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      一種低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計

      2016-03-17 06:01:55重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院重慶400065
      電子制作 2016年4期
      關(guān)鍵詞:帶隙晶體管基準(zhǔn)

      楊 虹 魯 正 重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院 重慶 400065

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      一種低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計

      楊虹魯正重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院重慶400065

      【文章摘要】

      本文設(shè)計了一種適用于DC—DC轉(zhuǎn)換器的帶隙基準(zhǔn)電壓源,在0.18μm的SI MC工藝下,采用Cadence Spectre對電路進(jìn)行仿真分析。結(jié)果表明,在5V的電源電壓下,基準(zhǔn)輸出電壓為1.214 V,在-40~+85℃范圍內(nèi),基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)為2.46x 10-6/℃。

      【關(guān)鍵詞】

      低溫漂;溫度系數(shù);帶隙基準(zhǔn);DC-DC轉(zhuǎn)換器

      0 引言

      基準(zhǔn)電壓源在各種電路系統(tǒng)中扮演著重要的角色,其電壓穩(wěn)定性、溫度特性、抗噪聲能力等直接影響系統(tǒng)的性能和精度。在眾多的基準(zhǔn)源中,帶隙基準(zhǔn)電壓源由于其高精度、溫漂低、高電源抑制比等優(yōu)點在ADC、DAC、振蕩器等電路中得到廣泛應(yīng)用。本文主要設(shè)計了一種適用于開關(guān)電源的帶隙基準(zhǔn)電壓源,并對其進(jìn)行了分析和驗證。

      1 帶隙基準(zhǔn)電壓源電路的分析與設(shè)計

      本文設(shè)計的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路如圖1所示,由MOS晶體管M0~M6,電阻R0、R1及運(yùn)算放大器組成。晶體管Q0由n個并列的晶體管單元,而Q1是一個單晶體管單元。運(yùn)算放大器采用了一個密勒補(bǔ)償兩級運(yùn)算放大器。

      M0、M1和M2構(gòu)成鏡像電流源,理想情況下,運(yùn)算放大器具有很高的增益,通過反饋環(huán)路保證A點與B點電壓相等,我們可以得到:

      2 仿真與分析

      為了驗證所設(shè)計的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路,本文采用了中芯國際(SIMC)0.18CMOS工藝對該電路進(jìn)行了仿真驗證,仿真結(jié)果顯示,在-40~85范圍內(nèi),輸出帶隙基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)為2.46x 10-6/℃。

      3 結(jié)論

      本文設(shè)計了一種帶隙基準(zhǔn)電壓源,采用密勒補(bǔ)償?shù)膬杉夁\(yùn)算放大器,并且該帶隙基準(zhǔn)電壓源已經(jīng)應(yīng)用于一種DC-DC轉(zhuǎn)換器電路中,性能很好。

      圖1 帶隙基準(zhǔn)電壓源電路結(jié)構(gòu)圖

      圖2 密勒補(bǔ)償兩級運(yùn)算放大器電路圖

      圖3 基準(zhǔn)電壓的溫度曲線圖

      【參考文獻(xiàn)】

      [1]張東亮, 曾以成, 陳星燕,等. 曲率補(bǔ)償?shù)蜏仄瘞痘鶞?zhǔn)電壓源設(shè)計[J]. 電子元件與材料, 2015(11).

      [2]張獻(xiàn)中, 張濤. 一種三階曲率補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計[J]. 武漢科技大學(xué)學(xué)報:自然科學(xué)版, 2015(1):67-71.

      [3]宗永玲, 陳中良. 采用分段曲率補(bǔ)償?shù)男滦蛶痘鶞?zhǔn)電壓源設(shè)計[J]. 河南科學(xué), 2014(8):1467-1469.

      楊虹(1966一),男,四川蓬溪人,教授,研究方向:微電子材料與元器件及微波技術(shù);

      魯正(1989一),男,湖北嘉魚人,研究生,研究方向:CMOS模擬集成電路設(shè)計。

      【作者簡介】

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