單顆
- 20230304基于耦合YOLO/Mask R-CNN的草莓采摘機器人3D雙目相機果實識別與定位
張成熟、未成熟、單顆、多顆、被遮擋的草莓圖像，采用兩階段檢測Mask R-CNN實例分割網(wǎng)絡和一階段檢測YOLOv3目標檢測網(wǎng)絡訓練草莓識別模型，識別模型將草莓分為成熟和未成熟兩類。YOLOv3和Mask R-CNN的準確率分別為93.4%和94.5%。其次，使用ZED 3D相機、三角定位原理和神經(jīng)網(wǎng)絡對草莓進行三維定位。YOLOv3的識別精度為3.1mm，而Mask R-CNN為3.9mm。該研究提出的草莓檢測定位方法可以有效地為采摘機器人精確定位成熟草
中國農(nóng)業(yè)文摘-農(nóng)業(yè)工程 2023年3期2023-08-05
- 基于單顆磨粒切削的CBN鉸珩工具磨粒磨損研究＊
困難。因此，采用單顆磨粒切削的方法研究單顆CBN磨粒切削時的磨損特性，為微小孔鉸珩工具修整工藝的優(yōu)選提供理論基礎[3]。程強等[4]從磨削力比、磨痕截面積以及材料堆積率等方面分析了高速磨削過程中的PCBN磨粒磨損情況，研究表明磨粒磨損對磨削力比和材料堆積率有重要影響，磨削深度增大會加劇磨粒磨損。余劍武等[5]對CBN磨粒的磨損試驗研究亦表明磨削深度對磨粒破碎形式有顯著影響。LI等[6]研究了不同切削厚度和速度下的單顆CBN磨粒磨損演變過程，采用聲發(fā)射測試手
金剛石與磨料磨具工程 2022年6期2023-01-28
- 聲音
單顆種植牙不超過4500元 國家醫(yī)保局9月8日公布《關于開展口腔種植醫(yī)療服務收費和耗材價格專項治理的通知》，明確三級公立醫(yī)院單顆常規(guī)種植牙醫(yī)療服務部分的總價原則上不超過4500元，包含門診診查、生化檢驗和影像檢查、種植體植入、牙冠置入等醫(yī)療服務價格的總和，不含種植體和牙冠。中國科學家首次在月球上發(fā)現(xiàn)新礦物 9月9日，國家原子能機構副主任董保同在發(fā)布活動上宣布，中國科學家首次在月球上發(fā)現(xiàn)新礦物，被命名為“嫦娥石”?！版隙鹗笔且环N磷酸鹽礦物，呈柱狀晶體，存在
文萃報·周二版 2022年37期2022-05-30
- 超聲振動輔助磨削弧區(qū)的單顆磨粒切厚特征＊
，切削形成磨屑。單顆磨粒最大未變形切屑厚度（即單顆磨粒切厚）對分析磨削過程中的磨削力、磨削溫度、表面粗糙度和砂輪磨損的變化規(guī)律具有重要作用[1-4]。由于每顆磨粒的切削情況均不相同，因此單顆磨粒切厚的大小具有隨機性[5]。對于工作面磨粒分布情況相對可控的特制釬焊CBN 砂輪，其單顆磨粒切厚分布特征可以在一定程度上預測磨削加工的工件表面形貌[6]。丁晨等[7]考慮了磨粒高度的非正態(tài)性，利用Johnson 變換及其反變換重構了單層釬焊CBN 砂輪的工作面形貌，
金剛石與磨料磨具工程 2022年1期2022-03-22
- TC4鈦合金磨削機理和仿真研究
理十分復雜，微觀單顆磨粒作用下的磨削過程分析是研究磨削機理的重要基礎方法[3-4]。目前，針對鈦合金加工工藝特點，部分學者結合單顆磨粒磨削仿真展開研究，王艷等[5]基于光滑流體粒子動力學展開單顆CBN磨粒磨削過程模擬仿真，掌握磨削切深對磨削力比等參數(shù)的影響規(guī)律；盧繼等[6]采用DEFORM軟件仿真研究單顆CBN磨粒磨削，磨削深度與磨削速度對工件磨削溫度及磨粒磨損的影響；馬志飛等[7]分析單顆磨粒高速磨削加工中的磨粒負前角對磨屑的影響作用，但對鈦合金的微觀三
計算機仿真 2022年1期2022-03-01
- 單顆磨粒超聲輔助磨削SiC陶瓷材料去除機理
削理論，即當最大單顆磨粒切厚小于脆-塑轉變臨界切厚時，陶瓷材料將主要發(fā)生彈塑性變形，進而在磨削加工中實現(xiàn)塑性去除。同時，BIFANO等[13]采用顯微壓痕法在靜態(tài)緩慢加載條件下建立了適用于先進陶瓷普通磨削時的脆-塑轉變臨界切厚模型。但在超聲輔助磨削過程中，工具、工件間的接觸狀態(tài)與相對運動狀態(tài)均發(fā)生了顯著變化，磨粒與工件間存在高頻變化的強沖擊作用，相應地材料去除機理也必將受到影響。對此，一些學者開展了相關的研究。梁志強等[14]基于光滑質點流體動力學法對不同
中國機械工程 2021年19期2021-10-20
- 單顆磨粒劃擦陶瓷聲發(fā)射信號與材料去除體積關系研究
測最好方法之一.單顆金剛石磨粒劃擦陶瓷試驗是研究陶瓷磨削機理的主要方法，由于單顆磨粒的劃擦材料深度淺，材料去除體積和磨削力都很小，導致利用磨削力來監(jiān)測磨削過程較為困難，所以靈敏度高的AE 技術是在線監(jiān)測單顆磨粒磨削機理的最主要方法.研究人員對單顆磨粒劃擦材料的AE 監(jiān)測做出分析，文獻[1]通過單顆金剛石磨粒聲發(fā)射信號劃痕表面的劃痕形貌模型，計算出的劃痕粗糙度與顯微鏡測量出的粗糙度值很接近.文獻[2]報道了金剛石磨粒的磨損隨工件材料去除體積的增加呈階段性變化
湖南大學學報（自然科學版） 2021年8期2021-09-27
- ZrO2陶瓷切向超聲輔助磨削表面及亞表面損傷機制
切向超聲輔助磨削單顆磨粒未變形切削厚度模型的建立切向超聲輔助磨削運動模型如圖1所示，將坐標系原點假定在砂輪圓心，建立空間直角坐標系。根據(jù)圖1，在切向超聲輔助磨削過程中，砂輪以線速度vs繞主軸旋轉，工件以進給速度vw做水平運動，同時工件沿砂輪切向以振幅A、頻率f超聲振動。假設切向超聲輔助磨削過程中，磨粒為剛性正四面體，沿砂輪圓周均勻分布；工件超聲振動頻率及振幅保持不變?；谏拜喤c工件的運動特點，建立單顆磨粒切削模型，如圖2所示。假定砂輪上某一磨粒在P點處與工
航空學報 2021年7期2021-08-03
- 單顆CBN磨粒微切削硬質合金YG8磨損研究
行數(shù)值模擬，且在單顆磨粒切削機理和切削力的研究中已得到廣泛應用[4-5]。因此，本文采用SPH法建立單顆磨粒切削仿真模型，并進行試驗驗證，以研究CBN磨粒微切削高硬度工件YG8時的磨損特性，為鉸珩工具的修整研究奠定基礎。1 仿真模型建立在建模仿真時，若是將被加工內孔沿某一母線展開，則能夠將磨粒的旋轉運動轉化為直線運動。通常情況下，使用SPH法建模時都將工件設置成SPH粒子，采用有限元網(wǎng)格對鉸珩工具進行建模；本文反其道而行之，鉸珩工具由SPH粒子進行填充，而
機械制造與自動化 2021年1期2021-02-03
- 鎳基高溫合金高速超高速磨削成屑過程的三維仿真研究
確分析比較困難。單顆磨粒磨削是對復雜磨削過程進行的簡化，是了解磨削加工機理的一種行之有效的方法[9-11]。同時，高速、超高速磨削時的材料去除是在極短時間內發(fā)生的，磨削過程中磨削區(qū)域內的材料流動應力、塑性應變和溫度等許多參數(shù)難以通過儀器實時且準確地觀測；此外，許多試驗研究都在150 m/s左右甚至以下速度進行，無法準確反映更高速度下高溫合金的磨削加工情況，因而對超高速條件下的磨削研究較少。借助有限元仿真方法，可以有效模擬和再現(xiàn)高速磨削過程，反映單顆磨粒磨削
金剛石與磨料磨具工程 2020年6期2021-01-12
- 單顆磨粒磨削實驗及其數(shù)值模擬的研究進展
，集成磨削區(qū)域的單顆磨粒切削結果就可以解釋磨削過程中的各種物理現(xiàn)象［2］，而材料的去除機理、磨削力、磨削熱等物理特性對提高加工精度與效率十分重要，因此國內外學者從單顆磨粒角度開展了相關的研究。實驗和仿真是研究單顆磨粒磨削特性的重要手段，國內外學者設置不同的工藝條件來研究單顆磨粒的磨削性能及剖析磨削過程的磨削力、磨削熱。其中，實驗是通過單顆磨粒磨削加工獲得磨削力、磨削熱的變化情況，仿真則是用單顆磨粒模型對磨削加工過程進行模擬的過程，研究者通過仿真、實驗來預測
宇航材料工藝 2020年5期2020-11-17
- 長江存儲推出128層QLC閃存 單顆容量達1.33Tb
O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。另外，此次同時發(fā)布的還有128層512 GB TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片X2-9060，以滿足不同應用場景的需求。據(jù)介紹，QLC是繼TLC后3D NAND新的技術形態(tài)，具有大容量、高密度等特點，適合于讀取密集型應用。每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過3665億個有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲單元，每個存儲單元可存儲4字位（bit）的數(shù)據(jù)，共提供1.33T
中國計算機報 2020年15期2020-05-13
- 基于復合拋物面反光杯和菲涅爾透鏡組合的洗墻燈LED條形光斑設計優(yōu)化
路1.1 洗墻燈單顆LED光學器件設計要求洗墻燈內部是由若干單顆LED光學器件組成，要求每個LED光學器件的配光平面照射效果符合條形光斑，光通量均勻疊加。以滿足被照區(qū)域(側洗墻面)由燈體發(fā)光面到遠處均勻過渡，燈具整體尺寸需要限制在寬×高=48 mm×41 mm以內。具體單顆LED光學器件設計要求如下：1)LED光源：CREE-3535 XTE-HE-WW；2)光通利用率：大于80%；3)實測光效：大于85 lm/W；4)光束角(50%Imax)： [C0/
照明工程學報 2020年2期2020-05-10
- 磨粒變切深劃擦陶瓷聲發(fā)射及其時間序列建模
工藝的關鍵.研究單顆磨粒劃擦機理是研究磨削砂輪磨削機理的基礎，監(jiān)測單顆磨粒劃擦磨削機理的主要方法是應用聲發(fā)射技術，因此，單顆磨粒劃擦的聲發(fā)射監(jiān)測在磨削監(jiān)測過程研究中有著重要的作用.目前國內外學者對單顆磨粒劃擦的聲發(fā)射監(jiān)測進行了一些研究.文獻[1]中通過立方氮化硼（CBN）磨粒劃擦En24T材料，發(fā)現(xiàn)多切削刃磨粒劃擦的AE信號比單切削刃的AE信號強；單顆磨粒劃擦中耕犁作用產(chǎn)生的AE信號較切削和劃擦作用產(chǎn)生的AE信號更強；單刃磨粒劃擦AE信號功率譜頻率在小于1
湖南大學學報（自然科學版） 2020年2期2020-03-02
- FINE 6012PIXIE搖頭效果燈
OSRAM燈珠，單顆燈珠功率為60w，單顆單色都能1夠獨立控制。光學系統(tǒng)上，采用玻璃導光俸+PMMA高品質二次透鏡方式組成。大功率的LED光源，使得FINE6012PIXIE光束輸出飛躍提升，特別從BEAM到WASH的過渡，隨意自如，讓燈光師有充分的發(fā)揮空間。前透鏡可以旋轉，能產(chǎn)生像花瓣一樣打開和關閉的超強光束。RGBW混色系統(tǒng)和前透鏡旋轉同時啟動時，能產(chǎn)生炫麗效果。FINE 6012PIXIE小巧輕便、發(fā)光效率高、使用方便、節(jié)能環(huán)保，是可實現(xiàn)透鏡無極旋轉
演藝科技 2019年7期2019-03-30
- 單顆上頜前牙即刻種植修復的牙齦美學效果分析
摘要]目的：探討單顆上頜前牙美學區(qū)即刻種植患者的牙齦美學恢復情況。方法：選取2015年2月-2016年11月筆者醫(yī)院收治的單顆上頜前牙美學區(qū)牙列缺失患者100例，隨機分為兩組。研究組：60例，即微創(chuàng)拔牙后即刻植入種植體（60顆），當天完成固定修復，6個月內完成最終修復；對照組：40例，即行延期種植修復（40顆），隨訪并比較兩組修復后6個月、12個月X片骨吸收值，應用紅色美學評分（PES）評估軟組織美學恢復情況，記錄兩組種植成功率、骨性結合率、主觀滿意度評分
中國美容醫(yī)學 2018年9期2018-12-27
- 單顆磨粒磨削AISI 1045鋼的磨削力實驗研究
削過程較為復雜。單顆磨粒磨削過程不受其他磨粒及磨屑的影響，因此研究單顆磨粒磨削是認識復雜磨削的重要手段。從單顆磨粒磨削角度進行研究,能夠有效解釋磨削過程中的各種物理現(xiàn)象[2-3]。早期的一些學者們采用單顆磨粒磨削的方法進行了脆性材料加工機理的研究，得出：磨粒以微量切深去除脆性材料時，脆性材料產(chǎn)生塑性變形[4-5]；但是關于單顆磨粒磨削金屬材料的研究相對較少。AISI 1045碳素結構鋼的冷熱加工性能優(yōu)異，機械性能好[6]。早期關于AISI 1045鋼磨削力
太原理工大學學報 2018年5期2018-09-21
- 單顆磨粒磨削仿真研究進展
仿真方法等應用于單顆磨粒磨削材料的去除機理、成屑機理、工件表面質量以及磨粒磨損等仿真中的研究現(xiàn)狀，最后闡述了各類仿真方法的局限性，并提出了單顆磨粒磨削仿真進一步的發(fā)展前景。0 引言隨著新磨料磨具的出現(xiàn)，磨削加工精度與效率得到提高，在工業(yè)、國防軍工、航天航空等精密加工領域得到廣泛的應用。磨削加工機理較為復雜，影響因素眾多，工件材料特性、砂輪表面形貌、磨粒分布、磨削工藝參數(shù)等因素耦合作用決定磨削加工過程，磨削加工表面形貌是多顆磨粒的切削軌跡累積獲得[1]。磨削
宇航材料工藝 2018年4期2018-09-04
- 新型金剛石多層有序排布裝置及參數(shù)優(yōu)化
剛石稀少的區(qū)域，單顆金剛石承受的工作負荷過大，易于破碎和脫落，也不能有效利用金剛石，降低磨削效率［1－4］。因此，關于金剛石磨粒有序排布對磨削性能的提高作用一直是國內外的研究熱點［5，6］。王軍等將仿生學葉序理論與磨削機理結合，利用光刻技術和復合電鍍技術制備出磨粒呈葉序狀排布的砂輪，并用實驗證明了有序排布砂輪的磨削性能優(yōu)于普通砂輪［7］；Sung等將有序排布技術結合釬焊法應用于鋸片的制備，發(fā)現(xiàn)有序排布鋸片能明顯提高磨粒使用率和工具壽命［8］；Koshy等學
超硬材料工程 2018年3期2018-08-17
- 即刻種植與延期種植在單顆前牙修復的臨床效果比較
種植與延期種植在單顆前牙修復的臨床效果比較曹高學，郝海燕，初 兵（山東省博興縣人民醫(yī)院口腔科，山東 濱州 256500）目的 比較即刻種植與延期種植在單顆前牙修復的臨床效果。方法 選擇2015年2月～2017年2月于我院就診的需行單顆前牙修復的患者，共58例，按照入院編號隨機分為兩組，每組29例。對照組進行延期種植，觀察組即刻種植，比較兩組患者的手術成功率和種植體治療前后周圍硬組織影像學的變化情況。結果 兩組患者的手術均成功，無一例失敗，且治療前后種植體周
中西醫(yī)結合心血管病雜志(電子版) 2017年32期2018-01-04
- 多顆磨粒微磨削硬脆材料BK7磨削力仿真研究
化為球形磨粒，從單顆微磨削力模型入手，結合動態(tài)磨刃分布模型建立了多顆磨粒微磨削力學模型；結合FME和SPH的方法建立磨粒隨機分布的多顆磨粒微磨削力模型；利用所建立的力學預測模型和仿真模型，對不同進給速度和磨削深度時所對應的微磨削力進行研究，并將模擬結果與試驗進行對比。結果表明：所建仿真模型可實現(xiàn)多顆磨粒立式微磨削的過程，且結果與試驗結果吻合較好，為后續(xù)研究多顆磨粒微磨削仿真奠定了基礎。多顆磨粒；微磨削；FME；SPH隨著現(xiàn)代尖端科技朝著微型化、精密化發(fā)展，
黑龍江科學 2017年21期2017-12-14
- 金剛石磨粒變切深劃擦無氧銅的聲發(fā)射及其時間序列建模
21)試驗研究了單顆金剛石磨粒以不同切深劃擦無氧銅的聲發(fā)射信號特征，對不同切深下的聲發(fā)射信號進行平穩(wěn)化，確定合適的時間序列模型階次和模型識別，建立了金剛石劃擦無氧銅的聲發(fā)射時間序列自回歸(Auto Regressive，AR)模型。研究表明：隨著切深的增加，聲發(fā)射特征參數(shù)和最大振幅隨之增大，AR模型的各特征向量與切深之間具有較好的線性關系，合理的AR模型可較好地表征單顆金剛石磨粒劃擦無氧銅的聲發(fā)射信號特征，并可以實時分析金剛石磨粒的劃擦深度。單顆金剛石磨粒
聲學技術 2017年2期2017-10-25
- 單顆剛玉磨粒切削齒輪鋼溫度場仿真研究*
京100072)單顆剛玉磨粒切削齒輪鋼溫度場仿真研究*楊理鈞，劉謙，田欣利，王龍，吳志遠 (裝甲兵工程學院裝備維修與再制造技術國防科技重點實驗室，北京100072)針對單顆磨粒試驗法對于磨削溫度的研究存在局限性，建立了單顆剛玉磨粒切削齒輪鋼的ABAQUS仿真模型和磨粒-工件的熱傳導模型，利用數(shù)值模擬技術研究了單顆磨粒切削過程的溫度場，分析了不同的磨粒特性和工藝參數(shù)下工件的最高溫度的變化;仿真結果可知，切削過程工件的最高溫度出現(xiàn)在第二溫度區(qū)磨粒前刃與工件接觸
組合機床與自動化加工技術 2017年4期2017-07-01
- PR—8203變焦防水LED PAR燈
PAR燈，采用單顆150 W RGBW四合一COB光源，混色出光更加均一純正，額定壽命50 000小時；具有22°～55°線性變焦功能，無論是小范圍染色，還是局部鋪光，都有絕佳表現(xiàn)。PR-8203的外殼采用高強度壓鑄鋁合金，防護等級高達IP67，燈具不會因長時間浸水而造成損壞。它可以選配DMX512無線接收裝置，接收無線DMX512發(fā)射器的信號，可以免除敷設信號線的煩惱。此外，PR-8203還具備0～100%線性調光，0.5次/秒～33次/秒電子頻閃。
演藝科技 2017年2期2017-03-30
- 超聲振動對單晶硅鋸切比能的影響
下鋸切比能都隨著單顆磨粒最大鋸切厚度的增大而降低，但普通鋸切方式下鋸切比能呈冪指數(shù)遞減趨勢，而在超聲振動的作用下比能變化趨勢轉變?yōu)榱己玫木€性遞減；并且單晶硅材料的去除方式由普通鋸切中塑性去除為主導轉變?yōu)榇嘈詳嗔讶コ?，其破碎方式屬于微破碎，趨于粉末狀破碎，由此在不會對工件表面產(chǎn)生嚴重損傷的同時使材料去除所消耗的能量得到了有效降低.同時，超聲振動使得鋸片上的磨粒對單晶硅表面的高速沖擊作用，使單晶硅產(chǎn)生大量微裂紋，對單晶硅的微小剝離起到很大作用.因此，超聲振動在
材料科學與工藝 2017年1期2017-02-16
- Osram新款LED舞臺照明產(chǎn)品
升級的芯片技術，單顆芯片最高可恒流驅動至2.5 A，主要開發(fā)用于舞臺聚光燈。它所采用的最新薄膜芯片技術和UX：3技術，是提升亮度的關鍵。1 mm2芯片能在最高2.5 A電流下運行，且輸出達到30 W，是現(xiàn)有版本的兩倍。目前，Osram Osmr Stage各種版本的輸出范圍涵蓋15W至60W。新款Osram Ostar Stage賦予舞臺聚光燈產(chǎn)品組合更高的靈活性，使用相同數(shù)量的LED能打造光輸出更強大的聚光燈，或者采用更少數(shù)量的LED即可實現(xiàn)相同的亮度。
演藝科技 2016年7期2016-11-16
- 核殼結構免燒輕骨料的制備與性能研究
備技術，研究采用單顆承載力來表征人造輕骨料的力學性能，研究了石灰摻量、水泥摻量、不同養(yǎng)護方式下成熟度模數(shù)對免燒輕骨料性能的影響，同時研究了核殼結構免燒輕骨料的耐高溫性能。結果表明，單顆承載力與筒壓強度具有良好的相關性，石灰摻量對粉煤灰摻量為50%的輕骨料力學性能影響較小，水泥摻量對輕骨料力學性能影響較大。成熟度模數(shù)對早期力學性能影響較大，隨著成熟度模數(shù)的增加，7 d承載力幾乎成線性增加，但對28 d力學性能影響不大。所制備的核殼免燒型骨料，承載力與燒結陶粒
硅酸鹽通報 2016年7期2016-10-14
- Osram新款舞臺聚光燈
升級的芯片技術，單顆芯片最高可恒流驅動至2.5 A，主要開發(fā)用于舞臺聚光燈。它所采用的最新薄膜芯片技術和UX：3技術，是提升亮度的關鍵。1 mm2芯片能在最高2.5 A電流下運行，且輸出達到30 W，是現(xiàn)有版本的兩倍。目前，Osram Ostar Stage各種版本的輸出范圍涵蓋15 W至60 W。新款Osram Ostar Stage賦予舞臺聚光燈產(chǎn)品組合更高的靈活性，使用相同數(shù)量的LED能打造光輸出更強大的聚光燈，或者采用更少數(shù)量的LED即可實現(xiàn)相同的
演藝科技 2016年5期2016-05-14
- 我國自主LED芯片輸出功率創(chuàng)世界紀錄
深紫外發(fā)光芯片，單顆芯片最大光輸出功率創(chuàng)造了新的世界紀錄。青島杰生電氣有限公司研發(fā)的280納米大功率深紫外發(fā)光芯片，常溫常壓和1000毫安電流連續(xù)通電條件下，其單顆芯片獲得了穩(wěn)定的176.6mW輸出功率，而電壓只有5.8v。這些優(yōu)異的電學特性使得該大功率芯片能夠直流通電到1A，才接近輸出功率飽和。該項單顆芯片最高輸出功率紀錄已遠遠超過了最近美國SETI公司報道的100mW、日本信息通信研究機構與德山的90mW紀錄。LED領域的下一個藍海市場，主要應用于殺菌
國防制造技術 2016年1期2016-03-11
- 我國自主大功率深紫外發(fā)光芯片輸出功率創(chuàng)世界紀錄
率深紫外發(fā)光芯片單顆芯片最大光輸出功率創(chuàng)造了新的世界紀錄。在常溫常壓、1000mA電流連續(xù)通電條件下，該芯片單顆芯片獲得了穩(wěn)定的176.6mW輸出功率，而電壓僅為5.8V。這些優(yōu)異的電學特性使得該芯片能夠直流通電到1A，才接近輸出功率飽和。該項單顆芯片最高輸出功率紀錄已遠遠超過了美國SETI公司報道的100mW、日本信息通信研究機構與德山株式會社的90mW紀錄。(王建高)
軍民兩用技術與產(chǎn)品 2016年3期2016-01-05
- 拋光過程游離單顆磨粒與光學元件間滾動摩擦接觸分析
5)拋光過程游離單顆磨粒與光學元件間滾動摩擦接觸分析陳為平1， 高誠輝1,2， 任志英1,2， 林春生3(1. 福州大學機械工程及自動化學院，福建 福州 350108；2. 福州大學摩擦學研究所，福建 福州 350002；3. 福建福光數(shù)碼科技有限公司，福建 福州 350015)針對游離單顆磨粒與光學元件滾動接觸過程中摩擦、磨損機理分析的不足及如何有效控制滾動單顆磨粒對光學元件亞表面損傷的影響等問題，基于滾動接觸理論，提出了一種具有分形特征表面的單顆磨粒與
圖學學報 2015年4期2015-12-03
- 立方氮化硼（CBN）磨粒磨削TC4鈦合金的仿真研究
-3D軟件開展了單顆立方氮化硼（CBN）磨粒磨削TC4鈦合金的仿真，對不同磨削速度和磨削深度下的工件磨削溫度、磨粒的磨損量進行了分析。通過仿真發(fā)現(xiàn)隨著磨粒切過工件的過程，工件的磨削溫度呈現(xiàn)出先快速增大達到最大值后緩慢下降的變化趨勢，而磨粒磨損量表現(xiàn)出先迅速增大然后緩慢增加的變化規(guī)律。單顆磨粒；立方氮化硼；DEFEOM-3D；磨削溫度；磨損量0 引言鈦合金具有比強度高，熱穩(wěn)定性好，高溫強度高，耐腐蝕等許多優(yōu)點，在航空航天、國防軍工裝備等領域得到了廣泛的運用［
河南科技 2015年22期2015-10-14
- 高彈性合金鋼的微細磨削仿真
ABAQUS模擬單顆磨粒微細磨削高彈性合金鋼，分析磨削工藝參數(shù)對磨削力、熱的影響規(guī)律，并用專業(yè)金屬切削軟件Advantedge對殘余應力進行仿真，研究工藝參數(shù)對殘余應力的影響規(guī)律，為進一步提高細頸的磨削質量及撓性接頭角剛度的穩(wěn)定性奠定基礎.研究結果表明，提高砂輪線速度，可以大大減小磨削過程對工件表面的熱作用寬度和深度，有利于減小熱損傷和提高表面質量.撓性接頭； 微細磨削； 仿真； 殘余應力由于慣性導航技術的保密與封鎖性，現(xiàn)有文獻都局限于對撓性接頭細頸工藝方
東華大學學報（自然科學版） 2015年3期2015-08-25
- 一種LED照明光源均勻度設計
。在實際應用中，單顆LED難以滿足照明要求［8］，需采用多顆LED陣列組合形式，陣列方式將影響亮度的均勻性和光能利用率。這就需要進行優(yōu)化設計，計算相應的LED陣列方式［9］，設計出均勻性好的LED照明光源。目前，國內外采用了很多不同的方法來達到均勻照明，但這些設計各有利弊。比如采用復眼透鏡或梯形筒來達到均勻照明的設計［10］，這兩種光學系統(tǒng)具有一定的復雜性，故適用性受到限制。另外，在其他一些設計中采用自由曲面透鏡來實現(xiàn)均勻照明，由于自由曲面透鏡的設計一般需
應用光學 2015年4期2015-05-29
- 創(chuàng)見370 256GB
同步MLC閃存，單顆容量16GB，雙面16顆組成256GB的規(guī)格。同時，它還配有一顆三星DDR3高速緩存，單顆容量為256MB，其閃存和緩存的容量比值為1GB：1MB配置。創(chuàng)見370 256GB是一款具備高品質，且較好地平衡了性能和價格的主流級別產(chǎn)品。它在做工和用料等方面繼承了創(chuàng)見內存的優(yōu)良品質。而在性能上，對比創(chuàng)見340系列，創(chuàng)見370無論在讀寫速度上，隨機讀寫IOPS值上均有較大幅度的提高。
個人電腦 2015年3期2015-04-13
- OCZ Vertex 460 240GB
MLC閃存芯片，單顆芯片容量為16GB。緩存方面，Vertex 460 240GB的PCB板正、反兩面各有一顆容量256MB DDR3高速緩存芯片，總計512MB容量為整個SSD的讀寫提供高速的數(shù)據(jù)緩沖。Vertex 460 240GB定位入門級產(chǎn)品，從這款SSD的拆解、性能對比分析來看，除了主控頻率略微降低，其閃存、緩存、電氣元件和Vector150 SSD保持一致。尤其是Vertex 460 240G的實測性能更是直追Vector 150 240GB，
個人電腦 2015年3期2015-04-13
- 單顆種植牙切口選擇與臨床應用研究
，266071)單顆種植牙切口選擇與臨床應用研究馬才順 徐輝(濟南軍區(qū)青島第二療養(yǎng)院，266071)目的 研究單顆種植牙切口選擇與臨床應用研究結果比較。方法 對于臨床上失牙區(qū)采用單顆種植牙修復時，選擇傳統(tǒng)切開切口與選擇環(huán)鉆切口進行種植手術。結果 兩種手術切口相比較，無論在患者恐懼感、出血量多少及手術時間長短均有明顯差別。結論 正確選擇單顆種植牙手術切口意義重大。單顆種植牙；切口選擇；臨床研究隨著種植牙技術在臨床上廣泛應用，我們發(fā)現(xiàn)進行單顆種植牙的患者占了相
中國療養(yǎng)醫(yī)學 2014年10期2014-11-06
- GH4169高溫合金的單顆磨粒高速磨削試驗
具有重要意義。因單顆磨粒在磨削過程中的磨削痕跡不受其他磨粒影響，從而成為研究磨削機理的有效手段［1］。國內外已有學者對單顆磨粒磨削試驗中磨削力、磨屑形態(tài)及磨粒磨損等方面進行了相關研究。Desa［2］等將磨粒想象為簡單的幾何形狀，用形狀規(guī)則的磨料做滑擦和磨削試驗來研究磨削力和磨屑的形成。而實際磨粒形狀往往是不規(guī)則的，繼而又有學者采用實際磨削所用的剛玉和CBN（立方氮化硼）磨粒來完成單顆磨粒磨削試驗，以此來研究磨削機理。結果表明，磨粒前角對法向磨削力的影響比對
機械工程材料 2013年8期2013-08-16
- 超聲激勵下單顆磨粒斷續(xù)切削邊界研究*
了超聲振動磨削對單顆磨粒運動軌跡的影響規(guī)律，界定不同超聲激勵條件下，單顆磨粒斷續(xù)切削的存在條件;對工程陶瓷普通磨削、一維、二維超聲振動進行磨削試驗，得到試件加工表面的SEM照片，根據(jù)試驗結果討論了普通磨削和超聲磨削試件表面質量差異的原因。1 運動軌跡1.1 軌跡方程磨削加工過程是一個非常復雜的材料去除過程。根據(jù)磨削運動學理論，單顆磨粒的運動主要由工作臺的直線往復運動、砂輪旋轉運動以及超聲振動組成。運動情況如圖1所示，運動參數(shù)與試驗工藝參數(shù)相同，如表1。為了
制造技術與機床 2012年11期2012-10-23
- 單顆金剛石磨粒磨削玻璃的磨削力研究
通磨削實驗而言,單顆磨粒磨削可以在相似的磨削過程中不受其他磨粒及切屑的影響,因此,利用單顆磨粒磨削來認識復雜的磨削過程是一種很重要的手段。事實上,單顆磨粒磨削方法在金屬材料的磨削機理研究中已經(jīng)得到了廣泛的應用,并取得了許多有意義的結果[3-4]。一些學者們利用單顆磨粒磨削的方法進行了脆性材料加工機理的研究,但他們的研究重點大多集中于磨粒以微量切深去除脆性材料時,脆性材料產(chǎn)生的塑性變形及其相關機理[5-7]。對于磨粒以脆性方式去除脆性材料的研究,則并不多見[
中國機械工程 2010年11期2010-06-04
- 釬焊金剛石砂輪磨削硬質合金的磨削力研究
小可以計算如下：單顆磨粒最大切屑厚度hmax是研究加工過程中很重要的一個物理量(圖3),它直接影響到單顆磨粒的受力情況,磨削加工參數(shù)的影響可由hmax來反映,hmax可表達為[6]式中,C為平均單位面積內實際參與切削的有效磨粒數(shù)(本實驗中C為0.685);θ為磨粒頂錐角的一半,這里取θ=60°。圖3 單顆磨粒未變形切屑示意圖單顆磨粒實際承受的平均法向載荷P n和切向載荷Pt的大小可以表示為2.1 單顆磨粒磨削力模型及分析磨削中大部分的能量是消耗在砂輪與工件
中國機械工程 2010年15期2010-05-30
- 首款千元Radeon HD 4870 1GB顯卡
C-40X顯存。單顆顯存的規(guī)格為32M×32-bit.單顆顯存的容量為128MB(32×32÷8).8顆顯存的總容量就是1024MB(1GB)。-40X表示每Pin的最大傳輸速率為4Gb／e(即理論上顯存可以工作在4000MHz下，而該卡的默認頻率為3600MHz，表明顯存頻率還有一定的超頻空間)，那么單顆顯存的額定帶寬就是16GB／s(4×32÷8).8顆顯存的額定帶寬為128GB／s，而同檔次、使用1GB顯存(GDDR3)的顯卡的顯存帶寬一般只有64G
微型計算機 2009年17期2009-05-19