朱贈好, 劉家汛, 周 騖, 蔡小舒
(上海理工大學(xué) 顆粒與兩相流測量研究所,上海200093)
高溫輻射源溫度場測量在工業(yè)測溫中十分廣泛,如鍋爐火焰燃燒、火箭發(fā)動機(jī)、航空發(fā)動機(jī)、冶金和大型鍛件鍛造等[1-3].傳統(tǒng)的接觸式測溫(如熱電阻與熱電偶測溫)對被測物體有較多限制,且只能測量某一點(diǎn)的溫度,不能用于溫度場的測量.目前正在發(fā)展和應(yīng)用的非接觸光學(xué)測量技術(shù),如激光吸收光譜技術(shù)、激光誘導(dǎo)熒光技術(shù)、自發(fā)拉曼散射技術(shù)、反斯托克斯光譜技術(shù)和發(fā)射光譜技術(shù)等,因設(shè)備費(fèi)用昂貴、操作復(fù)雜和對環(huán)境要求苛刻等,主要還處于實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用階段,不能用于現(xiàn)場在線測量[4-8].自 CCD問世后,由于其具有非接觸測量、靈敏度高、信號失真度小、工作穩(wěn)定可靠和可進(jìn)行場測量等優(yōu)點(diǎn),因而在高溫火焰溫度場檢測領(lǐng)域逐漸得到廣泛應(yīng)用[9-11].
常用的CCD測溫原理是用彩色CCD或黑白CCD相機(jī)加分光鏡通過采集不同波長范圍內(nèi)的亮度信息,再運(yùn)用比色法得到溫度值.周懷春等[12]、薛飛等[13]運(yùn)用彩色CCD相機(jī)拍攝鍋爐火焰圖像,對火焰圖像進(jìn)行三色測溫方法處理,得到鍋爐爐膛內(nèi)火焰的2維溫度場分布圖,周懷春還提出由此重建3維溫度場的方法[14].李漢舟等[15]對具有實(shí)物面的高溫輻射源的比色法測溫方法進(jìn)行研究,建立了輻射面溫度與彩色CCD相機(jī)像素點(diǎn)亮度的關(guān)系.Vattulainen[16]、Brisley等[17]用分光鏡將火焰輻射分成2個(gè)波帶輻射,用黑白CCD相機(jī)記錄2種輻射強(qiáng)度,然后用比色原理計(jì)算溫度場.這些研究通常采用灰體模型或發(fā)射率函數(shù)模型來近似模擬發(fā)射率的變化,但是在理論上和實(shí)際中發(fā)射率是十分復(fù)雜多變的,難以用統(tǒng)一的模型得到.彭小奇等[9]對比色法測溫的誤差來源進(jìn)行了分析,指出其誤差主要來自被測物體實(shí)際發(fā)射率的變化和CCD相機(jī)在不同色帶波長帶寬內(nèi)響應(yīng)度的變化.
筆者提出了一種新的高溫輻射物體溫度場在線測量方法——用黑白CCD相機(jī)獲取高溫輻射源的光強(qiáng)場,采用光纖光譜儀實(shí)時(shí)測量輻射源發(fā)射率,通過輻射光強(qiáng)場、發(fā)射率和輻射溫度之間的耦合關(guān)系得到2維輻射溫度場.該方法能實(shí)時(shí)測得發(fā)射率,并根據(jù)Plank定律直接計(jì)算出二維溫度場,避免了在比色法中發(fā)射率模型和色帶波長帶寬造成的影響.用該方法實(shí)驗(yàn)測量不同電壓時(shí)鹵素?zé)魺艚z的溫度場分布,并與發(fā)射光譜測溫法[18]測得的溫度進(jìn)行比較,二者吻合很好.
當(dāng)高溫輻射源位于CCD相機(jī)的焦點(diǎn)上時(shí),在CCD上可以獲得高溫輻射源的清晰圖像,該圖像就是被CCD接收到的高溫輻射源的熱輻射強(qiáng)度分布L(T),其表達(dá)式如下[19]式中:A為CCD相機(jī)光學(xué)系統(tǒng)的波長響應(yīng)系數(shù);Eb,λ(λ,T)為黑體在溫度 T 時(shí)的光譜輻射力;ε(λ,T)為實(shí)際被測物體的發(fā)射率;λ為輻射波長.
由Plank定律可知
式中:c1為第一輻射常量,其值為3.741 9×10-16W·m2;c2為第二輻射常量,其值為1.438 8×10-2m·K.
CCD的輻射波長測量范圍為400~1 000nm,且對不同波長的光強(qiáng)響應(yīng)不同,若給出CCD隨波長變化的光強(qiáng)響應(yīng)函數(shù)φ(λ),則相機(jī)實(shí)際輸出的光強(qiáng)值M(T)為
設(shè)CCD的曝光時(shí)間是Δt,CCD相機(jī)將實(shí)際測得的光強(qiáng)轉(zhuǎn)化為數(shù)字圖像灰度信號,則灰度圖像的灰度值G(T)關(guān)于光強(qiáng)M(T)的函數(shù)關(guān)系為G(T)=BM(T)Δt (4)式中:B為CCD相機(jī)測得的光強(qiáng)與圖像灰度值之間的轉(zhuǎn)換系數(shù).
令R=AB/π,則式(4)可變?yōu)?/p>
R的具體表達(dá)式與CCD相機(jī)鏡頭參數(shù)有關(guān),采用不同的鏡頭,其表達(dá)式不同,且是溫度的函數(shù),可以利用黑體爐對CCD相機(jī)測量系統(tǒng)進(jìn)行標(biāo)定得到.用黑體爐標(biāo)定得到的本實(shí)驗(yàn)用CCD相機(jī)測量系統(tǒng)R的表達(dá)式如下
式(5)給出了灰度值G(T)與溫度T的關(guān)系.在用式(5)測量火焰溫度時(shí),還需要知道火焰的實(shí)時(shí)發(fā)射率函數(shù)ε(λ,T).
由發(fā)射率的定義
式中:Eλ為火焰或高溫物體的輻射力.
采用光纖光譜儀可以測得火焰或高溫物體的實(shí)際輻射光譜,將其與黑體的輻射光譜進(jìn)行比較就可以得到火焰的發(fā)射率ε(λ,T).
在對黑體爐的測量實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn),光纖光譜儀的感光元件硅在不同波長和不同溫度下的響應(yīng)系數(shù)不同,會導(dǎo)致測得的輻射譜線變形,必須對光纖光譜儀進(jìn)行響應(yīng)系數(shù)修正[18].通過對黑體爐在不同溫度下的標(biāo)定實(shí)驗(yàn),擬合出修正系數(shù)θ(λ,T),它是關(guān)于波長λ和溫度T的函數(shù).但是在測量實(shí)際物體的發(fā)射率時(shí),物體的溫度T是未知的,所以采用迭代最優(yōu)化的方法測量發(fā)射率,其具體步驟如下:
(1)取收斂區(qū)間ΔT和初始溫度T0.
(2)用T0得到修正系數(shù)θ0(λ,T),并對測得的原始輻射譜線進(jìn)行修正.
(3)利用修正后的輻射譜線,根據(jù)發(fā)射光譜法來計(jì)算溫度T1[18].
(4)用新的溫度T1得到新的修正系數(shù)θ1(λ,T),并對原始輻射譜線進(jìn)行修正.
(5)重復(fù)步驟(3)和步驟(4),直到Tn+1-Tn≤ΔT,判斷迭代收斂,得到輻射物體的溫度T和真實(shí)的輻射譜線,從而計(jì)算出發(fā)射率ελ.
為驗(yàn)證上述方法的正確性,對鹵素?zé)魺艚z的溫度分布進(jìn)行了測量.實(shí)驗(yàn)中采用的CCD相機(jī)為IDS公司的GigE UI-5240CP相機(jī),光纖光譜儀為Ocean Optics公司的STS-NIR-L-50-400-1光譜儀,鹵素?zé)魹槌S玫?2V、24W的鹵素?zé)?
實(shí)驗(yàn)裝置如圖1所示,包括穩(wěn)壓電源、鹵素?zé)簟⒐庾V儀、相機(jī)和計(jì)算機(jī).通過改變光譜儀傳感光纖前接收透鏡的光路系統(tǒng),調(diào)整接收透鏡的焦點(diǎn)位置和焦點(diǎn)的大小,可以測量燈絲整體或不同位置的溫度場和發(fā)射率.圖2給出了本實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)中鹵素?zé)魺艚z的幾何參數(shù).
圖1 實(shí)驗(yàn)裝置圖Fig.1 Schematic diagram of the experimental system
用該測量系統(tǒng)對鹵素?zé)魺艚z進(jìn)行測量,圖3給出了測得的不同電壓下鹵素?zé)魺艚z的發(fā)射率譜線.從圖3可知,隨著電壓的升高,燈絲發(fā)射率的最大值波長向短波長方向移動.
圖2 鹵素?zé)魺艚z的幾何參數(shù)Fig.2 Geometric parameters of the halogen lamp filament
圖3 不同電壓下鹵素?zé)魺艚z的發(fā)射率譜線Fig.3 Emissivity spectrum of the halogen lamp filament at different voltages
表1給出了不同電壓下鹵素?zé)魺艚z的最高溫度,作為比較,同時(shí)還給出了采用發(fā)射光譜法測得的鹵素?zé)魺艚z的最高溫度.
表1 不同電壓下鹵素?zé)魺艚z最高溫度的比較Tab.1 Comparison of maximum temperature of the filament at different voltages
從表1可以看出,隨著電壓的升高,鹵素?zé)魺艚z的最高溫度逐步提高.利用2種測溫方法測得的最高溫度的相對偏差在5%以內(nèi).在供電電壓較低時(shí),兩者的測量誤差較大,這是因?yàn)樵?.0V電壓時(shí),CCD相機(jī)和光譜儀的信噪比都很小,導(dǎo)致其準(zhǔn)確性降低,當(dāng)電壓提高時(shí),燈絲的輻射強(qiáng)度逐漸增強(qiáng),信噪比增大,兩者的測量偏差逐步減小.
圖4給出了在CCD積分時(shí)間Δt=1ms時(shí)測得的不同電壓下鹵素?zé)魺艚z的溫度場.
圖4 不同電壓下鹵素?zé)魺艚z的溫度場Fig.4 Temperature fields of the filament at different voltages
從圖4可以清楚地看到鹵素?zé)魺艚z溫度場隨電壓升高的變化情況.受燈絲兩端散熱的影響,燈絲整體溫度場分布呈中間高、兩端逐漸降低的趨勢,中間段燈絲溫度分布較均勻.當(dāng)供電電壓為3V時(shí),中間段的溫度為1 550~1 592K,兩端的溫度為1 220~1 340K.由于燈泡內(nèi)部對流的作用,燈絲上部溫度略高于下部.隨著電壓的提高,燈絲溫度逐漸升高,由于燈絲外圈表面的散熱作用,內(nèi)圈表面的溫度明顯高于外圈表面的溫度,且內(nèi)外圈的溫差逐漸增大.當(dāng)供電電壓為3V時(shí),燈絲中部內(nèi)圈的最高溫度和外圈的最高溫度分別為1 592K和1 558K,溫差為34K,當(dāng)供電電壓為8V時(shí),該溫差達(dá)到71K.表2給出了不同電壓下燈絲內(nèi)表面最高溫度和外表面最高溫度的比較.從表2可以看出,隨著電壓的提高,燈絲外表面的溫度升高,散熱能力增強(qiáng),內(nèi)外表面的溫差增大.
當(dāng)電壓提高時(shí),燈絲的溫度提高,發(fā)光強(qiáng)度大幅度增強(qiáng),此時(shí)必須調(diào)整CCD相機(jī)的積分時(shí)間,從而使得到的圖像不出現(xiàn)飽和.為研究CCD積分時(shí)間改變對測量結(jié)果的影響,在實(shí)驗(yàn)中將CCD的積分時(shí)間從1ms逐步減小到9μs.表3給出了不同積分時(shí)間下測得的燈絲溫度場中的最高溫度值.從表3可以看出,不同積分時(shí)間下的測量結(jié)果基本相同,表明改變CCD的積分時(shí)間不會對測量結(jié)果產(chǎn)生影響,且可以大幅度擴(kuò)大溫度測量范圍.
表2 不同電壓下鹵素?zé)魺艚z內(nèi)外表面最高溫度的比較Tab.2 Maximum temperatures on internal and external surface of the filament at different voltages
表3 不同積分時(shí)間下測得的燈絲最高溫度Tab.3 Maximum temperatures of the filament measured at different integration time
改變CCD相機(jī)鏡頭的放大倍率,可以改變測量系統(tǒng)的空間分辨率.實(shí)驗(yàn)測量系統(tǒng)中CCD相機(jī)鏡頭的放大倍率為0.7~1.4,空間分辨率為3.785~7.57nm.圖5給出了積分時(shí)間為1ms、電壓為3V時(shí)燈絲的局部溫度場.從圖5中可見,鹵素?zé)魺艚z的外表面溫度低于內(nèi)表面溫度.在燈絲外存在一層厚度為0.048mm的溫度邊界層,該邊界層內(nèi)溫度從燈絲表面的1 544K迅速降低到約1 430K,然后進(jìn)一步降低.鹵素?zé)舻脑硎躯u素在低溫約1 100K時(shí)與蒸發(fā)的鎢蒸氣結(jié)合,形成鹵化鎢 ,鹵化鎢在接近燈絲時(shí),遇高溫分解,釋放出金屬鎢.溫度邊界層的形成有可能與鎢蒸氣的發(fā)光有關(guān),鎢蒸氣的密度和溫度從燈絲表面到邊界層外迅速降低,發(fā)光強(qiáng)度也同樣迅速降低.此外,因?yàn)闊艚z的螺旋形狀近似圓柱,由朗伯余弦定律可知邊緣處向CCD方向輻射的光強(qiáng)會減弱,也會導(dǎo)致溫度邊界層的形成.
圖5 積分時(shí)間為1ms、電壓為3V時(shí)燈絲的局部溫度場Fig.5 Local temperature field of the filament for integration timeΔt=1ms and voltage U=3V
(1)所提出的以真實(shí)發(fā)射率結(jié)合輻射光強(qiáng)的實(shí)時(shí)在線測溫方法能避免比色測溫法由單色波長的波帶帶寬和發(fā)射率模型帶來的誤差.
(2)給出了不同電壓下鹵素?zé)魺艚z的發(fā)射率譜線,發(fā)現(xiàn)隨著電壓的升高,發(fā)射率的最大值向短波方向移動.
(3)將本文方法測得的鹵素?zé)魷囟葓鲋械淖罡邷囟扰c發(fā)射光譜法測得的溫度場最高溫度進(jìn)行比較,發(fā)現(xiàn)兩者吻合較好.
(4)改變CCD相機(jī)的積分時(shí)間可以擴(kuò)大測量系統(tǒng)的測溫范圍,且不影響測溫結(jié)果.
(5)改變相機(jī)鏡頭放大倍率可以得到燈絲的局部溫度場,擁有很高的空間分辨率,可用于分析輻射源的微觀溫度場.
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