La0.7Sr0.3MnO3單晶外延薄膜制備及其磁電阻特性
2013-04-29 00:44:03張欣羊新勝程翠華張勇呂莉張敏趙勇
西南交通大學(xué)學(xué)報(社會科學(xué)版) 2013年5期
張欣 羊新勝 程翠華 張勇 呂莉 張敏 趙勇
為制得性能良好的涂層導(dǎo)體用La0.7Sr0.3MnO3（LSMO）緩沖層薄膜、研究LSMO薄膜的低磁場磁電阻效應(yīng)，利用高分子輔助化學(xué)溶液沉積法，在LaAlO3（LAO）單晶基底上制備了一系列鈣鈦礦LSMO單晶外延薄膜.考慮氬氣和氧氣退火氣氛對LSMO成相的影響，研究了氬氣退火條件下樣品的織構(gòu)、形貌情況和氧氣退火條件下制得的樣品的輸運性質(zhì)及磁電阻效應(yīng).研究結(jié)果表明：氬氣下采用高分子輔助的化學(xué)溶液沉積法有利于制備出低成本、高性能的涂層導(dǎo)體用單一LSMO緩沖層；氧氣下退火制得的薄膜c軸取向生長良好，并且電阻溫度曲線出現(xiàn)絕緣體金屬相變，其磁電阻值在200～300 K范圍內(nèi)不隨溫度變化，在1 T磁場室溫下磁電阻值約為-26.0
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