武婷婷,王立達(dá),孫文,劉洋,劉貴昌*
(大連理工大學(xué)化工與環(huán)境生命學(xué)部,遼寧 大連 116024)
涂層是對(duì)金屬腐蝕進(jìn)行防護(hù)的有效手段之一。但涂層在涂裝及使用過程中容易發(fā)生缺陷,如鼓泡、針孔、絲狀腐蝕等[1]。涂層缺陷使小面積的金屬暴露在腐蝕介質(zhì)中,引發(fā)局部腐蝕,導(dǎo)致嚴(yán)重的后果[2]。為防止涂層缺陷造成破壞,研究人員嘗試在涂層中直接添加緩蝕劑[3-4],預(yù)期當(dāng)涂層發(fā)生缺陷時(shí)緩蝕劑從涂層中釋放,起到保護(hù)金屬基體的作用。然而,將緩蝕劑直接添加到涂層中,會(huì)導(dǎo)致涂層的穩(wěn)定性下降[5],而且緩蝕劑和涂層的相互作用會(huì)影響緩蝕劑效果的發(fā)揮。近來,研究人員將緩蝕劑負(fù)載到微納米容器后再添加到涂層。采用適當(dāng)?shù)奈⒓{米容器可以增強(qiáng)涂層的穩(wěn)定性[6],避免緩蝕劑和涂層相互作用。而且采用某些對(duì)腐蝕環(huán)境敏感的微納米容器,有望實(shí)現(xiàn)緩蝕劑的控制釋放[7-9]。
本文采用合成的氧化鋅中空微米球(ZHM)對(duì)銅緩蝕劑苯并三氮唑(BTA)進(jìn)行負(fù)載,得到ZHM-BTA。并將制備的ZHM-BTA 加入到環(huán)氧樹脂涂層中得到環(huán)氧-ZHM-BTA 功能涂層。采用環(huán)氧-ZHM-BTA 對(duì)銅片進(jìn)行封樣,將一定面積的銅暴露在腐蝕介質(zhì)中模擬涂層缺陷,通過對(duì)比實(shí)驗(yàn)考察了ZHM-BTA 對(duì)涂層缺陷處金屬的腐蝕防護(hù)作用。
Zn(CH3COO)2·2H2O、(NH2)2CO 乙醇、異丙醇和檸檬酸三鈉,分析純,天津科密歐化學(xué)試劑有限公司;苯并三氮唑,分析純,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司;環(huán)氧樹脂,WSR6101(E-44),工業(yè)級(jí),藍(lán)星化工新材料股份有限公司無錫樹脂廠。
本文采用Wang 報(bào)道過的水熱法制備氧化鋅中空微米球[10]。將0.55 g Zn(CH3COO)2·2H2O 和0.54 g (NH2)2CO 加入到40 mL 去離子水(17.5 MΩ)中攪拌溶解,將0.06 g 檸檬酸三鈉溶解到10 mL 去離子水中。將上述兩種溶液混合并攪拌30 min 后轉(zhuǎn)移到100 mL的反應(yīng)釜中,于160 °C 水熱反應(yīng)12 h 后,離心分離得到白色產(chǎn)物。將所得產(chǎn)物分別用去離子水和乙醇洗滌3 次,60 °C 真空干燥4 h,得到氧化鋅中空微米球。
將一定量的ZHM 加入到20 mL 苯并三氮唑的乙醇溶液(1 mol/L)中,攪拌過夜,離心分離后得到白色產(chǎn)物。將所得產(chǎn)物分別用去離子水和乙醇洗滌3 次,60 °C 真空干燥4 h,得到負(fù)載苯并三氮唑后的氧化鋅中空微米球。
分別采用600、800 及1 200 目的SiC 砂紙打磨純銅片(5 cm × 2 cm),然后在異丙醇中超聲清洗15 min。將質(zhì)量比為5∶95 的ZHM-BTA 和環(huán)氧樹脂混合均勻后涂布到經(jīng)過預(yù)處理的銅片上(涂層厚度約0.5 mm),裸露4 mm2的面積模擬涂層缺陷,50 °C 干燥4 h 后得到實(shí)驗(yàn)樣品(Cu-環(huán)氧-ZHM-BTA)。用相同的方法制備摻雜ZHM 的環(huán)氧樹脂涂層和不摻雜任何物質(zhì)的環(huán)氧樹脂涂層,分別涂布到經(jīng)過上述預(yù)處理的銅片上,得到試樣Cu-環(huán)氧-ZHM 和Cu-環(huán)氧。
采用掃描電子顯微鏡(JSM-6360LV,日本JEOL公司)對(duì)合成的ZHM 進(jìn)行形貌表征(加速電壓為20 kV);利用X 射線衍射儀(D/MAX-2400,日本Rigaku 公司)對(duì)ZHM 進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)表征,掃描速度為10°/s,掃描范圍為5°~80°;采用紅外光譜分析儀(EQUINOX 55,德國Bruker)考察苯并三氮唑是否被負(fù)載到了ZHM中,波數(shù)范圍為400~2 000 cm-1。分別對(duì)ZHM、ZHM-BTA 和苯并三氮唑進(jìn)行熱重分析(TGA/SDTA851e,Mettler Toledo),進(jìn)一步驗(yàn)證苯并三氮唑的封裝,并確定苯并三氮唑占ZHM-BTA 的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。在常溫下,將制備的Cu-環(huán)氧-ZHM-BTA、Cu-環(huán)氧-ZHM 和Cu-環(huán)氧試樣分別浸泡到3.5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)氯化鈉溶液中研究其腐蝕行為。采用飽和甘汞電極(SCE)作為參比電極,鉑電極作為輔助電極,分別對(duì)浸泡0 h、3 d及7 d 后的3 種試樣進(jìn)行動(dòng)電位極化曲線測試(CS300電化學(xué)工作站,華中科技大學(xué),掃描速率為1 mV/s,掃描電位在穩(wěn)定后的開路電位± 300 mV 的范圍內(nèi))和交流阻抗測試(CHI660D 電化學(xué)工作站,上海辰華,頻率范圍為105~10-2Hz,干擾信號(hào)為10 mV)。
圖1a為低倍率下的ZHM 的掃描電鏡圖像。采用Smile View 2.1 軟件(日本JEOL)對(duì)圖1a中的ZHM 進(jìn)行粒徑統(tǒng)計(jì),得到ZHM 的粒徑分布,如圖1b中的柱狀圖所示,圖中曲線是對(duì)所得粒徑分布進(jìn)行高斯擬合所得。由圖1a和圖1b可知,ZHM 的直徑范圍為3~10 μm,平均直徑為6 μm。
圖1 ZnO 顆粒的SEM 照片及其粒徑分布圖Figure 1 SEM photo and size distribution of ZnO particles
圖2a為ZHM 的高倍率掃描電鏡圖像。由圖2a可知,ZHM 表面有很多片狀結(jié)構(gòu),使其表面呈蜂窩狀。圖2b為對(duì)ZHM 進(jìn)行超聲破碎后的SEM 照片。由圖可知,所制備的ZHM 為中空球狀結(jié)構(gòu)。
圖2 破碎前后合成的ZnO 顆粒的SEM 照片F(xiàn)igure 2 SEM photos of the synthesized ZnO particles before and after breaking
圖3中譜圖a 為ZHM 的X 射線衍射圖譜,譜圖b為六方纖鋅礦氧化鋅的標(biāo)準(zhǔn)X 射線衍射圖譜。由圖可知,a 譜峰較窄且峰位與b 高度一致,由此可以確定所合成的ZHM 為高度結(jié)晶的六方纖鋅礦氧化鋅,晶胞參數(shù)為a=3.249 ?,c=5.206 ?[11]。
圖3 合成ZnO 和六方纖鋅礦氧化鋅的X 射線衍射圖譜對(duì)比Figure 3 Comparison between X-ray diffraction patterns of synthesized ZnO and hexagonal wurtzite zinc oxide
圖4 苯并三氮唑(BTA)和ZHM-BTA 的紅外光譜圖Figure 4 FT-IR spectra of benzotriazole (BTA) and ZHM-BTA
圖4為苯并三氮唑和ZHM-BTA 的紅外吸收光譜。由圖4a譜圖可知,苯并三氮唑的特征吸收峰有:750 cm-1附近的C─H 鍵面外彎曲振動(dòng)吸收峰,1 400~1 620 cm-1附近的苯環(huán)骨架振動(dòng)吸收峰,1 200~1 310 cm-1附近的C─N 鍵伸縮振動(dòng)及N─H 鍵彎曲振動(dòng)吸收峰。圖4b譜圖同樣具有上述特征吸收峰,表明ZHM-BTA 中負(fù)載有苯并三氮唑。
分別對(duì)ZHM、ZHM-BTA 和BTA 在25~600 °C的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行熱重分析,所得熱重曲線如圖5所示。由圖5可知,BTA 在125~220 °C 失重95%后其質(zhì)量不再變化,這主要是由BTA 揮發(fā)引起的。而合成的ZHM 在25~600 °C 范圍內(nèi)僅因脫除吸附水失重約1%。ZHM-BTA 失重溫度范圍在350~510 °C 之間,高于純BTA 的失重溫度范圍。這是因?yàn)锽TA 和ZHM存在相互作用,使BTA 難以揮發(fā),而在較高溫度下發(fā)生分解。ZHM-BTA 的失重過程可分為3 個(gè)階段,在溫度低于400 °C 時(shí),有輕微的失重,可歸因于脫水;在400~460 °C 范圍內(nèi)有一段較慢的失重過程,這是 吸附在ZHM 表面的BTA 發(fā)生分解的過程;在460~510 °C 范圍內(nèi),質(zhì)量急劇下降,表明BTA 進(jìn)一步分解。Kartsonakis 和Kordas 認(rèn)為,這是中空球空腔里的緩蝕劑發(fā)生分解的過程[12],由于中空球殼壁具有一定厚度,使空腔內(nèi)溫度的升高較中空球表面慢,導(dǎo)致空腔內(nèi)物質(zhì)的分解發(fā)生延遲,即分解溫度較外表面的高。ZHM-BTA 總失重約為44%,由此可知苯并三氮唑在ZHM-BTA 中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)約為40%。
圖5 ZHM、ZHM-BTA 和BTA 的熱重曲線Figure 5 TG curves for ZHM,ZHM-BTA and BTA
圖6a、6b 和6c 分別為Cu-環(huán)氧、Cu-環(huán)氧-ZHM和Cu-環(huán)氧-ZHM-BTA 3 種試樣在3.5% NaCl 溶液中浸泡0 h、3 d 和7 d 后的極化曲線。利用Cview 軟件對(duì)圖6中的極化曲線進(jìn)行塔菲爾擬合,所得結(jié)果見表1。
圖6 Cu-環(huán)氧-ZHM-BTA、Cu-環(huán)氧-ZHM 及Cu-環(huán)氧3 種試樣在3.5% NaCl 溶液中浸泡0 h、3 d 和7 d 后的極化曲線Figure 6 Polarization curves for samples of Cu-Epoxy-ZHM-BTA,Cu-Epoxy-ZHM and Cu-Epoxy immersed in 3.5% NaCl solution for 0 h,3 d and 7 d
表1 極化曲線擬合結(jié)果Table 1 Fatting results of polarization curves
由圖6及表1可知,相對(duì)于Cu-環(huán)氧試樣,Cu-環(huán)氧-ZHM-BTA 和Cu-環(huán)氧-ZHM 的自腐蝕電位正移,表明ZHM 和ZHM-BTA 使銅的腐蝕傾向減小。浸泡0 h時(shí),3 種試樣具有相近的自腐蝕電流密度。對(duì)于Cu-環(huán)氧試樣,隨浸泡時(shí)間的延長,氯離子對(duì)銅電極的腐蝕起到了活化作用,因此,浸泡3 d 后腐蝕電流密度增大[13];浸泡7 d 后,腐蝕產(chǎn)物Cu2O、CuO、Cu(OH)2等[14]增多,并發(fā)生沉積,對(duì)銅起到了一定的鈍化保護(hù)作用,使腐蝕電流密度減小[15]。對(duì)于Cu-環(huán)氧-ZHM試樣,浸泡3 d 后,腐蝕電流密度相比于初始時(shí)減小,表明涂層中的氧化鋅逐漸起到了緩釋作用[16];浸泡7 d后,腐蝕電流密度無明顯變化,表明涂層發(fā)生缺陷后暴露出的氧化鋅在試樣浸泡3 d 時(shí)已經(jīng)完全發(fā)揮了緩蝕作用,浸泡7 d 后緩蝕效果不再增加。Cu-環(huán)氧-ZHM-BTA 試樣的自腐蝕電流密度隨浸泡時(shí)間的延長而不斷減小,并且浸泡后其自腐蝕電流密度在3 種試樣中始終最小,表明氧化鋅中空微米球中負(fù)載的苯并三氮唑起到了緩蝕作用。動(dòng)電位極化試驗(yàn)表明,當(dāng)環(huán)氧涂層因?yàn)榄h(huán)境因素產(chǎn)生缺陷時(shí),暴露在腐蝕介質(zhì)中的ZHM-BTA 能夠向溶液中釋放BTA,減緩金屬基體的腐蝕,ZHM-BTA 對(duì)涂層缺陷有一定的愈合作用。
圖7a、7b 和7c 分別為Cu-環(huán)氧、Cu-環(huán)氧-ZHM和Cu-環(huán)氧-ZHM-BTA 3 種試樣在3.5% NaCl 溶液中浸泡0 h、3 d 和7 d 后的Nyquist 圖。Nyquist 圖中高頻區(qū)對(duì)應(yīng)膜層阻抗,低頻區(qū)代表電荷轉(zhuǎn)移阻抗。
圖7 Cu-環(huán)氧-ZHM-BTA、Cu-環(huán)氧-ZHM 及Cu-環(huán)氧3 種試樣在3.5% NaCl 溶液中浸泡0 h、3 d 和7 d 后的Nyquist 圖Figure 7 Nyquist plots for samples of Cu-Epoxy-ZHM-BTA,Cu-Epoxy-ZHM,and Cu-Epoxy immersed in 3.5% NaCl solution for 0 h,3 d,and 7 d
由圖7a可知,浸泡0 h 時(shí),3 種試樣的阻抗基本相同,高頻區(qū)無阻抗弧,表明3 種試樣裸露的銅表面新鮮。浸泡3 d 后,Cu-環(huán)氧試樣的電荷轉(zhuǎn)移阻抗相對(duì)于初始時(shí)無明顯變化;浸泡7 d 后,其電荷轉(zhuǎn)移阻抗增大。這是因?yàn)楦g產(chǎn)物發(fā)生沉積,減緩了銅的腐蝕。Cu-環(huán)氧-ZHM 試樣浸泡3 d 后的電荷轉(zhuǎn)移阻抗圓弧相對(duì)于初始時(shí)增大,表明涂層中的氧化鋅起到了一定的緩蝕作用,浸泡時(shí)間延長至7 d,阻抗圓弧沒有繼續(xù)增大,表明氧化鋅的緩蝕作用有限。浸泡過程中,Cu-環(huán)氧-ZHM-BTA 試樣的電荷轉(zhuǎn)移阻抗在3 種試樣中始終保持最大,并且在浸泡過程中電荷轉(zhuǎn)移阻抗圓弧不斷增大,表明Cu-環(huán)氧-ZHM-BTA 在3 種試樣中具有最好的耐蝕性。由圖7b及圖7c可知,在浸泡過程中Cu-環(huán)氧-ZHM-BTA 試樣Nyquist 圖的高頻區(qū)出現(xiàn)小的阻抗弧,表明涂層中的苯并三氮唑與裸露的銅相互作用,在銅表面生成了膜層,該膜層對(duì)銅起到了保護(hù)作用。
通過水熱法合成了氧化鋅中空微米球,并對(duì)其進(jìn)行苯并三氮唑的負(fù)載,將得到的ZHM-BTA 摻雜到環(huán)氧樹脂涂層中,獲得環(huán)氧-ZHM-BTA 功能涂層。通過對(duì)比實(shí)驗(yàn)考察了向涂層中摻雜ZHM-BTA 對(duì)涂層缺陷的作用。結(jié)果表明,相比于Cu-環(huán)氧-ZHM 及Cu-環(huán)氧試樣,Cu-環(huán)氧-ZHM-BTA 試樣具有較小的自腐蝕電流密度和更大的電荷轉(zhuǎn)移阻抗。極化曲線及交流阻抗測試一致表明,Cu-環(huán)氧-ZHM-BTA 試樣具有更好的耐蝕性能,說明當(dāng)涂層發(fā)生缺陷時(shí),涂層中的ZHM-BTA 對(duì)涂層缺陷有一定愈合作用,可以保護(hù)涂層缺陷處的金屬。
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