去高斯雙模壓縮真空?qǐng)龅墓庾臃植?/h1>

2013-04-29 00:44:03王振華朱智涵張光宇姜久興

哈爾濱理工大學(xué)學(xué)報(bào)訂閱 2013年5期 收藏

王振華　朱智涵　張光宇　姜久興

摘要：研究了去高斯雙模壓縮真空?qǐng)龅墓庾臃植迹⒁訨-C模型計(jì)算分析了場(chǎng)到量子比特的糾纏傳輸.采用負(fù)度表征糾纏.研究表明減光子雙模壓縮真空?qǐng)鲈谳^低壓縮度下產(chǎn)生高糾纏度，場(chǎng)的光子分布隨光子數(shù)減小向貝爾基趨近，傳遞到量子比特的糾纏相應(yīng)提高；加光子雙模壓縮真空?qǐng)龅墓庾臃植荚趬嚎s度趨于0的極限下變?yōu)樨悹柣B續(xù)變量系統(tǒng)演化為離散變量系統(tǒng)，糾纏可以完全傳遞到量子比特。

關(guān)鍵詞：雙模壓縮真空?qǐng)?；去高斯；光子分布；糾纏傳輸

哈爾濱理工大學(xué)學(xué)報(bào)2013年5期

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