不同濺射時(shí)間下AlN緩沖層對(duì)Zno薄膜的影響
2012-04-29 00:44:03趙祥敏李敏君張偉趙文海
哈爾濱理工大學(xué)學(xué)報(bào) 2012年2期
趙祥敏 李敏君 張偉 趙文海
摘要：實(shí)驗(yàn)采用射頻磁控濺射技術(shù)，制備了不同濺射時(shí)間下AlN緩沖層的ZnO薄膜，研究了薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌及電學(xué)性能，結(jié)果表明，不同濺射時(shí)間下AlN緩沖層Zn0薄膜的生長(zhǎng)依然是(002)擇優(yōu)取向，而且當(dāng)緩沖層濺射時(shí)間為60min時(shí)，ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能最好。
關(guān)鍵詞：緩沖層；ZnO薄膜；射頻磁控濺射
中圖分類(lèi)號(hào)：0469文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A文章編號(hào)：1007－2683(2012)02－0114－04
