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      鎂合金直接化學(xué)鍍鎳工藝的研究

      2015-01-29 02:14:36邵忠財(cái)孟冬梅
      電鍍與環(huán)保 2015年1期
      關(guān)鍵詞:硫酸鎳鍍鎳鎂合金

      龔 瑞, 王 明, 邵忠財(cái), 孟冬梅

      (1.北方華安工業(yè)集團(tuán)有限公司 技術(shù)部,黑龍江 齊齊哈爾161006;2.沈陽(yáng)理工大學(xué)環(huán)境與化學(xué)工程學(xué)院,遼寧 沈陽(yáng)110159;3.沈陽(yáng)鼓風(fēng)機(jī)集團(tuán)股份有限公司,遼寧 沈陽(yáng)110869)

      0 前言

      鎂是極活潑的金屬,其標(biāo)準(zhǔn)電極電位為-2.37 V,耐蝕性極差[1]。選擇一種能夠有效提高鎂合金耐蝕性的方法,對(duì)鎂合金的充分利用有著重要的意義。采用化學(xué)轉(zhuǎn)化、化學(xué)鍍[2]、微弧氧化[3]、陽(yáng)極氧化、電鍍等方法,可以解決鎂合金耐蝕性差的問(wèn)題。在眾多的處理方法中,化學(xué)鍍法具有操作簡(jiǎn)單、成本低廉、所得鍍層性能好等優(yōu)點(diǎn),應(yīng)用前景廣闊。近幾年,直接化學(xué)鍍鎳越來(lái)越受到人們的重視。本課題主要采用對(duì)比實(shí)驗(yàn)研究了一種以硫酸鎳為主鹽的化學(xué)鍍鎳配方。

      1 實(shí)驗(yàn)

      1.1 實(shí)驗(yàn)材料

      實(shí)驗(yàn)材料為AZ91D 鎂合金。前處理流程為:用400#至1 000#的SiC砂紙打磨→堿洗→酸洗→活化。

      1.2 測(cè)試方法

      1.2.1 鍍速

      鍍速的計(jì)算公式如下:

      式中:v為鍍速,μm/h;m0為試樣鍍前的質(zhì)量,g;m1為試樣鍍后的質(zhì)量,g;ρ為鍍層的密度,本實(shí)驗(yàn)取7.85g/cm3;S為試樣的表面積,mm2;t為鍍鎳時(shí)間,h。

      1.2.2 孔隙率

      通過(guò)貼濾紙法測(cè)定鍍層的孔隙率,公式如下:

      式中:P為孔隙率,個(gè)/cm2;n為貼濾紙法測(cè)得的斑點(diǎn)總數(shù),個(gè);S為檢測(cè)面積,cm2。在計(jì)算孔隙數(shù)時(shí),腐蝕點(diǎn)直徑在1mm 以下,每點(diǎn)計(jì)為1個(gè);腐蝕點(diǎn)直徑在1~3mm 范圍內(nèi),每點(diǎn)以3個(gè)計(jì);腐蝕點(diǎn)直徑在3~5mm 范圍內(nèi),每點(diǎn)以10個(gè)計(jì)。

      1.2.3 表觀等級(jí)

      鍍層表觀等級(jí)的評(píng)定主要從光亮度、均勻度、覆蓋度,以及是否有鼓泡、起皮和局部腐蝕現(xiàn)象等多方面進(jìn)行綜合考慮,具體見表1。

      表1 鍍層表觀等級(jí)的評(píng)定

      1.2.4 表面形貌

      采用日立S-3400N 型電子顯微鏡觀察鍍層的表面形貌。

      1.2.5 晶相結(jié)構(gòu)和成分

      采用日本理學(xué)公司生產(chǎn)的多功能D/Max-2200型X 射線衍射儀,確定鎂合金基體及膜層的晶相結(jié)構(gòu)和成分。

      1.2.6 電化學(xué)測(cè)試

      采用CHI760c型電化學(xué)測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)定,參比電極為甘汞電極,對(duì)比電極為鉑電極,試樣作工作電極。掃描速率為0.005 V/s,試樣測(cè)試面積為1cm2。

      1.3 實(shí)驗(yàn)方案

      1.3.1 鍍液成分的初步確定

      化學(xué)鍍鎳液是由主鹽、還原劑、配位劑、緩蝕劑、穩(wěn)定劑等組成的。鍍液中鎳離子的質(zhì)量濃度不宜過(guò)高,鎳離子和次磷酸根離子的濃度比在0.2~0.4之間較合適。本實(shí)驗(yàn)采用的還原劑是次磷酸鈉,其質(zhì)量濃度為30g/L,所以主鹽硫酸鎳的質(zhì)量濃度為15~35g/L。選取25g/L的乳酸作為配位劑,氟化銨1%+氟化氫銨1.5%作為緩蝕劑,13mg/L 的KI作為穩(wěn)定劑。

      1.3.2 單因素試驗(yàn)

      分別選取主鹽的質(zhì)量濃度、pH值、溫度、時(shí)間作為四個(gè)因素。改變其中一個(gè)因素,同時(shí)保持其他因素不變,進(jìn)行單因素試驗(yàn),研究各因素對(duì)鍍速、孔隙率和表觀等級(jí)的影響,進(jìn)而確定較優(yōu)的工藝參數(shù)。

      1.3.3 正交試驗(yàn)

      以鍍速、孔隙率和表觀等級(jí)為指標(biāo),評(píng)價(jià)工藝條件的好壞。經(jīng)全面考慮,最后確定主鹽的質(zhì)量濃度、pH值、溫度、時(shí)間為試驗(yàn)因素,分別記作A、B、C 和D,進(jìn)行四因素正交試驗(yàn),各因素均取三個(gè)水平。因素水平如表2所示。本試驗(yàn)為四因素三水平試驗(yàn),因不考察因素間的交互作用,故宜選擇L9(34)正交表,見表3。

      表2 因素水平表

      表3 L9(34)正交表

      2 結(jié)果與討論

      2.1 各工藝參數(shù)對(duì)鍍速及孔隙率的影響

      2.1.1 硫酸鎳的質(zhì)量濃度

      硫酸鎳是鎂合金化學(xué)鍍鎳液中的主鹽。圖1為硫酸鎳的質(zhì)量濃度對(duì)鍍速的影響。由圖1可知:隨著硫酸鎳的質(zhì)量濃度的增加,鍍速逐漸增大;當(dāng)硫酸鎳的質(zhì)量濃度大于25g/L時(shí),鍍速增大緩慢。

      圖1 硫酸鎳的質(zhì)量濃度對(duì)鍍速的影響

      圖2為硫酸鎳的質(zhì)量濃度對(duì)孔隙率的影響。由圖2可知:硫酸鎳的質(zhì)量濃度對(duì)孔隙率有比較顯著的影響。當(dāng)硫酸鎳的質(zhì)量濃度增加時(shí),孔隙率先降低;當(dāng)硫酸鎳的質(zhì)量濃度為25g/L 時(shí),孔隙率達(dá)到最低;之后,孔隙率又升高。孔隙率低,鍍層的致密性高,所以確定硫酸鎳的質(zhì)量濃度為25g/L。

      圖2 硫酸鎳的質(zhì)量濃度對(duì)孔隙率的影響

      2.1.2 pH值

      鎂合金化學(xué)鍍鎳中,當(dāng)pH值大于8時(shí),Ni2+發(fā)生水解生成氫氧化鎳沉淀,Ni2+將以Ni(OH)2形式存在。因此,本實(shí)驗(yàn)采用酸性化學(xué)鍍。圖3 為pH值對(duì)鍍速的影響。由圖3可知:pH值越高,鍍速越快。這是由于酸性鍍液會(huì)對(duì)鎂合金基體造成腐蝕,腐蝕速率超過(guò)了沉積速率,鎳沉積于鎂合金表面的幾率小,得不到完整的鎳-磷合金層。pH值越高,鍍液對(duì)鎂合金基體的腐蝕越弱,有利于鎂合金化學(xué)鍍鎳,鍍速明顯加快。

      圖3 pH值對(duì)鍍速的影響

      圖4為pH值對(duì)孔隙率的影響。由圖4可知:隨著pH值的增加,孔隙率先降低后升高。當(dāng)pH值較小時(shí),鍍速較慢,鎳-磷對(duì)鎂合金表面的覆蓋較差,孔隙率就較大;當(dāng)pH值較大時(shí),鍍速加快導(dǎo)致表面溢出大量氣泡,影響鎳-磷層的致密性,孔隙率增大。經(jīng)綜合考慮,確定pH值為6.0。

      圖4 pH值對(duì)孔隙率的影響

      2.1.3 溫度

      溫度的控制對(duì)化學(xué)鍍鎳起著至關(guān)重要的作用。圖5為溫度對(duì)鍍速的影響。由圖5可知:溫度越高,鍍速越快。溫度升高,離子擴(kuò)散快、反應(yīng)活性加強(qiáng),所以鎳離子的沉積速率加快。80℃以后,隨著溫度的升高,鍍速上升緩慢。

      圖5 溫度對(duì)鍍速的影響

      圖6為溫度對(duì)孔隙率的影響。由圖6可知:隨著溫度的升高,孔隙率先降低后升高;溫度在85℃時(shí),孔隙率達(dá)到最低。溫度較低時(shí),鍍速較慢,鎳-磷對(duì)鎂合金表面的覆蓋較差,孔隙率就較大;隨著溫度的升高,鍍速加快而產(chǎn)生大量氣泡,因而孔隙率會(huì)增大。經(jīng)綜合考慮,確定溫度為85℃。

      圖6 溫度對(duì)孔隙率的影響

      2.1.4 時(shí)間

      圖7為時(shí)間對(duì)鍍速的影響。由圖7可知:20~60min時(shí),鍍速的增大比較明顯;60min以后,鍍速增長(zhǎng)幅度減小。這是由于隨著化學(xué)鍍的進(jìn)行,鍍液中Ni2+的質(zhì)量濃度下降,次磷酸根離子在溶液中不斷積累,當(dāng)次磷酸根離子達(dá)到一定的質(zhì)量濃度時(shí),鍍速降低。

      圖7 時(shí)間對(duì)鍍速的影響

      圖8為時(shí)間對(duì)孔隙率的影響。由圖8可知:隨著時(shí)間的增加,孔隙率逐漸降低;60 min時(shí)達(dá)到最低,之后又升高,影響鍍層性能。經(jīng)綜合考慮,確定時(shí)間為60min。

      圖8 時(shí)間對(duì)孔隙率的影響

      2.2 正交試驗(yàn)結(jié)果

      為了研究各因素的交叉影響,確定最優(yōu)的鍍液配方,對(duì)這四個(gè)因素進(jìn)行了四因素三水平的正交試驗(yàn),以鍍速、孔隙率和表觀等級(jí)作為指標(biāo),評(píng)價(jià)工藝條件的好壞。正交試驗(yàn)結(jié)果,如表4所示。

      表4 正交實(shí)驗(yàn)結(jié)果

      經(jīng)過(guò)極差分析,得出優(yōu)化水平組合為A2B3C2D2,從而得出最優(yōu)的鍍液配方及工藝條件為:硫酸鎳25g/L,次磷酸鈉30g/L,乳酸25g/L,氟化氫銨1.5%,氟化銨1%,穩(wěn)定劑13mg/L,pH值6.5,85℃,60min。

      2.3 鍍層性能測(cè)試

      2.3.1 結(jié)合力通過(guò)觀察截面掃描電鏡圖(如圖9所示),對(duì)鍍層的結(jié)合力進(jìn)行評(píng)價(jià)。鍍層與鎂基體之間沒(méi)有明顯的斷裂現(xiàn)象,而且鍍層與鎂合金間的咬合力很好,所以鍍層與基體結(jié)合良好,結(jié)合力等級(jí)可評(píng)定為5級(jí)。

      圖9 鎂合金化學(xué)鍍鎳層的截面形貌

      2.3.2 結(jié)構(gòu)及成分

      采用XRD 衍射儀對(duì)化學(xué)鍍鎳1h后的鍍層進(jìn)行檢測(cè),得到的相結(jié)構(gòu),如圖10 所示。衍射圖在2θ≈45°處出現(xiàn)漫散射的寬化峰(也稱饅頭峰),表明鍍層為非晶態(tài)結(jié)構(gòu)。該峰與鎳的特征峰重合,該處即為鎳層的衍射強(qiáng)度。

      圖10 鎂合金化學(xué)鍍鎳的XRD 相圖

      2.3.3 極化曲線

      采用電化學(xué)工作站測(cè)試鎂合金基體及鎳-磷合金鍍層的極化曲線,結(jié)果如圖11所示。試樣面積為1cm2,邊緣用絕緣漆封閉。

      圖11 鎂合金基體及化學(xué)鍍鎳層的極化曲線

      由圖11 可知:鎂合金基體的自腐蝕電位在-1.57V左右;鎂合金基體經(jīng)化學(xué)鍍鎳后,自腐蝕電流明顯下降,自腐蝕電位明顯向正方向移動(dòng),自腐蝕電位為-0.50V 左右,大約提高了1.07V。這說(shuō)明化學(xué)鍍鎳層提高了鎂合金基體的耐蝕性。

      3 結(jié)論

      (1)鎂合金直接化學(xué)鍍鎳的工藝條件為:硫酸鎳25g/L,次磷酸鈉30g/L,乳酸25g/L,氟化氫銨1.5%,氟化銨1%,穩(wěn)定劑13mg/L,pH值6.5,85℃,60min。

      (2)所得鍍層為鎳-磷非晶態(tài)結(jié)構(gòu),均勻細(xì)致;自腐蝕電流明顯降低,自腐蝕電位較基體的提高,耐蝕性優(yōu)良,具有良好的結(jié)合力。

      [1]余剛,劉躍龍,李瑛,等.Mg合金的腐蝕與防護(hù)[J].中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào),2002,12(6):56-63.

      [2]ZHANG W X,HE J G,JIANG Z H,etal.Electroless Ni-P layer with a chromium-free pretreatment on AZ91D magnesium alloy[J].Surface and Coatings Technology,2007,201(8):4594-4600.

      [3]張文華,胡正前,馬晉.俄羅斯微弧氧化技術(shù)研究進(jìn)展[J].輕合金加工技術(shù),2004,32(1):25-29.

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