集電極
- 一種基于雙極工藝的大電流高輸出電阻恒流源
曲線的延長線與集電極-基極電壓軸的交點[4-5]；IC為P2 的集電極電流?？梢钥闯?，若要增大電流，勢必要降低增益級輸出電阻，從而降低運算放大器增益，同時降低密勒補償?shù)刃щ娙荨Ｔ谠茧娏饕欢ǖ那闆r下，增益級需要提供的電流增大，P2 的面積也需要等比例放大，造成版圖面積和寄生電容增加，這種情況在需要輸出大電流的功率運算放大器中尤為嚴重。這種情況不但會造成性能的衰退，也會造成芯片面積的增加，這與低成本、小型化的需求[6]是矛盾的。3 改進型恒流源電路結構及直流
電子與封裝 2023年12期2023-12-31
- 兼具高電流增益和高擊穿性能的電荷等離子體雙極晶體管
面通過優(yōu)化選取集電極金屬提升器件的擊穿特性,另一方面通過采用襯底偏壓結構優(yōu)化設計,在保持較高擊穿特性的同時增大器件的電流增益。1 器件建模對于BCPT而言,為了形成npn型器件,在電極金屬和Si厚度選取方面需要滿足如下條件:1) 發(fā)射極金屬的功函數(shù)φmE需要滿足φmEχ(Si)+Eg/2,其中:χ(Si)為Si的電子親和勢;Eg為Si的禁帶寬度。2) 未摻雜的Si層厚度需要小于Debye長度LD[3-4],LD為(1)式中:ε(Si)為Si的介電常數(shù);uT
北京工業(yè)大學學報 2023年11期2023-11-13
- 弗蘭克-赫茲實驗集電極電流微分測量分析
能量,通過測量集電極電流變化推斷原子激發(fā)電位. 常規(guī)方法可觀測到的實驗現(xiàn)象普遍包括:1)隨集電極電位VP增大,集電極電流IP的起始第二柵極電壓VG2升高;2)隨VP增大,IP-VG2曲線整體下移;3)隨VP增大,IP-VG2曲線中的IP谷電位或峰電位向VG2高電壓端移動;4)即使VP高于原子激發(fā)電位,仍可清晰地觀測到IP-VG2的變化規(guī)律;5)在VP恒定的條件下,IP-VG2曲線隨VG2增大呈現(xiàn)類周期振蕩上揚;6)原子激發(fā)電位隨VG2升高而逐漸增大(激發(fā)電
物理實驗 2023年9期2023-10-16
- 近似等效法在高頻電子線路教學中的應用與探討
增加時，基極與集電極之間的容抗變小，此時使用近似等效法，基極與集電極之間形成一個有效通路，如圖2所示，集電極上的電流會有一部分通過該通路泄露到基極上去，造成基極電壓升高，根據(jù)晶體管是將基極電壓放大為集電極電流原理，使得更進一步放大升高后的信號，形成一種類似于正反饋機制，使得晶體管從線性區(qū)迅速過渡到非線性區(qū)，進而使晶體管失去放大能力。圖2 高頻下晶體管極間電容近似等效以上的分析說明了電子線路對頻率高低敏感的原因之一，了解了晶體管對高頻信號影響之后，在實際的電
電子制作 2023年2期2023-03-01
- 基于RS 觸發(fā)器的危險區(qū)域安全保護裝置
基極電位降低，集電極電位升高，因此三極管T2的基極電位升高，集電極電位降低，在KA 兩端產(chǎn)生電壓差，其線圈得電，常開觸點吸合，M 斷電、停止運轉(zhuǎn)，發(fā)光二極管VD 及SP 得電，分別發(fā)出燈光示警和聲音示警。當人離開M 運轉(zhuǎn)區(qū)域時，R1受到的光照增加，阻值減小；T1的基極電位升高，集電極電位降低，因此T2基極電位也降低，集電極電位升高，KA 兩端沒有電壓差，其線圈掉電，返回常閉觸點，M 正常運轉(zhuǎn)；SP 停止，實現(xiàn)電機的自動控制[3]。圖1 無RS 觸發(fā)器安全保
寧夏工程技術 2022年4期2023-01-31
- 一種新型無電壓折回現(xiàn)象的超結逆導型IGBT
T 背面的P+集電極區(qū)引入部分N+區(qū)，在IGBT 體內(nèi)集成續(xù)流二極管。RC-IGBT 不僅實現(xiàn)了逆導能力，而且可以減少引線帶來的寄生電感并減小系統(tǒng)體積，因此被廣泛應用［4-5］。但是傳統(tǒng)的逆導型IGBT 在正向?qū)〞r往往存在電壓折回現(xiàn)象。這是由于RC-IGBT 引入的集電極N+區(qū)會使器件在集電極電壓低時工作在單極型導通模式，隨著集電極電壓的增大，器件才進入雙極型導通模式。從單極型導通向雙極型導通模式轉(zhuǎn)換時，由于電阻的下降，電壓發(fā)生折回現(xiàn)象［6］，這不僅影響
電子與封裝 2022年9期2022-10-12
- 一種具有多晶硅二極管柵極結構的槽柵IGBT 設計
控IGBT 的集電極電壓和電流的變化率(dVCE/dt和dICE/dt);同時受到IGBT 開啟速度的影響,電路中的續(xù)流二極管(Freewheel Diode,FWD)的反向恢復速度也隨之加快,導致FWD 反向恢復時的陽極電壓變化率dVKA/dt過大,進一步造成集電極電流和電壓的變化過快,最終在系統(tǒng)中引發(fā)較為嚴重的電磁干擾EMI 噪聲問題,對器件及應用系統(tǒng)的可靠性產(chǎn)生不利影響,這種情況在小電流應用環(huán)境中尤為明顯[4]。EMI 噪聲的主要來源是開啟瞬態(tài)較高的
電子元件與材料 2022年8期2022-09-27
- 集電極調(diào)幅電路仿真分析
430033)集電極調(diào)幅電路[1-2]是以丙類諧振功率放大電路為基礎構成的，是輸出電壓幅度受集電極所加調(diào)制信號控制的高頻諧振功率放大器，其輸出調(diào)幅信號有較高的功率，是一種高電平調(diào)幅。理論上高頻諧振功率放大器工作在過壓狀態(tài)時，調(diào)制信號和集電極電源電壓共同作為放大器的有效集電極電源電壓，即可在輸出端獲得AM調(diào)幅信號。如何調(diào)整電路參數(shù)，才能使高頻諧振功率放大器工作于過壓狀態(tài)；如何設置集電極電源電壓才能獲得不同調(diào)制度的調(diào)幅信號；如何調(diào)整載波、集電極電壓，才能獲得不
電氣電子教學學報 2022年3期2022-07-30
- 考慮非線性結電容的SiC BJT模型改進
結電容和基極-集電極（B-C）結電容不連續(xù)等.考慮到準飽和效應，Y.Huang等［6］在電路仿真軟件SABER中建立了SiC BJT 的GP 模型，但該模型未考慮溫度以及 SiC/SiO2界面復合效應的影響 .Johannesson 等［7］在PSpice 中建立了1200 V/800 A 的4H-SiC BJT行為模型，該模型考慮了溫度的影響，并研究了雜散電感、基極電阻、器件內(nèi)部建模參數(shù)、載流子壽命、發(fā)射極摻雜等對開關損耗的影響，但該模型未考慮SiC/S
湖南工程學院學報（自然科學版） 2022年2期2022-07-02
- 民用航空氣象設備執(zhí)照問題解析
是發(fā)射極 C.集電極D.發(fā)射極(C)晶體管有三種工作狀態(tài)：放大、飽和和截止。以NPN型三極管為例，截止狀態(tài)為當加在三極管發(fā)射結的電壓VBE小于PN結的導通電壓，這時基極電流等于零，集電極電流、發(fā)射極電流均為零，三極管失去了對電流的放大作用，集電極和發(fā)射極之間處于斷開狀態(tài)，稱三極管處于截止狀態(tài)。放大狀態(tài)為當加在三極管發(fā)射結的電壓VBE大于PN結的導通電壓，并處于某一合適的值時，三極管的發(fā)射結正偏，集電結反偏，基極電流控制集電極電流，使三極管產(chǎn)生電流放大。其電
黑龍江科學 2022年8期2022-04-28
- 抑制或消除RC-IGBT 回跳現(xiàn)象的技術發(fā)展概述
詳細研究了p+集電極區(qū)寬度對電壓折回以及正、反向?qū)妷旱挠绊?。英飛凌(Infineon)是最早推出產(chǎn)品的公司之一,先后于2003 年、2007 年前后和2010 年之后陸續(xù)推出3 代產(chǎn)品,2010 年英飛凌首次推出應用于低壓低功率場合的RC-IGBT。飛兆半導體(Fairchild)于2010 年和2013年推出2 代產(chǎn)品。以上產(chǎn)品主要定位在中低壓家電領域(額定電壓600～1600 V)。在中高壓領域,2012 年ABB 研制出了3300 V BIGT
電子元件與材料 2022年2期2022-03-09
- 基極調(diào)幅電路性能仿真分析
如何調(diào)整載波、集電極電壓，才能獲得不失真的調(diào)幅信號，如何增大輸入調(diào)制信號的動態(tài)范圍等問題，都是高電平調(diào)制電路仿真測試時遇到的難點。對于基極調(diào)幅電路的仿真，調(diào)整丙類諧振功率放大器的欠壓、過壓、臨界3 種工作狀態(tài)是基礎，在此基礎上進行不失真的調(diào)制則是重點和難點。關于丙類諧振功率放大器電路[3-5]設計、仿真、測試等方面研究較多，基于模塊功能的普通調(diào)幅解調(diào)系統(tǒng)仿真[6-9]也較容易實現(xiàn)，但是對于基極調(diào)幅電路的仿真測試研究文獻相對較少。文中引入LTspice 仿真
電子設計工程 2022年4期2022-02-27
- 基于VEe反饋控制的大功率IGBT軟開關驅(qū)動策略
獻[3]提出的集電極-發(fā)射極電壓VCE退飽和技術，利用二極管來檢測集電極-發(fā)射極電壓VCE，這種方法結構簡單，但是當IGBT發(fā)生硬短路時，IGBT一直工作在線性階段，較長的檢測時間導致IGBT過電流引發(fā)的過熱，燒毀IGBT。文獻[4]提出的FPGA數(shù)字式閉環(huán)控制方法，采用數(shù)字編程處理器，控制方便靈活，提高了系統(tǒng)集成度，但是由于需要將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，即D/A轉(zhuǎn)換，對反應速度要求在幾微秒的IGBT來說存在較大延遲，而且由于利用了數(shù)字處理器，電路復雜，成
制造業(yè)自動化 2021年9期2021-09-29
- 變壓器反饋式晶體管L C振蕩器的阻值選擇及形式演變*
原因。1 減小集電極電阻，降低輸出電阻對電壓耦合的影響參數(shù)調(diào)整的實驗表明，無法產(chǎn)生正弦波的原因不在于放大倍數(shù)A，不在于反饋系數(shù)F，因為AF＞1滿足起振條件；也不是因為不滿足正反饋，因為電路滿足相位條件。問題出在放大環(huán)節(jié)和反饋環(huán)節(jié)的耦合上面——晶體管放大器的集電極電阻構成了放大器的輸出電阻，它會影響放大器輸出電壓的能力。從反饋環(huán)節(jié)的輸入端來看，放大器相當于一個理想電壓源和一個內(nèi)阻的串聯(lián)（即一個實際電壓源），而這個內(nèi)阻的大小取決于集電極電阻Rc的阻值。Rc越大
廣西民族大學學報(自然科學版) 2021年2期2021-08-18
- 柵射極并聯(lián)電容對大功率IGBT開通過程的影響*
的情況下，高的集電極電流變化率易導致IGBT模塊在短路時超過其安全工作區(qū)而損壞［2］。文獻［3］分析了柵極電阻對IGBT開關過程中的影響，指出門極電阻的減少能夠降低IGBT的開通損耗，但是會產(chǎn)生更高的dic/dt，單純改變柵極電阻往往無法做到既優(yōu)化開關特性又降低開通損耗，文獻［3］指出在柵射極并聯(lián)電容可以平衡這一對矛盾體，但是未針對這一對矛盾體的影響展開詳細說明。常規(guī)的中高壓大功率IGBT往往通過引線式連接對應的驅(qū)動板，因此不可避免的引入了柵極引線電感［4
鐵道機車車輛 2021年3期2021-07-12
- 差動放大器實驗研究與探索
在兩個晶體管的集電極得到輸出信號。差動放大器中采用雙電源供電即UCC和-UEE,一方面可以給兩個晶體管的基極提供電流IB1和IB2,另一方面可帶動更高的射極電阻RE;T1和T2這兩個晶體管的射極通過一個阻值較小滑動變阻器RP可以對電路進行調(diào)零,同時接入射極電阻RE,構成了共射極放大電路。電阻RE的阻值越大起到的抑制零點漂移作用也越大,接入負電源[5]用來補償電阻RE的直流電壓。差動放大器電路圖如圖1所示。圖1 差動放大器實驗電路圖當差動放大器單端輸出時,即
太原學院學報(自然科學版) 2021年1期2021-04-22
- 基于晶體三極管的放大電路分析
三極是發(fā)射極、集電極以及基極。在三極NPN的情況下，通過在硅片上生長的摻雜工藝在三極管上形成兩個PN結，并在不同的偏壓下控制兩個PN結的開關控制。電壓和電流放大效應大大加快了電子技術的發(fā)展。晶體的三極管分為不同的類型，根據(jù)制造材料分為鍺管和硅管，根據(jù)結構不同可分為PNP管和NPN管。把微弱的電信號按一定倍數(shù)放大。它還具有開關作用，用來構成多種脈沖與數(shù)字電路。它體積小、能耗低、價格便宜，已廣泛應用于電子線路中。2 不同組態(tài)的三極管放大電路根據(jù)三極管電路中的連
中國設備工程 2021年24期2021-04-03
- 一種低功耗4H-SiC IGBT的仿真研究
退火后得到P+集電極；(4)去除過渡層并翻轉(zhuǎn)SiC基片，利用成熟UMOSFET工藝形成溝槽柵MOS結構；(5)淀積金屬，形成良好歐姆接觸的電極。表1 C-TIGBT與N-TIGBT結構參數(shù)Table 1. Structural parameters of C-TIGBT and N-TIGBT1.2 4H-SiC N-TIGBT工作原理4H-SiC N-TIGBT的設計初衷在于改善4H-SiC C-TIGBT關斷能量耗過大的問題，同時盡量不影響器件其它特性
電子科技 2021年1期2021-01-07
- 汽車電子電氣基礎知識詳解(五)
、基極(B)和集電極(C)。電荷載體從發(fā)射極移動到基極(發(fā)射出去)并由集電極吸收。因此晶體管有兩個PN結，一個位于發(fā)射極與基極之間，另一個位于集電極與基極之間。圖67 晶體管的電路符號1.工作原理下面以一個NPN晶體管為例介紹工作原理。PNP晶體管的工作原理相同，但電流流動方向相反。如圖68是一個晶體管及其三個接頭(發(fā)射極、基極和集電極)的工作原理圖。圖68 發(fā)射極電路中的晶體管工作原理發(fā)射極內(nèi)有很多電子，基極內(nèi)只有少量空穴(缺陷處)。在正電壓UBE的作用
汽車維修與保養(yǎng) 2020年6期2020-10-24
- 基于高頻諧振功率放大電路分析的仿真教學研究
作狀態(tài)的設置、集電極余弦脈沖波形的產(chǎn)生、LC諧振回路的窄帶選頻特性、電路的3 種狀態(tài)、電路高效率的獲得和電路的四大特性. 在高校教學改革的新形勢下，課程學時數(shù)普遍縮減，用于高頻諧振功率放大電路的教學通常在4 學時左右. 如何在有限的學時內(nèi)講清楚這個重要的高頻電路，相關學者開展了大量的教學研究. 朱高中等［1－4］將Multisim 軟件用于高頻諧振功率放大電路的分析，采用Multisim 軟件的電路設計、虛擬儀器測試、仿真分析等功能，深入分析了高頻諧振功率
廣東第二師范學院學報 2020年5期2020-10-10
- 聚焦深度學習的課堂任務設計
只給出了三級管集電極和發(fā)射極的電壓3V。多數(shù)學生也能正確回答是放大狀態(tài)。最后小題，僅僅給出了NPN型三極管的電路圖，沒任何的數(shù)據(jù)，學生的出錯率就高了。從這個小題看出，學生抓不住隱藏的信息，就像一個會點武功的人，會的招式很多，但是卻很找不到對手的破綻，不能一擊即中。從這里開始，我并引導他們仔細觀察做過題目，總結做題規(guī)律，得出快速的解題技巧或方法。難度提升：設計意圖是通過題目當中的變量分析，引導學生抓住不變的量，進行發(fā)散性的思考，碰撞出思維的火花，拓寬解題的思
數(shù)理報（學習實踐） 2020年29期2020-09-10
- 垂直腔面發(fā)射激光器與異質(zhì)結雙極型晶體管集成結構的設計和模擬
型中加入了過渡集電極.首先將HBT導通,電流由發(fā)射極流向過渡集電極,然后增大過渡集電極與N型電極之間的電壓,使VCSELs導通且把過渡集電極的電流降為零.由于過渡集電極的電流為零,在實際結構中可以將其移除.模擬結果表明,當電流增益系數(shù)為400時,基極電流對輸出光功率的最大調(diào)制率達到280 mW/mA.本文所設計的集成結構及其模擬方法對光電集成器件(opto-electronic integrated circuit,OEIC)具有一定的指導作用.1 引 言
物理學報 2019年20期2019-10-25
- 不同尺寸SiGe HBT Gummel圖的參數(shù)提取
el 曲線，即集電極電流IC和基極電流IB隨發(fā)射結電壓VBE的變化曲線。圖6 則為TA4 晶體管的交流測量曲線，粗略估計其截止頻率fT約為8GHz。圖6 TA4晶體管交流測量曲線4 參數(shù)提取及Gummel圖分析4.1 非理想因子n的提取晶體管中集電極電流和基極電流皆滿足如下公式[5]：其中I0為反向飽和電流，n 為非理想因子，VT為熱電壓，進而有：因此，Gummel 曲線可變換得到n 隨VBE變化的曲線，如圖7、圖8。圖7 TA4集電極電流變化曲線圖8 T
微處理機 2019年1期2019-04-09
- 高頻諧振丙類功率放大器仿真分析
輸出功率和高的集電極效率，一般將電路設置為丙類工作狀態(tài)[4]，即半通角θC1 仿真電路的搭建Multisim軟件是一款基于Windows的仿真軟件，由美國國家儀器(NI)有限公司推出，被譽為計算機里的電子實驗室[7-9]。Multisim 13.0是該軟件的一個新版本。該軟件具有龐大的元器件模型參數(shù)庫和功能齊全的儀器儀表庫，能夠完成交流分析、瞬態(tài)分析、傅立葉分析、參數(shù)掃描等十幾種電路分析功能，實驗速度快,效率高。根據(jù)高頻諧振丙類功率放大電路的要求，在Mul
長春師范大學學報 2019年2期2019-02-27
- 基于Multisim13的高頻諧振功率放大器仿真研究
仿真，主要進行集電極脈沖波形觀察、頻譜分析，可以克服試驗箱不易觀察集電極脈沖的情況；實驗箱進行負載特性分析的時候測量電阻需要斷電測量，比較麻煩，而且不夠準確，本文使用Multisim的參數(shù)分析進行負載特性分析，集電極特性分析，方便，快捷，準確，直觀.運用瓦特表進行輸出功率的測量，計算效率.1 高頻功率放大器的原理高頻功率放大器也稱丙類功放，它是一種能量轉(zhuǎn)換器件，可以將電源供給的直流能量轉(zhuǎn)換為高頻交流輸出.高頻諧振功率放大器是無線通信系統(tǒng)發(fā)送端的重要組成部分
赤峰學院學報·自然科學版 2018年8期2018-09-23
- IGBT暫態(tài)實時仿真模型
壓，Vce0為集電極與發(fā)射極在IGBT截止穩(wěn)態(tài)下電壓，Vces為集電極與發(fā)射極在導通下電壓，Ic為集電極電流，Ic0為集電極在導通穩(wěn)態(tài)下電流，Vth為IGBT開啟電壓。圖1 IGBT開通過程IGBT開通過程劃分為4個階段，對于各個階段IGBT的狀態(tài)分析如下：階段Ⅰ（t0～t1）：在驅(qū)動電源作用下，柵-射極電壓Vge開始上升，在t1時刻到達開啟電壓Vth。這個時間段內(nèi)，IGBT尚未導通，集電極電流Ic為零，集-射電壓Vce為直流母線電壓Vce0。階段Ⅱ（t1
機電信息 2018年27期2018-09-21
- 以“實”為證、以“理”服人開展通用技術教學嘗試
——以NPN型三極管與PNP型三極管置換為例
么負載必須接在集電極上，而不能接在發(fā)射極上。二、以“實”為證實例：光控路燈模擬電路為實例器材準備：面包板一塊，47K、10K、1K定值電阻各一只，光敏電阻MG47一只，S9012（PNP型）、S9013（NPN型）三極管各一只，發(fā)光二極管一只（綠色），電解電容器（16V，100uF），3V、6V電池組各一套，工作電壓5V的電磁繼電器一只，普通二極管一只，多用電表一只。實驗一：按書本（蘇教板P11練習）搭接電路，實測發(fā)現(xiàn)并不能實現(xiàn)光暗二極管亮、光亮二極管暗的
中學課程輔導·教學研究 2018年17期2018-06-09
- 電子技術實踐課程改革探索
極管在飽和時，集電極與發(fā)射極間的飽和電壓（UCES）很小，基極電流很大，對硅管來說，發(fā)射結的飽和壓降UBES＝0.7V（鍺管UBES＝-0.3V），而UCES＝0.3V，可見，UBE＞0，UBC＞0，也就是說，發(fā)射結和集電結均為正偏。要使三極管處于截止狀態(tài)，必須基極電流IB＝0，此時集電極IC＝ICEO≈0（ICEO 為穿透電流，極?。?，UBE＜0，UBC＜0，也就是說，發(fā)射結和集電結均為反偏。要使三極管處于放大狀態(tài)，基極電流必須為：0＜IB＜IBS。三極
數(shù)碼世界 2018年5期2018-06-04
- 可控硅整流器及其測試技術
PN管，Q1的集電極作為Q2基極的驅(qū)動，同時，Q2的集電極作為Q1基極的驅(qū)動。圖1所示電路的特殊連接方式構成了正反饋，Q2基極電流的任何變化都將被放大并且通過Q1的反饋得到增強。這種正反饋將持續(xù)改變Q2的基極電流直至兩個晶體管都進入飽和或者截止狀態(tài)。一方面，如果Q2的基極電流增加，則其集電極電流也增加，從而使Q1的基極和集電極電流增加，Q1集電極電流的增加將會進一步增大Q2的基極電流。這種放大反饋作用會一直持續(xù)到兩個晶體管均達到飽和，此時，電路的功能類似于
視聽 2018年4期2018-05-09
- 高壓IGBT驅(qū)動1SP0635剖析
測及短路保護、集電極有源箝位、欠電壓保護等功能。圖1 驅(qū)動器基本結構2.2 短路保護在1SP0635驅(qū)動上配備有Vce檢測電路。由于內(nèi)部有60 V電源，其基準電壓可以達到50 V以上，如圖2所示。此Vce檢測電路采用電阻網(wǎng)絡結構。IGBT關斷時，內(nèi)部MOSFET開通，Ca電位被箝在低電位，比較器不輸出短路信號，當IGBT處于正常導通過程中，內(nèi)部MOSFET關斷，集電極電壓給電容充電，電位接近IGBT通態(tài)壓降。當IGBT短路時，退出飽和區(qū)，集電極電壓升高，給
科技與創(chuàng)新 2018年8期2018-04-25
- 含變阻結構的線性光耦隔離MOSFET/IGBT高速驅(qū)動
阻，R3為光耦集電極電阻，Uo為光耦輸出信號。圖1 線性四腳光耦常用隔離電路根據(jù)圖1所示電路，光耦集電極電阻的不同值，以SFH610A-2四腳線性光耦為例，在實驗室條件下當驅(qū)動信號的頻率為43.2 kHz時，測得Uo的輸出數(shù)據(jù)如表1所示。表1 光耦在集電極電阻值不同情況下的輸出參數(shù)由表1中數(shù)據(jù)可知，當光耦集電極電阻值小于2 kΩ時，此時光耦不能完全開通；當光耦集電極電阻大于6 kΩ時，此時光耦不能完全關斷。所以在以上兩個電阻區(qū)間，光耦的輸出信號不利于作為工
通信電源技術 2018年1期2018-04-09
- 調(diào)幅信號的產(chǎn)生方法及電路仿真研究
幅的調(diào)制方法有集電極調(diào)幅和基極調(diào)幅。3 低電平調(diào)幅電路及其仿真平方律調(diào)幅是利用電子器件的伏安特性曲線平方律部分的非線性作用進行調(diào)幅；斬波調(diào)幅是將所要傳送的音頻信號按照載波頻率來斬波，然后通過中心頻率等于載波頻率的帶通濾波器濾波，取出調(diào)幅成分；模擬乘法器調(diào)幅是將所要傳送的信號與載波信號相乘，然后通過中心頻率等于載波頻率的帶通濾波器濾波，取出調(diào)幅成分。平方律調(diào)幅電路所用的電子器件多為二極管，產(chǎn)生的AM波如圖1（a）所示。改變調(diào)制信號的幅度或直流電源的電壓值，將
設備管理與維修 2017年5期2018-01-02
- 高頻諧振功率放大器的仿真教學探究
的教學，并選取集電極余弦脈沖電流和高頻諧振功率放大器的設計這兩大教學難點進行實例分析。選取這兩個示例進行研究是具有代表性和必要性的，前者是高頻功率放大器的研究基礎，后者是理論與實際結合的體現(xiàn)，兩個知識點都具有抽象難懂、需要借助電路分析的特點。本文通過采用Multisim仿真，將各傅里葉級數(shù)數(shù)值以電路方式合成，學生可以直觀地觀察到疊加后波形的變化，使集電極余弦脈沖電流的合成形象具體地展示。另外，設計出實際電路，學生能觀測到各電路節(jié)點的參數(shù)和波形，并能驗證課本
電氣電子教學學報 2017年5期2017-11-23
- 感性負載條件下IGBT開通過程分析
程中柵極電壓、集電極電流、集射極電壓隨時間變化的特點及其相互關系。詳細闡述了柵極電容隨柵極電壓變化的機理以及柵極平臺電壓產(chǎn)生的機理，分析了驅(qū)動電阻對柵極電壓的影響。根據(jù)IGBT開通電流特點，提出用二次函數(shù)來擬合IGBT開通時的集電極電流波形，同時還分析了主回路雜散電感對開通波形的影響。搭建了IGBT動態(tài)開關特性測試平臺，測量結果驗證了本文分析的正確性。IGBT；感性負載；開通過程0 引 言絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar T
華北電力大學學報(自然科學版) 2017年2期2017-04-21
- 中波發(fā)射機A/D轉(zhuǎn)換電路工作電壓分析
）/R48），集電極電流IC約為2.3mA,集電極輸出電壓UC為－9.1V（UC=2.3mA×R50-22V），即為X7-7輸出端開路時的工作電壓。當X7-7輸出端顯示電路板時，工作電壓將下降為－7V，此時A/D轉(zhuǎn)換板-15V電壓檢測處于正常不關功放狀態(tài)，并顯示正常綠燈亮。如圖1所示。圖1 A/D轉(zhuǎn)換板-15V穩(wěn)壓正常輸出電路圖－15V沒有或低于某值時：設某值為UX,可以根據(jù)運算公式算出其值，＋5V電壓和UX電壓在N20C比較器反向端疊加電壓U反≥同相端的
數(shù)字傳媒研究 2017年12期2017-04-03
- 新型IGBT驅(qū)動策略在船用直流電網(wǎng)短路保護中的應用
CE為IGBT集電極對發(fā)射級電壓；VCC為門極驅(qū)動電壓最大值；VEE為門極驅(qū)動電壓最小值；Vbus為直流母線電壓。在FUL情況下，IGBT的開通過程[11]見圖3。圖2 HSF情況下IGBT的開通過程圖3 FUL情況下IGBT的開通過程3 di/dt與集電極電壓VCE聯(lián)合檢測短路策略根據(jù)上述IGBT短路特性，采用一種di/dt與集電極電壓VCE聯(lián)合檢測短路策略，其原理圖見圖4。該策略集合傳統(tǒng)集電極電壓VCE退飽和檢測與di/dt檢測的優(yōu)勢，可更加快速、準確
中國航海 2017年4期2017-04-02
- UPS的使用安裝維護和運行
柵極；發(fā)射極；集電極；整流；逆變DOI：10.16640/j.cnki.37-1222/t.2017.01.1111 UPS的工作原理和主要元件的保護UPS其工作原理是在正常的情況下輸入回路向既向負載提供電源，要向UPS的電池充電，儲備能量以備停電時向負載提供電源。當UPS內(nèi)部故障或UPS必須進行保養(yǎng)維修，測試時能轉(zhuǎn)換到旁路。輸入電源通過旁路直接向負載供電。而負載不需中斷。為了保證負載不間斷的運行，就要保護主要元件，如果發(fā)現(xiàn)輸入的電源回路斷電或故障的時候，
山東工業(yè)技術 2017年1期2017-01-24
- 上海研達調(diào)頻發(fā)射機故障簡析
意一只發(fā)射機與集電極短路時，或MJ11032由于其他原因使輸出電壓大于48.7 V時，整機降為半功率，電壓表頭指數(shù)變大。如圖1所示，其電路流程原理為：高電平由“半功率報警HA”處進入，經(jīng)過L11至D7，由于是高電平，D7導通直至TR-2基極為高電平。則TR-2集電極為低電平。直至1/4C1-2的同相輸入端5腳，那么輸出端2腳也為低電平。至TR-1的基極為低電平，TR-1集電極也為低電平。直至柵壓增益，增益不夠使功率降為半功率狀態(tài)。1.2 末級故障報警末級功
無線互聯(lián)科技 2016年21期2016-12-10
- 基于Multisim的LED花樣電路的設計
在一個晶體管的集電極和發(fā)射極之間，電源電壓通常取5-8V，在具體的花樣流水燈的套件測試過程中，所要的電壓可能要更小一些，通常可用手機電池代替電源。每當電源剛接通的瞬間，3個晶體管要爭先導通，但由于元器件存在差異，只有某一個晶體管先導通。假設晶體管Q1先導通，則Q1集電極電壓降低，導致第一組（LED1-LED6）陽極電壓降低，沒有被點亮；與此同時，與Q1集電極連接的電容C1的左端電壓接近0V，由于電容器兩端的電壓不能突變，所以與電容C1連接的晶體管Q2基極也
電子世界 2016年18期2016-10-24
- IGBT模塊電氣參數(shù)測試及分析
30)針對不同集電極電流及開關頻率下的開關過程設計并搭建了IGBT電氣參數(shù)測試系統(tǒng)。試驗測錄了IGBT模塊在開關過程中的電壓、電流波形,對電壓、電流波形進行數(shù)據(jù)處理,得到IGBT模塊的開關時間和開關損耗;根據(jù)對IGBT模塊的開關損耗進行分析,得到IGBT模塊的開關損耗在隨著集電極電流和開關頻率變化的規(guī)律。IGBT模塊;開關波形;開通時間;關斷時間;開通損耗;關斷損耗在新能源領域上,絕緣柵型晶體管(insulated gate bipolar transis
西北大學學報（自然科學版） 2016年2期2016-10-10
- 三種基本放大電路分析與比較
由共發(fā)射極、共集電極或共基極基本放大電路通過一定的耦合方式組成，只要弄清楚了這三種基本放大電路，由它們構成的多級放大電路就不難理解和掌握。三種基本放大電路是模擬電路教學的重要內(nèi)容。一、三種基本放大電路分析方法三種基本放大電路分析分為靜態(tài)分析和動態(tài)分析，也稱為直流分析和交流分析。在沒有信號輸入時，放大電路中各電流電壓都是保持不變的直流量，稱為靜態(tài)，對靜態(tài)的分析稱為靜態(tài)分析；當有交流信號輸入時，輸入的交流信號會疊加在直流量上在放大電路中進行放大和傳輸，這時電路
安徽電子信息職業(yè)技術學院學報 2015年1期2015-12-04
- 基于MATLAB的C類功率放大器設計
角小于90°，集電極電流失真嚴重，輸出端需要配置濾波網(wǎng)絡，同時為了輸出最大功率，還要實現(xiàn)阻抗匹配。匹配網(wǎng)絡和濾波網(wǎng)絡連在一起，相互影響，如果設計不當會使匹配網(wǎng)絡降低作用，輸出功率大打折扣，且波形失真不能消除，這是C類功率放大器設計的最大難點之一。本文將C類放大器的輸出匹配和濾波網(wǎng)絡轉(zhuǎn)換為交流等效電路，求出等效電路的整體傳遞函數(shù)，利用MATLAB繪制傳遞函數(shù)曲線。通過分析傳遞函數(shù)在基波上的增益和諧波上的衰減情況，確定網(wǎng)絡結構和元件參數(shù)，從而達到設計目的。該方
網(wǎng)絡安全與數(shù)據(jù)管理 2015年19期2015-09-21
- 高頻功率放大器調(diào)制特性分析
表明基極調(diào)制比集電極調(diào)制所需的調(diào)制功率更小，與理論分析一致；與傳統(tǒng)實驗相比，仿真分析結果形象直觀，容易理解，仿真實驗更能激發(fā)學生的積極性和主動性。高頻功率放大器；調(diào)制特性；Multisim；仿真實驗0 引言高頻功率放大器是通信系統(tǒng)發(fā)送設備的重要組成部分[1?2]。它的主要功能是可以提供足夠大的高頻輸出功率，以便將信號通過天線輻射出去。高頻功率放大器的另外一個作用是可以構成高電平調(diào)幅電路，利用調(diào)制信號控制放大器的輸出，這樣既可以實現(xiàn)調(diào)幅，又能夠兼顧功率和效率
現(xiàn)代電子技術 2015年3期2015-02-21
- 共發(fā)射極放大電路反相原理的教學分析
小的變化會引起集電極電流較大的變化。在上面的共發(fā)射極電路中，當輸入端為正弦波的正半周上升過程時，三極管的基極電流是在隨著這個過程上升的，根據(jù)公式Ic＝βIb可以知道，此時的集電極電流也是在上升的，根據(jù)歐姆定律Ur2＝IcR2，Ic在上升，Rc固定不變，那么Ur2就上升了，即：電源在集電極電阻R2上的壓降就增大了，這一增大的后果就使得輸出電壓U0下降，根據(jù)U0＝Vcc-Ur2得出。從波形上看就是輸出電壓負半周下降的那一段，如圖2所示。當電路的輸入端為正弦波正
電子世界 2015年15期2015-02-07
- 高頻小信號單調(diào)諧放大器實驗設計
諧是指放大器的集電極負載為調(diào)諧回路(如LC諧振回路)。這種放大器對諧振頻率 f0信號具有最強的放大作用，而對遠離 f0頻率的信號放大作用很差，因此放大器不僅具有放大作用，而且還起著濾波或選頻的作用。調(diào)諧放大器的頻率特性如圖1所示。圖1 調(diào)諧放大器的頻率特性1 單調(diào)諧放大器工作原理高頻小信號調(diào)諧放大器按照晶體管的連接方式不同，分為共基極、共發(fā)射極和共集電極調(diào)諧放大器等，本設計以共發(fā)射極單調(diào)諧放大器為例，其原理電路如圖2所示。圖2 共發(fā)射極單調(diào)諧放大器原理電路
中國現(xiàn)代教育裝備 2014年23期2014-11-28
- 基本放大電路工作波形的Multisim仿真
壓、基極電流、集電極電流、集電極發(fā)射極電壓及輸出電壓等有關電量的波形，虛擬仿真實驗結果與理論分析結果相一致。結論是仿真實驗可直觀形象地描述電路的工作特性，有利于系統(tǒng)地研究電路的構成及電路的工作過程。基本放大電路；工作波形；Multisim ；虛擬仿真共射極基本放大電路是模擬電子技術的基礎電路[1]，電路中各電量用工作波形描述，可形象理解電路的工作過程。文中以Multisim10為平臺[2-3]，設計了共射極基本放大電路工作波形的虛擬仿真實驗，給出了電路中各
電子設計工程 2014年3期2014-09-23
- 一種IGBT集電極電壓測量電路的設計
)一種IGBT集電極電壓測量電路的設計任強 孫馳 胡亮燈 陳玉林(海軍工程大學艦船綜合電力技術國防科技重點實驗室,湖北 武漢 430033)由于大功率IGBT開通和關斷集-射電壓具有跨度大的特點,現(xiàn)有的大功率IGBT驅(qū)動檢測電路無法同時實現(xiàn)寬范圍、高精度的測量。為此提出了一種新的IGBT集電極開通和關斷電壓集成的測量電路。該電路通過電阻分壓網(wǎng)絡實現(xiàn)IGBT關斷電壓的測量;利用驅(qū)動信號來控制電流源向高壓隔離二極管注入微小電流使其導通,并對此二極管誤差進行補償
自動化儀表 2014年9期2014-05-25
- Vishay新款IGBT模塊為太陽能逆變器和UPS提供完整集成方案
0L120S的集電極到發(fā)射極的擊穿電壓為1 200 V，集電極電流達到30 A，適合三電平NPC拓撲。VS-ETF075Y60U和VS-ETF150Y65U可用于三電平逆變器級，集電極電流分別為75 A和150 A，集電極到發(fā)射極的擊穿電壓分別為600 V和650 V，可在+175℃高溫下工作。15A VS-ETL015Y120H適用于雙路升壓轉(zhuǎn)換器，集電極到發(fā)射極的擊穿電壓為1 200 V，采用高效硅啟動二極管，集成62 A旁路二極管、電池板短路全電流反
電子設計工程 2014年20期2014-03-25
- MCT與Clustered IGBT在大功率應用中的比較研究*
中可以看出，在集電極電壓相同時，MCT具有更高的電流密度，這是由于在相同的集電極電壓下，MCT具有更劇烈的電導調(diào)制效應，使得器件漂移區(qū)產(chǎn)生更高的載流子密度，另外正向?qū)ê驝IGBT的電流受正面NMOS溝道的束縛，而MCT不存在這種限制。當電流密度為50 A·cm-2時，MCT和CIGBT的正向壓降分別為1.3 V和2.6 V，并且都表現(xiàn)出正的溫度系數(shù)。圖1 MCT和CIGBT的器件結構和等效電路圖實際上，MCT和CIGBT的集電極電流可以表達為：其中，公式
電子與封裝 2014年6期2014-02-26
- 一種干擾條件下的水底監(jiān)測層網(wǎng)絡體系結構
安裝的傳感器和集電極視為運行在不同層。由于集電極層的節(jié)點數(shù)量大大小于傳感器層的節(jié)點數(shù)量，通過分析不同節(jié)點間距之間通信頻率與信噪比的關系，可分別求得傳感器層與集電極層的最優(yōu)工作頻率，使其分別采用不同的通信頻率進行同層之間的交互。由于信息傳輸頻率和接收頻率可以不同，設置集電極層的接收頻率為傳感器層的最優(yōu)工作頻率，集電極層在收到傳感器層發(fā)來的消息后，采用本層最優(yōu)工作頻率將信息交付給上層。該方法可有效減少兩個層次之間的通信干擾，仿真實驗也驗證了該方法的可行性。2
計算機工程與應用 2014年15期2014-01-31
- 差分放大電路的研究
有發(fā)射極調(diào)零和集電極調(diào)零兩種。圖1所示的電路是帶有集電極調(diào)零的差分放大電路。圖2所示的電路是帶有發(fā)射極調(diào)零的差分放大電路。2.集電極調(diào)零的差分放大電路的電路分析在圖1所示集電極調(diào)零差分放大電路中，設電位器RP滑動端左邊的電阻為R1，右邊的電阻為R2。即有：R1+R2=RP。當電位器RP滑動時，流過負載電阻RL的電流I相應變化。由于0≤R1≤RP，所以當電位器滑動時，流過負載電阻RL的電流I的變化范圍是：負載電阻RL的電壓uO的調(diào)節(jié)范圍是：3.發(fā)射極調(diào)零的差
電子世界 2013年4期2013-12-10
- 基于Multisim的高頻諧振功率放大器仿真實驗
b控制了較大的集電極電流ic，ic流過諧振回路產(chǎn)生高頻功率輸出，從而完成了把電源的直流功率轉(zhuǎn)換為高頻功率的任務。為了使高頻功放以高效輸出大功率，常選在丙類狀態(tài)下工作。由工作原理可得關系式。（1）外部電路關系式：（2）晶體管的內(nèi)部特性：圖2 諧振功率放大器原理圖（3）（半）導通角：根據(jù)晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線可得：2.2 高頻功率放大器的特性曲線在高頻功率放大器中根據(jù)晶體管工作的是否進入飽和區(qū)域，可把高頻諧振功率放大器分為欠壓、臨界和過壓3種工作狀態(tài)，其高頻諧振
實驗室研究與探索 2013年2期2013-05-16
- 基于PSpice的IGBT擎住效應的仿真教學分析
作為IGBT的集電極，形成PN結J1，由此引出的柵極和源極則與VDMOS完全相同(如圖1所示)。P+區(qū)又稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector)，它是IGBT特有的功能區(qū)，起集電極的作用，向N+區(qū)注入空穴，進行電導調(diào)制，以降低器件的通態(tài)壓降。使得高耐壓的IGBT同時也擁有較低的通態(tài)壓降，具有很強的通流能力；斷態(tài)時，只有很小的泄漏電流存在。圖1 IGBT元胞結構剖面圖襯底到發(fā)射極構成一個PNP型晶體管，其基極到發(fā)射極由NMOS管控制。如果在柵極加上開啟電
中國現(xiàn)代教育裝備 2013年17期2013-02-03
- 半導體管特性圖示儀Y軸集電極電流倍率及階梯電流的檢定
其是圖示儀Y軸集電極電流倍率及階梯電流的檢定。針對其檢定的特殊性和復雜性，下文簡要介紹通用的檢定方法。1 工作正常性檢查被檢圖示儀所有旋鈕轉(zhuǎn)動靈活，波段開關跳步清晰，定位準確。調(diào)整被檢圖示儀“輝度”、“聚焦”和“輔助聚焦”旋鈕，被檢圖示儀的X軸、Y軸位移機構能使光點在屏幕有效工作面內(nèi)作平滑移動。集電極掃描信號峰值電壓的調(diào)節(jié)應連續(xù)均勻，極性正確。適當調(diào)整掃描“幅度”、X軸（VC）電壓偏轉(zhuǎn)因數(shù)（V/度）和Y軸（IC）電流偏轉(zhuǎn)因數(shù)（A/度）。圖示儀能正常顯示各類
上海計量測試 2012年5期2012-07-17
- 對基礎元件三極管的簡介
PN；發(fā)射極；集電極中圖分類號TN112 文獻標識碼A 文章編號 1674-6708（2012）67-0197-02隨著電子技術的發(fā)展，其理論已經(jīng)廣泛的運用到了各行各業(yè)，《模擬電子技術基礎》成了通訊工程、自動化及其他電力工程類各專業(yè)的一門必修技術基礎課程。三極管卻是個完全陌生的概念，使得我們難以入門。晶體三極管也稱晶體管或者三極管，是雙極性晶體管的簡稱，具有信號放大和開關的基本特性，屬于電流控制元件，是常用半導體組件之一。其種類繁雜，有NPN型、P
科技傳播 2012年10期2012-06-06
- 半導體三極管的識別和檢測
基極（b極）和集電極（c極）。發(fā)射區(qū)和基區(qū)在交界處形成發(fā)射結；基區(qū)和集電區(qū)在交界處形成集電結。根據(jù)半導體各區(qū)的類型不同，三極管可分為NPN型和PNP型兩大類，如圖1（a）、（b）所示。圖1 三極管的結構符號及等效電路2.三極管的電流放大作用三極管最基本的作用是電流放大作用，它可以把微弱的電信號變成一定強度的信號。三極管有一個重要參數(shù)就是電流放大系數(shù)β，即當三極管的基極上加一個微小的電流時，在集電極上可以得到一個是注入電流β倍的電流，即集電極電流。集電極電流
職業(yè)技術 2011年12期2011-10-30
- SiGe HBT射頻噪聲模型研究
T的基極電流和集電極電流噪聲的模型有van Vliet模型[1]和transport模型[2]。它們都建立在對基極少數(shù)載流子的輸入非準靜態(tài)效應進行建模的基礎之上，而對現(xiàn)代的雙極型晶體管而言，載流子在基極和集電極的空間電荷區(qū)傳輸延遲可比基極渡越時間，甚至要大于后者。因此為了更精確的模擬晶體管的高頻噪聲特性，需要在晶體管高頻噪聲模型中加入基極集電極空間電荷區(qū)傳輸延遲效應。1 擴展的van Vliet模型和transport模型根據(jù)基本的器件物理，當雙極型晶體管
通信技術 2011年10期2011-08-11
- 簡易測謊器的制作
電路，晶體管中集電極電流隨基極電流的變化而變化，我們這里采用的晶體管的電流放大系數(shù)為120-240。根據(jù)我們學到的晶體管知識，我們知道，發(fā)射極電流值，應該為基極電流和集電極電流之和。所以，晶體管基本工作為以下3點：1）若基極電流變化，集電極電流也相應發(fā)生變化；2）基極電流比集電極電流小得多；3）基極電流+集電極電流=發(fā)射極電流。3.2 將阻值變化轉(zhuǎn)換為電流變化我們看到，圖1中基極什么也沒連接，所以集電極中無電流流動，若將兩個測試端子的兩端短路，通過R1有一
科技傳播 2011年13期2011-04-14
- 基于ATLAS新型硅磁敏三極管特性仿真研究
硅磁敏三極管的集電極電流相對磁靈敏度較高，最大可達227%／T，具有負溫度系數(shù)且溫度系數(shù)較?。?－6］。本文在分析新型硅磁敏三極管基本結構、工作原理和特性基礎上，通過采用Silvaco的ATLAS軟件建立新型硅磁敏三極管仿真結構模型，研究基區(qū)寬度、復合基區(qū)長度等幾何結構參數(shù)對其特性的影響，為進一步實現(xiàn)新型硅磁敏三極管優(yōu)化設計奠定基礎。1 新型硅磁敏三極管結構和工作原理采用MEMS技術在p型高阻（ρ≥100Ω· cm）＜100＞晶向單晶硅片表面制作具有矩形板
黑龍江大學工程學報 2011年4期2011-03-19
- 快樂ＨＣ２０６１ＡＲ（ＩＩＩ）彩電黑屏故障檢修
壓為7.8V，集電極電壓為0.5V，與正常值基極5.2V、發(fā)射極5.4V、集電極2.0V相差較大；拆出Q253，測量Q253電路板上的焊盤電壓，基極焊點仍為8V，發(fā)射極焊點升到12V，集電極焊點降為0， 分析電壓變化，主要是TA7698AP的23腳電壓升高引起的。將腳與外電路斷開， 23腳電壓恢復正常值6.8V，說明是腳外電路引起的Q253基極電壓升高，檢查Q253基極電路，除與TA7698AP的23腳相連接外，還與D254、D255組成的行、場消隱電路、
電子世界 2004年1期2004-03-14