導(dǎo)通
- 三有源橋DC-DC變換器的建模與控制技術(shù)
驅(qū)動(dòng)信號(hào)始終互補(bǔ)導(dǎo)通，防止變換器直通短路。圖4：SPS 控制下三有源橋DC-DC 變換器工作波形圖圖4 中（t0～t6）為一個(gè)開關(guān)周期，根據(jù)電感電流在一個(gè)周期內(nèi)流經(jīng)變換器路徑的不同，將三有源橋DC-DC 變換器劃分出十二個(gè)工作模態(tài)?？紤]到三有源橋DC-DC變換器前后半個(gè)周期的工作過程具有對稱性，本文以前半個(gè)周期的工作模態(tài)為例，詳細(xì)分析單移相控制下三有源橋DC-DC 變換器的工作過程。2.1 模態(tài)I：t0～t10時(shí)段t0時(shí)刻前，端口一開關(guān)管S12、S13導(dǎo)通
電子技術(shù)與軟件工程 2023年7期2023-05-29
- 基于二階擬合模型的SiC雙向LLC數(shù)字同步整流控制
導(dǎo)致占空比丟失，導(dǎo)通損耗增大；而直接給定占空比的方法，無法跟隨負(fù)載變化，寬負(fù)載范圍下導(dǎo)通損耗急劇上升。該文提出基于二階擬合模型的SiC雙向LLC數(shù)字同步整流控制，跟蹤負(fù)載和開關(guān)頻率的變化，實(shí)時(shí)計(jì)算同步整流導(dǎo)通時(shí)間。LLC一次側(cè)和二次側(cè)開關(guān)管開通時(shí)刻一致，同步整流管關(guān)斷時(shí)刻由所計(jì)算的同步整流導(dǎo)通時(shí)間決定。在寬負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通損耗，無需檢測高頻信號(hào)，抗干擾性強(qiáng)。該文分析當(dāng)諧振電感和輸出等效電阻存在10% 誤差時(shí)，同步整流導(dǎo)通時(shí)間誤差最大僅為2.73%。搭
電工技術(shù)學(xué)報(bào) 2022年24期2023-01-10
- GaN器件動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻精確測試與影響因素分析
璇GaN器件動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻精確測試與影響因素分析趙方瑋 李 艷 魏 超 張 楠 鄭妍璇（北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院 北京 100044）GaN器件較傳統(tǒng)Si器件具有耐高壓、耐高溫、導(dǎo)通電阻小和開關(guān)損耗小等優(yōu)勢，但其特有的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻現(xiàn)象是限制其大規(guī)模應(yīng)用的主要問題。該文基于動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻影響機(jī)理分析，首先提出一種GaN器件動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻綜合測試平臺(tái)及測試方法；然后測試了三款同電壓/電流等級(jí)、不同結(jié)構(gòu)GaN器件在各影響因素下的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻，分析影響因素占比及動(dòng)態(tài)導(dǎo)通
電工技術(shù)學(xué)報(bào) 2022年18期2022-09-26
- 非隔離型防電流反灌技術(shù)在宇航領(lǐng)域中的研究與應(yīng)用
由于Mos 管的導(dǎo)通阻抗較小，其電流流過時(shí)的壓降明顯小于二極管的正向導(dǎo)通壓降，從而顯著降低二次電源系統(tǒng)的損耗，大幅提升效率。雖然同步整流模式下的Buck 變換器的工作效率大幅提升，但是同步整流技術(shù)也帶來了新的問題[4-5]。當(dāng)輸出功率較大時(shí)，Buck 變換器工作在連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM，Current Continuous Mode）下，電感電流通過同步整流管續(xù)流。當(dāng)輸出功率較小時(shí)，Buck 變換器工作在強(qiáng)制電流連續(xù)模式（FCCM，F(xiàn)orced Curren
科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2022年25期2022-09-07
- 同步發(fā)電機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)可控硅故障分析與研究
陽極的6號(hào)晶閘管導(dǎo)通，每只晶閘管導(dǎo)通時(shí)間為120°，在t2時(shí)刻，共陽極的-B相6號(hào)晶閘管關(guān)斷換相至-A相2號(hào)晶閘管，而此時(shí)共陰極的+A相1號(hào)晶閘管持續(xù)導(dǎo)通600，直至在t3導(dǎo)通截止換相至共陰極的+B相，如此每隔600輪流發(fā)出觸發(fā)脈沖，按如圖1d所示順序導(dǎo)通，輸出轉(zhuǎn)子電壓整流波形[1]。圖1 正常整流狀況下的波形分析1.2 同相上橋臂（+B）與上下橋臂(+B、-B)缺相或者脈沖丟失從圖2中可以看出在t3時(shí)刻，共陰極的+B相3號(hào)晶閘管由于脈沖丟失無法換相，此時(shí)
水電站機(jī)電技術(shù) 2022年2期2022-02-24
- 石墨熱壓還原Cu/Cu2O金屬陶瓷電導(dǎo)逾滲行為與微觀結(jié)構(gòu)分形表征
材料的特點(diǎn)是，當(dāng)導(dǎo)通相的體積分?jǐn)?shù)達(dá)到某一個(gè)臨界值(稱為逾滲閾值)時(shí)，導(dǎo)通相會(huì)從孤立的彌散相轉(zhuǎn)變成連續(xù)的逾滲(percolation)集團(tuán)結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致材料的宏觀性能發(fā)生相應(yīng)的突變。對于性能的轉(zhuǎn)變及材料中非均勻組織的分布，必須借助逾滲理論和分形(fractal)方法才能對其進(jìn)行定量描述。在導(dǎo)體/絕緣體雙相復(fù)合材料逾滲體系中，對導(dǎo)通相逾滲行為和分形的研究，計(jì)算機(jī)計(jì)算結(jié)果是必不可少的部分。因?yàn)樵谡鎸?shí)材料中，無法通過實(shí)驗(yàn)對骨架密度和骨架結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征和驗(yàn)證，所以這部分的
材料工程 2022年1期2022-01-27
- 新型接地導(dǎo)通測試流程分析策略分析
期進(jìn)行接地引下線導(dǎo)通測試，目的是檢查各種電氣設(shè)備之間各部分接地裝置及設(shè)備之間電氣連接情況，從而判斷各設(shè)備接地部分的接地是否良好。國家出臺(tái)了與接地引下線導(dǎo)通測試相關(guān)的電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)[1]，規(guī)定了其參數(shù)測試、電器完整性測試、工頻特性參數(shù)測試及土壤電阻率測試等基本要求和方法。文獻(xiàn)[2-4]對比了幾種接地導(dǎo)通測試方法的優(yōu)缺點(diǎn)，分析了各種測試方法的適用場景和數(shù)據(jù)準(zhǔn)確度；文獻(xiàn)[5]通過設(shè)計(jì)新型接線鉗縮短了變電站變電運(yùn)維接地導(dǎo)通測試工作時(shí)長，提高了運(yùn)維人員的測試效率；文獻(xiàn)
內(nèi)蒙古電力技術(shù) 2021年5期2021-11-21
- 基于Petri網(wǎng)的無刷直流電機(jī)混合導(dǎo)通DSP控制方法
式包括二二和三三導(dǎo)通。前者可以獲得較大轉(zhuǎn)矩,但是換相時(shí)易引起電流畸變,導(dǎo)致轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)增強(qiáng)；后者可以降低轉(zhuǎn)矩波動(dòng),提高繞組的利用率,但會(huì)使空載時(shí)平均電流增加,導(dǎo)致電機(jī)的效率和扭力下降。為了提升電機(jī)的驅(qū)動(dòng)效率和控制精度,一般將二二導(dǎo)通用于精度要求不高的場合,三三導(dǎo)通用于所需扭力不大的場合,但某些場合需要用到兩種驅(qū)動(dòng)方式,所以有必要研究兩種驅(qū)動(dòng)方式的混合導(dǎo)通切換方法[1]。無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的切換類型與功率管個(gè)數(shù)呈指數(shù)增長,這使得二二和三三混合導(dǎo)通切換控制問題非
莆田學(xué)院學(xué)報(bào) 2021年5期2021-11-13
- 提高降壓變換器輕載效率的改進(jìn)型恒定導(dǎo)通時(shí)間控制方法
發(fā)模式控制和恒定導(dǎo)通時(shí)間（constant on-time,COT）控制，可以降低開關(guān)損耗，從而提高系統(tǒng)效率。其中，常應(yīng)用于Buck變換器的恒定導(dǎo)通時(shí)間控制方法通過輸出電壓紋波的反饋來實(shí)現(xiàn)快速的頻率控制[4-7]，在提高變換器負(fù)載響應(yīng)能力[8-9]的基礎(chǔ)上可有效降低輕載情況下的開關(guān)頻率及其損耗[10-12]。通常，輕載（小于滿載效率的20%左右）狀態(tài)下，Buck變換器的功率損耗主要由驅(qū)動(dòng)損耗和開關(guān)損耗決定。為進(jìn)一步提高恒定導(dǎo)通時(shí)間控制下Buck變換器的輕載
電氣技術(shù) 2021年5期2021-05-23
- 實(shí)用電源管理技術(shù)中幾種基本電荷泵電路結(jié)構(gòu)
1 和S3 同時(shí)導(dǎo)通，開關(guān)S2 和S4 同時(shí)導(dǎo)通，且S1 和S3導(dǎo) 通 時(shí)，S2 和S4 斷 開；S2 和S4 導(dǎo) 通 時(shí)，S1 和S3 斷開；即它們交替導(dǎo)通。工作原理分析如下：（一）當(dāng)S1 和S3 導(dǎo)通，S2 和S4 斷開時(shí)電容C 被電源VIN充電，并充電至其兩端電壓達(dá)到VIN。（二）當(dāng)S2 和S4 導(dǎo)通，S1 和S3 斷開時(shí)由于電容C 兩端的電壓不能突變，保持為VIN，電荷泵的輸出電壓VO為：VIN為電荷泵的輸入電壓，UC為電容C的電壓，由式（1）可知
環(huán)球市場 2021年7期2021-04-01
- H橋多電平逆變器的新型調(diào)制
時(shí),開關(guān)管K11導(dǎo)通；-Vm>Vc時(shí),K12導(dǎo)通；初始調(diào)制波Vref>3時(shí),K41導(dǎo)通；Vref<-3時(shí),K42導(dǎo)通；初始調(diào)制波Vref>2時(shí),K21導(dǎo)通；Vref<-2時(shí),開關(guān)管K22導(dǎo)通；初始調(diào)制波Vref>1時(shí),K31導(dǎo)通；Vref<-1時(shí),K32導(dǎo)通.圖4的輸出電壓波形與圖2基本一致,所以兩種方法的逆變器的等效開關(guān)頻率基本相同,由于載波頻率降為原來的一半,所以逆變器的最高工作頻率也降為了原來的一半,各單元各自的四個(gè)開關(guān)管頻率一致.在同時(shí)實(shí)現(xiàn)逆變器輸
蘭州理工大學(xué)學(xué)報(bào) 2020年5期2020-11-05
- 某型號(hào)產(chǎn)品電性能測試數(shù)據(jù)漏項(xiàng)問題分析
一工序。關(guān)鍵詞：導(dǎo)通 ;絕緣; 自動(dòng)顯示 ;功能檢查1.引言某型號(hào)產(chǎn)品電氣系統(tǒng)主要由產(chǎn)品電纜網(wǎng)、電氣控制盒和電源設(shè)備等組成，在產(chǎn)品研制生產(chǎn)過程中，必須對電氣系統(tǒng)的性能進(jìn)行檢測，保證電氣系統(tǒng)工作的正確性。本文主要概述了產(chǎn)品測試數(shù)據(jù)漏項(xiàng)問題的改進(jìn)及解決辦法。在使用線束儀完成電性能檢查后，存在測試數(shù)據(jù)漏項(xiàng)的隱患，通過開發(fā)一款數(shù)據(jù)檢查軟件，用來作為產(chǎn)品電氣系統(tǒng)測試數(shù)據(jù)齊全性檢測的工具，可以實(shí)現(xiàn)測試報(bào)表的自動(dòng)化檢測，操作方便快捷，檢測效率高，且投入成本低，達(dá)到降本增
科學(xué)與財(cái)富 2020年24期2020-10-27
- 君越轎車剎車燈監(jiān)視器的研究與設(shè)計(jì)
定三極管發(fā)射極的導(dǎo)通壓降為0.7V，那么當(dāng)輸入端的電壓μI為低電平時(shí)(μI=0)，必有:μI-μE=μBE1則T1將截止而T2飽和導(dǎo)通。若μI逐漸升高并使μBE1>0.7V時(shí)，T1進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，并有如下的正反饋過程發(fā)生:從而使電路迅速進(jìn)入T1飽和導(dǎo)通、T2截止的狀態(tài)。若μI從高電平逐漸下降，并且降到μBE1只有0.7V左右時(shí)，iC1開始減小，于是又引發(fā)了另一個(gè)正反饋過程: 使電路迅速返回T1截止、T2飽和導(dǎo)通的狀態(tài)?？梢?，無論T2由導(dǎo)通變?yōu)榻刂惯€是由截止變
山西電子技術(shù) 2020年5期2020-10-23
- 快速定量裝車站氣流導(dǎo)通設(shè)計(jì)應(yīng)用
定量倉頂部的氣流導(dǎo)通管道導(dǎo)回緩沖倉頂部，但是還有相當(dāng)一部分氣體被煤流覆蓋擠壓在定量倉底部形成較大沖擊氣團(tuán)，對定量倉閘板縫隙形成巨大沖擊壓力，大量煤塵外溢，對周圍環(huán)境產(chǎn)生較大污染，同時(shí)增加衛(wèi)生清理工作量。1 定量倉蓋板溢塵機(jī)理原煤經(jīng)膠帶機(jī)輸送至快速定量裝車站緩沖倉內(nèi)進(jìn)行緩沖[2]，快速定量裝車站結(jié)構(gòu)如圖1 所示。在快速定量時(shí)，需先打開2～4個(gè)緩沖倉閘板，根據(jù)所裝車廂容量進(jìn)行放煤，70 t 煤瞬間落入定量倉內(nèi)，由于定量倉結(jié)構(gòu)為倒錐形結(jié)構(gòu)，在定量倉底部空氣無法瞬
設(shè)備管理與維修 2020年14期2020-08-12
- 脈沖電壓作用下晶閘管反向恢復(fù)期二次導(dǎo)通特性*
脈沖沖擊，引起誤導(dǎo)通、器件損傷甚至擊穿.因此，研究脈沖電壓下晶閘管反向恢復(fù)期二次導(dǎo)通特性，對于確定器件保護(hù)策略，并進(jìn)一步保證設(shè)備可靠運(yùn)行具有重要意義.由于晶閘管在反向恢復(fù)期出現(xiàn)誤導(dǎo)通時(shí)，容易引起器件失效，工程人員在器件應(yīng)用過程中也對其二次導(dǎo)通特性進(jìn)行關(guān)注.文獻(xiàn)[8]對晶閘管進(jìn)行反向恢復(fù)期脈沖電壓耐受試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)二次導(dǎo)通可能引起極高的導(dǎo)通電流并發(fā)生擊穿，對晶閘管是十分嚴(yán)峻的考驗(yàn)，需要加強(qiáng)恢復(fù)期的保護(hù).以高壓直流輸電換流閥為例，反向恢復(fù)期保護(hù)(RP)是晶閘管級(jí)控
沈陽工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2020年4期2020-08-01
- 基于模塊導(dǎo)通電阻的碳化硅MOSFET鍵合線健康狀態(tài)評(píng)估方法
阻斷電壓，更低的導(dǎo)通電阻，更高的開關(guān)速度和更好的傳導(dǎo)性[1-9]。碳化硅電力電子器件在新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、柔性輸電等領(lǐng)域具有越來越重要的地位并擁有廣闊的前景[10-15]。SiC MOSFET模塊是功率變換器的核心器件，隨著器件的老化，會(huì)發(fā)生不可預(yù)見的故障，引起經(jīng)濟(jì)損失[16-19]。因此，對SiC MOSFET的在線監(jiān)測可以提前發(fā)現(xiàn)故障，為提前解決故障提供數(shù)據(jù)，提高可靠性，減少故障時(shí)間。文獻(xiàn)[20]～[22]指出，鍵合線的斷裂是一種故障率很高的封裝級(jí)失
- MOS管毫歐級(jí)導(dǎo)通電阻測試方法
同應(yīng)用的需求，其導(dǎo)通電阻從幾毫歐到數(shù)百歐，漏源極擊穿電壓的范圍從幾伏到上千伏，最大漏極耗散功率從幾瓦到幾百瓦，隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，MOS管的性能不斷提升。當(dāng)MOS管作為開關(guān)管使用時(shí)，擊穿電壓越來越高，導(dǎo)通電阻越來越小，很多產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻已經(jīng)在毫歐級(jí)的數(shù)量級(jí)（稱為低導(dǎo)通電阻MOS管），對于產(chǎn)品使用非常有利，大大降低了MOS管的功耗，可以通過更大的工作電流，也提高了電路的轉(zhuǎn)換效率。2 測試現(xiàn)狀和問題隨著MOS管的大量使用，具體應(yīng)用中選取的MOS管的導(dǎo)
電子技術(shù)與軟件工程 2019年21期2020-01-16
- 一種NMOS高側(cè)驅(qū)動(dòng)電路
，但是PMOS的導(dǎo)通電阻比較大，負(fù)載電流大，PMOS管發(fā)熱嚴(yán)重，所以選擇NMOS作為控制器件,這里選用IRFB7437PbF。1 負(fù)載供電使能控制電路(RL為負(fù)載)負(fù)載供電電壓為12 V。NMOS管的漏極接電源正極，其驅(qū)動(dòng)電路屬于NMOS的高側(cè)驅(qū)動(dòng)。由于這個(gè)NMOS是控制供電，其導(dǎo)通時(shí)間很長。負(fù)載RL不斷電，NMOS就一直導(dǎo)通，這不同于高頻應(yīng)用的情況，因此，不能采用普通的自舉供電驅(qū)動(dòng)方式[2]，也不能用變壓器驅(qū)動(dòng)。負(fù)載供電使能控制電路可以很好地完成高側(cè)NM
長春工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2019年6期2020-01-03
- 串聯(lián)晶閘管同步導(dǎo)通設(shè)計(jì)研究
梅摘 要：晶閘管導(dǎo)通能力強(qiáng)，但是耐壓性較弱，隨著高壓與特高壓在工業(yè)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用企業(yè)多采用晶閘管串聯(lián)的方式以此來增加晶閘管的抗壓性。我們利用MOSFET的快導(dǎo)通和通流能力強(qiáng)的特點(diǎn)，搭建了一套實(shí)現(xiàn)光纖控制的四只晶閘管同步導(dǎo)通的強(qiáng)觸發(fā)平臺(tái)，而且對這套系統(tǒng)進(jìn)行了間接光觸發(fā)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，經(jīng)過測試表明，晶閘管觸發(fā)時(shí)延和門極觸發(fā)電流相關(guān)，觸發(fā)電流峰值越大，前沿小，導(dǎo)通越快，時(shí)延越小。關(guān)鍵詞：串聯(lián)晶閘管；導(dǎo)通；實(shí)驗(yàn)；設(shè)計(jì)；電壓我們知道當(dāng)前主流的晶閘管單只耐壓不高，在斷
速讀·下旬 2019年3期2019-04-11
- 一種增強(qiáng)BOOST轉(zhuǎn)換器抗干擾能力的電路設(shè)計(jì)
PWM方法，恒定導(dǎo)通時(shí)間控制(constant on the time control, COT)方法的轉(zhuǎn)換效率較高，其開關(guān)的導(dǎo)通時(shí)間為一定值，通過改變開關(guān)的關(guān)斷時(shí)間來調(diào)整占空比，這就導(dǎo)致其開關(guān)頻率不固定，給后續(xù)濾波器的設(shè)計(jì)帶來很大的困難[10]。針對COT方法的局限性，文獻(xiàn)[11]設(shè)計(jì)了一種新型導(dǎo)通時(shí)間產(chǎn)生電路，根據(jù)不同的工作狀態(tài)產(chǎn)生相應(yīng)的開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間，消除外界參數(shù)的影響，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)頻率的恒定。這種方案電路簡單，但是頻率誤差較大。另外，該架構(gòu)需要較大的
西安郵電大學(xué)學(xué)報(bào) 2019年5期2019-03-13
- 改進(jìn)型交錯(cuò)并聯(lián)Buck變換器的通道控制
輕載效率，且減少導(dǎo)通通道數(shù)后，電流紋波顯著增大，基本喪失了交錯(cuò)并聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)。本文以4通道交錯(cuò)并聯(lián)Buck變換器為研究對象，提出一種改進(jìn)型交錯(cuò)并聯(lián)Buck變換器的通道控制方案，在改變導(dǎo)通通道數(shù)的同時(shí)，也改變各通道的相位。通過優(yōu)化減少導(dǎo)通通道數(shù)的變換器，使制約直流變換器發(fā)展的關(guān)鍵問題即輕載效率偏低得到根本解決，且控制能夠達(dá)到交錯(cuò)并聯(lián)的控制要求。負(fù)載逐漸增加和減少兩種情況下，工作過程和結(jié)論基本一致。本文以負(fù)載逐漸較少情況為例進(jìn)行分析，仿真和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了理論分析的正確
電源學(xué)報(bào) 2018年6期2018-12-17
- 晶閘管導(dǎo)通測試儀的研制
70 V時(shí)晶閘管導(dǎo)通，加在晶閘管上電壓瞬時(shí)下跌，如圖1所示。圖1 傳統(tǒng)試驗(yàn)方法根據(jù)廣東電網(wǎng)有限責(zé)任公司《變壓器中性點(diǎn)電容隔直裝置驗(yàn)收規(guī)范》中交接試驗(yàn)的要求及中國南方電網(wǎng)《檢修預(yù)試規(guī)程》，需要對晶閘管回路進(jìn)行定期試驗(yàn)。由于沒有一種專門檢測電力行業(yè)大功率晶閘管導(dǎo)通的測試儀，每次試驗(yàn)都需要采用傳統(tǒng)的老方法?，F(xiàn)場需要用到多種儀器連接起來試驗(yàn)，由幾個(gè)人互相協(xié)調(diào)溝通才能完成，存在儀器攜帶不方便、接線繁雜、工作效率低下、安全性差等問題?？偨Y(jié)多次現(xiàn)場晶閘管的試驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)，研制
機(jī)電信息 2018年30期2018-10-24
- 一種基于模擬電路的倍頻單極性SPWM控制策略
正，此時(shí)，VT4導(dǎo)通而VT4關(guān)斷，即有VT4導(dǎo)通或VD4續(xù)流導(dǎo)通，這取決于電流iα的方向。同時(shí)。比較器A根據(jù)調(diào)制波與載波的調(diào)制而輸出SPWM信號(hào)，當(dāng)VT1導(dǎo)通有效而VT2關(guān)斷有效時(shí)，VT1導(dǎo)通或VD1續(xù)流導(dǎo)通，當(dāng)VT2關(guān)斷，反之，當(dāng)VT2導(dǎo)通有效而VT1關(guān)斷有效時(shí)，VT2導(dǎo)通或VD2續(xù)流導(dǎo)通，而VT1關(guān)斷。顯然正弦調(diào)制波正半周時(shí)，逆變器輸出正極性的SPWM電壓脈沖。同理，當(dāng)正弦調(diào)制波負(fù)半周時(shí)，由于三角載波極性為負(fù)，則 比較器B輸出極性為負(fù)，逆變器輸出負(fù)極性
中國設(shè)備工程 2018年9期2018-05-23
- MATLAB在電力電子技術(shù)課程教學(xué)中的應(yīng)用研究
R=4Ω，VT1導(dǎo)通180°之后，VT2開始導(dǎo)通，導(dǎo)致VT2時(shí)間比VT1大0.01s，所以：仿真結(jié)果如圖3-2所示。從圖3-2波形可以看出，當(dāng)α=0°時(shí)，相當(dāng)于晶閘管一直導(dǎo)通，VT1導(dǎo)通180°后，VT2導(dǎo)通，兩管交替導(dǎo)通，輸出電壓最大，uo=u1，功率因數(shù)角λ=1。圖3-2 單相調(diào)功電阻負(fù)載時(shí)α=0°時(shí)的波形（2）當(dāng)α=30°時(shí)，電阻R=4Ω，延遲30°，VT1導(dǎo)通180°之后，VT2導(dǎo)通，導(dǎo)致VT2的時(shí)間比VT1大0.01s，所以：仿真結(jié)果如圖3-3所
電子世界 2017年23期2017-12-19
- 100 A級(jí)同步流整流器
整流狀態(tài)下需要低導(dǎo)通電阻、大電流承受能力和低熱阻的特點(diǎn)和目前商用低壓MOSFET最新水平。分析了工作在整流器狀態(tài)的MOSFET導(dǎo)通電阻對導(dǎo)通電壓的影響，提出采用極低導(dǎo)通電阻作為100 A級(jí)整流器的MOSFET所需要滿足的主要參數(shù)。最后，通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了本文提出的方法及理論。同步整流器；MOSFET；極低導(dǎo)通電阻；導(dǎo)通電壓越來越多的低壓大電流直流應(yīng)用要求整流器需要具有盡可能高的整流效率，例如汽車發(fā)電機(jī)整流器輸出電流達(dá)100～200 A。當(dāng)整流電路輸出電流達(dá)到1
- 淺談電纜網(wǎng)電性能檢查常見故障分析及預(yù)防
田華摘 要： 導(dǎo)通不良、絕緣不良是彈上電纜網(wǎng)常見的故障。本文通過對這兩種常見故障現(xiàn)象的總結(jié)與分析，提出了對應(yīng)的預(yù)防措施，能有效提高導(dǎo)彈電纜網(wǎng)的質(zhì)量。關(guān)鍵詞： 電纜網(wǎng)；導(dǎo)通；絕緣1引言彈上電纜網(wǎng)主要由電連接器和導(dǎo)線組成，負(fù)責(zé)彈上器件與器件、組件與組件、系統(tǒng)與系統(tǒng)之間的電氣連接和信號(hào)傳遞，其性能的好壞，直接關(guān)系到整個(gè)導(dǎo)彈系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行。彈上電纜網(wǎng)的制造通常選用高可靠性的軍用連接器和導(dǎo)線，與民用電纜網(wǎng)相比，嚴(yán)格的制造公差、堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)，必須經(jīng)受高水平嚴(yán)格測試，
科學(xué)與財(cái)富 2017年27期2017-10-17
- 一種汽車發(fā)電機(jī)主動(dòng)整流器
態(tài)的MOSFET導(dǎo)通電阻對導(dǎo)通電壓的影響，提出采用極低導(dǎo)通電阻作為100 A級(jí)整流器需要的MOSFET要求的參數(shù)。最后，通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了提出的方法及理論。汽車發(fā)電機(jī)；MOSFET；主動(dòng)整流器；導(dǎo)通電壓越來越多汽車電子設(shè)備的出現(xiàn)，要求汽車的供電電流越來越大。這個(gè)供電要求需要由汽車發(fā)電機(jī)提供。使得汽車發(fā)電機(jī)輸出電流增加到150~200 A。汽車發(fā)電機(jī)輸出電流的幅度增加，帶來的最大問題是整流器散熱問題。汽車發(fā)電機(jī)輸出電流150 A狀態(tài)下，整流器產(chǎn)生的損耗在210~
- 基于無線傳輸技術(shù)的接地導(dǎo)通測試儀的研究與設(shè)計(jì)
線傳輸技術(shù)的接地導(dǎo)通測試儀的研究與設(shè)計(jì)王海歐，白金泉，陳群鋒，陳行曉（國網(wǎng)浙江省電力公司檢修分公司，杭州311232）為提高變電站接地電阻檢測工作的效率和安全性，需對現(xiàn)有接地導(dǎo)通測試儀的工作模式加以改進(jìn)。不同于傳統(tǒng)的一體式設(shè)計(jì)，研發(fā)的分離式接地導(dǎo)通測試儀，在設(shè)計(jì)中通過功能劃分將測量和控制分離開，由測量裝置負(fù)責(zé)接地電阻的測量，由控制裝置利用無線傳輸技術(shù)完成對測量部分的啟?？刂坪蜏y量結(jié)果的傳輸、存儲(chǔ)等。測量過程實(shí)現(xiàn)了單人操作，可有效降低測量過程中因信息傳遞不暢
浙江電力 2017年5期2017-06-13
- 中壓配電網(wǎng)串聯(lián)TCSC調(diào)壓的應(yīng)用研究
式；由于晶閘管的導(dǎo)通壓降會(huì)影響TCSC的等效基波容抗，因而采用串接受控電壓源來消除影響；最后通過TCSC對輻射線路電壓調(diào)節(jié)的仿真分析，說明仿真時(shí)通過串接受控電壓源可以消除晶閘管導(dǎo)通壓降對調(diào)壓的影響，而在實(shí)際應(yīng)用中只需對查表進(jìn)行修正，則同樣可實(shí)現(xiàn)對電壓進(jìn)行精確調(diào)節(jié)。中壓配電網(wǎng)；串聯(lián)調(diào)壓；橫向壓降；TCSC；導(dǎo)通壓降0 引 言可控串聯(lián)補(bǔ)償器TCSC(Thyristor Controlled Series Capacitor)[1-2]目前主要應(yīng)用于輸電網(wǎng)，利用
電氣自動(dòng)化 2017年2期2017-04-21
- 人工心臟無位置傳感器無刷直流電動(dòng)機(jī)非導(dǎo)通相端電壓分析
無刷直流電動(dòng)機(jī)非導(dǎo)通相端電壓分析尹成科1，談雪丹2(1.蘇州大學(xué)，蘇州 215021； 2.蘇州同心醫(yī)療器械有限公司，江蘇蘇州215125)人工心臟無位置傳感器無刷直流電動(dòng)機(jī)輕載時(shí)，通過采集PWM關(guān)閉期間的非導(dǎo)通相端電壓來獲取反電勢過零點(diǎn)存在一定的局限。以逆變橋上管PWM調(diào)制、下管恒通的控制方法為例，理論分析了非導(dǎo)通相端電壓在PWM導(dǎo)通與關(guān)斷期間的波形，并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。結(jié)果表明，在PWM關(guān)閉階段，非導(dǎo)通相端電壓會(huì)受到導(dǎo)通相懸空、非導(dǎo)通相嵌位等影響發(fā)生波動(dòng)，反
微特電機(jī) 2016年3期2016-11-29
- 民用飛機(jī)全機(jī)自動(dòng)導(dǎo)通測試原理及新方法研究
民用飛機(jī)全機(jī)自動(dòng)導(dǎo)通測試原理及新方法研究韓建賓1，2陳峰1王豐超1丁紅瑜1（1.上海飛機(jī)制造有限公司，上海 200436；2.上海交通大學(xué)，上海 200240）民用飛機(jī)全機(jī)電纜完整性測試（WIT）主要分為導(dǎo)通測試和絕緣測試。本文主要介紹了自動(dòng)導(dǎo)通測試的基本原理，討論了如何把工程文件中的導(dǎo)通表整理、編制成符合測試要求的形式，制定一套標(biāo)準(zhǔn)、統(tǒng)一的編程方法，以符合全機(jī)電纜完整性測試（WIT）進(jìn)入自動(dòng)化之后的新要求。全機(jī)導(dǎo)通 電纜完整性測試（WIT） 測試程序1
中國科技縱橫 2015年2期2015-11-05
- 基于預(yù)測電流控制的BLDCM轉(zhuǎn)矩控制
對無刷直流電機(jī)的導(dǎo)通方式及換相轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)做了詳細(xì)研究:文獻(xiàn)［1］對無刷直流電機(jī)的120°導(dǎo)通方式和180°導(dǎo)通方式的轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)進(jìn)行了比較，得出180°導(dǎo)通方式更適合于使用在高速場合中的結(jié)論;文獻(xiàn)［2］提出在換相階段采用180°導(dǎo)通方式，而在非換相階段采用120°的導(dǎo)通方式的控制方法，對單一120°導(dǎo)通方式在換相期間，由非導(dǎo)通相續(xù)流造成的換相轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)起到了明顯的抑制作用．也有學(xué)者將成功應(yīng)用于異步電機(jī)和交流同步電機(jī)上的直接轉(zhuǎn)矩控制(direct torque co
- 混合導(dǎo)通模式Boost PFC的控制策略研究
62000)混合導(dǎo)通模式Boost PFC的控制策略研究王 武1，葉開明1，2，陳浩龍1，蔡逢煌1，洪巧文1(1.福州大學(xué)電氣工程與自動(dòng)化學(xué)院，福建福州350108;2.國網(wǎng)泉州供電公司，福建泉州362000)工作在寬負(fù)載輸出應(yīng)用場合的Boost PFC變換器(如不間斷電源)單獨(dú)采用連續(xù)導(dǎo)通模式算法和斷續(xù)導(dǎo)通模式算法時(shí)存在電流畸變問題，本文針對此問題提出了混合導(dǎo)通模式控制策略。詳細(xì)分析了混合導(dǎo)通模式控制策略的工作原理及其控制優(yōu)勢，基于DSP設(shè)計(jì)了相對應(yīng)的數(shù)
電工電能新技術(shù) 2015年7期2015-06-01
- 安森美半導(dǎo)體推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容
得令人難以置信的導(dǎo)通電阻RDS（on）值，從而將導(dǎo)通損耗降至最低并提升整體工作能效水平。它們還有低至2 164 pF的門極電容（Ciss），確保保持盡可能低的驅(qū)動(dòng)損耗安森美半導(dǎo)體新的NTMFS5C404NLT、NTMFS5C410NLT和 NTMFS5C442NLT MOSFET額定擊穿電壓為40 V，最大導(dǎo)通電阻值(Vgs為10 V時(shí))分別為0.74 mΩ、0.9 mΩ和2.8 mΩ，連續(xù)漏電流分別為352 A、315 A和127 A。與這些器件相輔相成
電子設(shè)計(jì)工程 2015年11期2015-03-25
- T型三電平與二極管箝位型三電平導(dǎo)通損耗的對比
損耗、關(guān)斷損耗和導(dǎo)通損耗。如果對器件開關(guān)特性進(jìn)行優(yōu)化，那么開通關(guān)斷損耗占的比例就會(huì)大大減小，導(dǎo)通損耗就會(huì)成為主要的功率損耗源。因此，有必要對兩種結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通損耗進(jìn)行討論和比較。圖1 兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)示意圖1 兩種拓?fù)涞钠骷ぷ髑闆r分析要想對兩種拓?fù)涞?span id="j5i0abt0b" class="hl">導(dǎo)通損耗進(jìn)行計(jì)算，首先要對兩種拓?fù)涞墓ぷ髑闆r進(jìn)行充分的了解。下面將對兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的工作情況進(jìn)行分析［7］。1.1 NPC結(jié)構(gòu)工作情況分析NPC結(jié)構(gòu)在穩(wěn)定工作時(shí)有三種運(yùn)行狀態(tài)，分別對應(yīng)的輸出電壓為+E/2，0，-E/2
現(xiàn)代機(jī)械 2015年2期2015-01-15
- 汽車線束生產(chǎn)中導(dǎo)通測試設(shè)備的應(yīng)用
束的發(fā)展也給線束導(dǎo)通測試帶來了新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。汽車線束作為汽車的關(guān)鍵零部件之一，可靠性對汽車至關(guān)重要。如果線束裝配完成后不進(jìn)行導(dǎo)通測試，線束就有可能發(fā)生錯(cuò)路和短路等情況，直接或者間接影響到汽車的安全性。現(xiàn)在更多的汽車廠家把導(dǎo)通測試作為一項(xiàng)技術(shù)要求來執(zhí)行，這也是汽車線束廠家保證線束品質(zhì)的重要手段。目前汽車線束導(dǎo)通采用的方式有3種：①門鈴式導(dǎo)通；②推拉塊式導(dǎo)通測試臺(tái)；③氣動(dòng)式導(dǎo)通測試臺(tái)。筆者根據(jù)多年的工作經(jīng)驗(yàn)，分別描述3種導(dǎo)通方式的特點(diǎn)。1 門鈴式導(dǎo)通門鈴式導(dǎo)
汽車電器 2014年2期2014-12-02
- 一種簡易的無刷直流電動(dòng)機(jī)直接轉(zhuǎn)矩控制
析，計(jì)算出了兩相導(dǎo)通模式靜止坐標(biāo)系下的無刷直流電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)轉(zhuǎn)矩表達(dá)式，通過加入微分調(diào)節(jié)觀測磁鏈，降低轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)，但是計(jì)算方法較復(fù)雜。文獻(xiàn)［5］舍去磁鏈估算環(huán)節(jié)，對最優(yōu)的電壓矢量進(jìn)行選擇實(shí)現(xiàn)無刷直流電動(dòng)機(jī)的直接轉(zhuǎn)矩控制，達(dá)到抑制轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)的目的。傳統(tǒng)的直接轉(zhuǎn)矩控制方法通過對轉(zhuǎn)矩和磁鏈計(jì)算，然后選擇適合的電壓矢量調(diào)節(jié)，可以實(shí)現(xiàn)電機(jī)轉(zhuǎn)矩的控制［6］，但大多采用6分區(qū)的電壓矢量空間。由于分區(qū)較寬，會(huì)導(dǎo)致轉(zhuǎn)矩不夠平穩(wěn)，未能完全發(fā)揮直接轉(zhuǎn)矩控制的優(yōu)良性能［7］。所以，為
微特電機(jī) 2014年7期2014-10-31
- 一種新型雙通道MOS開關(guān)柵壓自舉電路
低了MOS開關(guān)的導(dǎo)通電阻值,同時(shí)在輸入信號(hào)的全擺幅范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了常數(shù)的導(dǎo)通電阻;考慮了器件可靠性要求且與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝技術(shù)兼容.采用0.13μm CMOS工藝和1.2 V工作電壓的仿真實(shí)驗(yàn)表明,提出開關(guān)的導(dǎo)通電阻在全擺幅輸入信號(hào)范圍內(nèi)的變化量小于4.3%;在采樣頻率為100 MHz,輸入峰峰值為1 V,輸入頻率為100 MHz時(shí),提出開關(guān)的總諧波失真達(dá)到-88.33dB,較之傳統(tǒng)的NMOS自舉開關(guān)以及標(biāo)準(zhǔn)的CMOS傳輸門開關(guān),分別提高了約-14.8dB和
西安電子科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2014年3期2014-07-31
- 基于混合驅(qū)動(dòng)的無刷直流電機(jī)特性研究
無刷直流電機(jī)兩相導(dǎo)通與三相導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)控制的特點(diǎn)，改變功率器件導(dǎo)通角度能夠?qū)崿F(xiàn)混合驅(qū)動(dòng)。隨著導(dǎo)通角度的增加，電機(jī)的輸出最大轉(zhuǎn)速和功率增加，穩(wěn)速時(shí)的負(fù)載范圍擴(kuò)大，同時(shí)轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)下降。利用轉(zhuǎn)子位置傳感器能夠?qū)崿F(xiàn)任意角度的混合驅(qū)動(dòng)。采用混合驅(qū)動(dòng)技術(shù)能夠提高電機(jī)的輸出能力，更加充分利用電機(jī)，為電機(jī)的選擇和設(shè)計(jì)提供參考。無刷直流電機(jī)；混合驅(qū)動(dòng)；機(jī)械特性；轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)；導(dǎo)通角度1 引言無刷直流電機(jī)通常采用全橋驅(qū)動(dòng)電路，功率器件根據(jù)轉(zhuǎn)子位置信息邏輯信號(hào)實(shí)現(xiàn)電機(jī)三相繞組導(dǎo)通和關(guān)斷。
電氣傳動(dòng) 2014年12期2014-07-07
- 固態(tài)平板Blumlein線中的GaAs光導(dǎo)開關(guān)導(dǎo)通電阻實(shí)驗(yàn)
GaAs光導(dǎo)開關(guān)導(dǎo)通電阻實(shí)驗(yàn)諶 怡，王 衛(wèi)，劉 毅，夏連勝，張 篁，朱 雋，石金水，章林文(中國工程物理研究院流體物理研究所脈沖功率科學(xué)與技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，四川綿陽621900)為了研制緊湊型脈沖功率系統(tǒng)，開展了基于固態(tài)Blumlein線的GaAs光導(dǎo)開關(guān)(PCSS)導(dǎo)通電阻的初步研究實(shí)驗(yàn)。結(jié)合2mm厚固態(tài)平板Blumlein線，利用高功率脈沖激光二極管觸發(fā)GaAs光導(dǎo)開關(guān)，在脈沖偏置電壓下，GaAs光導(dǎo)開關(guān)非線性導(dǎo)通，經(jīng)Blumlein線輸出22.3 kV
電工電能新技術(shù) 2014年7期2014-06-01
- 智能型導(dǎo)通電阻測試儀的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
定性的影響，其中導(dǎo)通電阻的大小反映出電信號(hào)接觸偶的接觸情況，如果導(dǎo)通電阻過大，容易造成接觸不良，如何在不同的工作環(huán)境中快速準(zhǔn)確地對毫歐級(jí)的導(dǎo)通電阻進(jìn)行測試成為科研人員面臨的一個(gè)重要問題.利用毫歐表可以對導(dǎo)通電阻進(jìn)行準(zhǔn)確測試，但是人工無法在高低溫、振動(dòng)等惡劣環(huán)境中操作毫歐表，無法適應(yīng)快速復(fù)雜的生產(chǎn)流程.本文針對這種需求，提出了一種基于該接口的導(dǎo)通電阻測試方法.1 系統(tǒng)原理GJBZ188A接口中的電氣信號(hào)主要可分為直流供電信號(hào)、交流供電信號(hào)、多路總線、地址信號(hào)
測試技術(shù)學(xué)報(bào) 2014年3期2014-02-10
- Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET?功率MOSFET
T具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，采用1×1×0.55 mm和1.6×1.6×0.6 mm的CSP MICRO FOOT?封裝。在智能手機(jī)、平板電腦和移動(dòng)計(jì)算設(shè)備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應(yīng)用中，今天推出的器件將用于電池和負(fù)載切換。MOSFET的小尺寸可節(jié)約PCB空間，實(shí)現(xiàn)超薄的外形，讓便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕，而且器件的低導(dǎo)通電阻能夠?qū)崿F(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗，從而降低能耗，延長兩次充電間的電池壽命。器件的低導(dǎo)通電阻還意味著在負(fù)載開關(guān)上的壓降更低，防止出現(xiàn)討厭的欠壓
電子設(shè)計(jì)工程 2013年3期2013-03-26
- 基于輸入電壓前饋補(bǔ)償?shù)拈_關(guān)變換器恒定導(dǎo)通時(shí)間控制技術(shù)
的控制方法。恒定導(dǎo)通時(shí)間（Constant On-Time, COT）控制技術(shù)是一種在工業(yè)界中得到廣泛應(yīng)用的基于 PFM調(diào)制的技術(shù)[4-5]，它使開關(guān)變換器的功率開關(guān)管在一個(gè)固定的時(shí)間間隙內(nèi)導(dǎo)通，通過控制關(guān)斷時(shí)間實(shí)現(xiàn)控制信號(hào)占空比的調(diào)節(jié)，以維持輸出電壓的穩(wěn)定[6-8]。COT控制開關(guān)變換器具有瞬態(tài)響應(yīng)速度快，系統(tǒng)設(shè)計(jì)簡單[9]，無需誤差放大器等優(yōu)點(diǎn)。但是COT控制開關(guān)變換器的開關(guān)頻率隨著輸入電壓的變化而變化[10]，對EMI濾波器的優(yōu)化設(shè)計(jì)帶來困難。為了解
電工技術(shù)學(xué)報(bào) 2012年2期2012-09-16
- 大功率半導(dǎo)體開關(guān)RSD觸發(fā)導(dǎo)通特性的實(shí)驗(yàn)研究
開關(guān)中，反向觸發(fā)導(dǎo)通雙極晶閘管（Reversly Switched-on Dynistor,RSD）是目前通流能力最強(qiáng)的半導(dǎo)體器件之一[1]。它的導(dǎo)通速度快，電流上升速率最高可達(dá)70kA/μs[2]。相比其他大電流開關(guān)，RSD還具有長壽命、可靠性高、無污染等優(yōu)點(diǎn)。在高壓大功率電源中[3-7]有廣泛的應(yīng)用前景。RSD應(yīng)用技術(shù)的關(guān)鍵在于觸發(fā)技術(shù)，俄羅斯Ioffe物理研究所對RSD觸發(fā)導(dǎo)通的物理過程進(jìn)行了理論分析[2]，提出以臨界觸發(fā)電荷量作為RSD觸發(fā)充分與否
電工技術(shù)學(xué)報(bào) 2012年10期2012-06-06
- 基于STM32F103的SVPWM算法實(shí)現(xiàn)
要包括判斷扇區(qū)、導(dǎo)通時(shí)間長度計(jì)算及其過調(diào)制處理、導(dǎo)通時(shí)刻計(jì)算。在計(jì)算導(dǎo)通時(shí)間長度時(shí)，首先如下定義X、Y、Z，式中Vdc為直流母線電壓。根據(jù)不同扇區(qū)，把 X、Y、Z 分別賦予 T1、T2，且當(dāng) T1＋T2＞T 時(shí)，則取得到導(dǎo)通時(shí)間T1、T2后，再計(jì)算三相開關(guān)的導(dǎo)通時(shí)刻這里用到了大量的除法，而為了保證計(jì)算速率和計(jì)算精度，傳統(tǒng)的方法（基于TIC2000）是把數(shù)據(jù)進(jìn)行標(biāo)幺，用Q格式來表示數(shù)據(jù)，用移位來代替除法，但是這樣做也就使得程序看起來不是很直觀，雖然仍然可以從
電氣傳動(dòng)自動(dòng)化 2012年4期2012-04-16
- Vishay推出采用業(yè)內(nèi)最小芯片級(jí)MICRO FOOT?封裝的新款Vishay Siliconix功率MOSFET
寸，具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12 V和20 V的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。此次發(fā)布的器件將用于智能手機(jī)、平板電腦和移動(dòng)計(jì)算設(shè)備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應(yīng)用中的電池或負(fù)載開關(guān)。MOSFET的外形緊湊小巧，可節(jié)省PCB空間并實(shí)現(xiàn)超薄的外形，使便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕，低導(dǎo)通電阻可實(shí)現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗，以減少功耗并延長電池壽命。器件的低導(dǎo)通電阻還可以降低負(fù)載開關(guān)上的壓降，避免討厭的欠壓鎖定。這些MOSFET是首批采用這種規(guī)格尺寸的
電子設(shè)計(jì)工程 2012年24期2012-03-31
- 安森美半導(dǎo)體推出低靜態(tài)電流4通道及6通道開關(guān)，支持下一代高速接口
據(jù)傳輸速率。它的導(dǎo)通電容（CON）為2.1 pF（典型值），導(dǎo)通電阻 （RDSON）為8 Ω （典型值）。與這器件相輔相成的是同樣能支持8 Gbps工作的4通道差分開關(guān)NCN3411。NCN3411的導(dǎo)通電容為2 pF（典型值），導(dǎo)通電阻（RDSON）為7.5 Ω（典型值）。這些特性使這兩款新器件非常適合用于PCI Express 3.0及DispalyPort 1.2 I/O信號(hào)路由。NCN3612B的電源電壓范圍為3～3.6 V，消耗的供電電流僅為25
電子設(shè)計(jì)工程 2012年8期2012-03-31
- Vishay推出的下一代D系列MOSFET具有諸如超低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷等高性能指標(biāo)
n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3～36 A電流，采用多種封裝。今天發(fā)布的D系列MOSFET基于新的高壓條帶技術(shù)，使效率和功率密度達(dá)到新的水平。器件的條帶設(shè)計(jì)加上更小的裸片尺寸和端接，使柵極電荷比前一代方案低50%，同時(shí)提高了開關(guān)速度，降低了導(dǎo)通電阻和輸入電容。400 V、500 V和600 V器件的導(dǎo)通電阻分別為0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的導(dǎo)通電阻意味著極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，能夠在服務(wù)器和通信電源系統(tǒng)、焊接、等離子切割、電池充電器、
電子設(shè)計(jì)工程 2012年10期2012-03-31
- 恩智浦超小型MOSFET采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤
10 V時(shí)的超低導(dǎo)通電阻Rds(on)分別為12 mΩ（典型值）和 16.5 mΩ（典型值），因此導(dǎo)通損失小，功耗更低，電池使用壽命更長。新型 DFN2020MOSFET高度僅為 0.6 mm，比當(dāng)今市場上大多數(shù)2 mm×2 mm的產(chǎn)品更加輕薄，是智能手機(jī)和平板電腦等便攜應(yīng)用設(shè)備中超小型負(fù)載開關(guān)、電源轉(zhuǎn)換器和充電開關(guān)的理想之選。該款MOSFET還適用于其他空間受限應(yīng)用，其中包括直流電機(jī)、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通信以及LED照明，在這類應(yīng)用中功率密度和效率尤為關(guān)鍵。D
電子工業(yè)專用設(shè)備 2012年7期2012-03-30
- 利用鉗形表測量線路桿塔接地性能的可行性研究
通道不通 (接地導(dǎo)通不良)，從而產(chǎn)生較高的反擊電壓導(dǎo)致絕緣子閃絡(luò)，致使線路跳閘。湖南省是多酸雨地區(qū)，腐蝕對輸變電接地網(wǎng)的危害尤為嚴(yán)重〔3〕。湖南省電力公司從上世紀(jì)90年代起至今，為摸清接地網(wǎng)的腐蝕情況及存在的問題，在雷雨季節(jié)來臨之前均對輸電線路桿塔地網(wǎng)進(jìn)行接地通道導(dǎo)通情況進(jìn)行檢查。從近3年來的檢查情況來看:湖南電網(wǎng)110 kV及以上線路雷擊跳閘事故中，由于接地電阻偏高或接地通道不通 (接地導(dǎo)通不良)造成的雷擊跳閘約占總雷擊跳閘事故率的70%。因此，認(rèn)真分析
湖南電力 2011年5期2011-07-13
- 場效應(yīng)管在自動(dòng)控制電路中的應(yīng)用一例
場效應(yīng)管MOS的導(dǎo)通電壓（一般2.5V以上）時(shí)，場效應(yīng)管MOS導(dǎo)通，電機(jī)DJ旋轉(zhuǎn)。場效應(yīng)管MOS的型號(hào)應(yīng)根據(jù)電機(jī)DJ的功率大小來選擇，較小時(shí)可用M95O2，功率較大時(shí)可用IRF45O、IRF54O、K2746等。為使場效應(yīng)管MOS可靠飽和導(dǎo)通，柵壓一般設(shè)定在4-6V之間，過低可能退出飽和區(qū)，過高容易損壞場效應(yīng)管。場效應(yīng)管MOS的導(dǎo)通時(shí)間，可通過調(diào)整R1、R2、C的大小來實(shí)現(xiàn)，當(dāng)R1、R2、C較大時(shí)，場效應(yīng)管開啟較慢，當(dāng)R1、R2、C取值較小時(shí)，場效應(yīng)管導(dǎo)通
電子世界 2011年14期2011-06-02
- 采用PowerPAK 1212-8封裝的30VP溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
ET中，該器件的導(dǎo)通電阻是最低的。新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開關(guān)。適配器開關(guān)（在適配器、墻上電源和電池電源之間切換）通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的導(dǎo)通電阻意味著更低的功率損耗，節(jié)省能源，延長兩次充電之間的電池壽命，同時(shí)還可以減少發(fā)熱，減小PCB焊盤的面積。對于工業(yè)/通用系統(tǒng)中的電壓達(dá)24 V的負(fù)載切換和熱插拔應(yīng)用，該MOSFET的低導(dǎo)通電阻還可以減小電壓降。Si7625DN在10 V和
電子設(shè)計(jì)工程 2010年6期2010-04-05
- 采用芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
OSFET最低的導(dǎo)通電阻。新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的首款芯片級(jí)產(chǎn)品。這種最先進(jìn)的技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實(shí)現(xiàn)的最低導(dǎo)通電阻減小了一半：在4.5、2.5、2和1.8 V電壓下的導(dǎo)通電阻分別為32、46、65和 120 mΩ。Si8499DB采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)，器件的芯片級(jí)封裝具有最大的裸片與占位比，在非常緊湊的器件內(nèi)提供了超低導(dǎo)通電阻。MICRO FOOT封
電子設(shè)計(jì)工程 2010年5期2010-04-04
- VDMOSFET低導(dǎo)通電阻改良研究
DMOSFET的導(dǎo)通電阻以降低消耗功率，成為有必要解決的問題。本文介紹了通過在引線孔蝕刻時(shí)采取soft-etch工藝來改良導(dǎo)通電阻的方法。2 VDMOSFET導(dǎo)通電阻模型2.1 理論模型圖1是VDMOSFET的示意圖。導(dǎo)通電阻可以分成以下幾個(gè)部分：源極接觸電阻Rcs，源區(qū)體電阻Rhs，MOSFET溝道電阻Rch，積累層電阻Ra，寄生結(jié)型管電阻Rj，外延層電阻Re和襯底電阻Rhd，以及漏極接觸電阻Red。一般來說，漏源極接觸電阻和漏源區(qū)體電阻在正常工藝條件下
電子與封裝 2010年11期2010-02-26
- 一種高線性度CMOS自舉采樣開關(guān)
非線性，但是開關(guān)導(dǎo)通電阻的非線性變化仍然存在，并限制著MOS采樣開關(guān)動(dòng)態(tài)范圍的進(jìn)一步提高。通過采用柵壓自舉采樣開關(guān)[2～5]，固定MOS采樣開關(guān)的柵源電壓可以更徹底地克服輸入信號(hào)變化帶來的開關(guān)導(dǎo)通電阻的非線性特性。本文設(shè)計(jì)了一種高線性度CMOS采樣開關(guān)，可以克服輸入信號(hào)變化帶來的開關(guān)導(dǎo)通電阻的非線性特性，具有非常優(yōu)越的動(dòng)態(tài)特性。2 MOS采樣開關(guān)的非理想特性分析圖1所示為一個(gè)簡單的采樣保持電路，它包括一個(gè)開關(guān)和一個(gè)電容。其中，Vin為輸入信號(hào)，MOS管Ml
電子與封裝 2010年11期2010-02-26