梁 銳 賀偉衡 鄧天軍
(廣東美的暖通設(shè)備有限公司,廣東 佛山 528311)
明確有關(guān)IGBT開關(guān)特性的項(xiàng)目,通過仿真開關(guān)時(shí)間來尋求最佳開關(guān)方法,使損失降到最小,以提供高效率、高可靠性的變頻特性。
IGBT(Insulated Gate Bipollar Transistor)是MOSFE和雙極晶體管的組合的元件。
有關(guān)開關(guān)的性能和MOSFET(Metal Oxcide Semiconductor Field Effect Transistor)具有相同的原理,ON電壓(Vcesat)的值和雙極晶體管的傳導(dǎo)度調(diào)制現(xiàn)象一樣低。本論文是找出開關(guān)的最佳條件,所以和MOSFET的特性有關(guān)。
場效應(yīng)晶體管(FET)只存在多數(shù)載流子,所以不像雙極晶體管那樣發(fā)生多數(shù)載流子和少數(shù)載流子的結(jié)合時(shí)間延遲,F(xiàn)ET動作時(shí)間上沒有延遲,也就是動作簡單通過計(jì)算來決定。門驅(qū)動電壓定為Vcc、門容量定為Cge、門電阻定為Rg、負(fù)荷電流Ia從二極管電流全部換流到極電極電流時(shí)的門電壓定為Vgeia、集電極電流為最大(Irrp)時(shí)的門電壓定為Vgep,這個差的集電極電流⊿Ic和門電壓的差⊿Vge的比為傳遞集電極Gfe,用1式來表示:
因?yàn)槟硞€時(shí)間t的門電壓 Vge(t)為 Vgeia時(shí),流過門的電流是充電門的容量的電流,所以得出2式:
變形2式,代入1式,得出3式:
所以,
因?yàn)檫@個式的Vgeia、Gfe、Cge是ICBT的固有值,所以開關(guān)時(shí)間是可以由門電壓Vcc和門電阻Rg來決定的。
圖1 開關(guān)波形
根據(jù)門電阻可以變更開關(guān)速度,但怎樣決定最佳的開關(guān)速度,這需要探討。
圖1示出有關(guān)開關(guān)損失的晶體管電壓(Vce)、電流(Ic)和二極管電流。這次討論區(qū)間B和C的損失。這個區(qū)間的Vce為一定值,是整流電壓Vdc和二極管的正向電壓Vf的和的電壓。
把區(qū)間B的時(shí)間定為Tb、區(qū)間C的時(shí)間定為Trr1,區(qū)間B和C的損失J得出下式:
把5式代入4式得出6式:
4式的Tb不管大或小,損失都會增加,這意味著在某個值上有一個最小值。
這里重要的是二極管的逆恢復(fù)特性。Trr1是圖1藍(lán)色電流的區(qū)間,因?yàn)闅埩粲卸O管的少數(shù)載流子,所以意味著是電流可以自由流動的時(shí)間,這是由二極管的物性決定的時(shí)間。圖1的綠色區(qū)間是指二極管完全Off,充電PN接合上出來的過渡層的電荷流過的區(qū)間。也就是說明Trr1是一定值,所以在6式中可變量是Tb。通過對6式進(jìn)行偏微分計(jì)算,設(shè)置J值為零的點(diǎn)為極值。求出:
也就是從7式和5式知道在 Tb=Trr1、Ia=Irrp時(shí),開關(guān)損失為最小。也就是:
在算式上展開上,得出最佳開關(guān)速度。
為了證明8式,讓d Ic/dt變化,對損失進(jìn)行仿真。我們繼續(xù)使用 6 式,Vce+Vf定為 300V,Ia定為 1A、2A、3A、5A,Trr1 定為50nsec,載波頻率定為15kHz。計(jì)算方法為把Tb=Ia/(d Ic/dt)代入6式,d Ic/dt放在x軸上,在J上乘以載波頻率后變換成損失 (瓦特)定為Y軸。
圖2
結(jié)果在圖2上示出。
從圖中我們可以知道 1A 在 20A/μsec,2A 在 40A/μsec,3A在60A/μsec,5A在100A/μsec的開關(guān)速度時(shí),損失為最小。而這些開關(guān)速度的值全部是Ia/Trr1的值。
這樣我們知道了IGBT的最佳開關(guān)速度可以通過額定電流和二極管的逆恢復(fù)時(shí)間的一部分Trr1的比來求出,用仿真也證明過。即使使用相同額定電流的IGBT,電機(jī)的額定電流不同時(shí),也能得到最佳的開關(guān)速度。
市場上賣的IGBT普遍在IGBT的額定電流時(shí)把損耗設(shè)到最小。而變頻空調(diào)卻不是這樣,如額定電流15Arms的電機(jī)因?yàn)槭褂?0A額定的IGBT,所以在空調(diào)的額定點(diǎn)上滿足不了最小的損耗。這一點(diǎn)需要我們在后期IGBT選型過程中多加注意,盡量達(dá)到最小的開關(guān)損失。