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      放射性氙疊層閃爍探測器的設(shè)計與初步實(shí)驗(yàn)

      2015-05-16 02:17:28向永春向清沛胡廣春
      原子能科學(xué)技術(shù) 2015年3期
      關(guān)鍵詞:氙氣疊層射線

      羅 飛,龔 建,向永春,向清沛,胡廣春

      (中國工程物理研究院核物理與化學(xué)研究所,四川綿陽 621900)

      放射性氙疊層閃爍探測器的設(shè)計與初步實(shí)驗(yàn)

      羅 飛,龔 建*,向永春,向清沛,胡廣春

      (中國工程物理研究院核物理與化學(xué)研究所,四川綿陽 621900)

      放射性氙的4種同位素131Xem、133Xe、133Xem和135Xe是地下核試驗(yàn)最重要的示蹤氣體,是目前CTBTO全球監(jiān)測系統(tǒng)監(jiān)測的主要核素。本文設(shè)計并研制了一種針對低水平放射性氙測量的疊層閃爍探測器,可實(shí)現(xiàn)放射性氙4種同位素的β-γ符合測量,簡化了探測器結(jié)構(gòu)。利用MCNP5工具包模擬了兩種結(jié)構(gòu)的探測器,獲得了β閃爍層的最佳厚度,1.5mm厚塑料閃爍體BC404幾乎完全屏蔽4種氙同位素的β信號,135Xe的910keV特征β射線僅0.8%沉積在γ閃爍層CsI(Tl)中,而對133Xe的81keV特征γ射線吸收低于6.5%;觀察到明顯的氙氣樣品自吸收效應(yīng),氙氣氣壓由0.1MPa增加到0.25MPa時,氙氣對133Xe的346keVβ射線吸收增加45.6%?;谀M結(jié)構(gòu)設(shè)計,研制了用于放射性氙測量的疊層閃爍探測器,初步實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明疊層閃爍探測器能有效抑制本底計數(shù),抑制因子約96.4±1.0。

      放射性氙;疊層閃爍探測器;蒙特卡羅;自吸收效應(yīng)

      聯(lián)合國通過全面禁止核試驗(yàn)條約后,全面禁止核試驗(yàn)條約組織技術(shù)秘書處(CTBTO/PTS)提出了地震、次聲、水聲和放射性核素4種可用于監(jiān)測違約核試驗(yàn)的全球技術(shù)手段,在放射性核素監(jiān)測中,將131Xem、133Xe、133Xem和135Xe作為最重要的監(jiān)測核素。氙作為惰性氣體,性質(zhì)穩(wěn)定,不易發(fā)生化學(xué)反應(yīng),易通過地下裂隙或穿過水層泄漏到大氣中。因此可通過對收集的空氣樣品濃集后進(jìn)行放射性測量。4種核素中131Xem的163.93keV特征γ分支比僅1.95%,133Xem的233.2keV特征γ分支比僅10%,法國基于HPGe的探測系統(tǒng)SPALAX對于131Xem的最小探測限是133Xe的270倍[1]。此外,高分辨伽馬譜儀無法排除氡氣本底的干擾。氙的4種放射性同位素均存在較大分支比的β-γ或KX-CE級聯(lián)衰變,采用符合的方法可利用分支比較大、平均能量為31keV的特征X射線與β射線實(shí)現(xiàn)放射性氙同位素的識別。疊層閃爍探測器由兩層或多層閃爍體組成,根據(jù)射線在不同閃爍層的響應(yīng),可在同一光電倍增管上實(shí)現(xiàn)多閃爍信號的解析[2]。疊層閃爍探測器結(jié)構(gòu)上是一符合探測器,可通過閃爍材料以及閃爍層厚度的設(shè)計實(shí)現(xiàn)β-γ符合、n-γ甄別、反康普頓等不同需求的符合測量。本文將介紹用于β-γ符合測量的疊層閃爍探測器的設(shè)計原理,利用蒙特卡羅設(shè)計基于大氣取樣樣品的放射性氙疊層閃爍探測器,評估β測量層厚度對測量結(jié)果的影響,并對結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn),模擬氙氣自吸收對測量的影響。

      1 放射性氙疊層閃爍探測器設(shè)計原理

      符合方法是輻射探測中常用和基本的測量方法,在核輻射過程中相關(guān)事件的測量、實(shí)驗(yàn)裝置本底的消除以及能譜測量中廣泛使用。如原子核的級聯(lián)衰變中,β衰變發(fā)出1個β粒子后,處于激發(fā)態(tài)的子核立即發(fā)出1個γ光子,用1個探測器測量β粒子,用另1個探測器探測γ光子,將它們的信號輸入符合電路,即可選出時間相關(guān)的級聯(lián)β-γ衰變事件。不同于傳統(tǒng)的符合過程,疊層閃爍探測器符合的實(shí)現(xiàn)不依賴于符合電路,是真正意義上的符合,它僅利用1個光電倍增管(PMT)讀取各閃爍層的脈沖,若確有符合事件發(fā)生,PMT會收集到一符合脈沖,記錄符合脈沖,即可實(shí)現(xiàn)符合事件的選取,極大降低了偶然符合的概率。

      疊層閃爍探測器的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示,主要包括不同的閃爍層、光學(xué)耦合劑、光收集系統(tǒng)及相關(guān)的電子學(xué)組件,此外還包括反射層與屏蔽體。

      圖1 疊層閃爍探測器基本結(jié)構(gòu)Fig.1 Basic structure of phoswich detector

      閃爍體一般由兩種或兩種以上閃爍材料組成。閃爍層1發(fā)光衰減較快,稱快閃爍層;閃爍層2發(fā)光衰減較慢,稱慢閃爍層。射線穿過閃爍層1和2時會有一定能量沉積在不同的閃爍層中,進(jìn)而形成閃爍光,閃爍光經(jīng)閃爍材料的傳輸,打到光讀出器件(如PMT)上,光信號轉(zhuǎn)化為電信號,用負(fù)載電路將電流信號轉(zhuǎn)化為電壓信號,再利用數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)將這些電壓脈沖記錄下來,保存在計算機(jī)端并進(jìn)行脈沖分析。

      放射性氙氣體樣品中4種核素的分辨可通過β-γ符合測量實(shí)現(xiàn)。將疊層閃爍探測器做成內(nèi)充氣式的4π符合探頭,一方面,省去了氣體樣品制源的過程,避免了吸附材料與源盒壁面對β射線的吸收;另一方面,內(nèi)充氣式探頭立體角接近4π,可提升探測效率。疊層閃爍探頭β-γ測量的實(shí)現(xiàn),可通過閃爍材料選取和閃爍體厚度的設(shè)計,使β信號的能量幾乎全部沉積在快閃爍層中,而γ信號沉積在慢閃爍層中,由于各閃爍層發(fā)光衰減常數(shù)差別較大,脈沖形狀顯著不同,可利用脈沖識別技術(shù)將符合脈沖解析。使β信號沉積在塑料閃爍體中,且盡可能少地吸收γ信號,這樣,β層閃爍信號就能代表全部β射線的信息,外圍γ層閃爍信號代表全部γ的信息。

      能量為E的β射線在低原子序數(shù)Z的材料中的射程R的經(jīng)驗(yàn)公式為:

      通過式(1)可得到500keVβ粒子在塑料閃爍體(密度為1.032g/cm3)中的射程為1.6mm。表1列出了4種放射性氙同位素的β-γ級聯(lián)衰變,并列出了235U裂變譜中子引起的裂變反應(yīng)中4種核素的產(chǎn)額及半衰期。

      表1 氙同位素的主要β-γ級聯(lián)衰變[3]Table 1 β-γcascade decay for radioxenon isotopes[3]

      131Xem將發(fā)生同質(zhì)異能躍遷,其特征γ能量為163.9keV,分支比較低,約為2%。發(fā)生內(nèi)轉(zhuǎn)換的概率為98%,根據(jù)躍遷軌道的不同產(chǎn)生能量30~34keV的X射線[4]。

      133Xem同樣將發(fā)生同質(zhì)異能躍遷,其特征γ能量為233.2keV,分支比約10%。而發(fā)生內(nèi)轉(zhuǎn)換的概率為90%,內(nèi)轉(zhuǎn)換電子能量為199keV,X射線能量為30~34keV。

      133Xe衰變將發(fā)出最大能量為346keV的β粒子(分支比99%),并發(fā)生級聯(lián)衰變,放出能量為81keV的γ射線,γ分支比為37%;或發(fā)生內(nèi)轉(zhuǎn)換,放出內(nèi)轉(zhuǎn)換電子和特征X射線。因此,133Xe存在37%分支比的346keVβ粒子與81keVγ射線的符合,以及分支比約49%的346keVβ粒子、45keV內(nèi)轉(zhuǎn)換電子、30~34keV X射線的另一種符合。

      135Xe的衰變主要為最大能量為910keV的β粒子與250keVγ射線的級聯(lián)衰變,分支比為96%,發(fā)生內(nèi)轉(zhuǎn)換的分支比不足10%。

      2 疊層閃爍探測器結(jié)構(gòu)設(shè)計與模擬

      2.1 基本結(jié)構(gòu)設(shè)計與閃爍層厚度模擬

      內(nèi)充氣疊層閃爍探頭的概念借鑒了內(nèi)充氣式正比計數(shù)器與37Ar符合測量系統(tǒng)的設(shè)計理念[5],直接將塑料閃爍體作為氙氣樣品容器,在塑料閃爍體外包1層測量γ信號的無機(jī)閃爍體??紤]放射性氙的記憶效應(yīng),放射性氙氣的殘留將會給下次測量帶來干擾,4π疊層閃爍探頭整體采用圓柱結(jié)構(gòu),可降低異型閃爍體的加工難度,且便于氣體的沖洗。

      一般,無機(jī)閃爍體的光輸出產(chǎn)額與線性較好,但發(fā)光衰減時間較長,而有機(jī)閃爍體的衰減快,但其光產(chǎn)額較低。實(shí)際β-γ符合測量常采用快衰減時間的塑料閃爍體測量β信號,采用發(fā)光效率高、能量線性好的無機(jī)閃爍體測量γ信號,如NaI(Tl)、CsI(Tl)和LaBr(Ce)等晶體。

      新型LaBr3(Ce)晶體有一定脆性,不適合異型機(jī)械加工,且存在一定的鑭本底;BGO晶體發(fā)光效率低,材料折射率較高,不利于光子收集。綜合考慮NaI(Tl)與CsI(Tl)由于發(fā)光效率與γ探測效率相對較高,具有適合的發(fā)光衰減常數(shù)(分別為230ns與1μs),可作為疊層閃爍探頭的γ測量晶體。這兩種晶體也有各自的缺點(diǎn),CsI(Tl)晶體與光電倍增管的匹配較差,NaI(Tl)晶體有一定脆性,機(jī)械加工性能較差。以BC404作塑料閃爍體晶體,CsI(Tl)作γ測量晶體為例,設(shè)計的結(jié)構(gòu)如圖2所示。

      利用MCNP5對圖2所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行模擬,對比不同厚度的CsI(Tl)與NaI(Tl)晶體對不同能量的γ射線的探測效率,結(jié)果示于圖3。相關(guān)模擬假定如下:氣體樣品為各相同性均勻體源;不考慮閃爍層間極薄的光學(xué)耦合劑;不考慮CsI(Tl)晶體外所加的反射層。初設(shè)參數(shù)為氙氣池直徑2cm、BC404壁厚1cm。

      圖2 放射性氙疊層閃爍探頭設(shè)計結(jié)構(gòu)Fig.2 Design structure of phoswich detector for radioxenon monitoring

      由圖3可知,對于低能端(分支比最大的兩條射線的能量分別為31、81keV),CsI(Tl)與NaI(Tl)晶體差別不大,30mm厚度的探測效率達(dá)90%,此時,對250keV特征γ射線,探測效率分別約70%與60%。β-γ符合測量中,無需測量分支比極小的608keV特征γ射線,因此,30mm厚的CsI(Tl)與NaI(Tl)已滿足要求。

      放射性氙疊層閃爍探頭中,β信號測量層的設(shè)計最關(guān)鍵,以塑料閃爍體BC404為例,若厚度較薄,對β信號的探測效率就較低,外圍晶體β響應(yīng)就較高,給γ信號的測量帶來干擾;若厚度過厚,塑料閃爍體層與γ射線作用的概率會變大,不利于β信號的準(zhǔn)確測量[6]。因此選擇合適的塑料閃爍體厚度,對β-γ符合測量至關(guān)重要。

      131Xem的129keV與133Xem的199keV內(nèi)轉(zhuǎn)換電子為單能電子,而133Xe最大能量為346keV,與135Xe最大能量為910keV的特征β粒子的能量是連續(xù)的,因此在模擬時采用一定的能量分區(qū)。若采用平均能量計算,塑料閃爍體層探測效率較準(zhǔn),但無法計算穿出塑料閃爍體高能部分的粒子數(shù);若用最大能量計算,塑料閃爍體層厚度模擬結(jié)果變大,測量時塑料閃爍體層γ干擾信號增加。根據(jù)射程公式,500keVβ粒子在塑料閃爍體中射程為1.6mm,利用MCNP5得到的塑料閃爍體BC404厚度0.5~3mm變化時的模擬結(jié)果示于圖4。

      圖3 CsI(Tl)和NaI(Tl)與γ射線的作用概率Fig.3 Interaction probability of CsI(Tl)and NaI(Tl)with gamma ray

      圖4 塑料閃爍體厚度對各閃爍層主要β、γ射線作用概率的影響Fig.4 Effect of thickness on interaction probability of each scintillator with mainβandγrays

      由圖4的模擬結(jié)果可得到如下結(jié)論。

      1)由于135Xe半衰期較短,若不考慮其能量為910keV的特征β射線,0.5mm厚的BC404即能滿足設(shè)計要求,該厚度可將最大能量為346keV的β信號全部收集,且對主要的81keV和31keV特征γ(X)射線的探測效率低至2.42%和2.34%。

      2)0.5mm厚的BC404對最大能量為910keV的β粒子屏蔽不佳,有22.2%的β粒子能量未能完全被BC404屏蔽。而當(dāng)BC404厚度達(dá)1.5mm時這一比例降到0.8%,該厚度下BC404對主要的81keV和31keV特征射線的探測效率分別為6.2%和5.87%。

      3)塑料閃爍體BC404對β信號的探測未能達(dá)到100%,其原因是放射性氙氣體樣品對β射線的吸收。

      2.2 改進(jìn)結(jié)構(gòu)設(shè)計與自吸收效應(yīng)模擬

      原結(jié)構(gòu)中若氙氣池容積較大,則氣體不易密封且探測立體角會減小,探測效率降低;若氙氣池容積較小,充氣量會受限制。

      對原結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn),將塑料閃爍體氙氣池做成細(xì)口寬底的燒瓶狀,寬底“燒瓶”容積較大,氣體進(jìn)出口較細(xì),便于氣體的密封,探測立體角更大。改進(jìn)結(jié)構(gòu)如圖5所示。改進(jìn)后的氙氣池容積變大,立體角變大,探測效率提高。但由于“燒瓶”底部較寬,切割后的外圍無機(jī)閃爍晶體實(shí)際厚度較薄,影響對能量較高的γ射線的探測。由于氙氣池體積較大,氙氣對β射線的吸收更嚴(yán)重,氙氣池氣壓變化時自吸收效應(yīng)的強(qiáng)弱對測量結(jié)果影響很大(圖6,MCNP模擬時,以氙氣密度的變化表示氣壓的變化)。

      圖5 放射性氙疊層閃爍探頭改進(jìn)結(jié)構(gòu)Fig.5 Redesign structure of phoswich detector for radioxenon monitoring

      圖6 不同氣壓下特征β射線的能量響應(yīng)Fig.6 Energy responses ofβray with different gas pressures

      對比不同大氣壓下的模擬結(jié)果,得到如下結(jié)論。

      1)以塑料閃爍體BC404與β射線和內(nèi)轉(zhuǎn)換電子的作用概率大小表示自吸收的強(qiáng)弱,氙氣對β射線的自吸收現(xiàn)象較明顯,且隨氣壓增加,這一現(xiàn)象更嚴(yán)重。氣壓增加到2.5×105Pa時,346keV特征β射線的吸收相比常壓增加45.6%。

      2)氣壓增加,峰位可能出現(xiàn)漂移,相比常壓129keV內(nèi)轉(zhuǎn)換電子峰位偏移7keV,與不考慮自吸收相比偏移15keV。

      根據(jù)塑料閃爍體的物理特性,實(shí)際的充氣氣壓為0.05~0.15MPa,通過模擬得到在這一氣壓區(qū)間各β射線和內(nèi)轉(zhuǎn)換電子的實(shí)際自吸收效應(yīng)(圖7)。

      從圖7可發(fā)現(xiàn),即使氣壓在較小的區(qū)間變化,對能量較低的45keV內(nèi)轉(zhuǎn)換電子以及最大能量為346keV的β射線測量的影響仍不可忽略,對129keV內(nèi)轉(zhuǎn)換電子及最大能量為910keVβ射線的影響不大,對199keV內(nèi)轉(zhuǎn)換電子的影響較小。因此,在實(shí)際測量中,須對充氣氣壓進(jìn)行控制,在活度測量時根據(jù)氣壓做一定修正。

      圖7 不同工作氣壓下的自吸收效應(yīng)Fig.7 Self-absorption effect with different gas pressures

      參考放射性氙疊層閃爍探測器實(shí)物的加工尺寸(CsI(Tl)的外部尺寸為76mm×76mm,BC404的外徑為9mm、壁厚為1.5mm),給出常壓下放射性氙疊層閃爍探測器對4種放射性氙同位素主要β射線和γ射線的探測效率(圖8)。

      通過模擬結(jié)果給出所設(shè)計探頭的參數(shù)為:β射線探測晶體塑料閃爍體BC404對30keV以上γ(X)射線的探測效率低于7%,可完全屏蔽能量低于500keV的β信號,γ探測晶體CsI(Tl)對30~300keV的γ射線的探測效率在80%以上。

      放射性氙4種同位素的γ射線能量集中于30~250keV,與塑料閃爍體BC404的作用概率低于7%,而CsI(Tl)對此能段γ射線的探測效率高于89%;由于氙氣對低能電子的吸收,與塑料閃爍體BC404的作用概率分別為68.1%與86.6%,最大能量為910keV的β粒子中僅0.8%沉積在CsI(Tl)中。

      圖8 主要β、γ射線的作用概率Fig.8 Interaction probability of mainβandγrays

      沿這種思路可進(jìn)行一些新嘗試,如利用氣體閃爍體或液體閃爍體替代外圍的無機(jī)晶體作為γ測量晶體。這樣β探測單元做成任意形狀,均能實(shí)現(xiàn)4π方向的符合,從而避免復(fù)雜的機(jī)械加工。

      3 疊層閃爍探測器研制與初步實(shí)驗(yàn)

      基于改進(jìn)結(jié)構(gòu)設(shè)計的放射性疊層閃爍探測器的研制工作已基本完成,γ測量晶體選用CsI(Tl)晶體,塑料閃爍體型號為BC404,氙氣池(塑料閃爍體)壁厚的加工根據(jù)模擬結(jié)果控制在(1.5+0.1)mm;在進(jìn)氣氣路上添加高精度絕壓傳感器,用以測量氙氣池氣壓,以便進(jìn)行效率修正和峰位校正。探測器的實(shí)物如圖9所示。

      圖9 放射性氙疊層閃爍探測器實(shí)物圖Fig.9 Real photo of phoswich detector for radioxenon monitoring

      疊層閃爍探測器符合測量的開展基于脈沖波形識別技術(shù)的運(yùn)用,利用RC負(fù)載電路對探測器的陽極脈沖信號直接讀出,分析脈沖信號。相關(guān)刻度工作及符合測量均基于對脈沖信號的分析。在前期初步實(shí)驗(yàn)中利用多道分析器921E,在137Cs照射下觀測氙氣池對CsI(Tl)晶體性能的影響,測量活時間為1 000s。得到放射源置于不同位置時能譜(圖10)的能量分辨,從左至右分別為7.44%、7.24%和7.59%,137Cs能峰峰位偏移<0.1%。

      為采集疊層閃爍探測器的輸出信號,并開展信號分析,開發(fā)了一套基于數(shù)字化儀器的數(shù)據(jù)采集與分析系統(tǒng)。利用該系統(tǒng)采集得到所研制的疊層閃爍探測器在本底條件下可能輸出3種典型信號(圖11):CsI(Tl)信號,脈沖寬度約為120ns,脈沖前沿寬度約為30ns;BC404信號,脈沖寬度約為8μs,脈沖前沿寬度約為130ns;偶然符合脈沖,脈沖寬度約為8μs,脈沖前沿寬度約為80ns。實(shí)際測量過程中,符合脈沖被認(rèn)為是真實(shí)信號,CsI(Tl)信號以及BC404信號可通過脈沖波形識別方法剔除,從而抑制本底。利用數(shù)據(jù)采集與分析系統(tǒng)統(tǒng)計本底條件下偶然符合事件的比例,計算疊層閃爍探測器本底抑制因子。

      圖10 不同源位下探測器的能譜Fig.10 Spectra of137Cs paced in various positions

      圖11 疊層閃爍探測器輸出的3種典型信號Fig.11 Three typical pulses of phoswich detector

      統(tǒng)計的脈沖中,CsI(Tl)脈沖數(shù)n1=231 480,BC404脈沖數(shù)n2=8 259,符合脈沖數(shù)n3=2 513。計算疊層閃爍探測器的本底抑制因子f:

      f的不確定度σf按式(3)計算:

      其中,δn1、δn2、δn3分別為3種脈沖的計數(shù)漲落。

      計算得到f=96.4、σf=1.0,則本底抑制因子為96.4±1.0。

      測量1 000s活時間的本底能譜示于圖12。

      全譜(10keV~1.6MeV)本底計數(shù)率為242.3s-1,因此,若采用脈沖甄別的方法去除純γ信號與純β信號,則只有偶然產(chǎn)生的符合脈沖會被認(rèn)為是真實(shí)信號,全譜本底可降至2.5s-1。此外所測的符合脈沖中有若干微弱信號,若增加物質(zhì)屏蔽并設(shè)置一定的甄別閾,本底計數(shù)率可進(jìn)一步降低。

      圖12 放射性氙疊層閃爍探測器本底能譜Fig.12 Background spectrum of phoswich detector for radioxenon monitoring

      4 結(jié)論

      1)提出了一種可用于放射性氙氣體樣品測量的疊層閃爍探測器的設(shè)計,利用β-γ符合方法,降低本底干擾,實(shí)現(xiàn)低放射性測量。

      2)利用MCNP5模擬了兩種結(jié)構(gòu)的內(nèi)充氣疊層閃爍探測器,0.5mm厚塑料閃爍體BC404可完全吸收最大能量為346keV的β信號,且對81keV特征γ的吸收不足3%。若考慮135Xe 910keV特征β的測量,塑料閃爍體厚度增加為1.5mm,此時僅0.8%的910keVβ信號不能被BC404屏蔽,CsI(Tl)對81keV特征γ的吸收約6.2%。

      3)放射性氙氣體樣品的自吸收效應(yīng)隨充氣氣壓的增加而更明顯,充氣氣壓達(dá)2.5×105Pa時,相比常壓,129keV內(nèi)轉(zhuǎn)換電子峰位偏移7keV,346keV特征β射線自吸收增加45.6%。

      4)根據(jù)模擬設(shè)計,研制了用于放射性氙測量的疊層閃爍探測器,初步實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明其可有效抑制本底計數(shù),抑制因子約96.4±1.0。

      [1] FONTAINE J P,POINTURIER F,BLANCHARD X.Atmospheric xenon radioactive isotope monitoring[J].Journal of Environmental Radioactivity,2004,72(1-2):129-135.

      [2] MILLER W H,LEON M D.Utilization of phoswich detectors for simultaneous,multiple radiation detection[J].Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry,2005,264(1):163-167.

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      Design and Preliminary Experiment of Phoswich Detector for Radioxenon Monitoring

      LUO Fei,GONG Jian*,XIANG Yong-chun,XIANG Qing-pei,HU Guang-chun
      (Institute of Nuclear Physics and Chemistry,China Academy of Engineering Physics,Mianyang621900,China)

      Several isotopes of xenon are sufficiently produced in fission and a few of them have suitable half-lives and radiation to be detected.These are131Xem,133Xe,133Xemand135Xe and they have been selected for continuous monitoring in CTBTO international monitoring system.Employing the phoswich technology withβ-γcoincidence counting capability accompanied by digital signal processing of PMT pulse,the current coincidence detectors were simplified.The radiation transport simulations were performed using MCNP toolkit to determine the optimum design and estimate the detection efficiency of theβandγrays in phoswich detector.The results show that almost all of the beta particles deposite in plastic scintillator BC404as its thickness is set to 1.5mm.The self-absorption of radioxenon sample was also observed.The absorption of 346keVβray increases by 45.6%as the pressure from 0.1MPa to0.25MPa.The data acquisition and analysis system was developed as the phoswich detector for radioxenon detection was constructed recently.The preliminary experiments demonstrate that the phoswich detector is efficient in reducing the background and the inhibiting factor is about 96.4±1.0.

      radioxenon;phoswich detector;Monte-Carlo;self-absorption effect

      TL812.1

      :A

      :1000-6931(2015)03-0552-08

      10.7538/yzk.2015.49.03.0552

      2013-11-25;

      2014-07-14

      羅 飛(1988—),男,四川北川人,研究實(shí)習(xí)員,從事軍控技術(shù)及核技術(shù)應(yīng)用研究

      *通信作者:龔 建,E-mail:dr_gong_jian@163.com

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