我國(guó)自主大功率深紫外發(fā)光芯片輸出功率創(chuàng)世界紀(jì)錄
2016-01-05 05:22:34王建高
軍民兩用技術(shù)與產(chǎn)品 2016年3期
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我國(guó)自主大功率深紫外發(fā)光芯片輸出功率創(chuàng)世界紀(jì)錄
經(jīng)國(guó)家級(jí)認(rèn)證機(jī)構(gòu)——中國(guó)杭州遠(yuǎn)方檢測(cè)校準(zhǔn)技術(shù)有限公司的檢測(cè)認(rèn)證，青島杰生電氣有限公司自主研發(fā)的280nm大功率深紫外發(fā)光芯片單顆芯片最大光輸出功率創(chuàng)造了新的世界紀(jì)錄。
在常溫常壓、1000mA電流連續(xù)通電條件下，該芯片單顆芯片獲得了穩(wěn)定的176.6mW輸出功率，而電壓僅為5.8V。這些優(yōu)異的電學(xué)特性使得該芯片能夠直流通電到1A，才接近輸出功率飽和。該項(xiàng)單顆芯片最高輸出功率紀(jì)錄已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了美國(guó)SETI公司報(bào)道的100mW、日本信息通信研究機(jī)構(gòu)與德山株式會(huì)社的90mW紀(jì)錄。
(王建高)
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