劉 勝,莊鴻濤,郁 光,楊 康,李緒娜,方 華,張吉瑞
(1.北京華宇同方化工科技開(kāi)發(fā)有限公司,北京 100089;2.上海華愛(ài)色譜分析技術(shù)有限公司,上海 200437)
高純氯化氫氣體是電子工業(yè)中用量較大的一種化學(xué)氣體,電子級(jí)氯化氫主要用于半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中單晶硅片的氣相拋光、外延基座腐蝕及硬質(zhì)合金制造[1-3]?;瘜W(xué)級(jí)氯化氫目前主要用于硅材料處理、醫(yī)藥中間體、農(nóng)藥及精細(xì)化學(xué)品制造業(yè)[4-7]。氦離子氣相色譜法現(xiàn)在已成為一種常規(guī)的氣體分析方法,它具有線(xiàn)性寬、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)[8-9]。早在上世紀(jì)80 年代,В И Маиорнв 等人[10]提出用濃縮法和熱導(dǎo)、氫火焰離子化方法進(jìn)行檢測(cè),該方法可滿(mǎn)足常量分析,但較為繁瑣。之后劉忠國(guó)[11]等人使用了切割流程和氫火焰離子化方法進(jìn)行檢測(cè),對(duì)甲烷等有機(jī)物檢測(cè)限達(dá)到 (0.4~0.6)×10-6,只能適合于化學(xué)級(jí)氯化氫的分析,不能滿(mǎn)足電子級(jí)氯化氫的分析要求。
本文以氦離子色譜儀對(duì)氯化氫中的雜質(zhì)進(jìn)行檢測(cè),以期得到對(duì)于氯化氫中雜質(zhì)檢測(cè)的最佳方法和結(jié)果。并為最終建立氯化氫行業(yè)分析標(biāo)準(zhǔn)提供依據(jù)。
GC-9560-HG氦離子氣相色譜儀配置He純化器和PDHID檢測(cè)器,上海華愛(ài)色譜分析技術(shù)有限公司制造。
標(biāo)準(zhǔn)氣體 (平衡氣He),大連大特氣體有限公司制造。
表1 標(biāo)準(zhǔn)氣體表Table1 Standard gas
北京華宇同方化工科技開(kāi)發(fā)有限公司制造:化學(xué)級(jí)HCl樣品氣,鋼瓶號(hào) (11857163);化學(xué)級(jí)HCl樣品氣,鋼瓶號(hào) (11857117);化學(xué)級(jí)HCl樣品氣,鋼瓶號(hào) (11857103);HCl原料樣品氣,原料氣;電子級(jí)HCl樣品氣,鋼瓶號(hào) (150007)。
采用切割流程,利用預(yù)柱反吹氯化氫,用PDHID檢測(cè)器檢測(cè)氯化氫中雜質(zhì)氫氣、氧氣+氬氣、氮?dú)?、甲烷、一氧化碳、二氧化碳和乙炔,尾氣安全排放?/p>
1.4.1 色譜柱
柱1:Porapak Q,60~80目,Monel 400合金,1/8″×2 m,柱爐控溫;柱2:Hayesep Q 60~80目,Monel 400合金,1/8″×2 m,柱爐控溫;柱3:5A分子篩,60~80目,Monel 400合金,1/8″×2 m,輔助1控溫。
1.4.2 分析條件
色譜儀:GC-9560-HG氦離子氣相色譜儀;進(jìn)樣方式:閥進(jìn)樣;進(jìn)樣量:0.1 mL;柱爐:50℃;檢測(cè)器:150℃;載氣流量:30 mL/min。
圖1 PDHID氣相色譜流程示意圖Fig.1 Diagram of gas chromatography of PDHID
采用峰面積定量,用外標(biāo)法計(jì)算結(jié)果。H2、O2+Ar、N2、CO、CO2、CH4、C2H2結(jié)果計(jì)算見(jiàn)公式(1):
式中,Φi為樣品氣中被測(cè)組分的含量;Ai為樣品氣中被測(cè)組分的峰面積;Φs為標(biāo)準(zhǔn)樣品中相應(yīng)已知組分的含量;As為標(biāo)準(zhǔn)樣品中相應(yīng)已知組分的峰面積;
氯化氫含量的計(jì)算見(jiàn)公式 (2):
式中,Φ為氯化氫含量,10-2(摩爾分?jǐn)?shù));Φ1為氫含量,10-2(摩爾分?jǐn)?shù));Φ2為氧含量,10-2(摩爾分?jǐn)?shù));Φ3為氬含量,10-2(摩爾分?jǐn)?shù));Φ4為氮含量,10-2(摩爾分?jǐn)?shù));Φ5為甲烷含量,10-2(摩爾分?jǐn)?shù));Φ6為一氧化碳含量,10-2(摩爾分?jǐn)?shù));Φ7為二氧化碳含量,10-2(摩爾分?jǐn)?shù));Φ8為乙炔含量,10-2(摩爾分?jǐn)?shù))。
1.用氦離子檢測(cè)器對(duì)HCl進(jìn)行檢測(cè)分析,靈敏度高,檢測(cè)限低,雜質(zhì)組分響應(yīng)都呈線(xiàn)性,氣路流程經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)后,可以一次進(jìn)樣滿(mǎn)足電子級(jí)、化學(xué)級(jí)氣體所有雜質(zhì)分析需要。
2.對(duì)雜質(zhì)含量上限有一定要求。對(duì)于各組分濃度低于1000×10-6時(shí),出峰較好;而當(dāng)雜質(zhì)含量高時(shí),會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)裂峰 (如圖5)。氦離子檢測(cè)器更適用于電子級(jí)氯化氫測(cè)量需要。
3.由于HCl氣體在含水量大時(shí),具有很強(qiáng)腐蝕性,因此在設(shè)計(jì)分析方法時(shí),必須對(duì)氣路管道、固定相、檢測(cè)器以及各種接頭作特殊處理,并做好尾氣處理。
4.隨著對(duì)氯化氫氣體純度的要求越來(lái)越高,氦離子化檢測(cè)器 (PDHID)憑借其良好的穩(wěn)定性、1×10-9級(jí)的檢測(cè)限和廣譜檢測(cè)性,將有更為廣闊的應(yīng)用空間。
5.北京華宇同方化工科技開(kāi)發(fā)有限公司生產(chǎn)的電子級(jí)氯化氫純度已接近99.9999%,完全可以滿(mǎn)足電子工業(yè)用氣的要求。
[1]張鳳林.電子級(jí)高純氯化氫的研制 [J].低溫與特氣,1990(2):32-38.
[2]豬口尚,伊滕文夫.半導(dǎo)體用特種氣體的處理方法干法處理裝置 [J].劉懋才,韓美,譯.低溫與特氣,1988(1):22-26.
[3]周祥順,王鐘輝,胡小東,王嶺,黎展榮.多晶硅生產(chǎn)氯化氫回收工藝的模擬與優(yōu)化 [J].廣州化工,2012(32):104-107.
[4]徐予晗.多晶硅行業(yè)鋼制氯化氫合成爐的腐蝕控制[J].廣州化工,2009(2):43-44.
[5]張軻,牛焱,潘太軍.Corrosion behavior of NiCr alloys in HCl-containing oxidation atmosphere at 700-800℃ [J].中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)會(huì)刊:英文版,2004(3):543-549.
[6]張達(dá)盼,張麗娟,張智勇,孟營(yíng),王玉玲.鹽酸阿比朵爾中間體的合成工藝研究 [J].精細(xì)化工中間體,2011(2):45-47.
[7]陶厚春.合成爐氯化氫用于氯甲基化生產(chǎn)試驗(yàn) [J].氯堿工業(yè),1991(2):33-34.
[8]方華,周朋云,莊鴻濤.氦離子化檢測(cè)器 (PDHID)與火焰離子化檢測(cè)器 (FID)在高純氣體分析中的性能比較 [J].低溫與特氣,2011(2):44-48.
[9]方華,陳鷹,莊鴻濤,楊康,黃小強(qiáng),李建浩.氦離子化色譜儀在電子氣體 (硅烷)分析中的應(yīng)用 [J].低溫與特氣,2009(5):39-42.
[10]В И Маиорнв,А Д Молоgык,王先承 譯.氯化氫中微量有機(jī)和無(wú)機(jī)雜質(zhì)的色譜分析 [J].低溫與特氣,1983(3):57-59.
[11]劉忠國(guó),楊秀蓮.高純HCl中微量烴類(lèi)雜質(zhì)的分析[J].低溫與特氣,1987(1):42-46.