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      銅絲鍵合塑封器件開封方法的改進研究

      2015-12-10 02:00:40何勝宗武慧薇王有亮
      關(guān)鍵詞:銅絲器件芯片

      何勝宗,武慧薇,王有亮

      (工業(yè)和信息化部電子第五研究所,廣東 廣州 510610)

      0 引言

      對塑料封裝器件進行開封,去除覆蓋在芯片表面的塑封料,暴露出內(nèi)部鍵合結(jié)構(gòu)和芯片,是判斷塑封封裝工藝質(zhì)量好壞[1],進行器件失效分析[2]的必要環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)的化學(xué)開封方法[3]是利用濃硫酸或發(fā)煙硝酸的強氧化性,在加熱的條件下,手工滴酸或自動開封機腐蝕掉塑封料,達到暴露內(nèi)部鍵合結(jié)構(gòu)和芯片的目的。傳統(tǒng)的開封方法對金絲或鋁絲鍵合的塑封器件有效,是由于金元素比較穩(wěn)定,即使在濃酸加熱的條件下也不會參與反應(yīng);而鋁絲則是由于在濃酸的作用下,首先會在表面形成一層致密的三氧化二鋁 (Al2O3)層,從而阻止進一步的反應(yīng)而被保留下來[4]。對于采用銅絲鍵合的塑封器件而言,不能直接采用上述開封方法,因為銅絲在接觸到濃酸后會產(chǎn)生劇烈的化學(xué)反應(yīng)而被腐蝕掉,不能保留其鍵合結(jié)構(gòu)。銅絲器件采用傳統(tǒng)開封方法的效果如圖1所示。

      圖1 傳統(tǒng)開封方法的效果

      為了保留開封前的鍵合結(jié)構(gòu),必須研究出一種有效的開封方法,在盡量不破壞銅絲的情況下,將塑封料去除,完整地暴露出其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。文獻 [4]給出了一種在濃酸中添加CuSO4·5H2O晶體后手工開封銅絲鍵合器件的方法,并與自動開封機進行了對比,取得了一定的開封效果,但是整體操作時間相對較長。文獻 [5]對比了3種不同的開封方法:1)化學(xué)電解浸泡法;2)化學(xué)低溫噴射刻蝕法;3)激光開封方法。其中,第1種方法需要專門的裝置,較復(fù)雜;第2種方法的開封時間比較長,需要1000 s以上;第3種方法容易出現(xiàn)激光燒蝕損傷到芯片的現(xiàn)象。這些方法均不適用于開封任務(wù)量較大的情況。

      本文通過分析傳統(tǒng)化學(xué)開封過程的制約因素,對傳統(tǒng)化學(xué)開封方法進行了改進,設(shè)計了一種將激光燒蝕和化學(xué)自動噴射刻蝕相結(jié)合的銅絲鍵合塑封器件開封方法,并在不同的條件下進行了對比試驗,取得了不錯的效果。

      1 制約因素分析

      塑封器件傳統(tǒng)的開封過程是:首先,通過XRAY定位芯片明確開封部位;然后,利用掩?;驂|圈等保護不需要開封的部位,將一定量的濃酸加熱到預(yù)設(shè)溫度后 (硝酸加熱到70℃以上,硫酸加熱到200℃以上),手工滴定或自動噴射腐蝕塑封料,通過實時觀察或經(jīng)驗掌握開封時間;最后,將內(nèi)部結(jié)構(gòu)暴露出來[6]。

      在這個過程中,影響開封效果的關(guān)鍵因素有:1)需要開封的芯片位置;2)濃酸的比例和流量;3)酸加熱的溫度;4)開封的時間。

      對于銅絲鍵合器件而言,濃酸不能只選擇發(fā)煙硝酸或硫酸,加熱溫度不宜過高,銅絲與酸接觸的時間不宜過長。

      結(jié)合對濃酸化學(xué)性質(zhì)的認識,以及傳統(tǒng)開封過程的分析,對影響開封銅絲鍵合的制約因素有如下改進措施:1)減少酸接觸銅絲的時間——可以通過激光燒蝕或機械研磨減薄器件塑封料;2)減弱酸對銅的腐蝕性——調(diào)節(jié)開封濃酸的配比,采用混酸進行開封,同時降低開封的溫度;3)開封過程中防止銅的氧化——開封過程中盡量縮小需要開封的面積,同時將開封的空間采用干燥的氮氣與空氣隔離,防止銅絲氧化。

      2 試驗方案

      2.1 試驗過程

      根據(jù)上述分析結(jié)果,結(jié)合傳統(tǒng)的開封方法,研究一種用于銅絲鍵合器件開封的方法,如圖2所示。

      圖2 銅絲器件開封試驗流程

      2.2 設(shè)備和試劑

      1)激光開封機或研磨機,用于減薄塑封料;

      2)塑封開封機,用于噴射腐蝕塑封料;

      3) 發(fā)煙硝酸、 濃硫酸 (質(zhì)量分?jǐn)?shù) 98.3%),用于腐蝕塑封料;

      4)丙酮、酒精和去離子水,用于清洗樣品。

      2.3 關(guān)鍵要素

      a)塑封料的厚度

      當(dāng)覆蓋在芯片表面的塑封料厚度超過1 mm時,需要用激光燒蝕或者機械研磨的方法將芯片上方的塑封料減薄,從而使酸反應(yīng)的時間盡量地減小。需要特別注意的是,利用激光燒蝕塑封料需要嚴(yán)格控制激光的功率和單次燒蝕的時間,避免激光損傷到芯片。

      b)酸的選擇

      單純利用發(fā)煙硝酸或者發(fā)煙硫酸開封銅絲鍵合塑封器件會導(dǎo)致銅絲被酸腐蝕,因此,需要采用混合酸進行開封。根據(jù)開封的實際效果,混合酸的比例一般控制在:發(fā)煙硝酸與濃硫酸的配比 (體積)為 1:1, 2:1, 3:1, 4:1, 5:1, 6:1 等。

      c)開封的溫度和時間

      由于銅絲在加熱的環(huán)境中更易與濃酸發(fā)生反應(yīng),因此開封的溫度要盡量地降低;但另一方面,過低的溫度會降低濃酸與塑封料的反應(yīng)速度,從而導(dǎo)致開封的時間過長,反而有可能導(dǎo)致銅絲由于長時間與濃酸接觸而被腐蝕。

      在實際的開封過程中,需要根據(jù)樣品開孔的大小、厚度等調(diào)整開封的溫度和時間。

      d)清洗樣品

      在開封過程中,清洗樣品時應(yīng)采用丙酮清洗,盡量地減少重復(fù)開封清洗的次數(shù)。開封完成后,同樣需要先用丙酮超聲清洗樣品,再用去離子水清洗,最后用酒精清洗并烘干。

      2.4 樣品選擇

      為了對比開封效果,選取了3種典型的銅絲鍵合塑封器件進行開封試驗,樣品的詳細信息如表1所示。

      表1 銅絲器件開封試驗樣品信息

      3 開封效果對比

      3.1 判斷依據(jù)

      銅絲鍵合器件開封效果的好壞主要從表2中列出的項目進行判斷。

      表2 銅絲鍵合器件開封效果的判斷依據(jù)

      3.2 對比試驗

      為了研究不同條件下的開封效果,根據(jù)不同的濃酸配比、開封溫度,設(shè)計了兩組對比試驗。

      a)不同濃酸配比對比

      在相同的開封溫度下 (40℃),配置不同比例的濃酸進行開封,開封效果的對比如表3所示。其中,A、B組樣品表面塑封料的厚度均經(jīng)過激光減薄至2 mm以內(nèi)。

      結(jié)果顯示,在相同開封溫度的條件下,濃酸配比影響開封效果和總體時間。對于3組樣品而言,濃酸配比 (N:S)為3:1的效果相對較好,其銅絲基本無腐蝕,鍵合點比較完整地保留下來。開封典型形貌對比如圖3所示。

      表3 不同的濃酸配比開封效果

      圖3 不同的濃酸配比條件下B組樣品的開封效果

      b)不同的溫度對比

      在相同的濃酸配比條件 (濃酸配比,N:S=3:1)下,改變開封的溫度,開封效果的對比結(jié)果如表4所示。

      結(jié)果顯示,在相同的配比條件下,開封的溫度影響開封效果和總體時間。其中,開封效果較好的有:在溫度40℃時的A組、B組樣品,與溫度35℃中的C組樣品,這樣可以保證開封的銅絲基本無腐蝕,鍵合點比較完整。開封的典型形貌對比如圖4所示。

      表4 不同溫度開封效果

      圖4 不同的溫度條件下C組樣品的開封效果對比

      4 結(jié)束語

      通過不同條件下對銅絲器件的開封實驗,總結(jié)出如下條件能使鋼絲縫合達到較好的開封效果:1)盡量地減小塑封料的厚度,減少開封的時間;2)選擇合適的濃酸配比,減少反應(yīng)過程中銅絲的腐蝕;3)選擇合適的開封溫度。

      利用上述方法開封銅絲鍵合塑封器件時,推薦的參數(shù)為:1)利用X-RAY透視芯片的大小和位置,對于塑封料厚度超過2 mm的樣品,利用激光燒蝕來減薄厚度;2)將濃酸配比設(shè)置為N:S=3:1,開封的溫度可設(shè)置在30~40℃,每次開封的時間不宜過長,應(yīng)該關(guān)注塑封料和銅絲的腐蝕情況,逐步地調(diào)整開封的溫度和時間。

      [1]張素娟,李海岸.新型塑封器件開封方法以及封裝缺陷[J].封裝測試技術(shù),2006, 31 (7) :509-511, 519.

      [2]張新軍.銅線鍵合技術(shù)及設(shè)備的研究與應(yīng)用 [D].成都:電子科技大學(xué),2010.

      [3]侯小利.塑封器件化學(xué)開封方法優(yōu)化設(shè)計研究[D].北京:北京化工大學(xué), 2010.

      [4]杭春進,王春青,田艷紅,等.塑料封裝銅絲內(nèi)連電子元器件開封新工藝研究 [J].電子工藝技術(shù),2008, 29 (1) :5-7, 11.

      [5]Em Julius N.De La Cruz, Andrew C, et al.Comparative study of different copper wire decapsulation techniques for failure analysis[C]//201320th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA) .2013: 463-467.

      [6]Nisene Technology Group.JetEtch Series Basic Decapsulation Process Guide for JetEtch II[Z] .2008.

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