厚膜
- 添加劑和溶劑退火協(xié)同優(yōu)化制備高性能厚膜有機(jī)太陽能電池
同優(yōu)化制備高性能厚膜有機(jī)太陽能電池楊航1，凡晨嶺1，崔乃哲1，李肖肖1，張?chǎng)╂?，崔超華1，2（1. 蘇州大學(xué)先進(jìn)光電材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 蘇州市新型半導(dǎo)體光電材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，材料與化學(xué)化工學(xué)部, 2. 江蘇省先進(jìn)負(fù)碳技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 蘇州 215123）通過溶劑添加劑1-氯萘(CN)和二硫化碳(CS2)溶劑退火(SVA)協(xié)同優(yōu)化了基于窄帶隙小分子受體的厚膜活性層形貌, 揭示了該策略對(duì)共混膜形貌的調(diào)控機(jī)理, 研究了其對(duì)活性層中的載流子動(dòng)力學(xué)以及器件光伏性
高等學(xué)?；瘜W(xué)學(xué)報(bào) 2023年9期2023-10-10
- 微型PZT厚膜超聲電機(jī)定子的制備及分析*
中的應(yīng)用。PZT厚膜（10～100 μm）厚度介于塊材和薄膜之間，兼具了塊材和薄膜的優(yōu)點(diǎn)，具有低驅(qū)動(dòng)電壓、大驅(qū)動(dòng)力、工作頻率范圍寬、機(jī)電耦合系數(shù)高等特點(diǎn)[11]，且易與MEMS工藝兼容，具備制備微型化高性能壓電器件的潛力，因此本文將高性能的PZT厚膜作為微型超聲電機(jī)定子的壓電陶瓷材料。電流體噴射打?。ê?jiǎn)稱電流體噴?。┘夹g(shù)是基于電流體動(dòng)力學(xué)的非接觸式的增材制造技術(shù)[12-13]，通過電場(chǎng)力的作用，將噴印材料從噴頭內(nèi)“拉”至基底表面。本文采用電流體噴印工藝在彈
機(jī)電工程技術(shù) 2022年12期2023-01-10
- LTCC厚膜電阻尺寸效應(yīng)研究
集多層布線技術(shù)、厚膜技術(shù)及多層共燒技術(shù)于一體，可以與導(dǎo)體布線、互連通孔、電極、電阻等一次燒成，既提高組裝密度，又簡(jiǎn)化工藝，是電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)小型化、輕量化、多功能和高可靠性的較有效的技術(shù)途徑，在航天、航空、雷達(dá)、通信、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域發(fā)揮著重要的作用[1-2]。電阻(器)是電子產(chǎn)品中應(yīng)用較多的重要元件，表貼分立電阻無疑將占用基板表面許多空間。在LTCC基板上將電阻做成厚膜電阻成膜在基板表面或埋置于基板內(nèi)部，可以節(jié)約基板表面面積；并且由于厚膜電阻不需焊接，減少了組裝
中國(guó)電子科學(xué)研究院學(xué)報(bào) 2022年4期2022-07-12
- 基于厚膜傳感器技術(shù)監(jiān)測(cè)機(jī)油劣化程度的研究
學(xué)方法，通過設(shè)計(jì)厚膜電極開展機(jī)油酸值檢測(cè)技術(shù)研究，并根據(jù)機(jī)油中酸值的變化來監(jiān)測(cè)機(jī)油的劣化程度，實(shí)現(xiàn)對(duì)機(jī)油性能的在線檢測(cè)。2 機(jī)油氧化過程分析在120 ℃以下，基礎(chǔ)油氧化過程分為4個(gè)階段，包括自由基鏈反應(yīng)的初始階段，不可逆自由基鏈的生長(zhǎng)階段，支鏈階段和自由基鏈終止的最后階段[11]。在早期生長(zhǎng)階段，第二階段或鏈狀烷基自由基與氧早期反應(yīng)生成氧自由基，然后由另一個(gè)從過氧化氫中提取氫的烴和另一個(gè)自由基形成。隨著過氧化氫的產(chǎn)生和積累，油的最終氧化過程終止。同時(shí)，羧酸
兵器裝備工程學(xué)報(bào) 2022年4期2022-05-09
- 微型壓電厚膜執(zhí)行器的仿真與實(shí)驗(yàn)研究
度上可分為薄膜、厚膜、塊材3類，其中塊材尺寸減小困難，且所需驅(qū)動(dòng)電壓較大；壓電薄膜由于厚度太小，易受到表界面效應(yīng)的影響從而影響壓電陶瓷的壓電、介電性能，且基于壓電薄膜的微型驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)力矩過小[6-9]。因此本文采用基于壓電厚膜的微型執(zhí)行器作為執(zhí)行元件，PZT 壓電厚膜的厚度是介于薄膜和塊材之間，兼具薄膜和塊材的優(yōu)點(diǎn)，與薄膜相比較，PZT 壓電厚膜具有性能受界面、表面的影響小、產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)力大等優(yōu)點(diǎn)；與PZT 塊材相比，厚膜的尺寸更小，所需的驅(qū)動(dòng)電壓小。本文提
機(jī)電工程技術(shù) 2022年1期2022-02-24
- 鎳基合金基板厚膜發(fā)熱元件的鉑漿燒結(jié)工藝
東來鎳基合金基板厚膜發(fā)熱元件的鉑漿燒結(jié)工藝?yán)钪緩?qiáng)，雷萍，尤俊衡，李廷華，韓敬美，呂茜，王浩，尚善齋，朱東來(云南中煙工業(yè)有限責(zé)任公司技術(shù)中心，昆明 650231)采用印刷-燒結(jié)工藝在GH783合金表面制備微晶玻璃絕緣層和鉑漿厚膜電阻層，制備GH783合金基板厚膜發(fā)熱電路。通過SEM觀察鉑漿厚膜電阻層的表面與截面形貌，并測(cè)定厚膜電阻層的電阻，研究燒結(jié)溫度和保溫時(shí)間對(duì)電阻層微觀形貌和電阻的影響，得到最佳的燒結(jié)工藝參數(shù)。測(cè)定GH783合金厚膜發(fā)熱電路的電阻溫度系
粉末冶金材料科學(xué)與工程 2021年6期2021-12-22
- 壓電半球沖擊傳感器的仿真與分析研究
引言PZT壓電厚膜具有良好電學(xué)性質(zhì)和機(jī)械性質(zhì)，其厚度介于薄膜和塊材之間，具有驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)[1]?？蓮V泛應(yīng)用于加速度傳感器[2]、能量收集器[3]、換能器[4-6]、超聲馬達(dá)等器件[7-9]。目前壓電材料作為功能層大多使用平面結(jié)構(gòu)，同時(shí)凹球面結(jié)構(gòu)和薄壁球殼狀也有應(yīng)用于醫(yī)學(xué)上聚焦超聲換能器[10]和海洋監(jiān)測(cè)中的水換能器，將曲面壓電結(jié)構(gòu)應(yīng)用于傳感器還可以增加傳感器靈敏方向，其具有響應(yīng)快、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可靠性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。為獲得性能良好的壓電半球沖擊傳感器
機(jī)電工程技術(shù) 2021年9期2021-10-25
- 一種星載微波接收機(jī)應(yīng)用的全集成厚膜電源設(shè)計(jì)①
另一種是采用標(biāo)準(zhǔn)厚膜電源和厚膜EMI濾波器搭積木方式設(shè)計(jì)，雖然單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)模塊體積和重量很小，但整個(gè)電源需要多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)厚膜模塊，同時(shí)還需外圍控制電路和結(jié)構(gòu)殼體，因此體積和重量也很大。要實(shí)現(xiàn)微波接收機(jī)電源小型化和輕量化目標(biāo)，需采用全集成厚膜集成方式進(jìn)行設(shè)計(jì)，同時(shí)在厚膜集成設(shè)計(jì)中需采用布線密度高的陶瓷基板以及應(yīng)用輕質(zhì)的金屬材料制作電源盒體。厚膜集成技術(shù)是集電子材料、多層布線技術(shù)、表面微組裝及平面技術(shù)于一體的微電子技術(shù)。厚膜材料是有機(jī)介質(zhì)滲入微細(xì)金屬粉、玻璃粉或陶瓷粉
空間電子技術(shù) 2021年2期2021-06-24
- 晶面及液體環(huán)境對(duì)氧化鎵研磨過程摩擦學(xué)特性的影響研究
撐CVD 金剛石厚膜的硬度接近天然金剛石，具有優(yōu)異的力學(xué)、電學(xué)、光學(xué)等性能，本人前期的研究是將CVD 自支撐金剛石厚膜作為工具來研磨藍(lán)寶石晶片，獲得了較高的研磨效率和優(yōu)良的研磨質(zhì)量[22]。在本研究中，將自支撐金剛石厚膜作為工具對(duì)氧化鎵晶片進(jìn)行研磨，研究了氧化鎵晶體晶面及液體環(huán)境對(duì)其研磨過程中摩擦學(xué)特性的影響，對(duì)不同晶面的氧化鎵晶體的精密加工起到借鑒與指導(dǎo)作用，為氧化鎵精密加工工藝及方法提供新的研究思路。1 實(shí)驗(yàn)采用熱絲化學(xué)氣相沉積（HFCVD）法制備自支
表面技術(shù) 2021年5期2021-06-05
- 寬周期掩膜法HVPE側(cè)向外延自支撐GaN的研究
位錯(cuò)密度的GaN厚膜，使用SiO2制成高掩膜寬度的寬周期掩膜(窗口寬度20 μm/掩膜寬度280 μm)側(cè)向外延GaN，得到了325 μm的GaN厚膜。通過二維的Wulff圖分析這些不同生長(zhǎng)溫度下的GaN截面圖，研究了其生長(zhǎng)過程中晶面變化趨勢(shì)。寬周期掩膜使得GaN在側(cè)向外延過程中在襯底界面處留下了一層空氣間隔，這可以用膠帶將GaN厚膜自主剝離，得到了位錯(cuò)密度降低的連續(xù)平整自支撐GaN厚膜。1 實(shí) 驗(yàn)1.1 SiO2掩膜的制作通過磁控濺射的方法將SiO2沉積
人工晶體學(xué)報(bào) 2021年3期2021-04-17
- 硼摻雜金剛石厚膜電極對(duì)高濃度工業(yè)廢水的降解實(shí)驗(yàn)研究
。自支撐BDD 厚膜電極由于BDD較厚且沒有脫落問題，可以避免上述電極失效問題的發(fā)生，但其制備困難，故國(guó)際國(guó)內(nèi)對(duì)BDD 厚膜電極應(yīng)用的報(bào)道少之又少。本文利用直流電弧等離子體噴射法制備BDD 厚膜電極，對(duì)其結(jié)構(gòu)和電化學(xué)性能進(jìn)行表征，并利用BDD 厚膜作為電解陽極對(duì)高濃度模擬廢水（葡萄糖溶液）和實(shí)際工業(yè)過程產(chǎn)生的橡膠助劑廢水進(jìn)行電化學(xué)氧化處理，探索BDD 厚膜電極陽極氧化處理高濃度有機(jī)廢水方案的可行性。1 試驗(yàn)1.1 BDD 電極厚膜材料的制備BDD 厚膜材料
表面技術(shù) 2021年3期2021-04-07
- 高精度厚膜電阻的設(shè)計(jì)和制作研究
本文講述了高精度厚膜電阻圖形設(shè)計(jì)的方法：材料選取、設(shè)計(jì)圖形、使用環(huán)境的考慮;制作上：印刷注意事項(xiàng)和激光調(diào)阻方法?！娟P(guān)鍵詞】厚膜電路;制作研究隨著厚膜電路常規(guī)產(chǎn)品逐漸被制作成本更低的PCB電路板和貼片電阻的組合替代，厚膜電路產(chǎn)品更多的向一些專用領(lǐng)域發(fā)展，例如：液位傳感器厚膜片、專用加熱電路、傳感器電路、高精度電阻網(wǎng)絡(luò)電路等。其中高精度電阻網(wǎng)絡(luò)電路，主要應(yīng)用與儀器儀表的標(biāo)準(zhǔn)電阻，例如萬用表內(nèi)各量程的標(biāo)準(zhǔn)電阻和一些比例運(yùn)算器電路中比例電阻;另外就是一些充電器、充
- 曲面壓電厚膜電流體噴印制備研究
4）0 引言壓電厚膜是厚度介于薄膜和塊材之間的一種膜結(jié)構(gòu)，具有結(jié)構(gòu)尺寸小、質(zhì)量輕、壓電驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)、靈敏度高[1]等特點(diǎn)。在以微型化、便攜化、高集成度為需求的現(xiàn)代工程系統(tǒng)背景下，壓電厚膜作為功能部件被廣泛應(yīng)用于傳感器[2]、執(zhí)行器[3-4]、換能器[5]、能量收集器[6-7]等器件中。雖然目前，壓電器件中作為功能單元的壓電陶瓷厚膜多為平面結(jié)構(gòu)，但醫(yī)學(xué)上HIFU 治療技術(shù)中的聚焦超聲換能器[8]利用凹球面壓電陶瓷將超聲能量聚焦于病灶，以實(shí)現(xiàn)無創(chuàng)傷治療；海洋監(jiān)測(cè)
機(jī)電工程技術(shù) 2020年9期2020-10-26
- PLZT反鐵電厚膜溫度場(chǎng)致相變行為研究
了PLZT反鐵電厚膜，其材料結(jié)構(gòu)如下圖1所示，為ABO3鈣鈦礦型[1]，PLZT的化學(xué)表達(dá)式為7Pb1-2/3XLaXZrYTiZO3，其中，X=0%～30%，Y+Z=100[2].本文研究的PLZT材料組分在室溫下位于圖2相圖中的反鐵電相區(qū)域.PLZT反鐵電材料在外界因素的誘導(dǎo)下會(huì)出現(xiàn)一定的相變行為，例如溫度場(chǎng)和電場(chǎng)等外部場(chǎng)激勵(lì)下會(huì)產(chǎn)生相變效應(yīng)，若兩場(chǎng)共同激勵(lì)，則會(huì)使其產(chǎn)生更加復(fù)雜的相變效應(yīng)[3].對(duì)于PLZT反鐵電厚膜在外場(chǎng)(溫度場(chǎng)、電場(chǎng))激勵(lì)下的相變
河北建筑工程學(xué)院學(xué)報(bào) 2020年1期2020-07-13
- XX- 34F 大氣溫度傳感器高溫?zé)o輸出故障分析
敏感元件選用的是厚膜鉑電阻。(產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)圖如圖1 所示)XX-34F 傳感器使用鉑電阻作為敏感元件,基于金屬鉑的溫度- 電阻特性,其電阻與溫度的變化成線性對(duì)應(yīng),任意一個(gè)溫度值對(duì)應(yīng)唯一電阻值,這樣,傳感器將溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換成了電阻信號(hào),供后續(xù)電路采集。1.2 初步分析取下插座,導(dǎo)線與插針壓接可靠,無脫落現(xiàn)象,如圖1 所示產(chǎn)品內(nèi)部灌膠可靠,插座兩端導(dǎo)通性正常(電阻均為0.1Ω)。將基座組合與探頭分隔開,并將灌膠體(Eccobond104)取出,產(chǎn)品內(nèi)部灌膠可靠,結(jié)
科學(xué)技術(shù)創(chuàng)新 2020年11期2020-05-19
- 脈沖激光沉積制備CsPbBr3厚膜及其藍(lán)-綠光轉(zhuǎn)換性能
sPbBr3微米厚膜在空氣下放置18 d后仍具有良好的穩(wěn)定性?；趦?yōu)良的光譜特性，CsPbBr3厚膜具有應(yīng)用在液晶顯示領(lǐng)域的潛力，以獲得更廣的色域。2 實(shí) 驗(yàn)2.1 CsPbBr3厚膜的制備實(shí)驗(yàn)中，首先使用丙酮、無水乙醇、去離子水依次對(duì)石英襯底超聲清洗10 min，每塊襯底單獨(dú)清洗，避免同時(shí)清洗時(shí)由于相互摩擦，破壞襯底表面結(jié)構(gòu)；其次用去離子水反復(fù)清洗，用高純N2流吹干；最后在紫外臭氧環(huán)境下照射8 min。將清洗好的襯底放入真空室，采用PLD技術(shù)沉積CsPb
發(fā)光學(xué)報(bào) 2020年5期2020-05-10
- 采用雙輝等離子表面冶金技術(shù)在金剛石厚膜表面制備鉭涂層的性能
制備的多晶金剛石厚膜具有硬度高、熱導(dǎo)率高、耐磨性好、介電常數(shù)低、面積大、厚度可控等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于刀具、磨具、散熱器件、光學(xué)窗口、微波輸能窗口等方面[1-2]。金剛石厚膜在應(yīng)用時(shí)，需要先從硅或鉬等基底上剝離下來，然后與硬質(zhì)合金、銅等金屬材料進(jìn)行連接；但是由于其具有很高的表面能和化學(xué)惰性，直接與金屬焊接或封裝時(shí)，形成的接頭強(qiáng)度較低[3-4]。在金剛石厚膜表面制備與之形成化學(xué)鍵合的鈦、鎳等金屬涂層，能夠有效降低其表面能，改善其浸潤(rùn)性[5-8]。電鍍、化學(xué)鍍和磁
機(jī)械工程材料 2020年3期2020-03-31
- LTCC釕系厚膜電阻電性能影響因素研究綜述
為軍LTCC釕系厚膜電阻電性能影響因素研究綜述魏 紅，王 震，張為軍*(國(guó)防科技大學(xué) 空天科學(xué)學(xué)院，長(zhǎng)沙 410073)釕系厚膜電阻具有阻值精度高、穩(wěn)定可靠性高、工藝重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)，在厚膜混成電路制造中占據(jù)重要的地位。綜述了釕系厚膜電阻電性能的影響因素，闡述導(dǎo)電相、粘接相、改性劑及有機(jī)載體與共燒電阻體電性能的關(guān)系，并針對(duì)國(guó)內(nèi)高品質(zhì)釕系厚膜電阻漿料面臨的主要問題，提出原料粉體性能可控性制備，漿料制備工藝的優(yōu)化設(shè)計(jì)與表征，漿料與生瓷帶共燒匹配以及漿料無鉛化等研
貴金屬 2020年3期2020-02-02
- 二次集成的高壓驅(qū)動(dòng)電路的研制
內(nèi)達(dá)到預(yù)定轉(zhuǎn)速。厚膜混合集成電路采用絲網(wǎng)印刷方法，把各種電子漿料通過漏印網(wǎng)板印刷在陶瓷基板上，經(jīng)過燒結(jié)、阻值激光修調(diào)等工序，制成具有預(yù)定電性能的膜式厚膜芯板。電容采用貼焊組裝，半導(dǎo)體芯片采用專用工藝進(jìn)行金絲鍵合微組裝，形成具有一定電路功能的混合集成電路，并按照GJB2438A-2002要求，嚴(yán)格進(jìn)行一系列篩選試驗(yàn)，使產(chǎn)品具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。厚膜電路的主要工藝有成膜工藝、微組裝工藝和封裝工藝。成膜工藝中，需控制的主要參數(shù)有膜層質(zhì)量、三維布線密度、膜式元
通信電源技術(shù) 2019年11期2019-11-27
- AEC-Q200厚膜電阻器
AEC-Q200厚膜電阻器。Bourns?CRxxxxA-AS系列芯片電阻器提供8種不同的封裝尺寸，從小型0201（0603公制）至2512（6432公制），額定功率從0.05W～1W。新型表面貼裝芯片電阻還具有1歐姆至20百萬歐姆的寬電阻范圍，非常適合各種應(yīng)用。Bourns設(shè)計(jì)的此類型電阻器可在某些惡劣環(huán)境及較高硫污染中運(yùn)行，使用印刷在陶瓷基板上的厚膜組件制造，依據(jù)ASTM B809-95方法測(cè)試暴露于潮濕硫蒸氣金屬涂層的孔隙率。CRxxxxA-AS系列
傳感器世界 2019年8期2019-10-28
- 基于COMSOL的聲表面波器件三維結(jié)構(gòu)仿真
指厚度，此次仿真厚膜比為0.017 5～0.037 5，間隔為0.002 5。圖5、6分別為Al、Cu和Au的厚膜比-反對(duì)稱模態(tài)頻率曲線圖和厚膜比-對(duì)稱模態(tài)頻率曲線圖。隨著金屬電極厚度的增加，反對(duì)稱模態(tài)頻率和對(duì)稱模態(tài)頻率都呈下降趨勢(shì)，且每種材料的下降比例不同，具體參數(shù)如表2所示。圖5 厚膜比-反對(duì)稱模態(tài)頻率曲線圖圖6 厚膜比-對(duì)稱模態(tài)頻率曲線圖材料對(duì)稱模態(tài)頻率最小頻率/MHz最大頻率/MHz下降比例/%反對(duì)稱模態(tài)頻率最小頻率/MHz最大頻率/MHz下降比例
壓電與聲光 2019年4期2019-08-29
- 25團(tuán)在番茄上使用超厚膜及列當(dāng)畏抑制瓜列當(dāng)?shù)呐涮准夹g(shù)及存在的問題探索
年二十五團(tuán)應(yīng)用“厚膜加列當(dāng)威”防治列當(dāng)危害配套種植技術(shù)面積2695.7畝，占總種植面積的85.7%。2017年二十五團(tuán)番茄種植面積3147畝，平均單產(chǎn)為6.52噸，比上年度增產(chǎn)1.22噸，其防效達(dá)到了50%。通過一年的應(yīng)用為二十五團(tuán)今后有效防控列當(dāng)危害積累了初步經(jīng)驗(yàn)?，F(xiàn)就二十五團(tuán)使用厚膜抑制番茄瓜列當(dāng)及列當(dāng)藥劑防治高產(chǎn)種植配套技術(shù)及存在的問題做如下總結(jié)：1、2017年番茄施用厚膜后膜中間的瓜列當(dāng)能控制住，番茄窩子跟前的瓜列當(dāng)還是大量發(fā)生。2、使用列當(dāng)畏藥劑
農(nóng)民致富之友 2019年24期2019-08-20
- Fabrication and Planar Cooling Performance of Flexible Bi0.5Sb1.5Te3/Epoxy Composite Thermoelectric Films
樹脂柔性復(fù)合熱電厚膜的制備及其面內(nèi)制冷性能李鵬, 聶曉蕾, 田燁, 方文兵, 魏平, 朱婉婷, 孫志剛, 張清杰, 趙文俞(武漢理工大學(xué) 材料復(fù)合新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 武漢 430070)利用絲網(wǎng)印刷法在聚酰亞胺基板上制備了Bi0.5Sb1.5Te3/環(huán)氧樹脂柔性復(fù)合熱電厚膜, 通過優(yōu)化Bi0.5Sb1.5Te3粉末含量提高了其電輸運(yùn)性能。復(fù)合厚膜在300 K時(shí)的最優(yōu)功率因子達(dá)到1.12 mW·m-1·K-2, 較前期報(bào)道的數(shù)值提高了33%?？箯潨y(cè)試表明
無機(jī)材料學(xué)報(bào) 2019年6期2019-07-09
- 用于壓力傳感的無鉛壓電厚膜研究進(jìn)展
近快速發(fā)展的陶瓷厚膜壓電式傳感器替代壓阻式氣壓傳感器，它具有適用溫度范圍寬、噪聲低、頻率響應(yīng)快、集成度高和不需外加電源等優(yōu)點(diǎn)[1]。壓電材料受到壓力作用時(shí)能在兩端面間產(chǎn)生電壓從而實(shí)現(xiàn)力-電信號(hào)轉(zhuǎn)換，主要包括晶體、陶瓷、薄膜和厚膜四種類型，可用來測(cè)量最終可變換為力的各種物理量[2]。一方面，對(duì)于壓電陶瓷(厚度>100μm)以及壓電薄膜(厚度 無鉛壓電材料是當(dāng)前熱點(diǎn)和未來發(fā)展趨勢(shì)[4]。傳統(tǒng)的鋯鈦酸鉛Pb(Zr,Ti)O3(PZT)是一種含鉛的壓電陶瓷，其主要
材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào) 2018年5期2018-11-02
- PZT厚膜的電霧化沉積與溶膠滲透研究*
域[1]。PZT厚膜兼具PZT塊材的性能優(yōu)勢(shì)與PZT薄膜的尺寸優(yōu)勢(shì)，且易于系統(tǒng)集成，已成為近年來壓電材料與器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。厚度介于10～100 μm之間的PZT厚膜由于其具有驅(qū)動(dòng)能力高、工作頻率范圍寬且靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)，可用于制備微型泵[2]、高頻超聲波傳感器[3]、微能量收集器[4]等MEMS壓電器件。為實(shí)現(xiàn)MEMS壓電器件的優(yōu)良性能，需制備具有較高致密性與壓電性能的PZT厚膜。近年來，國(guó)內(nèi)外學(xué)者已經(jīng)對(duì)多種PZT厚膜制備技術(shù)展開了研究。絲網(wǎng)印刷技術(shù)通過
機(jī)電工程技術(shù) 2018年9期2018-10-09
- 單向拉伸對(duì)P(VDF-HFP)膜結(jié)晶相、介電和儲(chǔ)能特性的影響
VDF-HFP)厚膜結(jié)晶度降低,結(jié)晶區(qū)發(fā)生了從α或γ相到β相的相變,介電常數(shù)稍有下降。但經(jīng)拉伸處理后,HFP摩爾含量為4.5%的P(VDF-HFP)厚膜耐擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高達(dá)900 MV·m-1,單向電滯回線結(jié)果表明該厚膜可釋放能量密度接近28 J·cm-3。1 實(shí) 驗(yàn)1.1 實(shí)驗(yàn)原料PVDF和P(VDF-HFP)共聚物(HFP摩爾分?jǐn)?shù)分別為4.5%、12%、15%和17%)分別從美國(guó)Solvay and Sigma Aldrich公司購(gòu)得,N,N-二甲基甲酰
西安理工大學(xué)學(xué)報(bào) 2018年2期2018-07-20
- 厚膜電阻的阻抗與駐波比頻率特性的新測(cè)量方法*
100083)厚膜電阻的阻抗與駐波比頻率特性的新測(cè)量方法*張逸松1,林福民1*,曾柳杏1,張 俊2(1.廣東工業(yè)大學(xué)物理與光電工程學(xué)院,廣州 510006;2.廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司,廣東 肇慶 100083)隨著電子信息技術(shù)和移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展,厚膜電阻的應(yīng)用越來越廣泛。然而,如何準(zhǔn)確測(cè)量厚膜電阻的阻抗和駐波比頻率特性成為了一個(gè)難點(diǎn)。建立和分析微帶線終端加載厚膜電阻的電路模型,使電阻在電路中匹配,再對(duì)應(yīng)地建立終端短路的電路,最后聯(lián)合求解出厚膜電阻
電子器件 2017年5期2017-11-03
- “三防”對(duì)片式厚膜電阻器阻值的影響探討
）“三防”對(duì)片式厚膜電阻器阻值的影響探討龔國(guó)剛，陳德舜，張弦（中國(guó)振華集團(tuán)云科電子有限公司，貴州貴陽550018）院通過對(duì)不同性質(zhì)的三防材料和涂敷工藝對(duì)片式厚膜電阻器阻值的影響開展分析和試驗(yàn)驗(yàn)證，提出了三防材料選用和涂敷工藝改進(jìn)建議，供使用者參考，以提高片式厚膜電阻器在三防環(huán)境下的使用可靠性遙院片式厚膜電阻器曰三防曰熱膨脹系數(shù)0 引言近年來，屢有線路板野三防冶后其片式厚膜電阻器的阻值發(fā)生變化的現(xiàn)象出現(xiàn)，究其原因，70%以上與三防材料的選用和三防涂敷工藝[1
電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn) 2017年3期2017-07-10
- 額外維與厚膜模型簡(jiǎn)介
0715額外維與厚膜模型簡(jiǎn)介劉玉孝1，鐘淵2，楊科31蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院理論物理研究所，蘭州7300002西安交通大學(xué)理學(xué)院，西安7100493西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院，重慶400715額外維概念的提出已有近百年的歷史，但直到最近二十余年，人們對(duì)額外維物理的認(rèn)識(shí)才發(fā)生了實(shí)質(zhì)性的轉(zhuǎn)變。例如，人們開始注意到額外維的尺度可以達(dá)到TeV-1量級(jí)甚至是無窮大的，而不與當(dāng)前的實(shí)驗(yàn)觀測(cè)相違背。一些額外維模型還可以對(duì)粒子物理學(xué)中的規(guī)范層次問題以及宇宙學(xué)中的暗物質(zhì)
物理學(xué)進(jìn)展 2017年2期2017-04-21
- 延伸閱讀
先后經(jīng)歷了薄膜和厚膜的發(fā)展階段，初期的ADD理論、RS理論都是薄膜理論，著重解決了等級(jí)問題，也揭開了膜理論發(fā)展的序幕。不過薄膜理論忽略了膜本身的厚度，是數(shù)學(xué)上的一種理想化，而現(xiàn)實(shí)的膜應(yīng)該是有厚度的，因而厚膜理論得到了發(fā)展。在厚膜理論中，通過引入背景標(biāo)量場(chǎng)，使得膜的能量密度沿額外維有了一定的展寬，而且因?yàn)闆]有限定標(biāo)量勢(shì)的具體形式，厚膜世界的解具有多樣性。膜理論認(rèn)為， 標(biāo)準(zhǔn)模型中的粒子都被束縛在膜上，引力可以在膜之外的時(shí)空傳播。在膜理論中，時(shí)空的維度是大于四維
飛碟探索 2017年4期2017-04-12
- 厚膜型MCH電加熱元件制造工藝研究
136001)厚膜型MCH電加熱元件制造工藝研究谷云峰，高紅梅(四平市吉華高新技術(shù)有限公司，吉林 四平 136001)系統(tǒng)闡述了厚膜型MCH電加熱用厚膜電路的設(shè)計(jì)與制造工藝，通過對(duì)厚膜微電子工藝所應(yīng)用材料特性的研究、固化燒結(jié)溫度的影響、產(chǎn)品耐壓能力及過載能力測(cè)試等實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行全面分析后獲得一種新穎的厚膜型MCH電加熱元件產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有溫度均勻恒定、TCR小、熱效率高好、環(huán)保節(jié)能、安全可靠等特性，廣泛應(yīng)用于醫(yī)療器械、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。厚膜；MCH
山西電子技術(shù) 2017年3期2017-04-06
- 厚膜電阻漿料專利技術(shù)分析
州450002）厚膜電阻漿料專利技術(shù)分析鐘 媛 趙亞楠 （國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利局專利審查協(xié)作河南中心，河南鄭州450002）本文對(duì)厚膜電阻漿料領(lǐng)域的專利狀況和重點(diǎn)申請(qǐng)人進(jìn)行了梳理，對(duì)厚膜電阻漿料的研究趨勢(shì)進(jìn)行了深入探討。漿料；厚膜電阻；導(dǎo)電相；無機(jī)粘結(jié)相；有機(jī)載體1 引言隨著經(jīng)濟(jì)社會(huì)的發(fā)展、電路集成化的提高、電器小型化的需要，厚膜電子漿料在厚膜集成電路、太陽能電池電極、顯示器、薄膜開關(guān)、加熱元件等領(lǐng)域得到了越來越廣泛的應(yīng)用。厚膜電子材料主要包括基片和厚膜電子
河南科技 2017年14期2017-03-07
- 厚膜電阻漿料的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)
550025)?厚膜電阻漿料的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)李娟，謝泉，黃晉，吳良慶，賀曉金(貴州大學(xué) 大數(shù)據(jù)與信息工程學(xué)院，貴州 貴陽 550025)針對(duì)厚膜電阻漿料的研究現(xiàn)狀，探討厚膜電阻漿料中功能相的種類和粒度，玻璃相、有機(jī)載體的成分及含量等因素對(duì)厚膜電阻漿料的印刷性能和電性能的影響，簡(jiǎn)述了添加劑的種類對(duì)厚膜電阻的電導(dǎo)率等電性能的影響。因此，厚膜電阻漿料的性能參數(shù)是各因素相互作用的結(jié)果，通過改變各組分的成分、含量等，獲得高性能厚膜電阻漿料配方。厚膜電阻漿料；功能
電子科技 2016年9期2016-10-17
- 厚膜電阻制造技術(shù)研究
233042)?厚膜電阻制造技術(shù)研究尤廣為，鄒建安，肖雷(中國(guó)兵器工業(yè)第214研究所，安徽 蚌埠 233042)針對(duì)傳統(tǒng)厚膜混合集成電路在厚膜電阻制造過程中存在厚膜電阻阻值離散性大、印刷效率低及產(chǎn)生大量試阻片浪費(fèi)等問題，特對(duì)厚膜制造技術(shù)進(jìn)行了研究。通過對(duì)厚膜電阻設(shè)計(jì)和制造原理進(jìn)行分析，發(fā)現(xiàn)厚膜電阻印刷膜厚對(duì)其阻值至關(guān)重要，因此，決定采用厚膜電阻印刷膜厚監(jiān)測(cè)以達(dá)到控制厚膜電阻阻值的方式，先對(duì)厚膜電阻印刷時(shí)膜厚控制范圍進(jìn)行確定，同時(shí)根據(jù)所使用的厚膜電阻漿料方阻
新技術(shù)新工藝 2016年5期2016-09-07
- 厚膜工藝環(huán)形器的研制
本文主要介紹了厚膜工藝環(huán)形器的研制過程，解決了研制過程中幾個(gè)關(guān)鍵問題和關(guān)鍵工藝技術(shù)。關(guān)鍵詞 厚膜 環(huán)形器 微帶線中圖分類號(hào)：TN621 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A0引言當(dāng)前信號(hào)發(fā)射器件業(yè)內(nèi)為了將發(fā)射的射頻信號(hào)與接收電子標(biāo)簽的微弱信號(hào)區(qū)分開來，一般采用雙工器或環(huán)形器實(shí)現(xiàn)，由于雙工器造價(jià)昂貴，所以實(shí)際系統(tǒng)中常用后者來實(shí)現(xiàn)，通過正確使用環(huán)行器，可以有效地改善電路品質(zhì)，實(shí)現(xiàn)分離信號(hào)的目的。目前市場(chǎng)上大多數(shù)為薄膜工藝環(huán)形器，由于薄膜的工藝特點(diǎn)其產(chǎn)品價(jià)格高，故開發(fā)厚膜工藝環(huán)形器
科教導(dǎo)刊·電子版 2016年19期2016-08-19
- 熱處理對(duì)Ba0.6Sr0.4TiO3厚膜介電性能的影響
r0.4TiO3厚膜介電性能的影響王維維，黃端平，徐 慶武漢理工大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院，武漢430070摘 要：采用檸檬酸鹽法制備了Ba0.6Sr0.4TiO3粉體，通過絲網(wǎng)印刷法制備了Ba0.6Sr0.4TiO3厚膜，研究了在空氣氣氛中進(jìn)行熱處理前后厚膜樣品的介電性能。研究結(jié)果表明，在空氣氣氛中進(jìn)行熱處理可以有效地提高厚膜樣品的介電性能。經(jīng)過1000°C熱處理，厚膜樣品在10 kHz下的介電損耗由1.7%降為1.1%，其優(yōu)質(zhì)系數(shù)由33提高到55。關(guān)鍵詞
現(xiàn)代技術(shù)陶瓷 2016年2期2016-07-02
- M′型LuTaO4∶Eu3+透明閃爍厚膜的制備及性能研究
Eu3+透明閃爍厚膜的制備及性能研究邱志澈，顧 牡*，劉小林，劉 波，黃世明，倪 晨同濟(jì)大學(xué)物理科學(xué)與工程學(xué)院，上海市特殊人工微結(jié)構(gòu)材料與技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，上海 200092X射線成像在生命科學(xué)和物質(zhì)微結(jié)構(gòu)分析等許多方面有著非常重要的應(yīng)用，X射線成像儀器核心部件之一為X射線-可見光轉(zhuǎn)換屏。透明閃爍薄膜是實(shí)現(xiàn)高空間分辨率X射線成像的一條有效途徑。銪摻雜M′型LuTaO4是一種性能優(yōu)越的閃爍材料，其密度高達(dá)9.75 g·cm-3，化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，輻照硬度大，有望制
光譜學(xué)與光譜分析 2016年2期2016-06-15
- PZT厚膜的電射流沉積研究*
001)?PZT厚膜的電射流沉積研究*王大志1， 呂景明1， 郁風(fēng)2， 董維杰1， 梁軍生1， 任同群1(1.大連理工大學(xué) 遼寧省微納米技術(shù)及系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，遼寧 大連 116024;2.遼寧出入境檢驗(yàn)檢疫局，遼寧 大連 116001)摘要:制備了鋯鈦酸鉛(PZT)懸浮液，采用電射流沉積(EJD)技術(shù)，在硅襯底上沉積了PZT厚膜。研究了電射流沉積高度、流量及懸浮液混合條件對(duì)厚膜致密性的影響。結(jié)果表明：降低電射流沉積高度和流量有助于提高沉積PZT厚膜致密性；
傳感器與微系統(tǒng) 2016年2期2016-06-13
- 工業(yè)生產(chǎn)中集成電路失效分析案例解析
，結(jié)合國(guó)產(chǎn)某型號(hào)厚膜集成電路和國(guó)產(chǎn)某重點(diǎn)型號(hào)大型盾構(gòu)設(shè)備主控系統(tǒng)電路板的失效分析過程，介紹了工業(yè)生產(chǎn)中集成電路失效分析的方法和流程，并給出了具體分析思路，詳細(xì)論述了失效分析過程。通過對(duì)失效現(xiàn)象的分析定位故障點(diǎn)，找出引起失效的原因并給出預(yù)防措施。失效分析工作既可以幫助集成電路企業(yè)糾正設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和測(cè)試過程中的問題，也可以協(xié)助集成電路使用者發(fā)現(xiàn)使用過程中存在的不合理性，提高集成電路研發(fā)和使用雙方的整體技術(shù)能力。集成電路；厚膜集成電路；盾構(gòu)設(shè)備；失效分析1 引 言
微處理機(jī) 2016年6期2016-02-05
- 藍(lán)寶石襯底上GaN厚膜的應(yīng)力研究
寶石襯底上GaN厚膜的應(yīng)力研究李 響（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所，沈陽110032）采用有限元計(jì)算軟件并結(jié)合多層膜理論，對(duì)藍(lán)寶石襯底上氫化物氣相外延（HVPE）生長(zhǎng)氮化鎵（GaN）厚膜的應(yīng)力情況進(jìn)行研究。由于襯底和厚膜不同位置在高溫生長(zhǎng)后的降溫過程中溫度變化不同進(jìn)而產(chǎn)生不同的熱失配應(yīng)變，將引起產(chǎn)生初始裂紋以及裂紋擴(kuò)展現(xiàn)象。針對(duì)上述過程，可以針對(duì)給定條件的生長(zhǎng)體系，定性分析出GaN厚膜從裂紋產(chǎn)生到之后裂紋擴(kuò)展的位置及方向。得到的分析結(jié)果既能夠很好的解
微處理機(jī) 2015年4期2015-12-16
- 淺析一種60 MHz的正弦波鐘振電路
晶體；鐘振電路；厚膜；可靠性1 技術(shù)指標(biāo)基于厚膜混合集成電路工藝研制的一種正弦波鐘振電路，主要用于設(shè)備控制系統(tǒng)中，起著時(shí)鐘基準(zhǔn)源的作用。該產(chǎn)品的電特性見表1。表1 主要電特性產(chǎn)品使用環(huán)境最大額定值：正電源電壓(UCC) +5.0 V±1.0 V；工作頻率(fo)60 MHz；工作溫度范圍(TA) -55 ℃～+125 ℃；貯存溫度范圍(TS)-60 ℃～+150 ℃。外形尺寸如圖1。2 設(shè)計(jì)方案確定2.1 設(shè)計(jì)方案的確定根據(jù)以上設(shè)計(jì)思路，確定了正弦波鐘振電
通信電源技術(shù) 2015年2期2015-12-12
- 金剛石厚膜的制備方法及應(yīng)用展望
基本上都是薄膜，厚膜相對(duì)較少。金剛石厚膜在市場(chǎng)上的應(yīng)用優(yōu)點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過薄膜，比如在航空航天，軍事，大功率電子器件的熱沉片等方面的應(yīng)用是金剛石薄膜所不能及的。金剛石厚膜在市場(chǎng)上相對(duì)較少的主要原因是，在制備金剛石厚膜時(shí)，要面臨2個(gè)問題：沉積速率低和厚膜質(zhì)量低，這使得金剛石厚膜成品率低，限制了其在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用。因此，提高金剛石厚膜的沉積速率和質(zhì)量成為研究者的焦點(diǎn)。許多研究者主要是通過改進(jìn)制備金剛石厚膜的技術(shù)和設(shè)備來解決厚膜所面臨的問題。迄今為止，制備金剛石厚膜的方
河南科技 2015年4期2015-08-28
- 基于反鐵電PLZST厚膜相變脈沖電流的溫度傳感方法
反鐵電PLZST厚膜相變脈沖電流效應(yīng)的溫度傳感方法及系統(tǒng)。主要研究了PLZST陶瓷厚膜材料的相變效應(yīng)，分析了其對(duì)溫度場(chǎng)的誘導(dǎo)響應(yīng)機(jī)制與相變效應(yīng)電流輸出特性，采用高精度電流放大電路實(shí)現(xiàn)了溫度傳感信號(hào)的后級(jí)觸發(fā)應(yīng)用。該系統(tǒng)將為復(fù)雜電磁環(huán)境下的溫度監(jiān)控測(cè)試提供了新的技術(shù)途徑。1 反鐵電PLZST厚膜研究本文采用的PLZST陶瓷厚膜樣片結(jié)構(gòu)見圖1，為圓形薄片。其中反鐵電PLZST陶瓷厚膜功能材料通過LTCC工藝燒制而成，其厚度約為200 μm，樣片直徑約7．1 m
大學(xué)物理實(shí)驗(yàn) 2014年3期2014-07-03
- 鈦酸鉍壓電陶瓷厚膜的制備
功能化方向發(fā)展，厚膜材料及器件逐漸成為研究的重點(diǎn)。壓電厚膜的厚度通常為10～100 μm，能產(chǎn)生很大的驅(qū)動(dòng)力，具有更寬的工作頻率，且工作電壓低，與半導(dǎo)體工藝兼容[1]。因此，壓電厚膜已引起了世界各國(guó)研究者廣泛的關(guān)注，并且廣泛用于各種微型器件中，如微泵，超聲馬達(dá)，諧振器等[2,3]。多層晶粒定向技術(shù)是制備厚膜材料主要方法[4]，其利用絲網(wǎng)印刷把納米尺度（30～80 nm）的原料制成厚膜，從而獲得沿一定方向取向生長(zhǎng)的壓電陶瓷。與熱處理技術(shù)和模板晶粒取向生長(zhǎng)技術(shù)
當(dāng)代化工 2013年7期2013-09-18
- 讓全球家電裝上“中國(guó)電熱芯片”
產(chǎn)的采用熱敏電阻厚膜電路制作工藝融合熱敏電阻獨(dú)特控制性質(zhì)結(jié)合厚膜功能電路制作而成的稀土厚膜電路智能電熱芯片，可以實(shí)現(xiàn)多溫區(qū)梯度設(shè)置，高效運(yùn)作智能操控，節(jié)能節(jié)材降低成本。2012 年海辰科技“稀土厚膜電路智能PTCR-xthm芯片”被中科院列為創(chuàng)新集群重點(diǎn)規(guī)劃項(xiàng)目；2013年5月海辰科技主導(dǎo)起草的《稀土厚膜電路電熱元件》行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)已通過國(guó)標(biāo)委審定，目前正在報(bào)批中；2013年7月海辰科技企標(biāo)《稀土厚膜電路電熱元件》，榮獲2013年度中國(guó)家用電器創(chuàng)新獎(jiǎng)企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)創(chuàng)新
家電科技 2013年11期2013-07-09
- CVD金剛石厚膜刀具切削性能的試驗(yàn)研究
CVD金剛石厚膜材料為全晶質(zhì)純多晶金剛石,具有硬度高、導(dǎo)熱系數(shù)大、摩擦系數(shù)小、各向同性等優(yōu)良的物理機(jī)械性能,它既彌補(bǔ)了天然金剛石稀缺昂貴、各向異性等不足,同時(shí)又克服了人工合成單晶金剛石顆粒細(xì)小、聚晶金剛石膜界面結(jié)合強(qiáng)度低等缺陷,是制造切削刀具的理想材料。在國(guó)外,CVD金剛石厚膜刀具已步入商業(yè)化應(yīng)用階段。在國(guó)內(nèi),對(duì)此類刀具的研究開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程也不斷加快?？梢灶A(yù)見,CVD金剛石厚膜為純多晶金剛石材料,碳原子以sp3型共價(jià)鍵結(jié)合,其硬度接近天然金剛石,高于采用
超硬材料工程 2013年3期2013-04-01
- 燒結(jié)溫度對(duì)厚膜電阻的影響研究
紀(jì)六十年代開始，厚膜混合集成電路與半導(dǎo)體集成電路相互補(bǔ)充、相互滲透成為集成電路的一個(gè)重要組成部分，廣泛應(yīng)用于電控設(shè)備系統(tǒng)中。厚膜混合集成電路簡(jiǎn)稱厚膜電路或厚膜混合電路，即通過絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)等工藝在基片上制作互連導(dǎo)線、電阻、電感等滿足一定功能要求的電路單元。由于體積小、功率大、性能可靠、設(shè)計(jì)靈活、成本低和性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)在混合電路產(chǎn)業(yè)中占80%的市場(chǎng)份額［1］。釕基厚膜電阻具有精度高、穩(wěn)定性好、耐高溫、工藝重復(fù)性好等特點(diǎn)［2］。影響厚膜電阻的因素有很多，其中燒
電子器件 2012年4期2012-12-30
- 基于厚膜混合集成電路的激光調(diào)阻工藝研究*
技術(shù)的迅速發(fā)展，厚膜混合集成電路由于低成本、高可靠性等特點(diǎn)而應(yīng)用越來越廣泛。其中厚膜電阻通常采用絲網(wǎng)印刷方式制作，其操作固有的不精確性、基板表面不均勻以及燒結(jié)條件的不重復(fù)性導(dǎo)致燒結(jié)后的電阻精度不高（阻值最大誤差達(dá)30%～40%），為此需對(duì)電阻阻值進(jìn)行精確調(diào)整[1]。與之前常用的噴砂調(diào)阻、脈沖電壓調(diào)阻方法相比較，激光調(diào)阻由于具有高精度、高效率、無污染等特點(diǎn)，已成為目前最常用的電阻阻值修調(diào)方法[1]。激光調(diào)阻的運(yùn)行原理是：首先測(cè)量待調(diào)電阻阻值，若在可調(diào)阻范圍內(nèi)
電子與封裝 2012年11期2012-09-05
- 汽車點(diǎn)火器用厚膜電路制造工藝探究
火器的發(fā)展。隨著厚膜技術(shù)的不斷發(fā)展，出現(xiàn)了用氧化鋁作為基板的厚膜電路，該產(chǎn)品具有設(shè)計(jì)靈活、絕緣性好、導(dǎo)熱性好和機(jī)械強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn)，適合制造可靠性和耐用性要求高、產(chǎn)品種類及規(guī)格齊全的汽車電子產(chǎn)品，特別是在抗振動(dòng)、抗沖擊和耐高溫等方面顯示出較大的優(yōu)越性。目前市場(chǎng)上的點(diǎn)火器產(chǎn)品大多數(shù)還是依賴進(jìn)口價(jià)格高昂的點(diǎn)火器電路總成，我公司長(zhǎng)期以來一直從事厚膜電阻和厚膜電路等產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)，擁有整套的厚膜生產(chǎn)設(shè)備和完善的厚膜產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)，在此基礎(chǔ)上我公司進(jìn)行了汽車點(diǎn)火器用厚膜
山西電子技術(shù) 2012年3期2012-05-12
- 鋼鐵件防銹磷化處理工藝
處理工藝,其屬于厚膜磷化,膜厚約為10～20μm,膜重為10～30 g/m2;鋼鐵件發(fā)藍(lán)（氧化）膜厚僅為 0.5～1.5 μm,因此防銹磷化膜的防銹性能遠(yuǎn)超過鋼鐵件氧化膜的。鋼鐵件經(jīng)防銹磷化處理,其尺寸不會(huì)發(fā)生改變,這是由于在磷化膜形成過程中會(huì)有部分金屬溶解在磷化液中。1 防銹磷化工藝流程2 防銹磷化液的組成及工藝規(guī)范2.1 高溫磷化2.1.1 純錳系高溫防銹磷化這類磷化所形成的磷化膜防銹效果最為理想,應(yīng)用最為廣泛,溶液中往往加入少量鎳鹽及硝酸鹽為促進(jìn)劑。
電鍍與環(huán)保 2011年3期2011-12-27
- 基于VICOTE?涂料制成的絕緣部件實(shí)現(xiàn)超高速鋁制厚膜加熱器技術(shù)
件實(shí)現(xiàn)超高速鋁制厚膜加熱器技術(shù)New film for high-speed heater technologyDatec涂料公司開發(fā)了一種新型厚膜技術(shù)，旨在將高功率電熱源應(yīng)用于鋁基板上。在研發(fā)過程中，Datec公司選擇了威格斯聚合物解決方案事業(yè)部的VICOTE?涂料作為厚膜元件的表層和底層介電層的絕緣部件。Datec的厚膜加熱系統(tǒng)具有一體式導(dǎo)電層和電阻層，采用網(wǎng)印法直接被印制到涂有VICOTE涂層的鋁制散熱器上。這一技術(shù)符合UL標(biāo)準(zhǔn)和RoHS規(guī)范，用于制
塑料制造 2011年3期2011-11-02
- 高性能PZT壓電厚膜及MEMS微驅(qū)動(dòng)器技術(shù)研究
1 μm的PZT厚膜技術(shù)。研究發(fā)現(xiàn)PZT厚膜具有體型PZT壓電陶瓷材料的良好性能,如壓電性能強(qiáng)、輸出信號(hào)高、使用頻率范圍寬等;而且 PZT厚膜還兼顧PZT薄膜的特點(diǎn),即工作電壓低、尺寸小、質(zhì)量輕、易于同MEMS技術(shù)兼容等。目前,制備PZT基薄膜和厚膜的主要方法有：射頻磁控濺射法 (RF)[1-2]、脈沖激光沉積(PLD)[3]、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)[4]、溶膠-凝膠法(Sol-Gel)[5-10]、絲網(wǎng)印刷[11-12]、化學(xué)溶液沉積法(CS
黑龍江大學(xué)工程學(xué)報(bào) 2011年3期2011-10-16
- 燃燒氣體分析儀
池檢測(cè)氧氣，利用厚膜催化傳感器檢測(cè)CO以及碳氧可燃物。FluegasExact儀器采用的是先進(jìn)的氧化鋯技術(shù)，能在潮濕的環(huán)境中檢測(cè)氧氣，不需要外部采樣調(diào)節(jié)系統(tǒng)。同時(shí)，其最小的校準(zhǔn)要求和長(zhǎng)達(dá)10年的操作壽命可以保證將維護(hù)費(fèi)用降至最低。FluegasExact儀器的厚膜催化技術(shù)可高精度監(jiān)控CO的等級(jí)，其高靈敏度和快速反應(yīng)特性使得燃燒過程可以持續(xù)優(yōu)化以增加安全性和燃燒效率。多種技術(shù)相結(jié)合，提高了火焰穩(wěn)定性;減少了氧化物、SO3以及CO的排放;實(shí)踐表明:每年可節(jié)省高
電力建設(shè) 2011年12期2011-08-09
- 單晶金剛石刀具材料
用TFD（CVD厚膜）。由實(shí)驗(yàn)可知，加工40%SiC鋁基復(fù)合材料，使用厚膜金剛石TFD的效果最好，PCD025次之，PCD002刀具的使用壽命最低。由于各類金剛石在適應(yīng)面上的互補(bǔ)性，金剛石刀具可加工范圍有所擴(kuò)展，人工合成金剛石替代天然金剛石，CVD金剛石替代PCD金剛石的趨勢(shì)也日漸明顯。切削加工也由此而進(jìn)入了一個(gè)可實(shí)現(xiàn)高效、經(jīng)濟(jì)加工的新時(shí)期，其替代程度決定于技術(shù)和經(jīng)濟(jì)兩方面因素，尤其是刀片的成型、刃磨和焊的難易程度將直接影響金剛石刀具的價(jià)格和性能。通常PC
超硬材料工程 2011年6期2011-04-01
- 影響厚膜導(dǎo)體附著力的幾種因素
000）1 引言厚膜混合集成電路以其組件參數(shù)范圍廣、精度和穩(wěn)定度高、電路設(shè)計(jì)靈活性大、研制生產(chǎn)周期短、適合于多種小批量生產(chǎn)等特點(diǎn)，與半導(dǎo)體集成電路相互補(bǔ)充、相互滲透，已成為集成電路的一個(gè)重要組成部分。厚膜混合集成電路基板采用Al2O3陶瓷、BeO陶瓷等，散熱性能極好。另外，厚膜導(dǎo)體還具有以下優(yōu)勢(shì)，因而得到廣泛運(yùn)用，市場(chǎng)前景越來越好：（1）電導(dǎo)率高，膜層厚，導(dǎo)體方阻小，在大電流沖擊下引線損耗??；（2）厚膜導(dǎo)體附著力好，尤其在大功率芯片燒結(jié)、共熔焊、再流焊和錫
電子與封裝 2011年3期2011-02-26
- 高壓ZnO厚膜壓敏電阻的制備及導(dǎo)電機(jī)理分析
李 桃高壓ZnO厚膜壓敏電阻的制備及導(dǎo)電機(jī)理分析柯 磊1， 李 桃2通過高能球磨、絲網(wǎng)印刷和低溫?zé)Y(jié)制備出高壓ZnO厚膜壓敏電阻，并對(duì)厚膜試樣進(jìn)行了電學(xué)性能、物相成分和微觀形貌的表征。結(jié)果表明：厚膜試樣電位梯度達(dá)到3 159.4V／mm，漏電流為36.4μA，非線性系數(shù)為13.1，平均晶粒尺寸為1.29μm。高能球磨和低溫?zé)Y(jié)使厚膜試樣的晶粒尺寸大大減小，有效提高了電位梯度值。分析了厚膜壓敏電阻單晶界體系的導(dǎo)電機(jī)理，發(fā)現(xiàn)預(yù)擊穿區(qū)勢(shì)壘寬度的增加和單晶界電壓的
上海電機(jī)學(xué)院學(xué)報(bào) 2011年3期2011-01-16
- 微波燒結(jié)對(duì)納米ZnO氣敏元件性能改進(jìn)研究*
用到純納米ZnO厚膜的燒結(jié)中，研究了納米ZnO厚膜的形貌、敏感性和穩(wěn)定性特性，實(shí)驗(yàn)證明:微波燒結(jié)ZnO厚膜展現(xiàn)出了新的、不同于電爐燒結(jié)厚膜的性能，探索出了氣敏元件陣列制備的一種新技術(shù)和新工藝。1 微波燒結(jié)納米ZnO氣敏元件陣列的制備與性能1.1 微波燒結(jié)ZnO氣敏元件陣列的制備本研究以A12O3為基片，采用絲網(wǎng)印刷方法，制備平面型納米ZnO厚膜，應(yīng)用微波燒結(jié)制備厚膜氣敏元件。先將陣列基片放在電燒結(jié)爐中低溫250℃，燒結(jié)30 min，以排除氣敏膜中的有機(jī)粘結(jié)
傳感器與微系統(tǒng) 2010年9期2010-12-07