)測試中都有更好的穩(wěn)定性。
所以,微波燒結(jié)可以有效調(diào)控氣敏元件的敏感性和穩(wěn)定性,是一種值得推廣的新的燒結(jié)工藝。
圖4 微波燒結(jié)ZnO厚膜的穩(wěn)定性曲線Fig 4 Stability curve of ZnO thick films by microwave sintering
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