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      意法半導體(ST)的新650 V超結(jié)MOSFET提升能效和安全系數(shù)

      2014-03-26 13:06:48
      電子設(shè)計工程 2014年23期
      關(guān)鍵詞:意法系列產(chǎn)品導通

      意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)的最新超結(jié)(super-junction)功率MOSFET滿足家電、低能源照明系統(tǒng)以及太陽能微逆變器廠商對電源能效的要求,同時提供更高可靠性的最新且滿足高功率密度的封裝。

      MDmesh M2系列產(chǎn)品擁有最新最先進的超結(jié)晶體管技術(shù),取得了比上一代產(chǎn)品更低的導通電阻(RDS(ON)),以及更低的柵電荷量(QGD)和輸入/輸出電容(Ciss/Coss)。此外,這些產(chǎn)品更進一步降低了能耗和熱耗散(heat dissipation),讓開發(fā)人員能夠設(shè)計出更高效的電源。

      同時,與市場現(xiàn)有產(chǎn)品的600 V典型擊穿電壓相比,意法半導體的新產(chǎn)品將該參數(shù)提高至650 V,確保新產(chǎn)品具有更高的安全系數(shù),讓設(shè)備廠商能夠設(shè)計更穩(wěn)健且更可靠的電源系統(tǒng)。

      新系列產(chǎn)品還增加了一款采用表面貼裝封裝的PowerFLAT 5x6 HV高壓產(chǎn)品,雖然封裝表面積和厚度都很小,但熱效率和電流處理能力俱佳。計劃于2015年第1季度投入量產(chǎn)的PowerFLAT 5x6 HV封裝可有效提高功率容量,助力設(shè)備廠商研制尺寸更小的下一代產(chǎn)品,且在實現(xiàn)輸出功率變得更高的同時,不會影響其工作可靠性。

      MDmesh M2 MOSFET的目標應用包括筆記本電腦、打印機和游戲機等設(shè)備的外接電源,以及電視機和音響系統(tǒng)的內(nèi)部電源。3W-25W單排以及大功率多排LED燈引擎驅(qū)動器也將受益于新產(chǎn)品的高熱效和高性能。PowerFLAT 5x6 HV封裝是太陽能微逆變器的理想選擇,為尺寸精巧的家用和商用逆變器模塊帶來MDmesh M2產(chǎn)品的能效優(yōu)勢。

      22 MDmesh M2 650 V MOSFET現(xiàn)已上市,最大額定電流范圍為4~11 A,最低導通電阻RDS(ON)降至0.360。STD6N65M2采用D2PAK封裝。

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