胡亞萍,楊曉紅,張學(xué)忠,馬 勇
(重慶師范大學(xué)物理與電子工程學(xué)院,重慶,400047)
WO3是一種重要的過渡金屬氧化物半導(dǎo)體,它具有電致變色[1]、氣致變色、光致變色、催化和吸波等多種功能,在顯示器件、氣敏材料、節(jié)能材料和太陽能電池材料[2]等諸多領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。WO3的應(yīng)用功能同它的形貌與結(jié)構(gòu)有著直接的關(guān)系,通過在WO3基材料中摻雜不同的元素,可明顯地改善它的某些特性,例如提高其電致變色效果或增強其對氣體的靈敏度和選擇性等。本文通過對近年來摻雜WO3基材料研究的探討,從主族金屬摻雜、過渡金屬摻雜、稀土金屬摻雜、非金屬摻雜和多元摻雜5個方面介紹了摻雜WO3基材料的研究進展。
在WO3基材料中摻入其他物質(zhì)離子是改善其性質(zhì)的一種重要辦法,摻入不同種類的離子起到不同的改性效果。金屬摻雜是提高WO3基材料性能的重要手段之一。金屬一般以離子形態(tài)進入WO3中。摻雜金屬離子后的WO3性能會發(fā)生改變。
在WO3基材料中,摻雜適量的主族金屬元素能提高元件的氣敏性能。摻雜不同的元素,使元件具有不同的選擇性。摻雜的主族金屬元素的堿性越強,元件對酸性氣體的靈敏度越高。
徐甲強等[3]在對WO3基H2S氣敏材料的研究中驗證了20種元素?fù)诫s對WO3基H2S氣敏元件的影響。結(jié)果發(fā)現(xiàn),隨著主族元素Li、Na、K、Cs電負(fù)性的減小,元件對H2S氣體的靈敏度依次增大,說明金屬氧化物的堿性越強,WO3基H2S氣敏元件的靈敏度越高。這可能是由于堿性氧化物的摻雜有利于酸性H2S氣體的吸附,從而增大了WO3對H2S氣體的靈敏度。CaO、SrO、In2O3,過渡金屬氧化物ZrO2對H2S也有一定的增敏作用。A.Hoel等[4]用高頻感應(yīng)蒸發(fā)源蒸鍍法制備了摻雜Al的WO3厚膜,發(fā)現(xiàn)摻Al的WO3膜對H2S的敏感性比純WO3好,分辨力為純WO3膜的3倍。牛新書等[5]用共沉淀法制備了摻雜SnO20~10%(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)的SnO2-WO3氣敏粉體材料。研究表明,Sn4+的添加可抑制WO3晶粒的生長,提高其氣敏性能。經(jīng)500℃熱處理,摻雜量為0.5%的元件在160~200℃時對H2S氣體有很高的靈敏度,很好的選擇性及線性,可檢測的H2S氣體的濃度范圍也較大,而且響應(yīng)-恢復(fù)快,可研制成性能優(yōu)異的H2S氣敏元件。
Khatko等[6]制得了摻雜In納米WO3厚膜氣敏傳感器,研究了其對NO2、CO、NH3和乙醇?xì)怏w的敏感性能。發(fā)現(xiàn)該傳感器在100℃時對NO2具有最大的靈敏度,且在200℃和300℃時分別對NO2和CO具有選擇性。Kengo Shimanoe等[7]為了通過提高傳感器靈敏度來擴大可檢測的高NO2的濃度范圍,研究了通過添加極微量SnO2來控制WO3薄膜的微觀結(jié)構(gòu)。結(jié)果發(fā)現(xiàn),所研制的器件可檢測極低濃度的NO2,可檢測濃度范圍大(50~1000)×10-9,且靈敏度很高。其中,用摻雜了很小量SnO2納米顆粒的WO3薄片制作的器件靈敏度最高,如圖1所示。在200℃的空氣中對稀釋的NO2((100~1 000)×10-9)的靈敏度高達(dá)60~540。
圖1 200℃下傳感器靈敏度與NO2濃度的函數(shù)關(guān)系
鄧永和等[8]在三氧化鎢粉體材料中加入不同質(zhì)量比的金屬及金屬氧化物,于恒溫600℃燒結(jié)1h制成了傍熱式厚膜可燃性氣體敏感元件。實驗表明,摻入MgO的WO3元件對汽油的響應(yīng)-恢復(fù)時間提高了,同時大大降低了對其他的干擾氣體的敏感性。因此摻入MgO的WO3元件比較適合于開發(fā)氣體成分較復(fù)雜的快速反應(yīng)汽油敏感元件。在WO3粉體中摻入Al2O3可提高元件對丙酮、丁烷和汽油的靈敏度,而對乙醇的靈敏度卻隨Al2O3的添加量而緩慢下降。在Al2O3的摻雜為4%時,對丙酮、汽油、丁烷的靈敏度達(dá)到最大,以后隨Al2O3的添加量的增加,元件的靈敏度都下降,對汽油的靈敏度比乙醇高4倍以上。因此,添加一定質(zhì)量分?jǐn)?shù)的Al2O3基WO3也可應(yīng)用于汽油敏感元件的開發(fā)。
G.N.Chaudhari等[9]采用溶膠-凝膠法制得了WO3薄膜,為了提高其氣敏性摻入了不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的In2O3。研究得出摻雜5%In2O3的元件的靈敏度最高,從圖2中可以看出該元件在工作溫度高于250℃時對LPG(Liquid Petroleum Gas)有很好的選擇性。
由于過渡金屬元素本身具有熔點高、沸點高、硬度高、密度大、順磁性、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性好等特性,因此近些年來,在很多WO3基材料研發(fā)中,采用過渡金屬元素?fù)诫s來提高材料的某些性質(zhì):通過過渡金屬離子的摻雜,可抑制晶粒生長,提高材料的比表面積,提高材料對氣體的敏感度或材料的光催化活性;改變材料的禁帶寬度,提高響應(yīng)速度,優(yōu)化材料的電致變色性能。
圖2 LPG、CO、CH4和H2的氣敏性與工作溫度的關(guān)系
1.2.1 氣敏器件
桂陽海等[10]通過將黃鎢酸直接加熱分解,得到了三斜晶相和正交晶相共存的WO3粉末,然后將WO3加入Zn(NO3)2的溶液中制備了Zn2+摻雜的WO3氣敏材料。研究發(fā)現(xiàn),摻入Zn2+后能極大地提高元件對H2S的靈敏度,當(dāng)Zn2+摻雜量摩爾比為2%時,在200℃工作溫度下,對50×10-6H2S的靈敏度高達(dá)1 800,室溫時也達(dá)56。魏少紅等[11]采用共沉淀法制備了摻雜ZnS為0~0.2%的ZnS-WO3納米粉體。研究發(fā)現(xiàn),摻雜ZnS為1.0%的WO3燒結(jié)型氣敏元件,在160℃溫度下對10×10-6H2S的靈敏度達(dá)到87,響應(yīng)時間為7s,恢復(fù)時間為12s,是一種有應(yīng)用前景的H2S氣敏元件材料。
張召濤等[12]采用直流反應(yīng)磁控濺射法制備了Ti摻雜的WO3薄膜,然后,在350℃,450℃,550℃下退火1h。檢測發(fā)現(xiàn),經(jīng)450℃退火的薄膜對NO2氣敏性較好,在工作溫度為150℃時有很好的響應(yīng)-恢復(fù)特性,摻入適量的Ti可改變WO3薄膜的空間電荷層和抑制WO3晶體的生長。為了提高WO3基傳感器的靈敏度和選擇性,M.Stankova等[13]在WO3中摻入7種不同金屬(Pt,Au,Ag,Ti,SnO2,ZnO和ITO),結(jié)果發(fā)現(xiàn)摻Pt的WO3傳感器對NO2顯示出最高的靈敏度。
TiO2具有適宜的離子微觀結(jié)構(gòu)、高的化學(xué)穩(wěn)定性和機械性能,通過向WO3中摻雜Ti可顯著改善其穩(wěn)定性,加快響應(yīng)時間,延長壽命等。魏少紅等[14]采用溶膠-凝膠法制備了TiO2-WO3納米粉體材料。發(fā)現(xiàn)Ti4+的摻雜可抑制晶粒的生長,提高粉體材料的氣敏性能。其中摻雜TiO23%的燒結(jié)型氣敏元件在工作溫度為220℃的條件下對汽油有較高的靈敏度,抗干擾能力強,線性檢測范圍也較寬,有望研制成氣敏性能優(yōu)異的汽油敏感元件。
桂陽海等[15]以鎢酸鈉為原料,采用溶膠-凝膠法制備了WO3粉體,加入PdCl3溶液研磨制得摻Pd的WO3基氣敏材料元件。測試發(fā)現(xiàn)Pd摻雜可改變WO3氣敏元件的靈敏度和選擇性,在250℃工作溫度下對30×10-6H2S的靈敏度達(dá)到190,對100×10-6苯的靈敏度達(dá)到10,而純WO3元件對100×10-6苯的靈敏度僅為2。楊曉紅等[16]采用溶膠-凝膠法制備了摻鈀WO3薄膜。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)該薄膜遇到氣體H2時相對透光率變化大,響應(yīng)速度較快,且對工作溫度無嚴(yán)格要求,是理想的氣敏光學(xué)傳感器材料。王冬青等[17]在WO3粉體材料中加入一定質(zhì)量比的添加劑,并于恒溫600℃下燒結(jié)1h制成傍熱式厚膜乙醇?xì)饷粼Q芯拷Y(jié)果表明,WO3基元件中摻入0.5%的PdCl2在加熱功率為600mW下可制成反應(yīng)能力強、靈敏度高的乙醇?xì)饷粼?。吳廣明等[18]采用鎢粉過氧化形成聚鎢酸法制備了納米摻鈀WO3薄膜。研究發(fā)現(xiàn),在Pd與W摩爾比達(dá)1∶50時得到的氣致變色窗最佳響應(yīng)時間小于10s,在2min之內(nèi)700nm波長處的透過率變化超過60%。S.Sekimoto等[19]使用摻鉑的WO3薄膜作光纖氫氣傳感器的氫敏元件,發(fā)現(xiàn)摻鉑可以提高薄膜對氫氣的靈敏度,縮短響應(yīng)時間。姜淼等[20]以鎢酸為原料,加入有機絡(luò)合劑的無機鹽,采用溶膠-凝膠法合成了WO3薄膜。通過摻雜Pt制備了Pt/WO3薄膜材料,摻雜Pt有效地改善了薄膜的氣敏性能,在600℃下靈敏度達(dá)到4 100。賀文陽等[21]研究發(fā)現(xiàn)摻雜Pt 0.5%的WO3粉體材料制作的傍熱式氣敏元件,對丙酮的靈敏度比純WO3元件提高了約8倍,元件的響應(yīng)與恢復(fù)時間分別提高了約70%和88%。A.Hoel等[4]發(fā)現(xiàn)摻Au的WO3膜對H2S的氣敏性更好,其分辨力是純WO3膜的8倍。M.Stankova等[13]在WO3中分別摻雜7種不同的金屬來提高WO3傳感器的靈敏度和選擇性,發(fā)現(xiàn)摻Au、Ag的WO3傳感器在110℃工作溫度下適合于檢測H2S和NH3。Yasuhiro Shimizu等[22]在WO3薄膜中摻雜1.0%的Ag很好地提高了其在450℃下對SO2氣體的靈敏度和選擇性。貴金屬摻雜能很好地提高WO3材料的氣敏性能。
全寶富等[23]在WO3微粉料中摻入1%的不同金屬氧化物或相應(yīng)的金屬鹽,對WO3材料的氣敏特性產(chǎn)生了明顯的影響。在WO3中摻入Rh3+顯著提高了元件對乙醇?xì)怏w的靈敏度,而對H2、CO、CH4、C4H10等不敏感,且具有良好的響應(yīng)恢復(fù)特性;摻Th4+可顯著提高元件對H2S和乙醇的靈敏度,并且有較好的響應(yīng)恢復(fù)特性。張小水等[24]通過摻雜法制得了一系列不同Re2O7摻雜量的WO3粉體,經(jīng)測試發(fā)現(xiàn):適量摻雜Re2O7,不僅可以顯著降低WO3的電阻值,而且有利于提高WO3納米材料對VOCs(Volatile Organic Compounds)氣體的靈敏度;其中摻雜Re2O76%的燒結(jié)型氣敏元件在300℃工作溫度下對VOCs有較高的靈敏度和選擇性,是一種氣敏性能很好的VOCs氣敏元件。
1.2.2 光學(xué)器件
純WO3很難獲得穩(wěn)定的光催化性能,白秀敏等[25]以WO3作為主體摻雜金屬氧化物NiO來提高其光催化活性和光譜響應(yīng)范圍。在NiO摻雜適當(dāng)時,對于復(fù)合光催化劑來說摻雜抑制了WO3晶粒的生長,使其具有小的晶粒和大的比表面積,進一步提高了光催化活性。
X.F.Cheng等[26]采用浸漬涂布法在氧化銦-錫玻璃上制備了WO3薄膜和摻鋅WO3薄膜。通過摻雜適量的Zn,促使WO3晶格能更有效地吸收可見光,產(chǎn)生更多的光電流,增強了WO3的光電流和光活性,提高了WO3光電元件的性能。
E.Cazzanelli等[27]采用直流磁控濺射法首次制備了混合鎢-釕氧化物薄膜。研究發(fā)現(xiàn),釕的摻入不僅略微地增加了薄膜的多孔性,也導(dǎo)致薄膜允許紅光區(qū)域的光透過,釕的摻雜對薄膜的電學(xué)特性和光學(xué)特性有一定的影響。
1.2.3 電學(xué)器件
Hu Yuanrong等[28]采用中頻雙靶磁控濺射法制備了Ti摻雜WO3薄膜,并研究了其電致變色性質(zhì)。發(fā)現(xiàn)WO3摻雜Ti后其吸收光譜向短波方向移動,同時,摻雜Ti的膜的表面變得更加平滑以及注射和萃取離子的通道數(shù)目增加。摻雜Ti 5.1%的WO3膜響應(yīng)速度更快,壽命增加到6 500次,是純電致變色WO3膜的4倍多。
V.Makarov等[29]以粉體WO3、NaCO3、MnO2為原料采用傳統(tǒng)制瓷技術(shù)制備了Na、Mn摻雜的WO3陶瓷。測試發(fā)現(xiàn),該元件呈現(xiàn)出非線性的電流-電壓特性,在低電壓變阻器方面有很好地應(yīng)用前景。趙洪旺等[30]采用傳統(tǒng)陶瓷工藝制備了一系列摻雜CuO的WO3陶瓷樣品。檢測發(fā)現(xiàn),微量的CuO摻雜能夠促進WO3陶瓷的致密化和晶粒生長,摻雜CuO摩爾分?jǐn)?shù)為0.2%的WO3陶瓷具有線性伏-安特性和極小的電阻率。CuO含量的繼續(xù)增加,導(dǎo)致樣品的非線性電學(xué)行為和電阻率又獲得恢復(fù)。
賈小東等[31]采用脈沖電沉積法制備了摻鈷和純WO3薄膜,通過兩者的結(jié)構(gòu)特性和電致變色特性的對比,發(fā)現(xiàn)鈷元素的摻雜對WO3薄膜的這些特性均產(chǎn)生一定的影響,不僅改變了薄膜的循環(huán)伏-安曲線形狀,而且也改變了薄膜的透射光譜。
張旭蘋等[32]對氧化鉬摻雜氧化鎢電致變色薄膜的顯示特性進行了研究,結(jié)果表明,與純氧化鎢薄膜相比,摻雜MoO3的氧化鎢的響應(yīng)速度更快,著色效率更高。摻雜后的氧化鎢薄膜的光吸收峰值向高能方向移動,與人眼睛感光的最敏感區(qū)域更接近。當(dāng)摻雜量為8%時,禁帶寬度降低到2.88eV,使氧化鎢薄膜的光譜特性得到改善。
在WO3基材料中摻雜稀土金屬元素離子,可抑制晶粒生長,增大材料的比表面積,提高WO3基材料對氣體的靈敏度或其光催化效率;可提高材料表面氧缺位,拓寬元件對可見光的響應(yīng)范圍;可改善WO3基材料的非線性電學(xué)特性。
桂陽海等[15]以鎢酸鈉為原料,十六烷基三甲基溴化銨CTAB為助劑,采用溶膠-凝膠法制備了摻雜三氧化鎢粉體材料。檢測發(fā)現(xiàn),摻雜La極大地提高了WO3基氣敏材料對苯的靈敏度,摻雜La3%的元件對H2S和NOx選擇性較好。全寶富等[23]發(fā)現(xiàn)在WO3中摻入Ce4+可顯著提高其對H2S的靈敏性。牛新書等[33]采用固相研磨法制得了一系列摻Sm3+的WO3納米粉體,并制成燒結(jié)型氣敏元件。測試發(fā)現(xiàn),摻雜Sm3+0.5%的元件在160℃下對30×10-6NO2氣體的靈敏度高達(dá)169,響應(yīng)時間為8s,是一種較為理想的低溫NO2氣敏元件。牛新書等[34]研究發(fā)現(xiàn),摻La2O35.0%在600℃下燒結(jié)制得的WO3氣敏元件對丙酮有較高的靈敏度和選擇性,對體積分?jǐn)?shù)為50×10-6的丙酮的靈敏度達(dá)37.6,響應(yīng)時間和恢復(fù)時間分別是1s和11s,是一種較理想的氣敏元件。羅世鈞等[35]采用溶膠-凝膠法制備了摻雜不同含量CeO2的WO3納米粉體。研究發(fā)現(xiàn),CeO2的摻雜使材料晶粒減小,比表面積增大,優(yōu)化了材料的氣敏特性。摻雜CeO2摩爾分?jǐn)?shù)為5%的WO3對50×10-6的二甲苯、甲苯、苯的靈敏度與純WO3相比有顯著提高。
趙娟等[36]采用固相燒結(jié)法制備了摻雜Y3+0.05%的WO3粉體催化材料。通過研究發(fā)現(xiàn),摻雜Y3+0.05%可使WO3樣品的光譜響應(yīng)范圍向可見光區(qū)拓展,在Fe3+存在的條件下,經(jīng)600℃焙燒的樣品的可見光催化分解水產(chǎn)氧速率達(dá)161.3μmol/(L·h),是未摻雜WO3的1.7倍。羅莎等[37]采用低溫固相法在空氣氣氛下焙燒4h制備了La3+摻雜WO3粉體系列光催化劑。研究發(fā)現(xiàn),400℃溫度下焙燒的La3+摻雜量為0.05%的WO3樣品在紫外光照射下,12h內(nèi)平均析氧速率可達(dá)195.8μmol/(L·h),比未摻雜WO3粉體提高了1.44倍。杜俊平等[38]采用低溫固相法制備了摻雜Pr3+0.05%的WO3超細(xì)粉體材料。研究發(fā)現(xiàn),Pr3+摻入減少了樣品表面晶格氧的含量,拓展了樣品對可見光的響應(yīng)范圍,提高了其光催化活性。在可見光照射下,樣品光解水產(chǎn)氧速率達(dá)196.64μmol/(L·h),是純WO3的2倍。劉華俊[39]采用液相沉淀法以Na2WO4和C12H25NH3-Cl為原料制備了WO3納米粉體,再用稀土硝酸銪浸漬法制備了銪摻雜的WO3納米粉體。研究發(fā)現(xiàn),銪摻雜使WO3吸收光譜發(fā)生了紅移,光吸收能力增強,對可見光的利用率提高,對羅丹明B的光催化降解效率和光穩(wěn)定性得到顯著提高。劉華俊等[40]研究發(fā)現(xiàn)Tb3+離子的摻雜擴大了WO3的光吸收頻率范圍,增大了其在可見光區(qū)的吸收強度,提高了可見光利用率和光催化降解羅丹明B的效率。
戴君等[41]研究了Y2O3摻雜對WO3陶瓷的非線性伏-安特性及介電性能的影響。結(jié)果表明,隨Y2O3摻雜量的增加,樣品的非線性系數(shù)及樣品的介電常數(shù)均是先增大后減小,非線性系數(shù)在Y2O3摻雜量為0.8%附近達(dá)到最大值3.61,介電常數(shù)的最大值1.16×104出現(xiàn)在Y2O3摩爾分?jǐn)?shù)為1.2%附近的樣品中。Y2O3摻雜的WO3陶瓷是一種新型的壓敏-電容材料。董亮等[42]在磁控濺射儀上用直流Ce和W共同濺射方法制備了薄膜樣品,經(jīng)550℃退火1h后,得到Ce摻雜的WO3基薄膜。研究發(fā)現(xiàn),Ce的摻雜改變了WO3薄膜的表面形貌,Ce摻雜WO3薄膜材料的非線性系數(shù)隨Ce的濺射功率先增大后減小,WO3薄膜在Ce的濺射功率為40W時非線性系數(shù)最大,達(dá)到7.92。郭娜等[43]采用傳統(tǒng)電子陶瓷工藝制備了納米Gd2O3摻雜的WO3陶瓷。研究發(fā)現(xiàn),小劑量的納米Gd2O3摻雜能顯著改善WO3陶瓷的非線性電學(xué)特性。
人們大都是通過金屬離子摻雜來改變WO3材料的特性,也有研究者對非金屬摻雜的WO3進行了研究,因采用的原料和方法不同,結(jié)果差別較大。
金文銳等[44]研究發(fā)現(xiàn)摻碳納米管(CNT)的CNT-WO3傍熱式氣敏元件對丙酮的靈敏度遠(yuǎn)高于純WO3元件,且摻雜碳納米管能明顯提高WO3元件的響應(yīng)速度,摻雜0.4%的元件對丙酮有最高靈敏度,具有檢測低體積分?jǐn)?shù)(5~75)×10-6丙酮氣體、選擇性好的優(yōu)點。蔣凱等[45]采用沉淀法制備了單斜晶系和三斜晶系共存的WO3納米粉體,研究發(fā)現(xiàn)摻SiO2可抑制晶粒的生長,并且晶粒尺寸隨SiO2摻雜量的增加而減小。杜開放等[46]以鎢粉和正硅酸乙酯為原料制備了WO3-SiO2納米復(fù)合薄膜。研究發(fā)現(xiàn),SiO2的摻入增大了薄膜的厚度,降低了薄膜折射率,降低了膜表面平整度,增大了顆粒尺寸,提高了氣致變色響應(yīng)速率。魏少紅等[47]采用溶膠-凝膠法制得了不同摻雜量的SiO2-WO3納米粉體,并制成燒結(jié)型氣敏元件。發(fā)現(xiàn)摻雜SiO23%的氣敏元件在150℃工作溫度下對NO2有很好的靈敏度,選擇性高,響應(yīng)-恢復(fù)迅速,有較好的應(yīng)用前景。鄧永和等[8]研究發(fā)現(xiàn)SiO2摻雜提高了WO3元件對丙酮、汽油的靈敏度,摻SiO2在4%附近的元件對丙酮和汽油的靈敏度最大,對于研制丙酮和汽油敏感元件是有利的。徐甲強等[3]發(fā)現(xiàn)摻SiO2的WO3元件對H2S氣體有很高的靈敏度。
César O.Avellaneda等[48]采用溶膠-凝膠法以過氧化鎢酸為原料制備的磷摻雜WO3薄膜具有良好的電致變色性質(zhì),在電致變色器件方面有一定的應(yīng)用前景。為了提高WO3材料的響應(yīng)速度,劉明志等[49]向WO3中摻雜PEO(聚氧化乙烯),采用正交設(shè)計試驗得出了摻雜PEO的非晶態(tài)WO3薄膜的最佳配液參數(shù)為:w(W粉)∶w(PEO)∶φ(H2O2)∶φ(無水乙醇)∶φ(冰乙酸)=1∶0.02∶3.33∶3∶2.17。摻雜一定量的PEO有利于加快WO3薄膜中離子、電子的傳導(dǎo)率,加快薄膜的響應(yīng)速度,同時也提高了薄膜的電致變色性能。
單一摻雜可以提高材料某一方面的性能,多元摻雜可以提高材料多方面的性能,一些研究者對多元摻雜WO3材料進行了研究。
徐甲強等[3]發(fā)現(xiàn)V、Au、Sb的摻雜分別為1.0%、0.5%、0.5%,經(jīng)600℃熱處理得到的WO3燒結(jié)型氣敏元件,在工作溫度為285℃時對H2S的敏感性最高。為了克服單一WO3作為EC層時的缺點,周杰等[50]采用溶膠-凝膠法在純鎢酸溶膠中摻雜TiO2、CrO3、PEO等制備了穩(wěn)定且電致變色性能良好的四元摻雜WO3薄膜材料。經(jīng)最佳配方即WO3、CrO3、TiO2摩爾比為10∶2.8∶0.7以及PEO為1g制得的四元摻雜的鎢酸溶膠可以穩(wěn)定數(shù)十天甚至兩個月以上。經(jīng)200℃熱處理后的摻雜WO3薄膜材料為非晶態(tài),具有良好的電致變色性能,其可見光范圍內(nèi)的變色效率約為40%,驅(qū)動電壓僅為2V,響應(yīng)速度低于1s,開路延時記憶達(dá)10d以上,有望用作大面積無視盲角顯示器件的電致變色顯示材料。
通過以上綜述可以得出:人們對WO3的摻雜改性研究主要集中在過渡金屬離子、稀土元素離子及其化合物,而堿金屬、堿土金屬等主族金屬及非金屬摻雜改性研究卻較少。通過不同物質(zhì)的適當(dāng)摻雜,主要從以下3個方面提高了WO3基材料的性能:一可以抑制晶粒生長,增大材料的比表面積,提高WO3基材料對氣體的靈敏度或其光催化效率;二可以提高材料表面氧缺位,拓寬元件對可見光的響應(yīng)范圍;三可以改善WO3基材料的非線性電學(xué)特性。尋找新的制備方法及最佳摻雜比,仍是今后值得關(guān)注的重要課題。
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