美國瓦里安半導體聯(lián)合公司 （Varian Semiconductor Equipment Associates）獲得美國能源部Sunshot計劃的480萬美元資助，將用于交叉背接觸式（interdigitated back contact,IBC）太陽能電池技術(shù)研發(fā)。該電池是目前市場上效率最高的硅太陽能電池，該項目旨在降低電池制造成本。

傳統(tǒng)太陽能電池正面安裝的金屬集熱器會遮擋一部分陽光。而IBC電池正面吸收日光后產(chǎn)生的電能可通過背面金屬導體進行收集。電池效率非常高，與傳統(tǒng)電池相比不僅可提高單位面積發(fā)電量，還能降低模塊成本及光伏發(fā)電系統(tǒng)平衡（balance of system,BOS）成本。

IBC電池如果采用傳統(tǒng)工藝制造，與正面接觸式光伏電池相比成本較高，限制了該類電池的推廣應用。而公司提出離子注入技術(shù)使制造工序減少30%～40%，有利于IBC電池制造商大幅度削減生產(chǎn)成本。該技術(shù)的應用在提高電池發(fā)電量的同時可降低電池制造偏差率、電池破損率并縮短生產(chǎn)周期。