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      添加劑對鈦酸鎂陶瓷性能影響的研究進(jìn)展

      2012-02-15 16:43:36王宇光杜仕文王香云王來福鄭隆芝
      陶瓷學(xué)報 2012年1期
      關(guān)鍵詞:鈦酸電性能介電常數(shù)

      王宇光 杜仕文 王香云 王來福 鄭隆芝

      (濟(jì)寧學(xué)院化學(xué)與化工系,山東曲阜273155)

      0 引言

      鈦酸鎂陶瓷是一種重要的微波介質(zhì)材料,其原料豐富,成本低廉[1,2]。以鈦酸鎂陶瓷為主要原料開發(fā)的GPS天線、介質(zhì)濾波器及諧振器在通信產(chǎn)業(yè)中已經(jīng)得到了廣泛應(yīng)用[3]。作為微波介質(zhì)陶瓷材料,其介電性能應(yīng)滿足如下要求:(1)在微波頻率下具有合適的介電常數(shù);(2)較高的品質(zhì)因數(shù)(Q×f值);(3)在-50~+100℃溫度范圍內(nèi)τf要盡量接近于零[4]。由于三項介電性能相互制約,且鈦酸鎂陶瓷燒結(jié)溫度高,達(dá)1400余℃,燒結(jié)范圍窄[3]。因此,降低其燒結(jié)溫度、拓寬燒結(jié)范圍,保證其介電性能滿足相應(yīng)要求一直是廣大材料科學(xué)家關(guān)注的問題。解決該問題,無一例外地采用了摻雜添加劑的方式。當(dāng)前有關(guān)添加劑對鈦酸鎂陶瓷性能影響研究進(jìn)展的報道不多,本文將著重對添加劑對其性能影響的研究現(xiàn)狀進(jìn)行綜述。

      1 鈦酸鎂陶瓷性能簡介

      鈦酸鎂是一種典型微波介質(zhì)材料,在微波頻段內(nèi)有優(yōu)異介電性能:MgTiO3,εr=17,Q×f=16000(7GHz), τf=-50×10-6/℃[5];Mg2TiO4介電常數(shù)和介質(zhì)損耗都比較小,εr=14,介電損耗達(dá)10-4數(shù)量[4]。但鈦酸鎂燒結(jié)溫度高達(dá)1450℃,且燒結(jié)溫度范圍窄,不易燒結(jié)[4,5]。

      2 添加劑對鈦酸鎂陶瓷性能影響的研究進(jìn)展

      2.1 對Mg2TiO4基陶瓷性能的影響

      Mg2TiO4陶瓷具有負(fù)溫度系數(shù),通常加入有正溫度系數(shù)的材料來調(diào)節(jié),使其達(dá)到近零的溫度系數(shù)。但其燒結(jié)溫度高,如何通過摻雜添加劑來降低燒結(jié)溫度,是該領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。

      崔劍飛[6]等研究了La2O3對Mg2TiO4陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)與微波介電性能的影響,引入La2O3后,體系中出現(xiàn)新晶相La0.66TiO2.99,當(dāng)La2O3摻入量為3mol%,燒結(jié)溫度降為1420℃時,Q值在10GHz下達(dá)到16558。

      為進(jìn)一步降低Mg2TiO4基陶瓷燒結(jié)溫度,林曼紅等[8]人采用Mg2SiO4(Mg2SiO4微波介電性能為εr=6~7,Q×f=50000~60000GHz,τf=(-60~-50)×10-6/℃[7])與Mg2TiO4復(fù)合,并研究了添加不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的Co2O3對Mg2TiO4-Mg2SiO4基微波低介瓷料微觀結(jié)構(gòu)及介電性能的影響,當(dāng)添加2.4%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的Co2O3時,瓷料的燒結(jié)溫度只有1160℃,此時陶瓷的損耗最小可達(dá)到0.15×10-4(即Q=1/tanδ=77000),絕緣電阻率>1014Ω·cm,介電常數(shù)控制在11~12。從林等的研究表明,適量的添助劑與主晶相固溶會改善材料的燒結(jié)狀況。由于Cu2+半徑為0.072nm[9,10],Mg2+半徑為0.07nm[3,10],兩者非常相近。因此,王美娜[11]等研究了CuO對該體系(Mg2TiO4和CaTiO3質(zhì)量比為0.94∶0.06)陶瓷介電性能的影響。結(jié)果表明:添加CuO明顯降低了燒結(jié)溫度,當(dāng)添加CuO的量為0.5%,燒結(jié)溫度為1360℃,燒結(jié)體的體積密度達(dá)到3.48g/cm3。在10KHz下,介電常數(shù)達(dá)19.07,介電損耗為0.0017。燒結(jié)體的主晶相為Mg2TiO4,次晶相為CaTiO3,同時含有少量MgTiO4,燒結(jié)體晶粒發(fā)育良好,平均晶粒尺寸為10~20μm。

      在微波基片、雷達(dá)天線等領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用中,常需要相對低的介電常數(shù)且具有良好微波性能的材料,Mg2TiO4基陶瓷無疑是其重要材料之一。進(jìn)一步研究降低其燒結(jié)溫度方式及摻雜改性,對開發(fā)該新型低介電常數(shù)微波介質(zhì)材料具有重要意義。

      2.2 對MgTiO3基陶瓷性能的影響

      2.2.1 MgTiO3體系

      相對于Mg2TiO4基陶瓷材料,MgTiO3基材料是一種較為成熟的微波介質(zhì)材料,具有高Q×f值,是一種典型的溫度補(bǔ)償電容器和諧振材料。

      王康宋等[1]研究了Al2O3對合成MgTiO3陶瓷燒結(jié)性、物相組成和微波介電性能的影響。結(jié)果表明:Al2O3的引入降低了MgTiO3陶瓷的燒結(jié)密度,并且增加了材料的氣孔率;Al2O3在MgTiO3相和MgTi2O5相中皆能產(chǎn)生固溶,固溶飽和后,Al2O3在MgTiO3陶瓷中,以MgAl2O4形式存在,該相的出現(xiàn)降低了陶瓷的介電常數(shù),當(dāng)Al2O3的加入量為10wt%時,MgTiO3陶瓷的相對介電常數(shù)降至14.77,其介電損耗則隨著Al2O3的引入量的增加先上升后下降。盧正東等[4]以MgO,Co2O3和TiO2為原料,制備了(Mg1-xCox)TiO3(MCT)系陶瓷,并研究了CoTiO3含量對其微觀結(jié)構(gòu)和微波介電性能的影響。結(jié)果表明:添加適量的CoTiO3可以適當(dāng)降低燒結(jié)溫度,調(diào)整燒結(jié)溫度范圍。當(dāng)摻入量為10mol%,燒結(jié)溫度為1350℃時,MCT陶瓷具有優(yōu)良微波介電性能:εr=1899,Q×f=154000 GHz,τf=-45ppm/℃。為了在降低其燒結(jié)溫度的同時,不過于影響其介電性能,李亮等[5]研究ZnO含量對MgTiO3陶瓷微觀結(jié)構(gòu)和微波介電性能的影響,結(jié)果表明:添加適量的ZnO,可有效降低燒結(jié)溫度,拓寬燒結(jié)溫度范圍。在(Mg1-xZnx) TiO3體系中,當(dāng)X(ZnO)為30%,燒結(jié)溫度為1250℃時,MZT陶瓷具有優(yōu)良微波介電性能,εr為16~18,Q×f為90000GHz,τf為-5.1×10-7/℃。為研究如何更好地降低燒結(jié)溫度,Zhang等[12]研究了Bi2O3-V2O5對MgTiO3基陶瓷介電性能及燒結(jié)溫度的影響,并得到良好效果。摻入Bi2O3-V2O5后,燒結(jié)溫度從1400℃降到875℃,當(dāng)摻入5.0mol%Bi2O3和7mol%V2O5時,εr= 20.6,Q×f=10420GHz(6.3GHz下)。

      2.2.2 MgTiO3-CaTiO3復(fù)合體系

      MgTiO3具有負(fù)的諧振頻率溫度系數(shù)τf,因此需要摻入具有正溫度系數(shù)的材料,從而使其滿足相關(guān)實(shí)用要求,不少材料科學(xué)家采用摻入與MgTiO3有相反溫度系數(shù)材料的方法來改善其諧振頻率溫度系數(shù)。如摻入具有正溫度系數(shù)的CaTiO3、SrTiO3(CaTiO3的τf= 8×10-4℃-1,SrTiO3的τf=16.7×10-4℃)[13],該摻雜方法取得良好效果,受到研究工作者的青睞。

      在與CaTiO3形成MgTiO3-CaTiO3復(fù)合體系中,鄧超[14]等研究了在MgTiO3粉體中摻入CaTiO3以調(diào)節(jié)MgTiO3陶瓷的介電常數(shù)及溫度系數(shù),摻入Nb2O3或CeO2改善其Q×f值、絕緣特性及微觀形貌。結(jié)果表明,在摻入CaTiO3后調(diào)節(jié)了MgTiO3粉體的τf,得到τf為±10-5℃-1的陶瓷材料,并從實(shí)驗數(shù)據(jù)中觀察到τf的改變具有線性關(guān)系。同時摻入Nb2O3或CeO2可以改善MgTiO3陶瓷的Q×f值及其絕緣性。

      據(jù)報道,當(dāng)Mg∶Ca=95∶5(95MCT)時,該體系可獲得最佳的介電性能:εr=20~21,Q×f≈56000GHz (7GHz下),τf≈0/℃。楊秀玲[15]等研究了V2O5,Co2O3, ZnO氧化物摻雜對95MCT陶瓷結(jié)構(gòu)特性和介電性能的影響。結(jié)果表明:摻雜V2O5,Co2O3,ZnO氧化物的95MCT陶瓷的主晶相為MgTiO3和CaTiO3兩相結(jié)構(gòu),無中間相MgTi2O5出現(xiàn)。V2O5,Co2O,ZnO氧化物的摻雜,可以有效的降低95MCT陶瓷的燒結(jié)溫度,提高密化程度,其中Co2O3,ZnO可將燒結(jié)溫度降至1250℃。摻雜V2O5,Co2O3,ZnO氧化物可以改善95MCT陶瓷介電性能,降低介電損耗,調(diào)節(jié)溫度系數(shù)。ZnO摻雜的95MCT陶瓷的性能最好:損耗降低至10-5,溫度系數(shù)為0.12×10-5/℃。另據(jù)報道,Zn-Nb2O6屬于一種低燒的微波介質(zhì)陶瓷體系(其燒結(jié)溫度為1150℃),具有優(yōu)良的微波介電性能:Q×f=87300GHz,εr=25,τf=-5.6×10-6/℃。因此,黃勇等[16]用Nb2O5替換V2O5,Co2O3,研究了用CaTiO3,ZnNb2O6摻雜改善MgTiO3基微波介電性能,符合并證實(shí)了上述報道的數(shù)據(jù)。實(shí)驗結(jié)果表明,5%(原子分?jǐn)?shù))CaTiO3、6%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))ZnNb2O6摻雜得到的MgTiO3可在1300℃下燒結(jié),且具有優(yōu)異的微波介電性能:εr=21,τf=0,Q×f=130000(13GHz)。

      另外,焦向全[7]等還研究了Mg2SiO4對MgTiO3-CaTiO3體系的影響。焦等人先分別合成MgTiO3,CaTiO3和Mg2SiO4,在 0.92MgTiO3-0.08CaTiO3配比的基礎(chǔ)上,制備不同Mg2SiO4添加量的MgO-TiO2-CaO-SiO2復(fù)合陶瓷體系,并研究了Mg2SiO4添加量對其結(jié)構(gòu)、微觀形貌及微波介電性能的影響。結(jié)果表明,體系致密化燒結(jié)溫度隨Mg2SiO4添加量的增加而提高。當(dāng)添加質(zhì)量分?jǐn)?shù)為35%的Mg2SiO4,體系在1360℃燒結(jié)兩個小時可獲得優(yōu)異的微波介電性能:εr=15.5,Q×f= 42640GHz(6GHz),τf=-13×10-6℃-1。

      不少文獻(xiàn)資料指出,摻雜玻璃料作助熔劑,可以大幅度降低該材料燒結(jié)溫度并適當(dāng)改善介電性能,很多材料工作者對其作了研究。顏海洋等[17]以PbO,B2O3,Bi2O3,SiO2為原材料混合在1240℃下保溫3min,用淬冷法制成玻璃G,并研究了向(Mg1-xCax)TiO3(x≈0~0.1)體系中添加G對其介電性能的影響。結(jié)果表明:當(dāng)向鈣鎂比為95∶5添加質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3.5%玻璃G時,其損耗值可達(dá)最小。但顏等對向MCT體系中加入玻璃引起的性能改變只作了初步探討,為進(jìn)一步探究玻璃相對MgTiO3基陶瓷燒結(jié)和介電性能影響的具體情況,朱海奎]3[等研究了H3BO3,CaO- SiO2-B2O2玻璃料及V2O5的添加劑對MgTiO3陶瓷的燒結(jié)和介電性能的影響。結(jié)果表明:H3BO3,CaO-SiO2-B2O2玻璃料的添加使 MgTiO3陶瓷能在1240~1300℃之間燒結(jié)。其中以添加了3%(質(zhì)量數(shù),下同)的H3BO3,V2O5和1%的CaO-SiO2-B2O2玻璃料為最好。添加上述比例時,MgTiO3陶瓷的介電常數(shù)分別為20.8和17.5和19.8,在5~20MHz下,介電損耗低,多在10-4數(shù)量級上,在10KHz下,介電常數(shù)的溫度系數(shù)在-66×10-6/℃左右。童建喜等[18]研究了Li2O-B2O3-SiO2玻璃(LBS)對MgTiO3-CaTiO3系陶瓷燒結(jié)性能的影響。通過液相燒結(jié),LBS能將MCT燒結(jié)溫度降至890℃。當(dāng)添加質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%LBS時,0.97MgTiO3-0.03CaTiO3陶瓷在890℃燒結(jié)4h,獲得最佳性能:εr=16.4,Q×f=11640GHz,τf=-1.5ppm/℃。

      從上述研究中可以看出,雖然玻璃相的加入能降低陶瓷燒結(jié)溫度,改善其部分介電性能,但由于玻璃料本身的相對介電常數(shù)較小,只有6左右[3],卻導(dǎo)致了介電損耗的增加。

      2.2.3 MgTiO3-SrTiO3及其他復(fù)合體系

      在與SrTiO3形成MgTiO3-SrTiO3體系中,日本學(xué)者Cho等[19]對(1-x)MgTiO3-xSrTiO3體系的微波介電性能進(jìn)行研究。結(jié)果表明,當(dāng)SrTiO3摻入量為0.036時,在1270℃保溫2h,可獲得近零的溫度系數(shù),介電性能如下:τf=1.3ppm/℃,εr=20.76,Q×f=71000GHz。為進(jìn)一步降低該體系的燒結(jié)溫度,Cho[9]研究了B2O3及CuO對MgTiO3-SrTiO3體系介電性能及燒結(jié)溫度的影響。當(dāng)摻入2wt%時,使燒結(jié)溫度從原來的1270℃降至1170℃,其介電性能并未發(fā)生下降。

      除上述外,還有很多材料科學(xué)家采用其他物質(zhì)與MgTiO3復(fù)合并研究了它們的性能。Huang等[20]對(1-x)MgTiO3-xCa0.6La0.8/3TiO3(MCLT)體系微波介質(zhì)陶瓷的相關(guān)性能進(jìn)行了研究,當(dāng)x=0.15,1275℃保溫4h,可以獲得近零的溫度系數(shù),其介電性能如下:εr=25. 45,Q×f=82500GHz,τf=0.5 ppm/℃。另外,Chen等[21]對(1-x)(Mg0.95Co0.05)TiO3-xCa0.6La0.8/3TiO3體系進(jìn)行了研究。摻入Co后,(Mg0.95Co0.05)TiO3陶瓷具有優(yōu)異的介電性能,εr=16.8,Q×f=230000GHz(10GH z下),τf= -54ppm/℃。當(dāng)x=0.2時,該體系(82MCLT)可獲得近零的溫度系數(shù),介電性能為:εr=25,Q×f=90000GHz (8GHz下)。陶鋒燁[22]等按材料配方(摩爾分?jǐn)?shù)):(MgxCa1-x)T iO3+A(N2O5,La2O3)+B(NiO,ZnO等),0.9<=x<1,A,B為<=1%,研究了Ca,Nb,La,Zn,Ni等對MgTiO3微波介質(zhì)材料進(jìn)行摻雜改性。在研究中得出,少量Nb、La的加入可以適當(dāng)降低(MgxCa1-x)TiO3的燒結(jié)溫度,但隨著Nb、La量的繼續(xù)增加,其燒結(jié)溫度已無明顯變化;隨著Zn、Ni含量的增加,瓷料的燒結(jié)溫度也隨著明顯下降,當(dāng)添加量為1%時,其燒結(jié)溫度降到1240℃。這分別與崔劍飛[6]及李亮等[5]研究所得相一致。

      3 結(jié)語

      諸多實(shí)驗表明,通過摻雜不同的添加劑可以在一定程度上改變陶瓷的燒結(jié)溫度、介電性能,但都具有一定的局限性。例如,玻璃相的摻雜可以大幅度降低該材料的燒結(jié)溫度,但隨著玻璃相摻雜量的增加,會不可避免的導(dǎo)致介電損耗的增加。由于Mg2TiO4、MgTiO3都具有負(fù)的諧振頻率溫度系數(shù)τf,為保證陶瓷器件工作的穩(wěn)定性,要盡量使其τf接近于零,因此需要摻入具有正溫度系數(shù)的材料,從而使其滿足實(shí)用要求。摻雜CaTiO3、Mg2SiO4等雖可以使τf≈0,但純CaTiO3燒結(jié)溫度較高,達(dá)1380℃,燒結(jié)溫度范圍窄,高溫晶粒長大快[18]。純Mg2SiO4的燒結(jié)溫度也在1200℃左右。由于該種材料的三項介電性能相互制約,如何能在協(xié)調(diào)頻率溫度系數(shù)的同時不影響到此類材料的近零τf值及高Q×f值,需要進(jìn)行更多的實(shí)驗及理論研究。在今后的研究工作中,可以嘗試摻雜新的添加劑,或者尋找較易獲得的具有正諧振頻率溫度系數(shù)的材料以替換CaTiO3、Mg2SiO4,試驗找到更為簡便優(yōu)異的添加改善方法,使得鈦酸鎂陶瓷實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)實(shí)用化,滿足對其日益增長的需求。

      1王康宋,羅瀾,陳瑋等.Al2O3添加劑對合成MgTiO3陶瓷相組成及介電性能的影響.無機(jī)材料學(xué)報,2002,17(3):509~514

      2徐延獻(xiàn).電子陶瓷材料.天津:天津大學(xué)出版社,1993

      3朱海奎,劉敏,周洪慶等.添加劑對MgTiO3陶瓷性能的影響.硅酸鹽通報.2005,(4):24~26

      4盧正東,沈春英,丘泰.(Mg1-xCox)TiO3基微波陶瓷介電性能研究.硅酸鹽通報,2010,29(2):284~287

      5李亮,沈春英,丘泰.(Mg1-xZnx)TiO3系陶瓷微波介電性能的研究.電子元件與材料,2008,27(10):38~40

      6崔劍飛,陳瑋,王乃剛等.添加La2O3對Mg2TiO4陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)與微波介電性能的影響.無機(jī)材料學(xué)報,2003,18(1):180~184

      7焦向全,鐘朝位,張樹人.MgO-TiO2-CaO-SiO2低介質(zhì)微波介質(zhì)陶瓷材料研究.電子元件與材料,2010,29(2):24~27

      8林曼紅,吳霞宛,李玲霞等.添加Co2O3對微波低介電常數(shù)陶瓷機(jī)械品質(zhì)因數(shù)的影響.硅酸鹽學(xué)報,2003,31(12):1175~1183

      9 CHO W W,KAKIMOTO K,OHSATO H.Microwave dielectric properties and low-temperature sintering of MgTiO3-SrTiO3ceramics with B2O3or CuO.Materials Science and Engineering B,2005,121:48~53

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      14鄧超,張樹人,唐斌等.純鈦酸鎂的制備及改性研究.電子元件與材料,2009,28(12):9~11

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      22陶鋒燁,葛迪云,張火榮.MgTiO3微波介質(zhì)介電性能的改善研究.電子元件與材料,2003,2(2):28~30

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