基于GaN LED芯片的反射電極結(jié)構(gòu)在量產(chǎn)中的穩(wěn)定性研究

摘? 要：以GaN LED芯片量產(chǎn)制造中的一種主流金屬電極結(jié)構(gòu)（反射電極結(jié)構(gòu)）為研究對象，主要從實際量產(chǎn)過程中如何保持該電極的穩(wěn)定性方面著手研究。該研究詳細闡述了如何實現(xiàn)和管控反射電極結(jié)構(gòu)第1層膜厚的準(zhǔn)確性，并指出了其對GaN LED芯片各項性能的影響;同時，還詳細闡述了反射電極結(jié)構(gòu)在量產(chǎn)過程中如何防范金屬鋁在后續(xù)作業(yè)和在存儲過程中被慢慢腐蝕而導(dǎo)致電極結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定的問題。

關(guān)鍵詞：GaN LED;反射電極結(jié)構(gòu);金屬鋁;穩(wěn)定性

中圖分類號：TN386 ????????????文獻標(biāo)識碼：A?? ????????????文章編號：2095-6835（2014）23-0091-02

1993年，日本中村修二發(fā)明了第1顆藍光LED芯片。經(jīng)過20多年的發(fā)展，藍綠光LED的應(yīng)用越來越廣，它被廣泛應(yīng)用于照明、背光顯示、戶外顯示屏等，使LED行業(yè)進入了高速發(fā)展期。雖然LED芯片的使用性能一直在快速提升、成本在迅速下降，但是，光效始終是LED芯片技術(shù)發(fā)展的核心指標(biāo)之一。目前，LED芯片制造廠家在提升產(chǎn)品可靠性的同時，想方設(shè)法地提升其發(fā)光效率。近2年來，在LED芯片制造過程中，芯片的反射電極結(jié)構(gòu)已經(jīng)基本取代了之前的CrPtAu電極結(jié)構(gòu)，這是因為反射電極結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)的CrPtAu電極結(jié)構(gòu)相比，能夠有效提升LED芯片的外量子效率。其工作原理是：金屬電極第1層被減薄后，在第2層上使用高反射率的金屬鋁，使金屬電極與GaN接觸面形成反射膜，再將其射入到金屬PAD面上的光反射回去后，通過其他角度射出芯片，從而達到提升發(fā)光效率的目的。

1? 提升亮度的原理

在GaN的外延生長完成后，其內(nèi)量子效率就已經(jīng)確定了。在芯片制程中，要盡可能多地將光取出，也就是常說的“外量子效率”，而使用反射電極結(jié)構(gòu)是提高外量子效率的方法之一。傳統(tǒng)的CrPtAu電極結(jié)構(gòu)如圖1所示，它采用的是CrPtAu 3層金屬，且第1層的Cr相對來說很厚，一般在200～500 ?之間。而反射電極結(jié)構(gòu)如圖2所示，它主要增加了2層，即第1層Cr和第2層鋁。其中，第1層Cr的厚度相對來說很薄，一般在5～50 ?之間。通過比較2種電極結(jié)構(gòu)不難發(fā)現(xiàn)，傳統(tǒng)CrPtAu電極結(jié)構(gòu)由于第1層Cr很厚，所以，Cr材料形成的金屬膜的反射率很低、吸收率較高。在膜厚為200～500 ?的情況下，芯片量子阱層中發(fā)出光子射入金屬PAD的光基本被第1層Cr吸收，并轉(zhuǎn)化為熱能;而反射電極結(jié)構(gòu)增加的第1層Cr和第2層Al，其鋁金屬膜為高反射率的金屬膜，而第1層Cr在很薄的情況下，對光的吸收效應(yīng)是非常有限的。由此可知，在反射電極結(jié)構(gòu)中，芯片射入金屬PAD的光有很大一部分是通過鋁金屬膜再反射回芯片內(nèi)部的，并通過其他角度射出芯片，以達到增加光效的目的。

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圖1? 傳統(tǒng)CrPtAu電極結(jié)構(gòu)??????????? 圖2? 反射電極結(jié)構(gòu)

2? 影響反射電極結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的因素

在大批量量產(chǎn)過程中，反射電極與傳統(tǒng)電極相比，需要特別注意其一致性和可靠性。而引發(fā)此問題的主要因素有兩種：①在量產(chǎn)中，所有產(chǎn)品第1層金屬實際厚度的穩(wěn)定性和一致性是影響LED芯片光電參數(shù)的重要指標(biāo)。在反射電極結(jié)構(gòu)中，第1層金屬厚度設(shè)定是很薄的，所以，在實際生產(chǎn)過程中，第1層金屬的實際厚度對芯片的光電特性（主要是正向工作電壓和亮度）以及金屬PAD和GaN之間的黏附性影響很大。反射電極結(jié)構(gòu)中第2層鋁作為反射層的作用是將來自芯片內(nèi)部的光反射回去，但是，由于鋁與GaN之間的黏附性很差，如果第1層直接使用金屬鋁將會存在電極與GaN之間黏附性差的問題，所以，在反射電極結(jié)構(gòu)中，第1層一般都使用與GaN之間的黏附性較好的金屬，一般都選用金屬Cr或金屬Ni。為了使第1層金屬盡可能地減少對光的吸收，從提升亮度的角度考慮，第1層金屬膜越薄越好，但在實際量產(chǎn)中又不能太薄了，因為如果其太薄，就會存在電極黏附性差的問題。綜上所述，在量產(chǎn)中，需要將第1層金屬精確地穩(wěn)定在某一范圍內(nèi)——一般要將第1層金屬的厚度控制在±2 ?范圍內(nèi)。②由于在反射電極中增加了金屬鋁，而它是一種非?；顫姷慕饘?，能夠與酸、堿和氯、氟等鹵素元素反應(yīng)，所以，在金屬PAD工序完成后，第2層金屬鋁的側(cè)壁是裸露在空氣中的，在后續(xù)工序中必須要避免其與酸、堿和鹵素元素接觸。而第2層金屬鋁或多或少會被腐蝕，這樣就會使LED芯片發(fā)生金屬電極脫落的情況，影響光電性能的穩(wěn)定性。圖3是產(chǎn)品在批量生產(chǎn)中，由于長時間放置在不適當(dāng)?shù)沫h(huán)境中，使金屬鋁發(fā)生反應(yīng)，而鋁層以上部分則出現(xiàn)了脫落的現(xiàn)象。

圖3? 由于金屬鋁反應(yīng)導(dǎo)致鋁層脫落示意圖

圖4? 圖3中正常區(qū)域EDS成分分析圖

圖5? 圖3中異常區(qū)域EDS成分分析圖

3? LED芯片產(chǎn)品管控方法

在實際量產(chǎn)過程中，保證第1層金屬膜厚的穩(wěn)定性和一致性是最關(guān)鍵的。而其均勻性主要取決于所用的金屬鍍膜機臺，機臺控制膜厚的準(zhǔn)確度越高，其在做反射電極產(chǎn)品時產(chǎn)品就越穩(wěn)定，所以，一般可以從以下幾方面入手保證第1層金屬膜的均勻性和穩(wěn)定性：①選擇膜厚控制精度更高的鍍膜設(shè)備。在LED芯片生產(chǎn)行業(yè)中，金屬鍍膜的設(shè)備一般有真空蒸發(fā)鍍膜、金屬濺射鍍膜和化學(xué)方法成膜等，它們都已經(jīng)在量產(chǎn)中被使用。由于化學(xué)鍍膜不能鍍第1層金屬膜，所以，它肯定無法用于生產(chǎn)反射電極中第1層金屬膜的成膜。而從對膜厚的控制上來講，金屬濺射鍍膜與真空蒸發(fā)鍍膜相比具有明顯的優(yōu)勢，所以，在進行反射電極結(jié)構(gòu)金屬鍍膜時，如果有可能，使用金屬濺射鍍膜是最好的選擇。②目前，業(yè)內(nèi)主要使用的是真空蒸發(fā)鍍膜。由于第1層的膜層太薄，其膜厚要控制在5～50 ?，且要管控在±2 ?的范圍內(nèi)，所以，使用目前量產(chǎn)中常用的測量手段（使用SEM或臺階儀）根本無法測量。但在批量量產(chǎn)中，監(jiān)控每RUN鍍出的膜層厚度是一個重要的問題。在此，本文提出了一種實用監(jiān)控手段作為量產(chǎn)中膜厚監(jiān)控的參考，即在每RUN鍍膜時，在蒸鍍機中每次放置兩三片K9光學(xué)玻璃片一起蒸鍍，鍍膜完成后，通過測試穿過玻璃那一面的反射率確定第1層金屬膜厚是否穩(wěn)定，如圖6所示。

在監(jiān)控之前，要先確定不同膜厚的Cr所對應(yīng)的反射率，如圖7所示（使用崇文SEKO-80D蒸鍍設(shè)備鍍膜，使用Filmetrics的F20光學(xué)測量儀測試零度角反射率）。

如圖7所示，反射率從Cr膜厚為0 A（即完全使用鋁膜的

反射率）的89.2%到80 ?的26.8%，隨著Cr膜厚的增加，其反射率在迅速降低。準(zhǔn)備好上述基礎(chǔ)數(shù)據(jù)后，即可根據(jù)量產(chǎn)過程中每RUN玻璃片的反射率對應(yīng)實際的膜厚。

圖7? 反射率與Cr膜厚趨勢圖

如果反射電極中含鋁這種化學(xué)性質(zhì)非?；顫姷慕饘?，其在金屬電極蒸鍍過程中以及金屬蒸鍍完成后的后續(xù)加工和存儲過程中都要注意其變化，否則可能會導(dǎo)致芯片的電性、外觀等方面出現(xiàn)不良的情況，具體歸納的一些注意事項主要有：①在蒸鍍金屬膜層時，需要較高的真空度，否則，鍍鋁時可能會存在鋁層在鍍膜過程中輕微氧化造成金屬體電阻偏高和電極黏附性不好等問題，建議蒸鍍要在4.0E-6torr以上。②鍍膜完成后，后續(xù)的剝離清洗、研磨清洗等過程中所接觸的化學(xué)溶液必須是中性的，并要經(jīng)過嚴(yán)格的測試，保證其不腐蝕金屬鋁。③如果有可能，要將金屬鍍膜設(shè)備放在單獨的隔間里，避免其與ICP等其他芯片制作的常用設(shè)備放置在一起。由于ICP等制程中會使用到Cl2和BCl3，所以，要將金屬鍍膜后的清洗間與其他清洗間隔開，避免同一清洗間中其他清洗設(shè)備中的酸堿對電極造成影響。④所有鍍完了金屬的半成品和成品在車間存放時，需要存放在固定的氮氣柜中，不能直接、長時間放在無塵室桌面等其他區(qū)域。⑤如果有可能，生產(chǎn)出的LED芯片要盡快封裝，因為只有經(jīng)過封裝固化后，才能避免芯片中的鋁與空氣中可能含有的水汽、酸堿、鹵素等接觸。

4? 結(jié)論

本文主要分析了GaN LED芯片量產(chǎn)制造中的主流金屬電極結(jié)構(gòu)——反射電極結(jié)構(gòu)，并簡單介紹了其優(yōu)勢和原理，重點闡述了這種電極結(jié)構(gòu)的芯片在量產(chǎn)制程中第1層金屬厚度的重要性，以及在實際制作過程中，如何監(jiān)控第1層金屬膜膜厚的方法，并指明了反射電極結(jié)構(gòu)的LED芯片在后續(xù)加工過程防止金屬鋁被腐蝕的注意事項。

參考文獻

[1]季振國.半導(dǎo)體物理[M].杭州：浙江大學(xué)出版社，2005.

[2]潘群峰，劉寶林.p型GaN歐姆接觸的研究進展[J].半導(dǎo)體技術(shù)，2004，29（08）.

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作者簡介：王遠紅（1985—），男，湖北武漢人，本科，主要從事GaN LED芯片企業(yè)從事技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)線制造工藝維護改良等方面的工作。

〔編輯：白潔〕

Based on the Reflection Electrode Structure of GaN LED Chips in Quantity during Stability Studies

Wang Yuanhong

Abstract： GaN LED chip production in the manufacture of a mainstream metal electrode structure（reflective electrode structure）for the study， mainly from the actual production process， how to maintain the stability of the electrode started studying. The study described in detail how to achieve the accuracy and control structure of the first reflective electrode layer thickness， and points out its impact on the performance of GaN LED chip; also elaborated on how reflective electrode structure in the production process prevention and aluminum in subsequent jobs in the stored procedure is slowly corrode and cause instability problems electrode structure.

Key words： GaN LED; reflective electrode structure; metallic aluminum; stability

圖3? 由于金屬鋁反應(yīng)導(dǎo)致鋁層脫落示意圖

圖4? 圖3中正常區(qū)域EDS成分分析圖

圖5? 圖3中異常區(qū)域EDS成分分析圖

3? LED芯片產(chǎn)品管控方法

在實際量產(chǎn)過程中，保證第1層金屬膜厚的穩(wěn)定性和一致性是最關(guān)鍵的。而其均勻性主要取決于所用的金屬鍍膜機臺，機臺控制膜厚的準(zhǔn)確度越高，其在做反射電極產(chǎn)品時產(chǎn)品就越穩(wěn)定，所以，一般可以從以下幾方面入手保證第1層金屬膜的均勻性和穩(wěn)定性：①選擇膜厚控制精度更高的鍍膜設(shè)備。在LED芯片生產(chǎn)行業(yè)中，金屬鍍膜的設(shè)備一般有真空蒸發(fā)鍍膜、金屬濺射鍍膜和化學(xué)方法成膜等，它們都已經(jīng)在量產(chǎn)中被使用。由于化學(xué)鍍膜不能鍍第1層金屬膜，所以，它肯定無法用于生產(chǎn)反射電極中第1層金屬膜的成膜。而從對膜厚的控制上來講，金屬濺射鍍膜與真空蒸發(fā)鍍膜相比具有明顯的優(yōu)勢，所以，在進行反射電極結(jié)構(gòu)金屬鍍膜時，如果有可能，使用金屬濺射鍍膜是最好的選擇。②目前，業(yè)內(nèi)主要使用的是真空蒸發(fā)鍍膜。由于第1層的膜層太薄，其膜厚要控制在5～50 ?，且要管控在±2 ?的范圍內(nèi)，所以，使用目前量產(chǎn)中常用的測量手段（使用SEM或臺階儀）根本無法測量。但在批量量產(chǎn)中，監(jiān)控每RUN鍍出的膜層厚度是一個重要的問題。在此，本文提出了一種實用監(jiān)控手段作為量產(chǎn)中膜厚監(jiān)控的參考，即在每RUN鍍膜時，在蒸鍍機中每次放置兩三片K9光學(xué)玻璃片一起蒸鍍，鍍膜完成后，通過測試穿過玻璃那一面的反射率確定第1層金屬膜厚是否穩(wěn)定，如圖6所示。

在監(jiān)控之前，要先確定不同膜厚的Cr所對應(yīng)的反射率，如圖7所示（使用崇文SEKO-80D蒸鍍設(shè)備鍍膜，使用Filmetrics的F20光學(xué)測量儀測試零度角反射率）。

如圖7所示，反射率從Cr膜厚為0 A（即完全使用鋁膜的

反射率）的89.2%到80 ?的26.8%，隨著Cr膜厚的增加，其反射率在迅速降低。準(zhǔn)備好上述基礎(chǔ)數(shù)據(jù)后，即可根據(jù)量產(chǎn)過程中每RUN玻璃片的反射率對應(yīng)實際的膜厚。

圖7? 反射率與Cr膜厚趨勢圖

如果反射電極中含鋁這種化學(xué)性質(zhì)非?；顫姷慕饘?，其在金屬電極蒸鍍過程中以及金屬蒸鍍完成后的后續(xù)加工和存儲過程中都要注意其變化，否則可能會導(dǎo)致芯片的電性、外觀等方面出現(xiàn)不良的情況，具體歸納的一些注意事項主要有：①在蒸鍍金屬膜層時，需要較高的真空度，否則，鍍鋁時可能會存在鋁層在鍍膜過程中輕微氧化造成金屬體電阻偏高和電極黏附性不好等問題，建議蒸鍍要在4.0E-6torr以上。②鍍膜完成后，后續(xù)的剝離清洗、研磨清洗等過程中所接觸的化學(xué)溶液必須是中性的，并要經(jīng)過嚴(yán)格的測試，保證其不腐蝕金屬鋁。③如果有可能，要將金屬鍍膜設(shè)備放在單獨的隔間里，避免其與ICP等其他芯片制作的常用設(shè)備放置在一起。由于ICP等制程中會使用到Cl2和BCl3，所以，要將金屬鍍膜后的清洗間與其他清洗間隔開，避免同一清洗間中其他清洗設(shè)備中的酸堿對電極造成影響。④所有鍍完了金屬的半成品和成品在車間存放時，需要存放在固定的氮氣柜中，不能直接、長時間放在無塵室桌面等其他區(qū)域。⑤如果有可能，生產(chǎn)出的LED芯片要盡快封裝，因為只有經(jīng)過封裝固化后，才能避免芯片中的鋁與空氣中可能含有的水汽、酸堿、鹵素等接觸。

4? 結(jié)論

本文主要分析了GaN LED芯片量產(chǎn)制造中的主流金屬電極結(jié)構(gòu)——反射電極結(jié)構(gòu)，并簡單介紹了其優(yōu)勢和原理，重點闡述了這種電極結(jié)構(gòu)的芯片在量產(chǎn)制程中第1層金屬厚度的重要性，以及在實際制作過程中，如何監(jiān)控第1層金屬膜膜厚的方法，并指明了反射電極結(jié)構(gòu)的LED芯片在后續(xù)加工過程防止金屬鋁被腐蝕的注意事項。

參考文獻

[1]季振國.半導(dǎo)體物理[M].杭州：浙江大學(xué)出版社，2005.

[2]潘群峰，劉寶林.p型GaN歐姆接觸的研究進展[J].半導(dǎo)體技術(shù)，2004，29（08）.

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作者簡介：王遠紅（1985—），男，湖北武漢人，本科，主要從事GaN LED芯片企業(yè)從事技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)線制造工藝維護改良等方面的工作。

〔編輯：白潔〕

Based on the Reflection Electrode Structure of GaN LED Chips in Quantity during Stability Studies

Wang Yuanhong

Abstract： GaN LED chip production in the manufacture of a mainstream metal electrode structure（reflective electrode structure）for the study， mainly from the actual production process， how to maintain the stability of the electrode started studying. The study described in detail how to achieve the accuracy and control structure of the first reflective electrode layer thickness， and points out its impact on the performance of GaN LED chip; also elaborated on how reflective electrode structure in the production process prevention and aluminum in subsequent jobs in the stored procedure is slowly corrode and cause instability problems electrode structure.

Key words： GaN LED; reflective electrode structure; metallic aluminum; stability

圖3? 由于金屬鋁反應(yīng)導(dǎo)致鋁層脫落示意圖

圖4? 圖3中正常區(qū)域EDS成分分析圖

圖5? 圖3中異常區(qū)域EDS成分分析圖

3? LED芯片產(chǎn)品管控方法

在實際量產(chǎn)過程中，保證第1層金屬膜厚的穩(wěn)定性和一致性是最關(guān)鍵的。而其均勻性主要取決于所用的金屬鍍膜機臺，機臺控制膜厚的準(zhǔn)確度越高，其在做反射電極產(chǎn)品時產(chǎn)品就越穩(wěn)定，所以，一般可以從以下幾方面入手保證第1層金屬膜的均勻性和穩(wěn)定性：①選擇膜厚控制精度更高的鍍膜設(shè)備。在LED芯片生產(chǎn)行業(yè)中，金屬鍍膜的設(shè)備一般有真空蒸發(fā)鍍膜、金屬濺射鍍膜和化學(xué)方法成膜等，它們都已經(jīng)在量產(chǎn)中被使用。由于化學(xué)鍍膜不能鍍第1層金屬膜，所以，它肯定無法用于生產(chǎn)反射電極中第1層金屬膜的成膜。而從對膜厚的控制上來講，金屬濺射鍍膜與真空蒸發(fā)鍍膜相比具有明顯的優(yōu)勢，所以，在進行反射電極結(jié)構(gòu)金屬鍍膜時，如果有可能，使用金屬濺射鍍膜是最好的選擇。②目前，業(yè)內(nèi)主要使用的是真空蒸發(fā)鍍膜。由于第1層的膜層太薄，其膜厚要控制在5～50 ?，且要管控在±2 ?的范圍內(nèi)，所以，使用目前量產(chǎn)中常用的測量手段（使用SEM或臺階儀）根本無法測量。但在批量量產(chǎn)中，監(jiān)控每RUN鍍出的膜層厚度是一個重要的問題。在此，本文提出了一種實用監(jiān)控手段作為量產(chǎn)中膜厚監(jiān)控的參考，即在每RUN鍍膜時，在蒸鍍機中每次放置兩三片K9光學(xué)玻璃片一起蒸鍍，鍍膜完成后，通過測試穿過玻璃那一面的反射率確定第1層金屬膜厚是否穩(wěn)定，如圖6所示。

在監(jiān)控之前，要先確定不同膜厚的Cr所對應(yīng)的反射率，如圖7所示（使用崇文SEKO-80D蒸鍍設(shè)備鍍膜，使用Filmetrics的F20光學(xué)測量儀測試零度角反射率）。

如圖7所示，反射率從Cr膜厚為0 A（即完全使用鋁膜的

反射率）的89.2%到80 ?的26.8%，隨著Cr膜厚的增加，其反射率在迅速降低。準(zhǔn)備好上述基礎(chǔ)數(shù)據(jù)后，即可根據(jù)量產(chǎn)過程中每RUN玻璃片的反射率對應(yīng)實際的膜厚。

圖7? 反射率與Cr膜厚趨勢圖

如果反射電極中含鋁這種化學(xué)性質(zhì)非?；顫姷慕饘伲湓诮饘匐姌O蒸鍍過程中以及金屬蒸鍍完成后的后續(xù)加工和存儲過程中都要注意其變化，否則可能會導(dǎo)致芯片的電性、外觀等方面出現(xiàn)不良的情況，具體歸納的一些注意事項主要有：①在蒸鍍金屬膜層時，需要較高的真空度，否則，鍍鋁時可能會存在鋁層在鍍膜過程中輕微氧化造成金屬體電阻偏高和電極黏附性不好等問題，建議蒸鍍要在4.0E-6torr以上。②鍍膜完成后，后續(xù)的剝離清洗、研磨清洗等過程中所接觸的化學(xué)溶液必須是中性的，并要經(jīng)過嚴(yán)格的測試，保證其不腐蝕金屬鋁。③如果有可能，要將金屬鍍膜設(shè)備放在單獨的隔間里，避免其與ICP等其他芯片制作的常用設(shè)備放置在一起。由于ICP等制程中會使用到Cl2和BCl3，所以，要將金屬鍍膜后的清洗間與其他清洗間隔開，避免同一清洗間中其他清洗設(shè)備中的酸堿對電極造成影響。④所有鍍完了金屬的半成品和成品在車間存放時，需要存放在固定的氮氣柜中，不能直接、長時間放在無塵室桌面等其他區(qū)域。⑤如果有可能，生產(chǎn)出的LED芯片要盡快封裝，因為只有經(jīng)過封裝固化后，才能避免芯片中的鋁與空氣中可能含有的水汽、酸堿、鹵素等接觸。

4? 結(jié)論

本文主要分析了GaN LED芯片量產(chǎn)制造中的主流金屬電極結(jié)構(gòu)——反射電極結(jié)構(gòu)，并簡單介紹了其優(yōu)勢和原理，重點闡述了這種電極結(jié)構(gòu)的芯片在量產(chǎn)制程中第1層金屬厚度的重要性，以及在實際制作過程中，如何監(jiān)控第1層金屬膜膜厚的方法，并指明了反射電極結(jié)構(gòu)的LED芯片在后續(xù)加工過程防止金屬鋁被腐蝕的注意事項。

參考文獻

[1]季振國.半導(dǎo)體物理[M].杭州：浙江大學(xué)出版社，2005.

[2]潘群峰，劉寶林.p型GaN歐姆接觸的研究進展[J].半導(dǎo)體技術(shù)，2004，29（08）.

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作者簡介：王遠紅（1985—），男，湖北武漢人，本科，主要從事GaN LED芯片企業(yè)從事技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)線制造工藝維護改良等方面的工作。

〔編輯：白潔〕

Based on the Reflection Electrode Structure of GaN LED Chips in Quantity during Stability Studies

Wang Yuanhong

Abstract： GaN LED chip production in the manufacture of a mainstream metal electrode structure（reflective electrode structure）for the study， mainly from the actual production process， how to maintain the stability of the electrode started studying. The study described in detail how to achieve the accuracy and control structure of the first reflective electrode layer thickness， and points out its impact on the performance of GaN LED chip; also elaborated on how reflective electrode structure in the production process prevention and aluminum in subsequent jobs in the stored procedure is slowly corrode and cause instability problems electrode structure.

Key words： GaN LED; reflective electrode structure; metallic aluminum; stability