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      變?nèi)荻O管射頻特性參數(shù)的提取

      2013-10-31 06:49:24楊歆汨
      通信技術 2013年7期
      關鍵詞:二極管校驗串聯(lián)

      柳 會,楊歆汨

      (蘇州大學 電子信息學院,江蘇 蘇州 215006)

      0 引言

      變?nèi)荻O管用在仿真電路時的主要特性參數(shù)是串聯(lián)電阻及結電容,可以從供應商提供的參考數(shù)據(jù)上查獲,但是基本是在低頻時的一些參考值。在仿真射頻電路時,如調(diào)諧濾波器[1],變?nèi)荻O管的射頻特性參數(shù)仍是重要參量。為了獲取變?nèi)荻O管的性能參數(shù),本文提出一種利用自制的測試平臺進行提取變?nèi)荻O管特性參數(shù)的方法。主要是基于微波網(wǎng)絡轉移矩陣(A矩陣)的級聯(lián)及Matlab編程計算,根據(jù)矢量網(wǎng)絡分析儀測得的數(shù)據(jù)進行特性參數(shù)的提取。本文首先利用一款電容進行校驗,基本確定測試方法的可行性及準確性,然后使用測試平臺對一款變?nèi)荻O管進行測量,獲取其串聯(lián)電阻及結電容的值,將其用在以后的射頻仿真電路中[2]。

      1 測試板模型、仿真及實物

      測試平臺主要由兩部分構成,即傳輸結構和終端負載結構,如圖1所示,中間空隙處即為待測變?nèi)荻O管的焊接位置。傳輸結構可以看做由兩段50 ohm微帶線及一個并聯(lián)枝節(jié)組成[3],選用εr=2.65,h=1 mm的微波介質板加工實物如圖2所示。在測試平臺上,單獨做出并聯(lián)枝與負載阻抗,以便分別測量它們的阻抗值,如圖2所示。測試平臺的尺寸為100 mm×100 mm,其中各部分具體尺寸如下:

      圖1 測試平臺的模型

      圖2 測試平臺實物

      2 測試方法及理論推導

      在微波網(wǎng)絡中,轉移矩陣也稱A矩陣[4],在雙端口級聯(lián)網(wǎng)絡中使用A矩陣研究特別方便。一段長為l特性阻抗[5]為50 ohm微帶短截線的A矩陣如式(1),并聯(lián)枝節(jié)可等效為一段并聯(lián)導納,其A矩陣如式(2):

      其中,Y為測得的枝節(jié)阻抗轉換為導納后的值。

      變?nèi)荻O管的等效電路如圖3所示,由串聯(lián)電阻RS、結電容Cj以及寄生電感LS、封裝電容Cp構成,在射頻電路中可忽略寄生電感和封裝電容的效應[6],本文主要研究變?nèi)荻O管的串聯(lián)電阻和結電容,其A矩陣如式(3)所示。

      圖3 變?nèi)荻O管的等效電路

      N個雙端口網(wǎng)絡級聯(lián),整個網(wǎng)絡的A矩陣可以表示成[A]=[A1][A2]···[AN]。本文中可將測試平臺的傳輸結構和變?nèi)荻O管級聯(lián)后整個網(wǎng)絡的A矩陣計算如式(4)所示,終端負載阻抗可由網(wǎng)分析測得,代入Zin=,可得到輸入阻抗與變?nèi)荻O管特性參數(shù)之間的理論關系[7]。

      本文參數(shù)提取的算法是:使用矢量網(wǎng)絡分析儀測量出實際的輸入阻抗,利用Matlab編程,將輸入阻抗的理論值與實際值作平方差,使用fmisearch函數(shù)求多元函數(shù)極值點的方法,提取出變?nèi)荻O管串聯(lián)電阻與結電容的值。

      3 電容校驗

      本文先利用一款普通電容進行校驗,確保測試平臺的可行性。將一個1.2 pF的電容焊接在測試平臺的空缺處,如圖2所示。利用網(wǎng)絡分析儀測得測試平臺上并聯(lián)枝節(jié)的阻抗以及終端負載阻抗的值,中心頻率在3 GHz。最后測得端口的輸入阻抗后,根據(jù)本文參數(shù)提取的算法,在Matlab中進行編程計算。如圖4和圖5所示,提取的校驗電容值基本在1.2 pF,電阻值基本為0 ?,初步驗證了本測試平臺的可行性及可靠性。

      圖4 校驗電容的電阻提取值

      圖5 校驗電容的電容提取值

      4 變?nèi)荻O管特性參數(shù)的提取

      參照電容校驗的步驟,本文對一款變?nèi)荻O管BBY51-02W進行特性參數(shù)提取。將變?nèi)荻O管焊接后,按照校驗步驟,使用網(wǎng)絡分析儀測量數(shù)據(jù)后,根據(jù)實際測得的輸入阻抗計算出串聯(lián)阻抗與結電容的值,Matlab計算結果如圖6、圖7所示。在射頻3 GHz下,該款變?nèi)荻O管的串聯(lián)電阻基本為0.3 ohm,結電容為1.9 pF。

      圖6 變?nèi)荻O管的串聯(lián)電阻值

      圖7 變?nèi)荻O管的結電容值

      5 結語

      本文基于微波網(wǎng)絡A矩陣級聯(lián),提出了一種利用自制的測試平臺提取出變?nèi)荻O管特性參數(shù)的方法,能夠在所需用的射頻頻率下,快速準確的獲得參數(shù)值,以便用于射頻電路仿真[8]。本測試平臺還可以在枝節(jié)處加偏壓,提取出變?nèi)荻O管在不同偏壓下的不同電容值,是一款方便的測試工具,后續(xù)可以利用夾具來減小誤差,提高精度。

      [1]尤志剛,林先其,鄧立科.電調(diào)諧濾波器的研究與設計[J].通信技術,2011,43(01):168-169.

      [2]常建剛.微波低噪聲放大器的設計與仿真[J].通信技術,2009,42(01):128-130.

      [3]JANKOVIC M,BRANNON A.Design Method for Low-Power,Low phase Noise Voltage-Controlled Oscillator[C].USA:IEEE,2007:199-202.

      [4]SPECIALE R A.Projective Matrix Transformations in Microwave Network Theory[C]. USA: IEEE, 1981:510-512.

      [5]王國超,許家棟.改進共面波導饋電的雙頻單極子天線設計[J].信息安全與通信保密,2010(07):42-44.

      [6]BRANNON A S.Design And Implementation Of Microwave VCOs For Chip-Scale Atomic Clocks[D].[s.l.]:University of Clolrado,2004.

      [7]Pozar D M.微波工程[M].北京:電子工業(yè)出版社,2006.

      [8]王文宇,劉玉紅.基于數(shù)據(jù)二極管技術的擺渡木馬防御研究[J].信息安全與通信保密,2011(06):89-91.

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