恩智浦半導體日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm×2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN（分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨特的側(cè)焊盤提供光學焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。

即將面世的新型PMPB11EN和PMPB20EN30VN溝道MOSFET是采用恩智浦DFN2020MD-6(SOT1220)封裝的20多類器件中率先推出的兩款產(chǎn)品。這兩款MOSFET的最大漏極電流(ID)大于10 A、10 V時的超低導通電阻Rds(on)分別為12 mΩ（典型值）和 16.5 mΩ（典型值），因此導通損失小，功耗更低，電池使用壽命更長。

新型 DFN2020MOSFET高度僅為 0.6 mm，比當今市場上大多數(shù)2 mm×2 mm的產(chǎn)品更加輕薄，是智能手機和平板電腦等便攜應用設備中超小型負載開關、電源轉(zhuǎn)換器和充電開關的理想之選。該款MOSFET還適用于其他空間受限應用，其中包括直流電機、服務器和網(wǎng)絡通信以及LED照明，在這類應用中功率密度和效率尤為關鍵。DFN2020的封裝尺寸僅為標準SO8封裝的八分之一，提供與其相當?shù)臒嶙?，能夠代替具有相同導通電阻Rds(on)值范圍的許多大型MOSFET封裝，如SO8封裝、3 mm×3 mm封裝或TSSOP8封裝。

新型MOSFET提升了恩智浦超小型無引腳MOSFET產(chǎn)品線，截止到今年年末將有超過60種封裝，封裝尺寸為2 mm×2 mm或1 mm×0.6 mm。如今，恩智浦是超小型低導通電阻Rds(on)MOSFET的主要生產(chǎn)商，提供電平場效應晶體管(FET)和雙極晶體管技術(shù)。