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(鄭州大學(xué)電氣工程學(xué)院,河南鄭州 450001)
自Z源逆變器[1]提出以后,就得到了人們的極大關(guān)注。由于改進(jìn)了直流側(cè)拓?fù)洌琙源逆變器可使每個(gè)橋臂的上下器件同時(shí)導(dǎo)通。通過這個(gè)直通,達(dá)到了升壓的目的;不需要加入死區(qū)時(shí)間,降低了控制復(fù)雜程度,克服了傳統(tǒng)逆變器的缺點(diǎn)。
為了進(jìn)一步優(yōu)化Z源逆變器的性能,國(guó)內(nèi)外許多學(xué)者對(duì)其進(jìn)行了不懈地研究[2-3]。在Z源網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)方面,有改進(jìn)型Z源網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)[3]、Quasi-Z源網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)[4]、開關(guān)電感Z源網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)[5]以及開關(guān)電感Quasi-Z源網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)[6]等。在調(diào)制策略方面,簡(jiǎn)單升壓調(diào)制和最大升壓調(diào)制[3]是應(yīng)用于Z源逆變器的最基本的兩種PWM調(diào)制策略,但是簡(jiǎn)單升壓調(diào)制存在電感電流脈動(dòng)大及開關(guān)器件電氣應(yīng)力大的問題,接著提出的最大升壓調(diào)制雖然克服了簡(jiǎn)單升壓調(diào)制的問題,卻因每個(gè)開關(guān)周期直通時(shí)間不固定引入輸出頻率6倍頻的電流紋波;3次諧波注入法雖然有效解決了以上兩種策略電壓利用率低的問題,但在電壓閉環(huán)控制時(shí)存在調(diào)制波和注入的3次諧波如何同步的問題[7]。
由于以上幾種調(diào)制策略的方式均是高頻三角波與調(diào)制波比較生成PWM波,比較適合模擬電路,不便于數(shù)字化實(shí)現(xiàn),文獻(xiàn)[8]采用的直通矢量分段SVPWM調(diào)制策略不僅便于數(shù)字化實(shí)現(xiàn),并且具有降低開關(guān)頻率和電感電流紋波的特點(diǎn),可否將該種策略用于開關(guān)電感Quasi-Z源逆變器以及運(yùn)用該調(diào)制策略需要注意的問題成為本文研究的重點(diǎn)。
本文采用SVPWM調(diào)制策略對(duì)開關(guān)電感Quasi-Z源逆變器進(jìn)行研究。為了進(jìn)一步了解開關(guān)電感Quasi-Z源逆變器在SVPWM調(diào)制策略下的特性,分別采用4次直通、6次直通和8次直通SVPWM調(diào)制策略對(duì)其進(jìn)行研究,詳細(xì)分析了其在6次直通SVPWM調(diào)制策略的工作過程、開關(guān)器件狀態(tài)并推導(dǎo)了3種策略下的最大直通占空比。經(jīng)比較分析,可得在一定開關(guān)頻率下,8次直通SVPWM調(diào)制策略的效果要比4次直通、6次直通SVPWM調(diào)制策略好;在低頻情況下,直通次數(shù)多的SVPWM調(diào)制策略要比直通次數(shù)少的效果好,而在高頻情況下,直通次數(shù)對(duì)波形影響不大。
開關(guān)電感型Quasi-Z源逆變器電路拓?fù)淙鐖D1所示。
圖1 開關(guān)電感型Quasi-Z源逆變器電路拓?fù)銯ig.1 Circuittopologyofswitched-inductorQuasi-Z-sourceinverter
由圖1可看出它包括2個(gè)電容(C1和C2),3個(gè)電感(L1,L2和L3)和4個(gè)二極管(Din,D1,D2和D3)。與Quasi-Z源逆變器相比,它用電感(L2和L3)和3個(gè)二極管(D1,D2和D3)替代了原來的一個(gè)電感L2,這樣在啟動(dòng)時(shí)幾乎沒有電流流向主電路,可有效地抑制浪涌電壓[5]。二者的升壓原理相同,均是通過橋臂的直通獲得升壓能力。
由文獻(xiàn)[1-2]可知,最先應(yīng)用于Z源逆變器兩種基本的PWM調(diào)制策略為:簡(jiǎn)單升壓調(diào)制和最大升壓調(diào)制,見圖2。對(duì)于簡(jiǎn)單升壓調(diào)制策略,如圖2左側(cè)部分,直通狀態(tài)的插入方法如下:設(shè)定一個(gè)電壓值Vn,該值大于或者等于正弦波峰值并小于三角載波峰值,當(dāng)三角波的絕對(duì)值大于該電壓值時(shí),插入直通狀態(tài);對(duì)于最大升壓調(diào)制策略,如圖2右側(cè)部分,直通狀態(tài)的插入方法是這樣的:以正半軸為例,在每一時(shí)刻找到三相電壓的最大值,并將最大值與三角波相比較,若三角波大于最大值,那么就插入直通狀態(tài),負(fù)半軸取雙方的絕對(duì)值。這樣就盡可能地增大了直通占空比,但是每個(gè)周期的直通狀態(tài)時(shí)間不是固定的。與簡(jiǎn)單升壓調(diào)制相比,在同等的電流增益下,最大升壓調(diào)制策略的調(diào)制比可以很大,這樣就意味著器件的電氣應(yīng)力將會(huì)減小,但是有利也有弊,最大升壓調(diào)制策略的直通狀態(tài)在Z源網(wǎng)絡(luò)電感中引入了交流輸出頻率6倍頻的電流紋波,增加了對(duì)Z源網(wǎng)絡(luò)無源器件的選擇難度。
圖2 兩種基本的PWM調(diào)制策略Fig.2 Two basic PWM control strategies
空間矢量脈寬調(diào)制(SVPWM)作為一種新型的矢量控制技術(shù),具有電壓利用率高、輸出諧波少、控制方法簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)[1]。該調(diào)制技術(shù)是利用6個(gè)開關(guān)管以一定的方式開通關(guān)斷,形成8種基本工作狀態(tài),即:100,110,010,011,001,101,111,000(上橋臂開關(guān)管“開”時(shí),開關(guān)狀態(tài)為1,下橋臂開關(guān)管“開”時(shí),開關(guān)狀態(tài)為0),利用這8種電壓空間矢量的線性組合可以獲得各種新的電壓矢量。該調(diào)制策略具有電壓利用率高、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快、波動(dòng)小等特點(diǎn)。Z源逆變器的SVPWM調(diào)制策略與傳統(tǒng)逆變器的SVPWM調(diào)制策略類似,除了與后者有相同的6個(gè)有效空間矢量和2個(gè)非直通零矢量之外,Z源逆變器空間矢量還有特定的直通零矢量。
3.2.1 直通矢量分段(6次直通)SVPWM調(diào)制策略
文獻(xiàn)[8]采用的直通矢量分段SVPWM調(diào)制策略具有降低開關(guān)頻率和電感電流紋波的特點(diǎn),本文將其應(yīng)用于開關(guān)電感Quasi-Z源逆變器。一個(gè)開關(guān)周期的控制信號(hào)見圖3,該調(diào)制策略是在每個(gè)橋臂上下開關(guān)器件換流期間將直通矢量平均分配在每條橋臂中。圖3中陰影部分即為直通的時(shí)刻,一個(gè)周期里有6次直通的開關(guān)狀態(tài),這樣就把直通零矢量時(shí)間分為6份。由于調(diào)制策略中前半個(gè)周期和后半個(gè)周期是對(duì)稱的,這里以前半個(gè)周期為例,假設(shè)選定的時(shí)刻是第n個(gè)開關(guān)周期,設(shè)
圖3 6次直通SVPWM一個(gè)開關(guān)周期的控制信號(hào)Fig.3 Aswitchingcycle′scontrol signal of six-shoot-through SVPWM
結(jié)合圖3,細(xì)化的半個(gè)周期的工作過程如表1所示。
表1 第1扇區(qū)前半個(gè)周期的工作過程Tab.1 Working process of the first half cycle of the first section
在理想狀態(tài)下,當(dāng)處于直通狀態(tài)時(shí),由于逆變橋短路,二極管D1和Din關(guān)斷,D2和D3導(dǎo)通,如圖4a所示,電感L1,L2和L3處于充電狀態(tài),電容C1和C2處于放電狀態(tài);當(dāng)處于非直通狀態(tài)時(shí),如圖4b所示,二極管D1和Din導(dǎo)通,D2和D3關(guān)斷,電感L1,L2和L3處于放電狀態(tài),電容C1和C2處于充電狀態(tài)。由文獻(xiàn)[6]可知,直流輸入電壓Vin、直流母線電壓Vdc和電容電壓VC1的關(guān)系
式中:D為直通占空比。
圖4 等效電路Fig.4 Equivalent circuits
根據(jù)文獻(xiàn)[9],直通矢量分段SVPWM調(diào)制策略直通時(shí)間T0由于TN/4-T0/3必須大于等于零被限制到3/4TN,而最大直通占空比為Dmax=TN/Ts=為調(diào)制比),這里可取直通占空比為
另外
式中:Van為輸出峰值電壓;Vin為直流輸入電壓。
由式(1)~式(3),可推導(dǎo)出直通矢量分段SVPWM調(diào)制策略直通占空比與直流輸入電壓和輸出峰值電壓的關(guān)系:
式中:0<Dmax1<1。
經(jīng)過以上分析研究,發(fā)現(xiàn)直通矢量分段SVPWM調(diào)制策略非常適用于開關(guān)電感Quasi-Z源逆變器,同簡(jiǎn)單升壓調(diào)制策略和最大升壓調(diào)制策略相比,該種調(diào)制策略可有效降低電氣應(yīng)力、電感紋波并能提高直流母線電壓利用率。
3.2.2 4次直通SVPWM調(diào)制策略
直通矢量分段SVPWM調(diào)制策略是在一個(gè)開關(guān)周期內(nèi)將直通時(shí)間分為6次,在開關(guān)管通斷時(shí)插入?;诖怂悸?,將直通次數(shù)減少,采用4次直通SVPWM調(diào)制策略對(duì)開關(guān)電感Quasi-Z源逆變器進(jìn)行研究。該調(diào)制策略同6次直通SVPWM調(diào)制一樣,也是在每個(gè)橋臂上下開關(guān)器件換流期間將直通矢量分配在特定的橋臂中。一個(gè)周期里有4次直通的開關(guān)狀態(tài),這樣就把直通零矢量時(shí)間分為4份。
對(duì)于最大直通時(shí)間,由上節(jié)分析可知,直通矢量分段SVPWM調(diào)制策略直通時(shí)間T0由于TN/4-T0/2必須大于等于零被限制到1/2TN,這里取直通占空比為
由式(1)、式(3)和式(5),可推導(dǎo)出直通矢量分段SVPWM調(diào)制策略直通占空比與直流輸入電壓和輸出峰值電壓的關(guān)系
式中:0<Dmax0<1。
同6次直通SVPWM調(diào)制策略相比,4次直通SVPWM調(diào)制策略逆變橋各個(gè)短路和逆變狀態(tài)的時(shí)間更加集中。在具有同等直通時(shí)間情況下,由于4次直通SVPWM調(diào)制一次直通時(shí)間較長(zhǎng),意味著電容吸收更多的能量,提高了直流母線電壓,進(jìn)而得到較大的輸出電壓。
3.2.3 8次直通SVPWM調(diào)制策略
由于一些因素的影響,以上兩種策略在某些時(shí)刻會(huì)出現(xiàn)逆變器中電感L1和電容C1之間的二極管兩端電壓相等的現(xiàn)象,該種現(xiàn)象直接影響到電容、電感的正常充放電,極易在100,010,001的逆變時(shí)刻發(fā)生,基于此,本文把8次直通SVPWM調(diào)制策略的其中兩次選在100,010,001的逆變時(shí)刻之間插入。
8次直通SVPWM調(diào)制策略可有效防止逆變器中電感L1和電容C1之間的二極管兩端電壓相等的現(xiàn)象,基本消除了直流母線電壓的突降。直通時(shí)間T0由于TN/4-3T0/8必須大于等于零被限制到2TN/3,這里取直通占空比為
由式(1)、式(3)和式(7),可推導(dǎo)出改進(jìn)型SVPWM調(diào)制策略直通占空比與直流輸入電壓和交流峰值電壓的關(guān)系
式中:0<Dmax2<1。
下面對(duì)以上3種SVPWM調(diào)制策略的各方面進(jìn)行分析:在開關(guān)頻率方面,半個(gè)周期內(nèi)4次直通SVPWM調(diào)制策略和6次直通SVPWM調(diào)制策略開關(guān)管共切換了3次,而8次直通SVPWM調(diào)制策略開關(guān)管共切換5次,后者是前面兩種的5/3倍;在電感電流紋波方面,4次SVPWM調(diào)制策略在一個(gè)載波周期中有4個(gè)直通狀態(tài),6次直通SVPWM調(diào)制策略在一個(gè)載波周期中有6個(gè)直通狀態(tài),改進(jìn)型SVPWM調(diào)制策略有8個(gè)直通狀態(tài),直通次數(shù)越多,電感的充電頻率越大;電氣應(yīng)力方面,在同等輸入輸出電壓的情況下,電氣應(yīng)力由低到高依次為8次直通,6次直通,4次直通SVPWM調(diào)制策略。
本文搭建了開關(guān)電感型Quasi-Z源逆變器的仿真模型。仿真參數(shù)如下:Quasi-Z源網(wǎng)絡(luò),L1=L2=L3=1mH,C1=C2=33μF;輸出濾波器,Lf=0.5H,Cf=33μF;輸入直流電壓為300 V,輸出相電壓峰值為170 V,開關(guān)頻率為10 kHz。在相同參數(shù)的情況下對(duì)以上3種SVPWM調(diào)制策略進(jìn)行了仿真對(duì)比,如圖5、圖6和圖7所示。
圖5 4次直通SVPWM調(diào)制策略仿真波形Fig.5 Simulation waveforms of four-shoot-through SVPWM
圖6 6次直通SVPWM調(diào)制策略仿真波形Fig.6 Simulation waveforms of six-shoot-through SVPWM
圖7 8次直通SVPWM調(diào)制策略仿真波形Fig.7 Simulation waveforms of eight-shoot-through SVPWM
圖5~圖 7中,Vdc為直流母線電壓;VC1為 Quasi-Z源網(wǎng)絡(luò)電容C1電壓;IL為Quasi-Z源網(wǎng)絡(luò)電感電流;Van為輸出濾波后三相相電壓。可以看出,在該種開關(guān)頻率下,直通次數(shù)越多,直流母線電壓和電容電壓越小。
此外,又選擇500 Hz(輸出濾波器參數(shù)Lf=0.6H,Cf=30μF)和100 kHz(輸出濾波器參數(shù)Lf=0.4H,Cf=3μF)對(duì)3種SVPWM調(diào)制策略進(jìn)行比較研究。同樣在輸出相電壓峰值為170 V情況下,選取直流母線電壓、電容電壓和電感穩(wěn)態(tài)時(shí)的最大值作為參考,3種調(diào)制策略在3種頻率下各參數(shù)值見表2。由以下數(shù)據(jù)可看出,無論在何種頻率下,4次直通SVPWM調(diào)制策略的電容電壓應(yīng)力和電感電流脈動(dòng)最大,6次直通SVPWM調(diào)制策略的居中,8次直通SVPWM調(diào)制策略的最??;在低頻情況下,直通次數(shù)少的SVPWM調(diào)制策略,其電氣應(yīng)力和電感脈動(dòng)就越大,其效果不如直通次數(shù)多的SVPWM調(diào)制策略好;在高頻情況下,3種調(diào)制策略各參數(shù)差異不是很大。
表2 不同開關(guān)頻率下3種調(diào)制策略的參數(shù)對(duì)比Tab.2 Parameter comparison under different switching frequency of three modulation strategies
本文采用SVPWM調(diào)制策略對(duì)開關(guān)電感Quasi-Z源逆變器進(jìn)行研究,分析對(duì)比了開關(guān)電感Quasi-Z源逆變器在4次直通、6次直通和8次直通SVPWM調(diào)制策略下的效果,可得如下結(jié)論:
1)SVPWM調(diào)制策略可用于開關(guān)電感Quasi-Z源逆變器中;
2)在一定開關(guān)頻率下,8次直通SVPWM調(diào)制策略的效果要比4次直通、6次直通SVPWM調(diào)制策略好;
3)在低頻情況下,直通次數(shù)多的SVPWM調(diào)制策略要比直通次數(shù)少的效果好,而在高頻情況下,直通次數(shù)的多少將不會(huì)引起明顯的效果差異。
關(guān)于直通嵌入次數(shù)方面,除了可考慮采用1次直通SVPWM、2次直通SVPWM對(duì)開關(guān)電感Quasi-Z源逆變器進(jìn)行研究外,也可考慮采用10次直通SVPWM。
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