首款軟性儲存芯片將用于穿戴式裝置

根據《每日科學網》的報道指出，日前在美國的一個國際科技團隊，正式宣布研發(fā)出一種全新技術，也就是該團隊將高性能磁性儲存芯片移植到一塊軟性塑膠表面，且無損其性能。并且透過軟性塑膠的特性，發(fā)展成透明薄膜狀的“軟性智能塑膠芯片”。其擁有優(yōu)異的資料儲存和處理能力，未來若正式商品化，將有望成為未來穿戴式產品中重要的儲存元件。

報道中表示，研發(fā)該款“軟性智能塑膠芯片”，團隊首先將氧化鎂基磁性隧道結（MTJ）種植在一個矽表面上，接著蝕刻掉下面的矽，再使用一種轉印方法，在一個原料由聚對苯二甲酸乙二醇酯制成的軟性塑膠表面，植入了一個磁性儲存芯片。經過測試，新設備在磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）上的動作明確。由于MRAM在處理速度、能耗、以及可斷電后儲存資料等性能上，都要高于傳統(tǒng)隨機存取記憶體芯片。因此，“軟性智能塑膠芯片”未來與MRAM的整合后，將開創(chuàng)另一種新儲存元件的誕生。

目前，在軟性電子設備市場中，以軟性磁存放裝置的發(fā)展最受關注。因為，它們將是未來穿戴電子產品，以及生物醫(yī)學設備進行資料存儲和處理的關鍵零組件。盡管，科學家已在不同樣式的儲存芯片和材料上進行了多項研究。但是，在軟性基座上打造高性能存儲芯片而無損其性能方面仍面臨巨大困難。

而目前研發(fā)出該項“軟性智能塑膠芯片”的國際團隊為新加坡國立大學、韓國延世大學、比利時根特大學、新加坡材料研究所及新加坡工程研究所的科學家所組合而成。該團隊表示，目前已經在美國和韓國為這項技術申請了專利。目前正在進一步提升該設備磁阻效能的實驗，并期望未來將產品應用于其他電子設備上。

（出自：科技新報）