T雙D芯-片LT雙E待多數(shù)模據(jù)卡終先端行分階段推進

本刊記者 | 魯義軒

為了推進TD-LTE芯片和終端在現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用，支持TD-SCDMA和GSM的TD-LTE多模終端方案已被列入TD-LTE規(guī)模試驗重點。

11月初，工信部公布了TD-LTE規(guī)模試驗的進展，并表示即將于年底開始的TD-LTE規(guī)模試驗第二階段將在終端環(huán)節(jié)推進TD-LTE多模終端的研發(fā)，產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)于TD-LTE多模終端的消息一時迅速增多。

對3GPP R9協(xié)議的功能性能驗證，也成為TDLTE規(guī)模試驗第二階段的重點。據(jù)悉，在設(shè)備方面，國內(nèi)大部分TD-LTE廠商已推出支持R9版本的TDLTE設(shè)備，國際企業(yè)近期也在積極行動。而在終端方面，支持R9協(xié)議的品牌還并不多。其中，華為近期推出了全球首款基于3GPP R9協(xié)議的TD-LTE多模終端芯片，打響了R9版本的多模終端第一炮。

四廠商年底推多模終端

11月21日，工信部電信研究院院長曹淑敏在業(yè)內(nèi)會議上又提到了TD-LTE終端測試的最新進展，即目前10家TD-LTE芯片廠商中的海思、創(chuàng)毅視訊、高通、Altair、中興微電子和Sequans等6家已完成了技術(shù)試驗的測試，而聯(lián)芯科技、展訊、重郵信科、意法愛立信正在加緊技術(shù)測試。

此前，參與TD-LTE技術(shù)測試和第一階段規(guī)模試驗的終端以單模方案為主，工信部和中國移動在TD-LTE第二階段規(guī)模測試中明確提出了多模要求。據(jù)工信部電信研究院沈嘉稱，TD-LTE除了本身新技術(shù)特征之外還有一個很大特色，是要與2G、3G系統(tǒng)共存，聯(lián)合發(fā)展，為了推進TD-LTE芯片和終端在現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用，支持TD-SCDMA和GSM的TD-LTE多模終端方案已被列入下一步TD-LTE規(guī)模試驗中。從穩(wěn)步推進的角度考慮，TD-LTE多模方案分為雙芯片雙待、單芯片雙待、單芯片單待等不同階段。

據(jù)悉，目前已有四家終端廠商表示將在今年年底提供多模數(shù)據(jù)卡或雙待手機。

雙芯片雙待成為多模初期方案

對于選擇雙芯片雙待的方式作為TD-LTE多模終端的引入方案，工信部TD-LTE工作組做了多方面考慮。據(jù)沈嘉解釋，終端的芯片要實現(xiàn)對多模的支持，并且要支持單待機，從技術(shù)實現(xiàn)上是比較復(fù)雜的。所以TD-LTE試驗中引入多模終端將從雙芯片多待的方式開始，即一個LTE單模芯片+TD-SCDMA/GSM商用芯片，組合形成雙芯片多模終端。

數(shù)字 30據(jù)相關(guān)機構(gòu)統(tǒng)計，通過中國移動在北美、歐洲和亞洲與移動通信運營商合作推動TD-LTE國際化應(yīng)用，截至2011年10月底國際上已經(jīng)建立超過30個TD-LTE試驗網(wǎng)絡(luò)。

對此，多家終端廠商在雙芯片多模數(shù)據(jù)卡或雙待手機已開始積極布局，將為LTE的應(yīng)用起到示范作用。

據(jù)稱，TD-LTE多模終端的單待機和雙待機方案各有優(yōu)劣，單待機方案在終端側(cè)這一角度上可以體現(xiàn)更優(yōu)的性能，減少終端的耗電，但單待方案的不足之處在于，LTE在短期內(nèi)不會支持語音，當(dāng)語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)并發(fā)的時候，或者在進行數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的時候發(fā)生語音呼叫，TD-LTE終端就會涉及從LTE模式轉(zhuǎn)移到3G模式的問題，需要克服不同技術(shù)下算法協(xié)議不同、延時等問題。所以TD-LTE多模終端初期會采用雙芯片雙待這樣盡管在性能上并不是最優(yōu)的，但更容易實現(xiàn)、在二階段規(guī)模測試和試商用初期更為穩(wěn)妥的方式。

沈嘉表示，長遠來看，TD-LTE多模終端還是本著單芯片單待的方向分步推進。“實現(xiàn)單芯片單待，芯片在工藝上需要提高，即采用40nm工藝，支持至少TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模。目前已有7家芯片將在明年提供單芯片多模終端，其他芯片廠商計劃在2012年底或2013年推出相應(yīng)產(chǎn)品。”

據(jù)悉，TD-LTE規(guī)模試驗即將在今年年底和明年上半年對雙芯片多模終端進行規(guī)模測試，明年下半年和后年將有望進行單芯片雙待、單芯片單待終端的測試。

單芯片 成熟度是關(guān)鍵

在這一大趨勢下，芯片企業(yè)似乎都加快了單芯片多模方案的研發(fā)和測試。據(jù)沈嘉稱，除了40nm工藝，單芯片多模方案還面臨一些技術(shù)挑戰(zhàn)，例如在一個芯片里實現(xiàn)不同網(wǎng)絡(luò)的靈活切換，就需要支持不同協(xié)議間的交互、協(xié)調(diào)算法問題。單芯片雙待方案還需要同時支持一個終端對兩個網(wǎng)絡(luò)信號的同時接收發(fā)送，這對能耗指標(biāo)也提出了挑戰(zhàn)。未來的TD-LTE單芯片單待方案，還要克服數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)和語音網(wǎng)絡(luò)間的切換等問題，保障呼叫延時最小化和呼叫成功率更高，這都要芯片終端企業(yè)以及設(shè)備商聯(lián)手努力解決。

根據(jù)工信部TD-LTE工作組的預(yù)測，多模數(shù)據(jù)卡、多模雙待手機、多模單待手機將分階段達到可商用水平。目前基于雙芯片的多模數(shù)據(jù)卡，在年底前有望實現(xiàn)商用水準(zhǔn)，基于單芯片的多模數(shù)據(jù)卡將在明年陸續(xù)推出并具備商用能力。

沈嘉表示，TD-LTE多模終端的逐步成熟取決于單芯片技術(shù)的成熟度，總體來看，手機的成熟速度滯后于數(shù)據(jù)卡。