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      均勻圓陣列參數(shù)分析

      2012-06-23 06:42:18
      電子科技 2012年5期
      關(guān)鍵詞:波束寬度數(shù)目圓環(huán)

      黃 珂

      (西安電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院,陜西 西安 710071)

      由多個輻射元沿著圓環(huán)均勻排列而組成的平面陣成為均勻圓陣列[1]。與線陣、相控陣相比,對于均勻圓陣列天線的研究起步較晚。雖然可以借鑒和參考一些相對成熟的,基于線陣或者相控陣的分析和綜合方法,但均勻圓陣列的特殊結(jié)構(gòu)特性[2]決定了這些方法不能直接被移植。因此,對于均勻圓陣列的基礎(chǔ)研究顯得尤為重要。

      1 均勻圓陣列的方向圖函數(shù)

      設(shè)有N個各向同性輻射元沿著半徑為a的圓周排列而構(gòu)成了圓環(huán)陣,如圖1所示。圓環(huán)陣位于xy平面上。把每個輻射元對遠區(qū)場點的貢獻疊加就可以求得此圓環(huán)陣的遠場方向圖函數(shù)[3]

      其中,In是位于φ=φn處得第n單元的激勵電流;αn是相應(yīng)的激勵相位。如果主瓣最大波束指向為(θ0,φ0),則第n單元的激勵相位應(yīng)選為

      圖1 均勻圓陣列

      其中

      2 陣列半徑對陣列方向圖的影響

      陣列工作頻率f=1.35 GHz,λ為工作波長,陣元數(shù)目N=8,不失一般性,假定陣列最大波束指向為θ=20°,φ =30°,則每個陣元的激勵相位可由式(2),式(3)得出,每個陣元等幅激勵?,F(xiàn)在分別令陣列半徑 a=0.75 λ,a= λ,a=1.25 λ,所得陣列俯仰面和方位面方向圖分別如圖2和圖3所示。

      從圖2和圖3可以初步看出隨著半徑的增加,陣列主瓣寬度逐漸減小,第一副瓣電平變化不大。為更深入地研究這種變化,在0.5λ~2λ區(qū)間取更多值,計算陣列的半功率波束寬度和第一副瓣電平。

      表1 陣列半徑對俯仰面方向圖特性的影響

      表2 陣列半徑對方位面方向圖特性的影響

      根據(jù)表1和表2,發(fā)現(xiàn)隨著陣列半徑的增加,在俯仰面和方位面半功率波束寬度都在逐漸減小,并且增加的幅度在逐漸減小。而在俯仰面,第一副瓣電平不隨陣列半徑的變化而變化,在方位面也只是在很小的區(qū)間浮動。

      3 陣元數(shù)目對陣列方向圖的影響

      陣列工作頻率f=1.35 GHz,λ為工作波長,N為陣元數(shù)目,同樣,不失一般性,這里假定陣列最大波束指向為θ=20°,φ=30°,各陣元等幅激勵,激勵相位由式(2)和式(3)可以得出。陣列半徑a=λ,分別令N=4,N=8,N=16,所得陣列俯仰面和方位面方向圖分別如圖4和圖5所示。

      由圖4和圖5可以N=8和N=16時方向圖基本重合,但與N=4時不同,為更深入研究這種變化,在N=4到N=64區(qū)間取更多值,計算陣列俯仰面與方位面的半功率波束寬度和第一副瓣電平。

      表3 陣元數(shù)目對俯仰面方向圖特性的影響

      表4 陣元數(shù)目對方位面方向圖的影響

      根據(jù)表3和表4,發(fā)現(xiàn)陣元數(shù)目無論是在俯仰面和方位面,對半功率波束寬度都沒有影響。當(dāng)在陣元數(shù)目4≤N≤8時,第一副瓣電平有較大浮動,且副瓣特性差。而當(dāng)N≥8時,俯仰面與方位面的第一副瓣電平都不再變化,均為-7.9 dB。

      4 結(jié)束語

      通過以上的研究,可知陣列半徑對于陣列半功率波束寬度影響較大,陣列半徑越大,半功率波束寬度越小。但隨著半徑的增加,陣列所占空間增大,不利于與移動載體共形,所以應(yīng)當(dāng)予以平衡考慮。而陣元數(shù)目對陣列特性影響很小,所以只需要取能滿足設(shè)計需求的最小值即可。

      [1]呂善偉.天線陣綜合[M].北京:北京航空學(xué)院出版社,1988.

      [2]李穎.均勻圓陣列天線系統(tǒng)性能分析[D].長沙:國防科學(xué)技術(shù)大學(xué),2004.

      [3]汪茂光,呂善偉,劉瑞祥.陣列天線分析與綜合[M].西安:西安電子科技大學(xué)出版社,1987.

      [4]段鵬輝,鄭會利.陣列天線的切比雪夫方向圖綜合[J].電子科技,2009,22(1):5 -8,16.

      [5]張明民,鄢澤洪.圓極化微帶陣列天線的設(shè)計[J].電子科技,2010,23(9):45 -47.

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