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      低溫?zé)Y(jié)Sn取代Bi-CVG鐵氧體的介電性能研究

      2015-07-27 08:27:16榆林職業(yè)技術(shù)學(xué)院陜西榆林719000
      山東工業(yè)技術(shù) 2015年15期
      關(guān)鍵詞:石榴石鐵氧體電性能

      李 寧(榆林職業(yè)技術(shù)學(xué)院,陜西 榆林 719000)

      低溫?zé)Y(jié)Sn取代Bi-CVG鐵氧體的介電性能研究

      李寧
      (榆林職業(yè)技術(shù)學(xué)院,陜西榆林719000)

      摘要:本文利用傳統(tǒng)固相燒結(jié)法制備了Snx:Bi-CVG鐵氧體材料,并對(duì)低溫?zé)Y(jié)下的微觀結(jié)構(gòu)及介電性能進(jìn)行了研究。結(jié)果表明,組分x=0.4 的Snx:Bi-CVG試樣在1075℃燒結(jié)6h,燒結(jié)體密度達(dá)到最大值,可生成單一石榴石相,且介電性能良好:當(dāng)極化場(chǎng)頻率小于諧振頻率范圍時(shí),Sn0.4:Bi-CVG試樣的介電常數(shù)ε′在12.6-14.7范圍內(nèi),當(dāng)極化場(chǎng)頻率大于共振頻率范圍時(shí),介電常數(shù)ε′在9.7-11.7范圍內(nèi),介電損耗tgδ大約在2.0×10-4-7.2×10-3范圍內(nèi)變化。

      關(guān)鍵字:YIG ;鐵氧體;低溫?zé)Y(jié);介電性能

      1 引言

      釔鐵石榴石(Y3Fe5O12,簡(jiǎn)稱YIG)鐵氧體材料因其具有優(yōu)良的旋磁性能而廣泛應(yīng)用于諸如環(huán)行器、振蕩器和移相器等微波器件的制造[1]。但是,YIG鐵氧體由于燒結(jié)溫度高(>1400℃),導(dǎo)致無(wú)法與高導(dǎo)電材料例如Ag-Pd合金(1145℃)實(shí)現(xiàn)共燒。早些一些研究工作者[2--5]通過(guò)添加CaO-V2O5或Bi2O3-CaO-V2O5組分使YIG鐵氧體燒結(jié)溫度從1400℃降低到1100℃。后又有學(xué)者在Bi2O3-CaO-V2O5摻雜的基礎(chǔ)上,研究了添加In2O3的Bi-CVG鐵氧體材料,并發(fā)現(xiàn)在1075℃燒結(jié)溫度下磁性能優(yōu)良[6]。但是In2O3原料價(jià)格昂貴。我們先前研究了SnO2對(duì)Bi-CVG鐵氧體材料微結(jié)構(gòu)及磁性能的影響,獲得優(yōu)良磁性能的石榴石結(jié)構(gòu)材料[7]。本文在此基礎(chǔ)上對(duì)Sn取代Bi-CVG材料的介電性能和機(jī)理進(jìn)行了進(jìn)一步討論。

      2 實(shí)驗(yàn)方法

      本實(shí)驗(yàn)采用傳統(tǒng)固相燒結(jié)工藝,制備了組分為{Bi0.75Y1.05-xCa1.2+x} [Fe2-xS nx](Fe2.4V0.6)O12(Snx:Bi-CVG)系列鐵氧體材料,其原料為Bi2O3(99.50%)、Fe2O3(99.95%)、CaCO3(99.50%)、V2O5(99.00%)、SnO2(99.99%)、Y2O3(99.95%)。具體工藝如下:將原料按上述化學(xué)計(jì)量(x=0.0, 0.2, 0.3,0.4, 0.5, 0.6)換算配比并進(jìn)行混合球磨;經(jīng)干燥、950℃×4h預(yù)燒后,進(jìn)行二次球磨6h;用PVA(濃度10%)黏合劑對(duì)混干后制備好的粉末進(jìn)行造粒,在40,000N/m2壓強(qiáng)下將混合料壓成16mm×8mm×(1~4)mm薄片,然后在烘箱里100℃干燥2h,并在1000℃~1100℃燒結(jié)6h后,隨爐冷卻。

      采用排水法測(cè)量樣品密度ρ;用日本島津XRD-7000S型X射線衍射儀(XRD,Cu Kα,λ=0.154nm)分析樣品的物相組成;采用日本電子(JEOL)JSM-6700F型掃描電鏡(SEM)觀察試樣的微觀形貌;采用AgilentE8362B網(wǎng)絡(luò)分析儀在12~15.2GHz微波范圍內(nèi)測(cè)樣品介電性能。

      圖1 Snx:Bi-CVG樣品在不同燒結(jié)溫度下的密度

      3 結(jié)果與討論

      3.1燒結(jié)性能

      圖1為Snx:Bi-CVG試樣的密度隨燒結(jié)溫度的變化關(guān)系。由圖表明,對(duì)于相同組分的樣品密度隨著燒結(jié)溫度升高而逐漸增大,到1075℃后繼續(xù)升高燒結(jié)溫度,其密度值變化不明顯甚至有所減小。因此我們認(rèn)為,Sn摻雜Bi-CVG樣品的燒結(jié)溫度在1075℃較佳。另外,對(duì)于同一燒結(jié)溫度下的樣品密度隨著x值的增大,呈先增大后減小趨勢(shì)。其中,燒結(jié)溫度為1075℃的Sn0.4:Bi-CVG樣品密度值為最大。

      3.2XRD分析

      不同Sn摻雜量的Bi-CVG樣品在1075℃燒結(jié)溫度下的XRD譜如圖2所示。由圖可知:在該燒結(jié)溫度下,摻雜一定Sn含量(0.2≤x≤0.6)并不會(huì)改變其晶體結(jié)構(gòu),均可生成單一石榴石相。另外,從圖中可以看出,Sn摻雜量為x=0.4的樣品比其他含量樣品的特征峰更尖銳,強(qiáng)度更強(qiáng),說(shuō)明成相更完全。

      圖2 不同Sn摻雜量(0.2≤x≤0.6)的Bi-CVG樣品在1075℃燒結(jié)溫度下的XRD圖譜

      3.3SEM分析

      x=0.4的Snx:Bi-CVG試樣在不同燒結(jié)溫度下的微觀形貌如圖3所示??梢钥闯?,試樣隨著燒結(jié)溫度逐漸升高,其結(jié)晶逐漸完全,晶粒均勻長(zhǎng)大,顯微結(jié)構(gòu)更加致密。但是相比于圖3(d),圖3(e)晶粒出現(xiàn)異常長(zhǎng)大,且尺寸分布不均勻,這可能是試樣過(guò)燒的緣故。因此我們認(rèn)為,x=0.4的Snx:Bi-CVG樣品,其燒結(jié)溫度為1075℃時(shí)較佳。

      圖3 x=0.4的Snx:Bi-CVG試樣在不同燒結(jié)溫度下的微觀形貌圖

      3.4介電性能

      圖4和圖5分別為Sn組分x=0與x=0.4的Snx:Bi-CVG試樣在12~15.2GHz微波頻率范圍內(nèi)的介電常數(shù)ε′和損耗角正切值tgδ隨頻率的變化曲線圖。Snx:Bi-CVG鐵氧體在該頻率范圍內(nèi)出現(xiàn)了諧振峰。這主要是因?yàn)槎嗑袷F氧體在超高頻極化場(chǎng)的介電行為與晶格振動(dòng)緊密相關(guān),當(dāng)極化頻率達(dá)到晶格振動(dòng)頻率時(shí),后者試圖打亂極化,故在很窄的頻率范圍內(nèi)出現(xiàn)阻尼諧振,這種阻尼主要是由于石榴石結(jié)構(gòu)的不完善和雜質(zhì)的存在導(dǎo)致的[8-11]。由于Sn4+離子半徑(0.071nm)與取代的Fe3+(0.061nm)半徑不同,導(dǎo)致晶格結(jié)構(gòu)略有變化,故諧振峰發(fā)生了平移。

      由圖4可以看出,在諧振頻率范圍之外,與未摻雜試樣相比,Sn摻雜Bi-CVG試樣介電常數(shù)ε′略為偏小,但是不明顯。這是因?yàn)樵谖⒉l率下,YIG鐵氧體介電常數(shù)ε′變化主要取決于極化能力更大的Fe2+離子含量變化。本實(shí)驗(yàn)中,由于Sn4+離子取代部分Fe3+離子,這將導(dǎo)致Fe3+離子向Fe2+離子轉(zhuǎn)化的幾率變小,故ε′將隨Fe2+含量降低而略為減小。整體上看,Sn0.4:Bi-CVG樣品的介電常數(shù)ε′在12.6~14.7(極化場(chǎng)頻率小于諧振頻率段時(shí))和9.7~11.7(極化場(chǎng)頻率大于共振頻率段時(shí))范圍內(nèi)變化,介電損耗tgδ大約在1.1×10-3~9.2×10-3范圍內(nèi)變化。

      4小結(jié)

      以Bi2O3、Fe2O3、CaCO3、V2O5、SnO2、Y2O3為原料,采用傳統(tǒng)固相燒結(jié)法制備了Snx:Bi-CVG鐵氧體。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,(1)組分x=0.4時(shí)的試樣在1075℃燒結(jié)6h,燒結(jié)體密度達(dá)到最大值,其燒結(jié)溫度可與Ag-Pd合金(1145℃)實(shí)現(xiàn)共燒。(2)在1075℃燒結(jié)溫度下,Bi-CVG樣品摻雜一定Sn含量(0.2≤x≤0.6)并不會(huì)改變其晶體結(jié)構(gòu),均可生成單一石榴石相。(3)Sn0.4:Bi-CVG試樣在1075℃燒結(jié)后介電性能良好:當(dāng)極化場(chǎng)頻率小于諧振頻率范圍時(shí),Sn0.4:Bi-CVG試樣的介電常數(shù)ε′在12.6~14.7范圍內(nèi),當(dāng)極化場(chǎng)頻率大于共振頻率范圍時(shí),介電常數(shù)ε′在9.7~11.7范圍內(nèi),介電損耗tgδ大約在2.0×10-4~7.2×10-3范圍內(nèi)變化。

      圖4 4 x=0與x=0.4的Snx:Bi-CVG樣品的介電常數(shù)ε′隨頻率的變化曲線

      圖5 5 x=0與x=0.4的Snx:Bi-CVG樣品的介電損耗tgδ隨頻率的變化曲線

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      作者簡(jiǎn)介:李寧(1985-),男,陜西榆林人,榆林職業(yè)技術(shù)學(xué)院助教。

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