胡娟，吳愛民，岳紅云，張學(xué)宇，秦福文

(1.大連理工大學(xué) 三束材料改性教育部重點實驗室，遼寧 大連 116024;2.大連理工大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院，遼寧 大連116024;3.中國科學(xué)院沈陽金屬研究所，遼寧 沈陽 110016)

太陽能電池的研究已經(jīng)有很長的歷史，提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低制作成本，提高電池的使用壽命等是這一領(lǐng)域永恒的主題，也是科研工作者努力的方向.太陽能光伏電池的研發(fā)經(jīng)歷了3個階段，目前研發(fā)和商品化的是第一、二代太陽電池.為進(jìn)一步改善電池的轉(zhuǎn)換效率，科研人員提出了第三代太陽能電池的概念［1］.第三代太陽能光伏電池的目標(biāo)是充分利用太陽能的全光譜，提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率.對傳統(tǒng)太陽能電池而言，紫外光線直接被滲漏出去，或被硅電池吸收，但轉(zhuǎn)化成的是熱能并非電能，這有可能影響電池的使用壽命［2］.研究表明紫外光線能夠與尺度合適的納米顆粒有效地結(jié)合，并產(chǎn)生電能.Munir Nayfeh等提出在硅太陽能電池表面生成一層硅納米顆粒薄膜能夠提升它的能量轉(zhuǎn)化能力，減少電池自身的發(fā)熱量，并且延長使用壽命［3-5］.他們的研究結(jié)果表明，在塊體硅電池表面制備顆粒尺寸幾納米的硅顆粒層后，在紫外光區(qū)電池的轉(zhuǎn)換功率提高了60%～70%，而在可見光區(qū)，電池的轉(zhuǎn)換功率也提高了近10%.而在薄膜電池中，紫外光線的輻照對吸收層性能的損害更甚，若能將這種思想引入到薄膜電池中，對提高薄膜電池的效率及延長電池使用壽命是非常有利的.基于這種思路，本論文探討利用PECVD技術(shù)在低溫下制備納米硅薄膜的工藝控制.

1 實驗

利用電子回旋共振微波等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(ECR-PECVD)制備納米硅顆粒薄膜，以5%的SiH4、H2和 O2為反應(yīng)氣源，薄膜襯底為 P型(100)單晶硅片，用丙酮、酒精和去離子水超聲清洗襯底.襯底溫度為200～300℃，微波功率為600 W，H2流量為20～40 mL/min，O2流量為20 mL/min，SiH4流量為6 mL/min，本底真空為5.0×10－3Pa.在沉積薄膜之前對襯底表面進(jìn)行常規(guī)H等離子體清洗，隨后交替沉積SiO2/Si/SiO2薄膜層，即先采用O2等離子體放電制備SiO2層，然后切換H2等離子體放電制備Si層，再切換O2等離子體放電制備SiO2層，重復(fù)以上步驟循環(huán)制備不同薄膜層.采用TEM對薄膜的微觀結(jié)構(gòu)及形貌進(jìn)行測試分析，研究不同的襯底溫度及H2流量對薄膜結(jié)構(gòu)的影響.采用拉曼光譜分析薄膜的晶化率，拉曼激光器的波長為632.8 nm，功率35 mW.采用高斯三峰擬合方法，利用公式［6］計算得到樣品的晶化率:

2 結(jié)果與討論

2.1 溫度的影響

利用TEM對不同溫度下沉積的薄膜的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究，圖1是在襯底溫度分別為200、250、300℃，而其他條件相同的情況下沉積的Si薄膜層高分辨透射電鏡(HRTEM)圖像.從圖1(a)的HRTEM照片中可以看出，在200℃時沉積的薄膜為非晶硅;而沉積溫度為250℃時薄膜雖然仍以非晶態(tài)為主，但局部出現(xiàn)了晶化的局勢，可觀察到高分辨晶格象(如圖1(b));當(dāng)溫度提高到300℃時，從HRTEM圖像中可以看到明顯的晶化小顆粒，橢圓形高分辨晶格象，顆粒大小約為10 nm(如圖1(c)).

圖1 薄膜樣品Si層的TEM高分辨像，P=600 W，氫氣流量為20 mL/minFig.1 HRTEM images of Si layer with microwave power 600 W and hydrogen flow rate of 20 mL/min

2.2 氫氣流量的影響

根據(jù)A.Matsuda［7］提出的氫化微晶硅薄膜生長理論，原子氫對Si薄膜的結(jié)晶起到了非常重要的作用.因此本文研究了H2流量大小對Si薄膜晶化率的影響.為了降低其他實驗條件的干擾，同時也為了樣品制備分析的方便，我們固定沉積溫度、硅烷流量和微波功率并在同一基片上交替沉積不同H2流量的Si層，間隔層SiO2的沉積條件不變.

圖2 相同溫度下沉積的薄膜試樣的TEM截面圖像及高分辨像，T=300℃，P=600 W，SiH4流量為6 mL/min，t=5 minFig.2 Cross-section TEM image and HRTEM images of different layers under 300℃，600 W，silane flow rate of 6 mL/min，t=5 min

圖2(a)為Si片上SiO2/Si多層膜整體形貌圖，圖2(b)～(f)為不同氫流量下沉積制備的Si薄膜的HRTEM高分辨圖像.從圖2(a)中可以測出不同氫流量下制備的硅薄膜的厚度，從里到外硅層的厚度分別為14、14、13、11.6、9.3 nm.可見，隨著H2流量的增加，Si薄膜的厚度逐漸降低.這是與隨著氫氣流量增加，放電產(chǎn)生的活化氫增加，氫等離子體對薄膜的刻蝕作用加劇相關(guān)的.圖3為薄膜厚度、晶化率與氫氣流量關(guān)系圖.從圖2(b)～(f)及圖3還可以看出，隨著 H2流量從 20 mL/min增加到30 mL/min，薄膜結(jié)晶性增加，納米硅顆粒的數(shù)量逐漸增加.但是隨著H2流量的進(jìn)一步增加，氫等離子體的刻蝕作用加劇，薄膜的結(jié)晶性反而下降，薄膜中納米硅顆粒的數(shù)量逐漸減少，薄膜厚度也隨之下降.這是由于氫等離子體中，到達(dá)生長表面的H+離子和H原子同時有還原和刻蝕的作用.在上游微波等離子體放電室中，氫流量越大，放電產(chǎn)生的活性氫基團(tuán)就越多，薄膜生長表面提供的原子氫打斷了Si－Si鍵，尤其是非晶網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中的弱鍵，導(dǎo)致與其他硅原子結(jié)合較弱的Si鍵原子(非晶態(tài))遷移.遷移后留下的位置被新的薄膜先驅(qū)物所取代，形成剛性和牢固的Si－Si鍵(結(jié)晶態(tài))，從而提高薄膜的結(jié)晶性.但是當(dāng)H2流量過大時，氫等離子體的刻蝕作用將顯著增強(qiáng)，會使剛形成的牢固Si－Si鍵被打斷并分別與氫原子結(jié)合形成新的局部氫化非晶網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，降低薄膜晶化率.從HRTEM圖像中還可測量出納米晶硅的晶粒尺寸在5～10 nm.

圖3 不同氫氣流量下制備的薄膜的厚度及薄膜晶化率變化曲線Fig.3 The thickness and crystallization rate of the films vs the different flow rate of hydrogen

2.3 氫等離子體刻蝕的影響

原子氫對薄膜晶化的有利作用，我們考慮對沉積的硅薄膜采用原位后續(xù)氫等離子體刻蝕的辦法提高薄膜的結(jié)晶性.圖4是采用氫等離子體刻蝕制備的硅薄膜的截面形貌圖，其中薄膜的制備順序和前面一致，只是在每層正常制備硅薄膜后，立即關(guān)閉硅烷氣源，進(jìn)行原位的氫等離子體刻蝕，然后再制備后續(xù)薄膜，刻蝕參數(shù)為H2流量固定在25 mL/min，微波功率600 W，刻蝕1～5 min.為便于比較，硅薄膜的沉積參數(shù)和圖1(b)的硅薄膜沉積參數(shù)一致.與圖1(b)相比較，可以看出，經(jīng)氫等離子體刻蝕后薄膜厚度有所降低，而且隨著刻蝕時間的增加，薄膜厚度急劇下降.圖4(b)為氫等離子體刻蝕2min的硅薄膜截面高分辨圖像，與未進(jìn)行氫等離子體刻蝕處理的硅薄膜比(圖1(b))，其薄膜結(jié)晶性明顯變好，納米硅顆粒的數(shù)量明顯增加，其晶粒的大小約為5 nm，而且這種在較低溫度下制備薄膜然后進(jìn)行等離子體刻蝕處理也明顯優(yōu)于在高溫下直接制備的硅薄膜(圖1(c)).可見等離子體中用較高的H2流量進(jìn)行刻蝕是在低溫下獲得高結(jié)晶納米硅薄膜的一種有效的方法.

圖4 氫等離子體刻蝕樣品截面HRTEM圖像Fig.4 Cross-section HRTEM image of the films etched by hydrogen plasma

3 薄膜的Raman分析

為了得到確切的結(jié)晶程度信息，選擇了以上結(jié)果中顯示較好的一組實驗條件沉積5個周期的試樣進(jìn)行了Raman分析.拉曼光譜是從聲子能量的角度判斷結(jié)晶特性的一種有效手段［8-11］，如圖5所示，樣品在516 cm－1附近出現(xiàn)了較強(qiáng)的譜峰，這是晶體硅的特征峰.

就硅薄膜而言，非晶硅薄膜對應(yīng)的拉曼峰在480 cm－1處;而晶體硅對應(yīng)的峰位在520 cm－1處.這個峰對應(yīng)著晶體硅中的類TO模式，對于晶粒比較細(xì)小且晶化較好的多晶硅薄膜，對應(yīng)拉曼峰譜的位置非常接近晶體硅，但有些偏移，通常在518 cm－1處.而納米晶硅薄膜的拉曼峰一般在510cm－1左右.

為了得出樣品的結(jié)晶狀況，對樣品的Raman光譜在480、510、520 cm－1處進(jìn)行了Gaussion分解，如圖6所示.把由軟件計算的各分峰的相對積分強(qiáng)度代入式(1)中可得到該薄膜樣品的晶化率;計算得出其晶化率是68%.

圖5 薄膜樣品的Raman譜Fig.5 Raman spectrum of the films

圖6 薄膜Raman光譜的分峰擬合Fig.6 Multi-peaks gaussian fitting of the Raman spectrum of the film

4 結(jié)論

本文采用ECR-PECVD薄膜沉積技術(shù)并利用其特有的原位H等離子體刻蝕工藝成功制備了納米硅薄膜材料，得出結(jié)論:

1)低溫下，在未進(jìn)行H等離子體刻蝕的時候，薄膜主要以非晶相為主，而且納米晶粒分布不均勻，顆粒大小也不均勻.

2)若制備薄膜后在原位進(jìn)行幾分鐘的簡單H等離子體刻蝕處理，則非晶硅將大部分轉(zhuǎn)換為納米晶尺寸的結(jié)晶硅顆粒，顆粒大小及分布都比較均勻，納米硅顆粒層厚度可通過控制刻蝕時間進(jìn)行精確控制，這在實際應(yīng)用中是比較有利的.

3)這種簡單的納米硅薄膜制備技術(shù)可很好的結(jié)合到現(xiàn)有的薄膜太陽能電池生產(chǎn)工藝當(dāng)中，而根據(jù)美國Nayfeh教授在塊體硅表面應(yīng)用納米硅顆粒改善電池性能的研究結(jié)果，納米硅薄膜若應(yīng)用到薄膜太陽能電池的窗口層材料中將有利于改善薄膜太陽能電池抗紫外線輻射，從而提高薄膜電池的使用壽命，同時還可適當(dāng)提高電池的轉(zhuǎn)換效率，因此具有很好的實際應(yīng)用價值.

下一步的工作將主要探討納米硅薄膜應(yīng)用在硅基薄膜太陽能電池中的制作工藝和性能.

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